KR0126234B1 - 미세 레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

미세 레지스트 패턴의 형성방법

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KR0126234B1
KR0126234B1 KR1019940012417A KR19940012417A KR0126234B1 KR 0126234 B1 KR0126234 B1 KR 0126234B1 KR 1019940012417 A KR1019940012417 A KR 1019940012417A KR 19940012417 A KR19940012417 A KR 19940012417A KR 0126234 B1 KR0126234 B1 KR 0126234B1
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쓰지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체 기판 위에 레지스트층을 형성하는 공정과 ; 상기 레지스트층 상부에 실제 미세 레지스트 패턴형성을 원치않는 부위와 상응하는 테이퍼형 단부(edge)를 구비한 위상시프트 패턴을 형성하는 공정과 ; 상기 위상시프트 패턴을 포함하는 반도체 기판의 전 표면을 노광하는 공정과 ; 상기 위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부를 제외한 아웃라인(outline) 하부에 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 노광에 의한 미세 레지스트 패턴의 형성방법이다.

Description

미세 레지스트 패턴의 형성방법
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제1공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제2공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 제3공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제4도는 본 발명의 제1실시예에서 사용된 마스크를 도시한 평면도.
제5도는 본 발명의 제1실시예에서 형성된 위상시프트 패턴을 도시한 평면도.
제6도는 본 발명의 제1실시예에서 형성된 미세 레지스트 패턴의 평면도.
제7도는 위상시프트 패턴의 세로방향에서 블록부의 형상을 도시한 단면도.
제8도는 제7도의 볼록부 형상에 따른 광강도의 상대치를 도시한 도표.
제9도는 본 발명의 제2실시예에서 형성된 마스크의 평면도.
제10도는 본 발명의 제2실시예에서 형성된 위상시프트 패턴의 평면도.
제11도는 본 발명의 제2실시예에서 형성된 미세 레지스트 패턴의 평면도.
제12도는 본 발명의 레지스트 패턴 형성방법의 제3실시예에 의한 제1공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제13도는 본 발명의 레지스트 패턴 형성방법의 제3실시예에 의한 제2공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제14도는 본 발명의 레지스트 패턴 형성방법의 제3실시예에 의한 제3공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제15도는 종래 레지스트 패턴 형성방법의 제1공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제16도는 종래 레지스트 패턴 형성방법의 제2공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제17도는 종래 레지스트 패턴 형성방법의 제3공정의 요부를 도시한 공정 단면도.
제18도는 종래 방법에서 사용된 마스크의 평면도.
제19도는 종래 방법에 의해 형성된 위상시프트 패턴의 평면도.
제20도는 종래 방법에 의해 형성된 미세 레지스트 패턴의 평면도이다.
본 발명은 미세 레지스트(resist) 패턴의 형성방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 장치의 제조에 있어서 위상시프트 효과를 이용하여 미세 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
축소투영 노광장치 즉, 스테퍼(stepper)의 해상한계 이상의 미세패턴을 형성하는 방법으로서, 통상 마스크상의 위상시프트 효과를 이용하는 방법이 주목을 받고 있다.
또한, 반도체 기판상에 위상시프트 효과를 이용하여 미세패턴을 형성하는 방법이 제안되어 있다(IEDM 91, pp. 63-66USSN 804,809).
이 방법은 반도체 기판상에 레지스트층을 형성하는 공정과, 상기 레지스트층의 상부에 위상시프트 패턴을 형성하는 공정과, 위상시프트 패턴을 포함하는 반도체 기판의 표면을 노광하는 공정과, 위상시프트 패턴의 모서리 아래에 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.
이하, 반도체 기판상의 위상시프트 효과를 이용하여 단층의 레지스트 표면위에 위상시프트 패턴을 형성함으로써 미세 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 설명한다.
제15도에 도시한 바와 같이, 스핀-온(spin-on) 방법에 의해 실리콘 기판(41)위에 포지티브형 레지스트가 도포되면, 레지스트층(42)을 형성하기 위해 연화(prebake)되고, 레지스트층(42) 표면은 마스크(43)에 의해 노광된다. 이엇, 상기 레지스트층(42a)을 경화 및 현상시키면 제16도에 도시된 바와 같이, 볼록부(44)와 같은 위상시프트 패턴(42a)이 형성된다.
상기 위상시프트 패턴(42a)의 두께(Ts)는 볼록부(44) 표면과 수직방향(제16도에서 H로 표시한 화살방향)의 높이와 일치한다.
그 결과, 위상시프트 패턴(42a)을 포함하는 레지스트층(42)의 전표면은 노광되고, 위상시프트 패턴(42a)을 투과하는 광의 위상은 볼록부(44) 사이에 샌드위치된 오목부(45)를 투과하는 광의 위상과 거의 반전된다. 이는 상기 두개의 광의 진폭이 위상시프트 패턴(42a)의 모서리(E)의 하부영역(L)에서 서로 상쇄됨으로써 광강도가 영으로 된다는 것을 의미한다. 따라서, 상기 위상시프트 패턴(42a)의 모서리(E)의 하부영역(L)은 노광되지 않으며, 그 결과 현상후에는 제17도에서 도시한 바와 같이, 미세 레지스트 패턴(46)이 형성된다.
상술한 방법에 있어서, 제18도에 도시한 바와 같은 마스크(43)가 레지스트층(42)을 노광하기 위해 사용되고, 이로써 위상시프트 패턴(42a)이 형성된다.
그 후, 상기 위상시프트 패턴(42a)을 포함하는 레지스트층(42a)의 전표면을 노광함으로써 상기 오목부(45)를 투과하는 광의 위상과 제19도의 볼록부(44)와 같이 위상시프트 패턴(42a)을 투과하는 광의 위상은 서로 상쇄된다.
그러므로, 위상시프트 패턴(42a) 모서리(E)의 하부영역(L)은 노광되지 않으며, 그 결과 현상후에는 제20도에 도시한 바와 같이, 미세 레지스트 패턴(46)이 형성된다. 그러나, 이 패턴에는 제20도에서 46E로 표기한 바와같이 단락이 발생되는 문제점이 있다.
동일한 효과가 제19도에 도시된 바와 같은 위상시프트 패턴(42a)의 세로 방향의 단부(Eb)에서도 발생된다.
더욱이, 상술한 종래 방법은 패드와 같은 큰 패턴과 미세 패턴을 구비하는 상이한 패턴을 형성하는 방법으로는 적합치 못하다.
본 발명의 목적은 미세 레지스트 패턴의 단부에서의 단락을 방지할 수 있으며, 각종의 패턴 폭을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 경우에도 비교적 적은 수의 공정을 추가하여 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 미세레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 노광에 의한 미세 레지스트 패턴의 형성방법은 반도체 기판 위에 레지스트층을 형성하는 공정 ; 상기 레지스트층 상부에 실제 미세 레지스트 패턴 형성을 원치않는 부위와 상응하는 테이퍼형 단부(edge)를 구비한 위상시프트 패턴을 형성하는 공정 ; 상기 위상시프트 패턴을 포함하는 반도체 기판의 전표면을 노광하는 공정 ; 및 상기 위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부를 제외한 아웃라인(outline) 하부에 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 사용된 반도체 기판은 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판, 또는 각종 소자의 절연막을 갖는 반도체 기판등이 사용될 수 있으며, 어떤 형태로 특별히 한정되지 않는다.
제1공정에서, 레지스트층이 반도체 기판위에 형성된다.
이 레지스트층 물질은 포지티브 감광막, 네가티브 감광막 및 PMMA(polymethylmethacrylate)와 같은 감광막 수지들을 예로 들 수 있으며, 특히 한정되지 않는다.
바람직한 물질은 novolak resin-O-quinone diazido 화합물이다.
상기 레지스트층은 통상적인 방법으로 형성될 수 있다.
예를 들면, 스핀-온 기술과 같은 방법으로 상기 감광막 수지를 도포한 후, 프리베이킹(prebaking) 처리한다.
프리베이킹 조건은 사용된 물질의 종류에 따라 변화될 수 있다. 바람직한 레지스트층의 두께는 약 0.63 내지 1.20㎛이다.
본 발명의 제2공정에 따라 위상시프트 패턴이 상기 레지스트층의 상부에 형성된다.
상기 위상시프트 패턴은 실제 미세 레지스트 패턴의 형성을 원치않는 부위와 상응하는 테이퍼 형상의 단부(또는, 모서리)를 갖는다.
위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부는 마스크에 의한 노광 및 현상에 의해 형성될 수 있다. 이 마스크는 소정의 투과성을 갖는 부위와 실제 미세 레지스트 패턴의 형성을 바라지 않는 즉, 단락이 일어날 수 있는 위치와 일치하는 부위를 갖는다.
소정의 투과성을 제공하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 마스크 부위는 선단에서 예각(90°이하)을 갖는 삼각 형상이나 환형으로 형성된다. 또한, 마스크에 소정의 투과성을 부여하기 위하여, 이온 빔을 사용하여 크롬 마스크 패턴에 산소 이온을 이온주입하는 것도 가능하다.
소정의 투과성은 노광 광에 대하여 약 40-60％정도의 범위를 갖는다. 이 경우, 마스크의 안쪽으로는 보다 적은 양의 광을 투과시키면서 모서리에서는 최대치의 광이 투과되도록 투과율을 조정하는 것이 바람직하다. 더욱이, 상기 테이퍼각은 볼록부의 단부에서 45°이하라고 가정한다.
노광 조건은 특별히 한정되지 않으며, 레지스트의 두께 및 사용된 레지스트 물질의 종류에 따라 조절된다. 노광량은 역치(threshold) 노광량의 60-80%, 바람직하게는 70%가 적당하다.
KrF 엑시머 레이저(248nm의 파장을 갖는) 또는 i-라인(365nm의 파장을 갖는)이 바람직하게 사용된다. 노광 후, 상기 레지스트층은 적합한 현상액으로 현상된다. 현상액은 특별히 한정되지는 않으나, 사용될 레지스트 물질의 종류에 따라 적절이 선택될 수 있다. 바람직한 현상액은 N(CH3)4OH이다.
상기 위상시프트 패턴의 두께(Ts)는 상기 노광조건에 따라 적절히 조절될 수 있으나, 하기 공식을 만족하는 것이 바람직하다 ;
t1
여기서, a는 자연수를 나타내며, λ는 노광 파장(전체 노광파장)을, n은 위상시프트 패턴을 구성하는 물질의 굴절율을 각각 나타낸다. 또한, 위상시프트는 (1/2)×π∼(3/2)×π의 범위내에서 변화될 수 있다.
본 발명의 제3공정에 따라, 상기 위상시프트 패턴을 포함하는 레지스트층의 전 표면은 노광된다. 노광조건은 상술한 바와 같다.
노광에 있어서, 상기 위상시프트 패턴을 투과하는 광의 위상은 오목부를 투과하는 광의 위상과 반전된다. 그 결과, 위상시프트 패턴을 투과하는 노광광의 진폭과 오목부 즉, 위상시프트 패턴으로 각 볼록부의 단부를 투과하는 노광광의 진폭은 상호 상쇄된다. 따라서, 노광광의 광강도는 위상시프트 패턴 단부의 하부에서 제로가 된다.
반면, 위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부를 투과하는 광의 위상은 오목부를 투과하는 광의 위상과 반전되지 않는다. 이는 상기 오목부와 위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부를 투과하는 노광광의 진폭이 완전히 서로 상쇄되지 않음을 의미한다. 따라서, 노광광의 광강도는 위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부의 하부영역에서 제로가 되지 않는다.
그러므로, 제4공정에서, 위상시프트 패턴을 포함하는 레지스트 패턴을 노광 및 현상함으로써 위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부를 제외한 하측영역에서 단락을 일으킴 없이 소정형상을 갖는 미세 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 이때, 서로 상이한 라인 폭을 갖는 레지스트 패턴 및 패드들이 소정 형상의 마스크를 사용한 노광에 의해 형성될 수도 있다.
미세 레지스트 패턴은 약 0.15∼0.25㎛의 라인 폭과, 약 0.35∼0.50㎛의 패턴 폭과 약 0.20∼1.00㎛의 두께를 갖을 수 있다. 또한 소정 형상을 갖는 마스크가 상기 제3공정의 노광에 사용된다면, 서로 다른 라인폭을 갖는 미세 레지스트 패턴들이 동시에 형성될 수도 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
[제1실시예]
제1도에 도시된 바와 같이, 부착력을 강화하기 위하여 반도체 기판(11)을 헥사메틸디씰렌을 사용하여, 일명 HMDS 처리를 한 후, 스핀-온 방법으로 포지티브형 감광액(novolak resin-O-quinonediazido 화합물을 기본으로 사용한)을 코팅한다.
이어, 상기 반도체 기판(11)위에 약 1.2㎛의 두께를 갖는 레지스트층(12)을 형성하기 위해 90℃에서 60초동안 프리베이킹 처리한다.
상기 레지스트층(12)을 갖는 반도체 기판(11)은 상기 레지스트층(12)의 소정 위치에 정열된 마스크(13) 및 상기 역치값(threshold value)(Eth=200msec)보다 작은 140msec(70mJ/㎠)의 노광량으로 0.45의 NA를 구비한 i-라인 스테퍼를 사용함으로써 노광된다.
제4도는 본 공정에 사용된 마스크(13)의 평면도를 도시한 것으로서, 마스크(13)의 모서리(13a)는 수직방향으로 90°의 예각을 구비한 삼각형상을 갖는다.
이어, 제2도에 도시된 바와 같이, 노광된 레지스트층(12)을 구비한 반도체 기판(11)은 노광후 베이크(PEB,post-exposure bake)처리되고, 소위 TMAH라 불리는 2.38%의 테트라메틸라모니움 하이드록사이드(N(CH3)4OH)용액으로 레지스트층(12)을 현상 처리하여 볼록부(14)를 구비한 위상시프트 패턴(12a)을 형성하도록 상기 레지스트층(12)의 표면층을 부분적으로 패터닝한다.
본 공정에서, 상기 위상시프트 패턴(14a)의 두께(Ts)는 기판(11)과 수직방향(제2도에서 H로 표기된 화살방향)인 볼록부(14)의 높이와 일치한다. 상기 두께(Ts)는 하기 공식에 의해 결정된다 ;
t2
여기서, λ는 노광 파장을, n은 레지스트층의 굴절율을 각각 나타낸다.
이 예에서, n=365nm이고 n=1.68의 값을 갖으므로, Ts는 0.268㎛로 결정된다.
제5도에 도시된 바와 같이, 상기 위상시프트 패턴(12a)인 볼록부(14)의 단부(Ea) 선단은 제4도에 도시된 마스크 패턴의 단부(13a)에서의 광의 우회때문에 라운드되어 상기 단부(Ea)는 테이퍼 형상을 갖게 된다. 따라서, 위상시프트 패턴(12a)을 포함하는 Si 반도체 기판(11)의 전표면은 0.45의 NA를 갖는 i-라인 스테퍼로서 140msec(70mJ/㎠)의 노광량으로 노광된다. 이때, 상기 볼록부(14)를 투과하는 노광량의 위상은 반전된다.
결과적으로, 볼록부(14)를 투과하는 노광광의 광 진폭은 오목부(15)를 투과하는 노광광의 광 진폭과 상쇄되어 노광광의 광강도는 단부(E)에서 0으로 감소된다(제8도 참조). 따라서, 광강도가 0로 되는 단부(E)의 하부영역(L)에서의 레지스트층은 노광되지 않게 된다. 이 비노광된 레지스트 패턴은 후속 공정에서 미세 레지스트층으로 잔류한다.
반면, 테이퍼형 단부(Ea)(제7도)의 하부영역에서의 노광광의 강도는 0으로 되지 않기 때문에(제8도) 레지스트층은 이 영역에서 노광된다. 노광된 레지스트층은 하기 공정에서 제거된다.
그후, 상술한 위상시프트 패턴(12a) 형성과 동일한 방법으로, 상기 Si 반도체 기판(11)을 2.38의 TMAH현상액에서 60초 동안 현상 및 프리베이크함으로써 패턴 모서리에서의 단락을 일으킴 없이 미세 레지스트패턴(16)을 형성한다.
형성된 패턴의 선폭(W)은 0.15㎛이고, 높이(K)는 0.20㎛, 패턴간의 간격(D)은 0.35㎛이다(제3도, 제6도).
이와 같이 본 실시예에 의하면, 0.15㎛의 미세한 선폭을 구비한 미세 레지스트 패턴(16)을 형성할 수 있다.
반면, 종래의 위상시프트 방법으로는 선폭형성이 0.35㎛로 제한된다. 그러므로, 본 발명은 해상도를 2배 이상 증가시킬 수 있다.
[제2실시예]
본 실시예는 위상시프트 패턴형성용 마스크의 패턴단부에 노광광에 대한 투과성을 갖게함으로써 패턴단부에 테이퍼를 형성하는 방법이다.
제9도에 도시한 바와 같이, 위상시프트 패턴형성용 마스크의 크롬 패턴(23)의 단부(23a)는 노광광에 대한 투과성을 갖는다.
상기 크롬 패턴(23)의 선폭은 0.5㎛이며, 투과율은 약 50%정도이다.
상기 크롬 패턴에 투과성을 부여하는 방법으로는 크롬 패턴의 단부에 산소의 집속 이온 빔으로 상소 이온들을 주입한다. 투과율은 패턴 단부에서 최대값(약 100%)이 되고 내측으로 갈수록 점점 작아진다. 미세 레지스트 패턴을 형성하기 위한 이하 공정은 제1실시예를 따른다.
[제3실시예]
제3실시예는 미세 레지스트 패턴 뿐만아니라 패드와 같은 큰 패턴을 형성하는 방법에 대해 설명하는 것이다.
제12도에 도시한 바와 같이, 약 1.2㎛의 두께를 갖는 레지스트층(12)을 제1실시예와 동일한 방법으로 형성한다.
이어, 제1실시예와 동일한 마스크(13)를 사용하여 i-라인 스테퍼(n=365nm, NA=0.45)로 역치 노광량(Eth=200msec) 보다 작은 140msec의 노광량으로 상기 레지스트층(12)을 포함한 Si 반도체 기판(11)을 노광한다.
상술한 FEB 처리 후, 제1실시예에서 사용된 것과 동일한 현상액으로 반도체 기판을 현상하여 상기 레지스트층(12)의 표면층을 부분적으로 패터닝하면 불균일한 표면을 갖는 위상시프트 패턴이 제13도에 도시한 바와 같이, 연속적으로 형성된다. 이때, 위상시프트 패턴(12a)의 높이(Ts)는 수직방향(제13도에서 H로 표기한 화살표 방향)의 높이를 의미한다.
상기 볼록부(14)의 높이(Ts)는 제1실시예와 동일하게 0.268㎛이다.
마스크(33) 및 상기 위상시프트 패턴(12a)을 사용하여 i-라인 스테퍼(NA=0.45)로 140msec의 노광량을 갖는 노광광으로 상기 위상시프트 패턴(12a)을 구비한 Si 반도체 기판(11)을 노광한다.
상기 볼록부(14)를 투과한 광의 위상은 반전된다.
결과적으로 노광광의 광강도가 단부(E)에서 0으로 감소되도록 볼록부(14)를 투과한 노광광의 진폭은 오목부(15)를 투과한 광의 진폭과 상쇄된다(제8도 참조).
따라서, 광강도가 0로되는 위상시프트 패턴의 단부(E)의 하부영역(L)에서, 레지스트층은 노광되지 않고 남는다.
이 비노광된 레비스트층은 후속 공정에서 미세 레지스트 패턴으로 잔류한다. 또한, 마스크(33)로 차광되어 있는 부분의 레지스트층은 노광되지 않아 이 레지스트층이 후속공정에서 큰 레지스트 패턴으로서 남게된다.
상기 위상시프트 패턴(12a)의 형성과 동일한 방법으로, 2.38%의 TMAH 용액으로 상기 위상시프트를 포함하는 기판(11)상의 레지스트를 60초 동안 현상하고, 포스트-베이크 처리하면, 상기 반도체 기판위에 0.15㎛의 선폭(W)과, 0.20㎛의 높이(K) 및 0.35㎛의 패턴간격(D)을 갖는 미세 패턴(26)과 2.0㎛의 선폭(W')을 갖는 큰 패턴(27)이 동시에 형성된다(제14도).
이와같이, 위상시프트 패턴을 사용하지 않는 종래 방법은 최소 0.35㎛의 선폭을 갖는 패턴을 형성할 수 있는 반면, 제3실시예는 종래의 노광방법으로는 형성될 수 없었던 2.0㎛의 선폭을 구비한 패턴(27)뿐만 아니라 0.15㎛의 선폭을 갖는 미세 레지스트 패턴(26)을 형성할 수 있다. 따라서, 2배 이상의 해상도와 패턴 형성의 자유도가 달성된다.
다시 말해, 본 발명은 반도체 기판 위에 레지스트층을 형성하는 공정과 ; 상기 레지스트층 상부에 실제 미세 레지스트 패턴 형성을 원치않는 부위와 상응하는 테이퍼형 단부(edge)를 구비한 위상시프트 패턴을 형성하는 공정과 ; 상기 위상시프트 패턴을 포함하는 반도체 기판의 전 표면을 노광하는 공정과 ; 상기 위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부를 제외한 아웃라인(outline) 하부에 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정으로 이루어진 노광에 의한 미세 레지스트 패턴의 형성방법을 포함함으로써, 미세 레지스트 패턴 단부에서의 단락을 일으킴 없이 소정 형상을 구비하는 미세 레지스트 패턴을 얻는다.
또한, 테이퍼형 단부를 구비한 위상시프트 패턴으로 노광시에는 소정 형상의 마스크를 사용하여 서로 다른 선폭을 갖는 레지스트 패턴들을 동시에 형성할 수 있다.
따라서, 종래의 마스크, 사진식각 장치 및 레지스트 물질을 사용하여 반도체 기판 상의 위상시프트 효과로 미세 레지스트 패턴을 형성하거나 미세 및 큰 패턴을 동시 형성함으로써 패턴 자유도의 손상없이 실제 해상도를 향상시키는 것이 가능하다.

Claims (3)

  1. 반도체 기판 위에 레지스트층을 형성하는 공정 ; 상기 레지스트층 상부에 실제 미세 레지스트 패턴의 형성을 원치않는 부분에 상응하는 테이퍼형 단부(edge)를 구비한 위상시프트 패턴을 형성하는 공정 ; 상기 위상시프트 패턴을 포함하는 반도체 기판의 전 표면을 노광하는 공정 ; 및 상기 위상시프트 패턴의 테이퍼형 단부를 제외한 아웃라인(outline) 하부에 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정으로 이루어진 노광에 의한 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상시프트 패턴은 소정 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 형성되고, 이 소정 패턴은 소정 부분내에서 소망의 반투광성을 가지며, 이 소정부분은 실제 미세 레지스트 패턴의 형성을 원치않는 부분에 대응하는 미세 레지스트 패턴 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 패턴의 부분은 예리한 삼각형상 또는 라운드 형상 중의 어느 하나의 형상으로 된 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
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