KR960009236A - T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어지는 데, 상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe2O3) 등과 같은 마스크 패턴재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정 두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되지 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기 위한 제1 및 제2패턴을 가지며, 그리고 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변환시키는 반전부와 조사되는 광의 위상을 변화시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다. 따라서 단일의 포토레지스트층에 1번 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광이 회절 및 보강 간섭에 의해 해상력을 증가시킬 수 있다.

Description

T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크의 사시도.

Claims (15)

  1. 투명기판과; 상기 투명 기판의 일측면에 타측면으로 조사되는 광이 투과되지 않도록 불투명한 물질이 증착되어 형성된 불투명막과, 상기 불투명막이 증착되지 않아 상기 투명 기판이 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제1패턴과, 상기 제1패턴의 양측에 상기 불투명막에 소정 거리 이격되어 상기 불투명막이증착되지 않아 상기 투명기판이 일방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제2패턴으로 이루어진 주 마스크를 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판이 석영으로 형성된 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불투명막이 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe2O3)로 500~1500Å로 증착되어 형성된 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1패턴이 0.24~0.28㎛의 폭을 가지고, 상기 제2패턴이 0.22~0.26㎛의 폭을 갖는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1패턴과 제2패턴이 상기 제2패턴의 폭 만큼 이격된 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판의 타측면에 상기 주 마스크의 제1 및 제2패턴과 동일한 방향으로 형성된 스트라이프(stripe)형태의 투과부와 반전부가 순차적으로 반복 배열되게 형성된 보조 마스크를 더 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보조 마스크는 상기 투명 기판 타측면에 소정 부분을 소정 깊이로 에칭하므로써 반전부가 형성되고 상기 에칭되지 않은 나머지 부분이 투과부가 되는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  8. 제7항에 있어서, 상기 투과부와 반전부의 두께 차는을 갖는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크. (상기에서, n은 반전부의 굴절율이고, λ는 상기 광원으로부터 조사되는 광의 파장이다.)
  9. 제8항에 있어서, 상기 투과부와 반전부는 폭이 상기 주 마스크의 제1패턴의 폭 보다 2배가 되도록 동일한 폭으로 형성된 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보조 마스크가 상기 투명기판과 한 몸체이거나, 또는 다른 몸체인 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  11. 투명 기판과; 상기 투명 기판의 일측면에 타측면으로 조사되는 광이 투과되지 않도록 불투명한 물질이 증착되어 형성된 불투명막과, 상기 불투명막이 증착되지 않아 상기 투명 기판이 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제1패턴과, 상기 제1패턴의 양측에 상기 불투명막에 소정 거리 이격되어 상기 불투명막이 증측되지 않아 상기 투명 기판이 일방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제2패턴으로 이루어진 주 마스크와; 상기 투명 기판의 타측면에 상기 주 마스크의 제1 및 제2패턴과 동일한 방향으로 스트라이프(stripe)형태의 투과부와 반전부가 순차적으로 반복하여 배열되며, 상기 투명 기판 타측면에 소정 부분을 소정 깊이로 에칭하므로써 상기 반전부가 형성되고 상기 에칭되지 않은 나머지 부분이 투과부가 되는 보조 마스크를 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  12. 제12항에 있어서, 상기 보조 마스크가 상기 투명기판과한 몸체이거나, 또는 다른 몸체인 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  13. 투명 기판과; 상기 투명 기판의 일측면에 타측면으로부터 조사되는 광이 투과되지 않도록 불투명한 물질이 증착되어 형성된 불투명막과, 상기 불투명막 사이에 상기 타측면으로부터 조사되는 광의 강도를 감소시켜 통과시키는 반투명막과, 상기 불투명 및 반투명막이 형성되지 않아 상기 조사되는 광을 투과시키는 투명기판이 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 마스크 패턴을 갖는 주마스크를 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  14. 제13항에 있어서, 상기 투명 기판의 타측면에 상기 주 마스크의 마스크 패턴과 동일한 방향으로 형성된 스트라이프(stripe)형태의 투과부와 반전부가 순차적으로 반복 배열되게 형성된 보조 마스크를 더 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  15. 제14항에 있어서, 상기 보조 마스크가 상기 투명기판과 한 몸체이거나, 또는 다른 몸체인 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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