KR900017127A - 마스크, 마스크 제조방법 및 마스크를 사용하는 패턴형성방법 - Google Patents

마스크, 마스크 제조방법 및 마스크를 사용하는 패턴형성방법 Download PDF

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KR900017127A KR1019900006018A KR900006018A KR900017127A KR 900017127 A KR900017127 A KR 900017127A KR 1019900006018 A KR1019900006018 A KR 1019900006018A KR 900006018 A KR900006018 A KR 900006018A KR 900017127 A KR900017127 A KR 900017127A
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Abstract

내용 없음.

Description

마스크, 마스크 제조방법 및 마스크를 사용하는 패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도는 본 발명에 따른 마스크의 첫 번째 실시예를 나타내는 단면도.
제10a도 내지 10c도는 위상변위층의 하나의 에지부(edge portion)에서 광 강도를 설명하기 위한 도.
제11a도 내지 11c도는 위상변위층의 두 개의 에지부에서 광 강도를 설명하기 위한 도.
제12도는 마스크의 첫번째 실시예의 노광을 위해 사용된 광시스템을 일반적으로 나타내는 도.
제13도는 본 발명에 따른 패턴형성방법의 첫번째 실시예를 설명하기 위한 도.
제14a도 내지 14e도는 본 발명에 따른 마스크 제조방법의 첫번째 실시예를 설명하기 위한 단면도.

Claims (106)

  1. 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 마스크에 있어서 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(2)과, 상기 첫번째 층상의 마스크 패턴층(5)으로 이루어지고, 상기 마스크 패턴층은 위상변위 영역에 조사하는 노광을 투과시키고 그 영역에 조사하지 않는 노광과 관련하여 투과 광의 위상을 변위시키는 위상변위 물질층(3a)만으로 이루어진 적어도 하나의 위상변위영역을 포함하고, 상기 위상변위영역은 노광이 마스크에 조사할 때 위상변위영역에 조사하지 않는 노광의 적어도 한 부분과 위상변위된 투과 광의 적어도 한부분이 서로 근접하여 위치한 마스크를 통과함으로써 상기 부분들이 서로 접촉, 간섭하여 상기 웨이퍼 위에 형성된 패턴의 적어도 한부분에 해당하는 감소된 광강도를 갖는 적어도 하나의 패턴 부분을 생성시키도록 상기 첫번째 층위에 위치되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  2. 제1항에 있어서 상위 위상변위된 투과 광의 위상이 상기 위상변위영역에 조사하지 않는 노광과 관련하여 150°에서 210°의 범위 내에서 변위되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제1항에 있어서 상기 위상변위영역이 라인패턴을 형성하기 위해 상기 광부분들 사이에 위치하는 직선에지부를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제1항에 있어서 상기 패턴이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하기 위해 상기 광부분들 사이에 위치하는 한쌍의 직선에지부를 제공하는 하나 이상의 상기 위상변위영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제1항에 있어서 상기 위상변위영역이 첫번째 층의 한부분의 두께가 상기 첫번째 층의 다른 부분의 두께와 다르도록 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 제1항에 있어서 상기 패턴이 상호 다른 위상변위량을 갖는 다수개의 서로 인접한 영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  7. 제6항에 있어서 위상변위영역에 조사하지 않는 변위되지 않은 노광과 관련하여 위상차 π를 갖는 위상이 변위된 광을 생성시키는 상기 인접한 하나의 영역과 변위되지 않은 노광과 관련하여 위상차 π/2를 갖는 위상이 변위된 광을 생성시키는 인접한 다른 영역으로 이루어지고, 상기 π/2의 위상차를 갖는 변위된 광과 변위되지 않은 광 사이의 간섭이 그레이(gray) 패턴 부분을 생성시키는데 충분하게 되고, 상기 π의 위상차를 갖는 변위된 광과 변위되지 않은 광 사이의 간섭이 블랙(black)패턴 부분을 생성시키는데 충분하게 되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  8. 제7항에 있어서 상기 인접한 영역들이 블랙라인 패턴 부분을 생성시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  9. 제7항에 있어서 상기 인접한 영역들이 블랙도트 패턴 부분을 생성시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  10. 제7항에 있어서 상기 인접한 영역들이 블랙 교차라인패턴 부분을 생성시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  11. 제7항에 있어서 상기 인접한 영역들이 블랙 T형상 패턴 영역을 생성시키도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  12. 제1항에 있어서 상기 패턴이 적어도 두 개의 위상변위영역을 포함하고, 상기 하나의 위상변위영역이 또 하나의 위상변위영역과 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
  13. 제1항에 있어서 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  14. 제1항에 있어서 상기 위상변위영역이 SiO2, Al2O3또는 MgF2로 구성되는 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  15. 제1항에 있어서, 상기 마스크가 상기 첫번째 층의 부분들을 덮는 불투명 마스크층(14)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  16. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(2)과 상기 첫번째 층의 일부를 덮고 에지부를 갖는 불투명층(14)과 상기 에지부를 덮는 것과 관련하여 상기 첫번째 층과 상기 불투명층 위에 형성되는 위상변위층(3a)을 포함하는 위상변위 패턴으로 이루어진 마스크에 있어서 상기 첫 번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  17. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(2)과 상기 첫번째 층의 일부를 덮고 에지부를 갖는 불투명층(14)과 상기 에지부를 덮는 것과 관련하여 상기 첫번째 층과 상기 불투명층 위에 형성되는 위상변위층(3a)을 포함하는 위상변위 패턴으로 이루어진 마스크에 있어서, 상기 위상변위층이 SiO2, Al2O3또는 MgF2로 구성되는 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  18. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(2)과 상기 첫번째 층의 일부를 덮고 에지부를 갖는 불투명층(14)과 상기 에지부를 덮는 것과 관련하여 상기 첫번째 층과 상기 불투명층 위에 형성되는 위상변위층(3a)을 포함하는 위상변위 패턴으로 이루어진 마스크에 있어서, 상기 불투명층이 Cr으로 구성되는 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  19. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(2)과 상기 첫번째 층의 일부를 덮고 에지부를 갖는 불투명층(14)과 상기 에지부를 덮는 것과 관련하여 상기 첫번째 층과 상기 불투명층 위에 형성되는 위상변위층(3a)을 포함하는 위상변위 패턴으로 이루어진 마스크에 있어서 상기 마스크가 첫 번째층의 부분들을 덮는 두번째 불투명 마스크층(20)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  20. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(2)과 상기 첫번째 층의 일부를 덮고 에지부를 갖는 불투명층(14)과 상기 에지부를 덮는 것과 관련하여 상기 첫번째 층과 상기 불투명층 위에 형성되는 위상변위층(3a)을 포함하는 위상변위 패턴으로 이루어진 마스크에 있어서 상기 마스크가 상기 첫번째 층의 부분들에 형성되는 두번째 위상변위 패턴(36)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  21. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(2)과 상기 첫번째 층의 일부를 덮고 에지부를 갖는 불투명층(14)과 상기 에지부를 덮는 것과 관련하여 상기 첫번째 층과 상기 불투명층 위에 형성되는 위상변위층(3a)을 포함하는 위상변위 패턴으로 이루어진 마스크에 있어서 스토퍼층(21)이 상기 불투명층과 상기 위상변위층 밑에 있는 첫번째층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  22. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(31)과 상기 첫번째 층의 일부분을 덮고 에지부를 갖는 불투명층(32)과 상기 에지부에 인접한 상기 첫번째 층에 형성된 위상변위영역(37A,37B)으로 이루어지고, 상기 위상변위영역은 그 영역에 조사하는 노광을 투과하고, 그 영역에 조사하지 않는 노광과 관련하여 투과 광의 위상을 변위시키도록 형성하고, 다른 두께를 갖는 첫번째와 두 번째 위상변위 영역의 부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  23. 웨이퍼위에 패턴을 형성시키기 위한 마스크에 있어서 노광에 대하여 투명하고 첫번째와 두번째 영역을 갖는 첫번째 층(31)과 상기 첫번째 층의 첫번째 영역위에 형성된, 첫번째 위상변위영역에 조사하는 노광을 투과하고 위상변위영역에 조사하지 않는 노광과 관련하여 투과되는 광의 위상을 변위시킬 수 있는 위상변위물질로 된 첫번째 위상변위 층(37A)으로만 형성되는 적어도 하나의 위상변위영역을 포함하고, 상기 위상변위영역을 노광이 마스크에 조사할때 위상이 위상변위영역에 조사하지 않는 노광의 적어도 한부분과 위상변위된 투과 광의 적어도 한 부분이 서로 근접한 위치에서 마스크를 통과함으로써 상기 부분들이 서로 접촉, 간섭하여 상기 웨이퍼 위에 형성된 패턴의 적어도 한 부분에 해당하는 감소된 광 강도를 갖는 첫번째 패턴 부분을 생성시키도록 상기 첫번째 층위에 위치되는 마스크 패턴(36)과 상기 첫번째 층의 두번째 영역의 일부분을 덮는 에지부를 갖는 불투명층(32)과 상기 위상변위 물질로 된 두번째 위상변위층(37B)을 포함하고 상기 두번째 위상변위층은 상기 에지부와 관련하여 첫번째 층의 두번째 영역 및 불투명층위에 위치하고 상기 두번째 위상변위층은 상기 에지부에 인접한 영역에서만 상기 불투명층에 형성되고 이것에 의해 상기 웨이퍼 위에 패턴의 존(zone)은 첫번째 층의 상기 첫번째 영역에 광을 조사시킴으로써 형성되는 소정의 폭보다 작거나 동일한 폭을 갖고, 상기 두번째 영역에 광을 조사시킴으로써 형성되는 소정의 폭보다 더 큰 폭을 갖는 위상변위 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  24. 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 마스크에 있어서 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(31)과 상기 첫번째 층의 일부를 덮고 에지부를 갖는 불투명층(32)과 상기 에지부에 인접한 상기 첫번째 층 위에 첫번째(41A) 및 두번째 위상변위 부분(41B)을 포함하는 위상변위층으로 이루어지고, 상기 위상변위 부분은 그 위에 조사하는 노광을 투과하고, 위상변위 부분에 조사하지 않는 노광과 관련하여 투과되는 광의 위상을 변위시키도록 형성되고, 상기 첫번째 및 두번째 위상변위 부분이 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
  25. 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 마스크에 있어서, 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(51)과 상기 첫번째 층의 일부분을 덮고 에지부를 갖는 불투명 층(53)과 상기 에지부에 인접한 상기 첫번째 층 위의 서로 인접한 위상 변위영역(52)을 포함하는 위상변위 패턴으로 이루어지고, 상기 위상변위 영역은 그 영역에 조사하는 노광을 투과하고 그 영역에 조사하지 않는 노광과 관련하여 투과되는 광의 위상을 변위시키도록 형성되고, 상기 서로 인접한 위상변위영역이 서로 다른 위상변위량을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
  26. 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 마스크에 있어서 노광에 대하여 투명한 첫번째(51)와 상기 첫번째 층의 일부분을 덮고 에지부를 갖는 불투명층(53)과 상기 첫번째 층 위에 위상변위영역(52)들을 포함하고, 상기 각각의 위상변위영역은 상기 각각 하나의 에지부와 인접해 있는 위상변위 패턴으로 이루어지고, 상기 위상변위영역이 그 영역에 조사하는 노광을 투과하고, 그 영역에 조사하지 않는 노광과 관련하여 투과되는 광의 위상을 변위시키고 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성시키도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  27. 제26항에 있어서 상기 위상변위영역과 그 위에 위상변위영역이 없는 첫번째 층의 일부분 사이의 경계가 형성되는 블랙패턴의 안측면에 위치되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  28. 첫번째 층(2) 위에 레지스트물질의 패턴(4)을 형성시키는 단계, 상기 레지스트패턴에 의해 덮히지 않은 상기 첫번째 층의 부분에 소정의 두께로 상기 위상변위층(3a)을 형성시키는 단계 및 상기 레지스트패턴을 제거하는 단계로 구성하는 마스크 제조방법.
  29. 제28항에 있어서 상기 소정의 두께가 위상변위층에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 상기 물질에 의해 투과되는 노광의 위상이 150°에서 210°의 범위 내에서 변위되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  30. 제28항에 있어서 상기 위상변위층이 라인패턴을 형성하기 위해 적어도 하나의 에지부를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  31. 제28항에 있어서 위상변위층이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하도록 한쌍의 에지부를 제공하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  32. 제28항에 있어서 상기 위상변위층이 서로 다른 두께를 갖는 첫번째와 두번째 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  33. 제28항에 있어서 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  34. 제28항에 있어서 상기 위상변위층이 SiO2, Al2O3또는 MgF2로 구성되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  35. 첫번째 층(2) 위에 스토퍼층(12)을 형성하는 단계, 상기 스토퍼층 위에 소정의 두께로 상기 위상변위 물질로 된 층(3a)을 형성하는 단계, 상기 위상변위 물질로 된 층 위에 레지스트물질의 패턴(4)을 형성하는 단계 및 에칭 저지체로서 상기 스토퍼 층과 에칭마스크로서 상기 레지스트패턴을 사용하여 위상변위층을 에칭하는 단계를 포함하는 마스크 제조방법.
  36. 제35항에 있어서 상기 소정의 두께가 위상변위층에 조사하지 않은 노광의 위상과 관련하여 상기 물질에 의해 투과되는 노광의 위상이 150°에서 210°의 범위 내에서 변위되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  37. 제35항에 있어서 상기 위상변위층이 라인패턴을 형성하기 위해 적어도 하나의 에지부를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  38. 제35항에 있어서 위상변위층이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하기 위해 한쌍의 에지부를 제공하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  39. 제35항에 있어서 상기 위상변위층이 서로 다른 두께를 갖는 첫 번째 및 두번째 부분을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  40. 제35항에 있어서 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  41. 제35항에 있어서 상기 위상변위층이 SiO2, Al2O3또는 MgF2로 구성되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  42. 제35항에 있어서 스토퍼층이 Al2O3물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  43. 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 마스크 제조방법에 있어서 노광에 대하여 투명한 첫 번째 층(2)을 제공하는 단계 상기 첫번째 층의 일부를 덮고 불투명층의 에지부를 제공하도록 불투명층(14,20)을 형성하는 단계, 상기 불투명층 위에 레지스트물질(3)의 패턴(4)을 형성하는 단계, 상기 레지스트패턴 위에 소정의 두께의 위상변위층을 형성하되, 그 층에 조사하는 노광을 투과하고 첫번째 그 층에 조사하지 않는 노광과 관련하여 투과되는 광의 위상을 변위시킬 수 있는 위상변위 물질로 만들어지는 위상변위층(3a)을 형성하는 단계, 및 상기 위항변위 패턴의 영역이 상기 불투명층의 에지부에 인접한 영역에서만 상기 불투명층 위에 남도록 상기 레지스트패턴을 제거하는 단계를 포함하는 마스크 제조방법.
  44. 제43항에 있어서, 상기 위상변위층이 서로 다른 두께를 갖는 첫번째 및 두번째 부분을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  45. 제43항에 있어서, 상기 불투명층의 에지부와 위상변위영역이 라인패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  46. 제43항에 있어서, 상기 불투명층이 한쌍의 에지부를 제공하도록 형성되고, 상기 위상변위층이 각각의 에지부에 인접한 첫번째 층 위의 각각의 위상변위영역을 포함하도록 패턴화되고, 상기 에지부와 위상변위영역이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  47. 제43항에 있어서, 상기 위상변위영역이 서로 다른 두께를 갖는 첫번째 및 두번째 부분을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  48. 제43항에 있어서, 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  49. 제43항에 있어서, 상기 위상변위층이 SiO2, Al2O3또는 MgG2로 구성되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  50. 제43항에 있어서, 상기 소정의 두께가 위상변위층에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 상기 물질에 의해 투과되는 노광의 위상이 150°에서 210°의 범위내에서 변위되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  51. 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 마스크 제조방법에 있어서, 노광에 대하여 투명하고 에칭 저지체(스토퍼)로서 수행될 수 있는 첫 번째층(2)을 제공하는 단계, 상기 첫번째 층의 부분을 덮고 에지부를 제공하도록 불투명층(14,20)을 형성하는 단계, 상기 불투명 패턴층에 스토퍼층(21)을 형성하는 단계, 상기 불투명층에 소정의 두께로 형성되고, 위상변위층에 조사하는 노광을 투과하고 위상변위층에 조사하지 않는 노광과 관련하여 투과되는 광의 위상을 변위시킬 수 있는 위상변위물질로 만들어지는 위상변위층(3a)을 형성하는 단계, 상기 위상변위층 위에 레지스트물질의 패턴(4)을 형성하는 단계, 및 위상변위층의 영역이 불투명 층의 상기 에지부에 인접한 첫번째 층 위에 남도록 에칭 저지체로서 상기 첫번째 층과 에칭마스크로서 상기 레지스트패턴을 사용하여 위상변위층을 에칭하는 단계를 포함하는 마스크 제조방법.
  52. 제51항에 있어서, 불투명층이 한쌍의 에지부를 제공하도록 형성되고, 상기 위상변위층이 상기 각각의 에지부에 인접한 첫번째 층에 각각의 위상변위영역을 포함하도록 패턴화되고, 상기 에지부와 위상변위영역이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  53. 제51항에 있어서, 상기 위상변위층이 서로 다른 두께를 갖는 첫번째 및 두번째 부분을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  54. 제51항에 있어서, 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  55. 제51항에 있어서, 상기 위상변위층이 SiO2, Al2O3또는 MgF2로 구성되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  56. 제51항에 있어서, 스토퍼층이 Al2O3물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  57. 제51항에 있어서, 상기 불투명층이 스토퍼층을 형성하는 단계로 포함되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  58. 제51항에 있어서, 상기 소정의 두께가 위상변위층에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 상기 물질에 의해 투과되는 노광의 위상이 150°에서 210°의 범위 내에서 변위되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  59. 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 마스크 제조방법에 있어서, 노광에 대하여 투명한 첫 번째 층(31)을 제공하는 단계, 상기 첫번째 층의 일부분을 덮고 첫 번째 층의 덮히지 않은 부분에 인접한 불투명층의 에지부를 제공하도록 불투명층(32)을 형성하는 단계, 상기 불투명층과 불투명층이 덮이지 않는 부분 위에 전도층(34)을 형성하는 단계, 상기 전도층에 네가티브 EB 레지스트물질의 층(35)을 형성하는 단계, 상기 레지스트 물질층에 선택적인 전자빔을 가하고 상기 첫번째 층의 덮히지 않은 부분 위에 위치한 마스크를 노출시키도록 현상하여 상기 불투명층의 에지부로부터 떨어져 마주보고 있는 에지를 갖도록 하는 단계, 및 상기 마스크의 에지와 상기 에지부 사이에 소정의 두께를 갖도록 첫번째 층을 에칭하고, 상기 두께로 에칭함으로써 위상변위영역에 조사하는 노광을 투과하고, 첫번째 층을 통해 통과하지만 위상변위영역에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 투과 광의 위상을 변위시키도록 불투명층의 상기 에지부에 인접한 위상변위영역을 형성하는 단계를 포함하는 마스크 제조방법.
  60. 제59항에 있어서, 상기 소정의 두께가 상기 영역에 의해 투과되는 노광의 위상이 첫번째 층을 통해 통과하지만 상기 영역에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 150°에서 210°의 범위 내에서 변위되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  61. 제59항에 있어서, 상기 에지부와 위상변위영역이 라인패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  62. 제59항에 있어서, 상기 불투명층이 두개의 에지부를 제공하도록 형성되고, 각각의 위상변위영역이 각각 에지부에 인접하여 형성되고, 상기 에지부와 위상변위영역이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  63. 제59항에 있어서, 상기 위상변위층이 서로 다른 두께를 갖는 첫번째 및 두번째 부분을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  64. 제59항에 있어서, 상기 첫번째 층이 석영과 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  65. 마스크를 제조하기 위한 방법에 있어서, 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(51)을 제공하는 단계, 상기 첫번째 층의 부분을 덮고 불투명층의 에지부를 제공하도록 불투명층(53,53a)을 형성하는 단계, 에칭마스크로서 상기 불투명층을 사용하여 소정의 두께를 갖도록 상기 첫번째 층을 에칭하여 상기 에지부에 인접한 위상변위영역(37A,37B ; 41A,41B)을 형성하는 단계, 상기 불투명층의 소정의 부분에 레지스트물질의 패턴(54)을 형성하는 단계, 및 불투명층의 마스크되지 않은 부분을 에칭하는 단계를 포함하는 마스크 제조방법.
  66. 제65항에 있어서, 상기 소정의 두께가 첫번째 층을 통해 통과하지만 상기 영역에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 상기 영역에 의해 투과되는 노광의 위상이 150°에서 210°의 범위내에서 변위되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  67. 제65항에 있어서, 상기 에지부와 위상변위영역이 라인패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  68. 제65항에 있어서, 상기 불투명층이 두 개의 에지부를 제공하도록 형성되고, 각각의 위상변위영역이 각각의 에지부에 인접하여 형성되고, 상기 에지부와 위상변위영역이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  69. 제65항에 있어서, 상기 위상변위층이 서로 다른 두께를 갖는 첫번째 및 두번째 부분을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  70. 제65항에 있어서, 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  71. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(51)을 제공하는 단계, 상기 첫번째 층의 한 측면 부분에 불투명층(53,53C)을 형성하는 단계, 상기 불투명층을 마스크로서 사용하여 소정의 두께로 상기 첫번째 층을 에칭하는 단계, 상기 불투명층에 레지스트층(55)을 형성하는 단계, 레지스트패턴에서 상기 레지스트층을 현상하기 위하여 상기 첫번째 층의 반대측면으로부터 레지스트층을 노출시키는 단계, 에지부를 제공하도록 사이드에칭에 의해 상기 불투명층의 부분을 제거하는 단계, 및 상기 에지부에 인접한 상기 첫번째 층 위의 위상변위영역을 노출시키도록 상기 레지스트패턴을 제거하는 단계를 포함하는 마스크 제조방법.
  72. 제71항에 있어서, 상기 소정의 두께가 상기 영역에 의해 투과되는 노광의 위상이 첫번째 층을 통해 통과하지만 상기 영역에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 150°에서 210°의 범위 내에서 변위되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  73. 제71항에 있어서, 상기 에지부와 위상변위영역이 라인패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  74. 제71항에 있어서, 상기 불투명층이 두개의 에지부를 제공하도록 에칭되고, 각각의 위상변위영역이 각각의 에지부에 인접하여 위치되고, 상기 에지부와 위상변위영역이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  75. 제71항에 있어서, 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  76. 노광에 대하여 투명한 첫번째 층(51)을 제공하는 단계, 상기 첫번째 층의 한 측면의 부분에 불투명(53,53C)을 형성하는 단계, 상기 불투명층을 마스크로서 사용하여 소정의 두께를 갖도록 상기 첫번째 층을 에칭하는 단계, 상기 불투명층위에 레지스트층(55)을 형성하는 단계, 레지스트패턴을 갖는 상기 레지스트층을 현상하기 위해 상기 첫번째 층의 반대측면으로부터 레지스트층을 노출시키고 상기 불투명층의 부분을 노출시키는 단계, 및 에지부를 제공하도록 상기 불투명층의 노출부분을 제거하고, 상기 에지부에 인접한 상기 첫번째 층 위의 위상변위영역(37A,37B ; 41A,41B)을 노출시키는 단계를 포함하는 마스크 제조방법.
  77. 제76항에 있어서, 상기 소정의 두께가 상기 영역에 의해 투과되는 노광의 위상이 첫번째 층을 통해 통과하지만 상기 영역에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 150°에서 210°의 범위 내에서 변위되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  78. 제76항에 있어서, 상기 에지부와 위상변위영역이 라인패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  79. 제76항에 있어서, 상기 불투명층이 두개의 에지부를 제공하도록 에칭되고, 각각의 위상변위영역이 각각의 에지부에 인접하여 형성되고, 상기 에지부와 위상변위영역이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  80. 제76항에 있어서, 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  81. 웨이퍼 위에 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 광원으로부터 광을 마스크(1)에 조사하고 광의 일부분이 상기 마스크를 통해 투과되는 단계, 패턴을 노출시키도록 렌즈시스템(9)을 사용하여 웨이퍼(11)위의 포토레지스트층(10)위에 있는 마스크를 통해 투과되는 광을 영상화하는 단계, 및 노출패턴을 현상하는 단계를 포함하는 패턴형성방법.
  82. 제81항에 있어서, 상기 투과되는 광의 위상변위가 상기 위상변위영역(3a)에 조사하지 않는 노광의 위상과 관련하여 150°에서 210°의 범위 내에서 변위되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  83. 제81항에 있어서, 상기 위상변위영역이 라인패턴을 형성하기 위해 상기 광 부분들 사이에 위치하는 직선에지를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  84. 제81항에 있어서, 상기 패턴이 임의의 폭을 갖는 패턴을 형성하기 위해 상기 광 부분들 사이에 위치하는 한쌍의 직선에지를 제공하는 하나 이상의 상기 위상변위영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  85. 제81항에 있어서, 상기 패턴이 적어도 두개의 위상변위영역을 포함하고 상기 위상변위영역의 하나가 다른 상기 영역과 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  86. 제85항에 있어서, 상기 영상화 단계가 상기 포토레지스트층의 요철 표면 구조에 의존하는 상기 포토레지스트층 위의 다른 촛점 위치에 의해 패턴을 영상화 하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  87. 제81항에 있어서, 상기 첫번째 층이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  88. 제81항에 있어서, 상기 위상변위영역이 SiO2, Al2O3또는 MgG2로 구성되는 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  89. 제81항에 있어서, 상기 마스크가 첫번째 층의 부분을 덮는 불투명 마스크층을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  90. 제81항에 있어서, 상기 영상화 단계가 위상변위영역의 에지부에 인접하여 형성되는 위상간섭을 사용함으로써 포토레지스트층의 다른 부분에서의 광 강도보다 낮은 광 강도로 블랙패턴의 상기 포토레지스트층 위에 영상화되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  91. 제81항에 있어서, 상기 영상화 단계가 위상변위영역의 에지부에 인접하여 생성되는 위상간섭을 사용하므로써 포토레지스트층의 다른 부분에서의 광 강도보다 높은 광 강도로 화이트패턴의 상기 포토레지스트층 위에 영상화되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  92. 제81항에 있어서, 마스크를 조사하기 위해 사용된 광이 0.3에서 0.7의 범위 내에서 부분 간섭성을 갖는 부분적으로 간섭하는 광으로 구성되는 상기 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  93. 제81항에 있어서, 상기 위상변위영역이 첫번째 층의 다른 부분과 다른 두께를 갖는 첫 번째 층의 부분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  94. 광원으로부터의 광을 마스크(1,1A-1G)에 조사하고 상기 광의 일부분들이 상기 마스크를 통해 투과되는 단계, 패턴을 노출시키도록 렌즈시스템(9)을 사용하여 웨이퍼(11)위의 포토레지스트층(10) 위에 있는 마스크를 통해 투과되는 광을 영상화하는 단계, 및 노출된 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 패턴형성방법.
  95. 제94항에 있어서, 상기 영상화 단계가 포토레지스트층의 요철 표면 구조에 의존하여 상기 포토레지스트층 위의 다른 촛점 위치에 의해 상기 패턴을 영화하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  96. 제94항에 있어서, 상기 첫번째 층(2)이 석영 또는 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  97. 제94항에 있어서, 상기 마스크가 첫번째 층의 부분을 덮는 두번째 불투명층(32,53)을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  98. 제94항에 있어서, 상기 영상화 단계가 불투명층(14)의 에지부 주변에서 생성되는 간섭을 사용하여 포토레지스트층의 다른 부분에서의 광 강도보다 낮은 광 강도로 블랙패턴의 상기 포토레지스트층 위에 영상화하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  99. 제94항에 있어서, 상기 영상화 단계가 불투명층의 에지부 주변에서 생성되는 간섭을 사용하여 포토레지스트층의 다른 부분에서의 광 강도보다 높은 광 강도로 화이트패턴의 상기 포토레지스트층 위에 영상화 하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  100. 제94항에 있어서, 마스크를 조사하기 위해 사용되는 광이 0.3에서 0.7의 범위 내에서 부분 간섭성을 갖는 부분적으로 간섭하는 광으로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  101. 제94항에 있어서, 상기 마스크가 위상변위영역으로 만들어지는 두번째 마스크패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  102. 제94항에 있어서, 상기 마스크가 불투명층으로만 만들어지는 두번째 마스크패턴과 위상변위층으로만 만들어지는 세번째 마스크패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  103. 제94항에 있어서, 상기 마스크패턴이 하나의 영역으로부터 투과되는 광이 다른 영역으로부터 투과되는 광의 위상과 90°에서 180°로 차이가 있는 위상을 갖도록 서로 다른 위상변위량을 갖는 서로 인접한 위상변위영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  104. 제103항에 있어서, 블랙패턴은 인접한 위상변위영역이 180°의 위상차를 갖을 때 그 경계에서 상기 레지스트 위에 생성되고, 위상차 90°이하 일때는 생성되지 않는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  105. 제104항에 있어서, 상기 마스크패턴이 하나의 영역에 의해 투과되는 광이 다른 영역에 의해 투과되는 광의 위상과 60°에서 210°로 차이가 있는 위상을 갖도록 서로 다른 위상변위량을 갖는 서로 인접한 위상변위영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  106. 광원으로부터의 광을 마스크에 조사하고 광의 일부분이 마스크(1,1A-1G)를 통해 투과되는 단계, 패턴을 노출시키도록 렌즈시스템(9)을 사용하여 웨이퍼(11)위의 포토레지스트층(10)위에 있는 마스크를 통해 투과되는 광을 영상화하는 단계, 및 노출된 패턴을 현상하는 단계로 이루어지고, 상기 마스크는 상기 광에 대하여 투명한 첫번째 층(2,32,51)과, 상기 첫 번째 층의 일부분을 덮고 에지부를 갖는 불투명층(14,32,53)과, 불투명층의 상기 에지부에 인접하여 형성된 위상변위영역(3a ; 37A,37B ; 41A,41B)으로 구성되고, 상기 불투명층과 위상변위영역은 상기 첫번째 층 위에 마스크패턴을 제공하고, 상기 위상변위영역은 광을 투과하고, 서로 다른 두께를 갖는 첫번째 및 두번째 부분을 포함하고 상기 영역을 통해 투과되는 광과 첫번째 층의 다른 부분을 통해 투과되는 광 사이에서 발생하는 간섭에 의해 투과되는 광의 위상을 변위시키는 것을 특징으로 하는 패턴형상방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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