KR0174881B1 - T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크 - Google Patents

T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크 Download PDF

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KR0174881B1 KR1019950024503A KR19950024503A KR0174881B1 KR 0174881 B1 KR0174881 B1 KR 0174881B1 KR 1019950024503 A KR1019950024503 A KR 1019950024503A KR 19950024503 A KR19950024503 A KR 19950024503A KR 0174881 B1 KR0174881 B1 KR 0174881B1
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Abstract

본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어지는데, 상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe2O3)등과 같은 마스크 패턴 재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정 두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되어 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기 위한 제1 및 제2패턴을 가지며, 그리고, 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변화시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다.
따라서, 단일의 포토레지스트층에 1번의 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한, 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광의 회절 및 보강 간섭에 의해 해상력을 증가시킬 수 있다.

Description

T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크의 사시도.
제2도는 제1도에 도시된 포토마스크를 사용하여 노광 공정을 수행할 때, 결상면, 즉 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트에서의 광의 강도 분포를 나타내는 도면.
제3도는 상기 제2도와 같은 강도 분포를 갖는 광에 의해 노광되고 현상된 포토레지스트의 프로파일.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 사시도.
제5도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포토마스크의 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 투명기판 13 : 주마스크
15 : 불투명막 17,19 : 제1 및 제2패턴
21 : 보조마스크 23 : 투과부
25 : 반전부 27 : 반투명막
29 : 마스크패턴
본 발명은 반도체장치의 T자 형태의 게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크에 관한 것으로서, 특히 전계효과 트랜지스터(Metal Semiconductor Field Transistor : 이하, MESFET라 칭함) 및 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor : 이하, HEMT라 칭함)의 T자 형태의 게이트전극을 한번의 노광 및 현상을 채용할 수 있는 T-게이트전극 형성을 위한 포토마스크에 관한 것이다.
최근 위성방송 수신기, 고속논리회로, 전력모듈, MMIC 등에 주로 응용되고 있는 MESFET 및 HEMT등의 고속소자에서는 높은 변조동작을 위해서 짧은 게이트 폭(gate length)이 요구됨과 동시에 저항을 낮게 하여 양호한 전류 통과 및 저잡음을 위해서 넓은 면적의 패턴이 요구되고 있다.
이와 같은 요구를 만족시키기 위해서는, 일반적으로 반도체층과 접촉하는 면이 작고 머리 부분이 커 단면의 모양이 영어 알파벳의 T자 형상을 하고 있는 T-게이트전극이 사용되고 있다.
이런 T-게이트전극을 통상적인 포토리소그래피(photolithography)에 의해 형성하는 경우, 포토리소그래피의 행상력이 게이트 전극 패턴의 미세한 선폭(0.25㎛ 이하)을 형성하기 어렵기 때문에, 현재까지는 주로 전자빔 리소그래피(electron beam lithography)에 의해 형성하고 있다.
상술한 전자빔 리소그래피를 사용하는 방법은 통상 전자빔에 대한 감도가 서로 다른 두가지의 레지스트들을 2층으로 도포(coating)하고 노광 및 현상하여 T-게이트전극을 위한 레지스트 패턴을 형성하는 것이다.
상기 방법을 더욱 상세히 설명하면, 2층의 레지스트, 즉, 하부층에 전자빔에 대한 감도가 낮은 PMMA(polymethyle methacrylate)레지스트를 도포하고 감도가 높은 코-폴리머(COpolymer ; MAA-MMA) 레지스트를 도포한다.
그리고, 상기 구조의 레지스트에 전자 빔을 조사하여 노광하고 현상하면 상기 서로 다른 감도를 갖는 2개 층의 레지스트는 감도에 따라 서로 다른 선폭을 갖는 레지스트 패턴이 형성된다.
즉, 상기 2층의 레지스트 구조에서 감도가 낮은 하부층은 노광폭이 작아 좁은 선폭을 가지며, 감도가 높은 상부 층은 노광 폭이 커 넓은 선폭을 가지므로 상기 레지스트 패턴의 단면은 T자 형상을 갖게 된다.
그리고, 상기 레지스트 패턴에 금속을 증착하고 레지스트를 제거하면 반도체층과 접촉하는 면이 작고 머리 부분이 큰 T-게이트전극이 형성된다.
그러나, 상술한 전자빔 리소그래피에 의한 T-게이트전극을 형성하는 방법은 레지스트 패턴의 형성에 필요한 전자빔의 조사 기간이 길어 제품의 생산성이 낮으며, 또, 노광 시간에 따라 상부층 및 하부층의 패턴된 레지스트의 선폭이 변하므로 균일한 레지스트 패턴을 얻기 어렵다.
또한, 상기 방법은 2층으로 레지스트를 도포하기 때문에 금속 증착시 온도가 상승함에 따라 상부층 및 하부층 레지스트의 사이로 금속이 확산되는 문제점이 있다.
그리고 위와 같은 레지스트 패턴 형성 자체의 어려움과는 별도로, T-게이트전극을 형성하는 공정 이외의 공정들에서는 생산성을 높이기 위하여 통상적으로 포토리소그래피를 위한 광학 스텝퍼를 사용하는데, 전자 빔 리소그래피 장비와 광학 스텝퍼는 정렬 방식이 서로 다르므로 반도체장치의 제조공정들에서 마스크 중첩 정밀도(registeration)의 오차가 발생되는 문제점이 있었다.
그러므로, 최근에는 포토리소그래피를 이용하여 T-게이트전극을 형성하는 방법도 개발되고 있다.
상기 포토리소그래피를 이용하여 T-게이트전극을 형성하는 방법은 Hua-Yu Liu등에 의해 Fabrication of 0.1㎛ T-shaped gates by phase-shifting optical lithography라는 명칭으로 SPIE, Vol. No. 1927(1993), pp 42-52에 개시되어 있다.
상기 방법은 2층의 네가티브 포토레지스트(negative photoregist)를 이용하는 것으로, 먼저 반도체기판 상에 하부층의 네가티브 포토레지스트를 도포하고 게이트 다리의 폭을 정의하기 위해 상기 하부층의 레지스트를 패터닝하여 고립 공간(isolated space) 패턴을 형성한 후, 재차 상기 고립 공간 패턴 상에 상부층의 네가티브 레지스트를 도포하고 게이트 머리의 폭을 정의하기 위해 상기 고립 공간 패턴의 폭 보다 큰 폭을 갖도록 상기 상부층의 레지스트를 패터닝한다.
즉, 2층의 포토레지스트층을 도포하고, 각각의 마스크를 이용하는 2번의 노광 및 현상 공정에 의해 하부와 상부의 패턴 폭이 서로 다른 구조의 레지스트 패턴을 형성한 후 금속을 증착하여 T-게이트를 형성한다.
상기 방법은 KrF 에시머 레지저 등과 같이 짧은 파장의 광원을 사용하는 스텝퍼와 위상변환 마스크(phase shift mask)라는 해상도의 향상을 위한 변형 마스크를 사용함으로써 0.25㎛ 이하의 미세한 선폭을 형성할 수 있다.
그러나, 상술한 방법은 2층의 네가티브 레지스트층에 각각 마스크를 사용하여 노광한 후 현상하여 패턴 폭이 서로 다른 패턴을 형성하여야 하므로 공정이 복잡하며, 고립 패턴의 형성시 네가티브 레지스트를 패턴이 스웰링(swelling)되어 해상도가 저하된다.
또한, 네가티브 레지스트 자체가 폴리머의 교차 결합(cross-linking) 메카니즘을 기본으로 하고 있기 때문에 현상 후 잔유물이 생성되므로 산소 폴리즈마 디스큠(O2plazma descum)등과 같은 별도의 잔유물 제거 공정이 필요하며, 이러한 공정은 게이트 선폭을 확대시킨다.
또한, 하부층 및 상부층 레지스트 경화 공정시 층간 잔유물이 발생되어 소자의 특성 및 재현성이 저하된다.
그러므로, 노광 등의 공정이 간단하고, 현상시 레지스트 패턴에 발생되는 스웰링을 억제하여 해상도가 저하되는 것을 방지하며 잔류물이 생성되는 것을 방지할 수 T-게이트전극을 형성하는 방법이 연구되고 있다.
상기에서 현상시 스웰링을 억제하여 해상도를 향상시키고 잔유물의 생성을 억제하기 위해서는 포지티브 포토레지스트를 사용한다는 것은 공지되어 있다.
그러나, 일반적으로 반도체장치의 제조에 있어서 노광 및 현상 공정을 줄이므로써 공정을 간단히 할 수 있는데, 종래에는 T-게이트 전극의 형성시 포토레지스트 패턴을 2번의 노광 공정과 2번의 현상 공정에 의해 형성하므로 공정이 복잡해지는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 포토리소그래피 방법을 사용하여 단일층의 레지스트에 1번의 노광 공정 및 1번의 현상 공정으로 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 T-게이트를 형성하기 위한 포토 마스크를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 해상력을 증가시킬 수 있는 T-게이트를 형성하기 위한 포토 마스크를 제공함에 있다.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 T-게이트를 형성하기 위한 포토마스크는 투명 기판과; 상기 투명 기판의 일측에 타측면으로 조사되는 광이 투과되지 않도록 불투명 물질이 증착되어 형성된 불투명막과, 상기 불투명막이 증착되지 않아 상기 투명 기판의 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제1패턴과, 상기 제1패턴의 양측에 상기 불투명막에 소정 거리 이격되어 상기 불투명막이 증착되지 않아 상기 투명 기판이 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제2패턴으로 이루어진 주 마스크를 구비한다.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크는 투명 기판과; 상기 투명 기판의 일측면에 타측면으로 조사되는 광이 투과되지 않도록 불투명한 물질이 증착되어 형성된 불투명막과, 상기 불투명막이 증착되지 않아 상기 투명 기판이 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제1패턴과, 상기 제1패턴의 양측에 상기 불투명막에 소정 거리 이격되어 상기 불투명막이 증착되지 않아 상기 투명 기판이 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제2패턴으로 이루어진 마스크와; 상기 투명 기판의 타측면에 상기 주 마스크의 제1 및 제2패턴과 동일한 방향으로 스트라이트(stripe) 형태의 투과부와 반전부가 순차적으로 반복하여 배열되며, 상기 투명 기판 타측면에 소정 부분을 소정 깊이로 에칭하므로써 상기 반전부가 형성되고 상기 에칭되지 않은 나머지 부분이 투과부가 되는 보조 마스크를 구비한다.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크는 투면 기판과; 상기 투명 기판의 일측면에 타측면으로부터 조사되는 광이 투과되지 않도록 불투명한 물질이 증착되어 형성된 불투명막과, 상기 불투명막 사이에 상기 타측면으로부터 조사되는 광의 강도를 감소시켜 통과시키는 반투명막과, 상기 불투명막 및 반투명막이 형성되지 않아 상기 조사되는 광을 투사시키는 투명 기판이 일 방향으로 불무늬 형태로 노출되어 형성된 마스크 패턴을 갖는 주마스크를 구비한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크의 사시도이다.
상기 포토마스크는 석영 등의 투명 기판(11)의 일측면에 형성된 주마스크(13)와 타측면에 형성되어 상기 주마스크(13)의 해상력을 증가시키는 보조마스크(21)로 이루어진다.
상기 주마스크(13)는 투명 기판(11)의 일측면에 크롬(Cr), 산화철(Fe2O3) 등과 같은 마스크 패턴 재료(mask patterm material)이나 그 밖의 불투명한 물질이 500~1500Å 정도의 두께로 증착된 불투명막(15)과, 이 불투명막(15)이 증착되지 않아 상기 투명 기판(11)이 노출된 제1 및 제2패턴(17)(19)을 갖는다.
상기 불투명막(15)은 노광 공정시 투명 기판(11)의 타측면으로 조사되는 광이 상기 제1 및 제2패턴(17)(19)을 제외한 나머지 부분으로 투과되는 것을 방지한다.
제1 및 제2패턴(17)(19)은 상기 노광 공정시 투명 기판(11)의 타측면으로 조사되는 광이 포토레지스트를 노광시키도록 투과시킨다.
상기에서, 파장(λ)이 365㎚인 i-선의 광을 사용하여 다리의 폭이 0.2㎛인 게이트전극을 얻을 경우에, 제1패턴(17)은 소정 폭, 예를 들면, 0.24~0.28㎛정도의 폭을 가지고 일 방향으로 길게 형성되며, 제2패턴(19)은 제1패턴(17)의 양측에 불투명막(15)에 의해 상기 제1패턴(17) 폭의 92~93% 정도의 폭, 예를 들면, 0.22~0.26㎛정도의 폭을 가지고 일 방향으로 길게 형성된다.
그리고, 상기 제1패턴(17)과 제2패턴(19)은 상기 제2패턴(19)의 폭 만큼 이격된다.
상기 제1패턴(17)과 제2패턴(19)은 광을 투과시켜 각기 T-게이트전극의 다리 부분과 머리 부분의 선폭 변화를 조절하는데, 특히, 제2패턴(19)은 상기 제1패턴(17)과 제2패턴(19)을 투과하는 광의 상호 간섭에 의해 상기 제1패턴(17)을 투과하는 광의 강도(intensity)를 증가시켜 포토레지스트의 해상도를 증가시킨다.
보조마스크(21)는 상기 주마스크(13)의 제1 및 제2패턴(17)(19)과 동일한 방향으로 형성된 스트라이프(stripe)형태의 투과부(23)와 반전부(25)가 순차적으로 반복되게 배열된 위상반전마스크(Phase Shift Mask)로 형성된다.
상기 보조마스크(21)는 상기 투명 기판(11) 타측면의 소정 부분을 소정 깊이를 갖도록 에칭하여 반전부(25)를 형성하므로써 형성되는데, 에칭되지 않은 나머지 부분은 투과부(23)가 된다.
상기에서 노광시 조사되는 광원(light source)과 보조마스크(21)사이의 거리가 충분히 멀어 광원으로부터 조사되는 광이 보조마스크(21)에 거의 수직으로 입사되는데, 상기 반전부(25)는 광의 회절 및 간섭에 의해 상기 광의 위상을 변환시키며, 상기 투광부(23)는 입사되는 광의 위상을 변화시키지 않고 투과시킨다.
그러므로, 상기 보조마스크(21)의 투과부(23)과 반전부(25)를 각각 통과한 위상차를 갖게 되어 포토레지스트에서 보강 간섭을 조절하여 해상력을 향상시키는데, 상기 위상차가 180˚일 때 해상력은 최대가 된다.
상기 투과부(23)와 반전부(25)를 통과한 광이 180˚의 위상차를 갖기 위해서는, 상기 투과부(23)와 반전부(25)의 두께차(d)는,이 된다.
상기에서, n은 상기 반전부(25), 즉 투명 기판(11)의 굴절율이고, λ는 상기 광원으로부터 조사되는 광의 파장이다.
상기에서, 투명 기판(11)이 석영으로 형성되고 i-선의 광을 사용하는 경우에 상기 굴절율(n)이 대략 1.4~1.5이고 파장(λ)이 365㎚이므로 상기 반전부(25)와 투과부(23) 두께 차(d)는 365~480㎚가 바람직하다.
그리고, 상기 투과부(23)와 반전부(25)는 서로 동일한 폭으로 형성되는데, 상기 투과부(23)와 반전부(25)의 폭을 해상력을 향상시키기 위해 상기 주마스크(13)의 제1패턴(17)의 폭 보다 2배, 즉, 0.48~0.56㎛가 되도록 한다.
제2도는 상술한 본 발명에 따른 포토마스크를 사용하여 노광 공정을 수행할 때 결상면, 즉, 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트에서의 광의 강도 분포를 나타내는 도면이다.
상기에서, 중앙의 피크(peak)는 제1패턴(17)을 통과한 광의 강도를, 양측의 피크는 제2패턴(19)을 통과한 광의 강도를 나타낸다.
상기 제1패턴(17)을 통과한 중앙의 피크는 제1패턴(17)이나 제2패턴(19)을 간섭 없이 통과하는 원래의 광의 강도에 상기 양측의 제2패턴(19)을 통과하는 광에 상호 보강 간섭된 것이 합쳐진 것이다.
그리고, 상기 보조 패턴을 통과한 양측의 피크는 제1패턴(17)이나 제2패턴(19)을 간섭 없이 통과하는 원래 광의 강도에 상기 제1패턴(17)을 통과하는 광에 상호 보강 간섭된 것이 합쳐진 것이다.
그러므로, 상기 제1패턴(17)을 통과한 광의 강도는 제2패턴(19)을 통과한 광의 강도 보다 크게 된다.
제3도는 상기 제2도와 같은 강도 분포를 갖는 광에 의해 노광되고 현상된 프토레지스트(33)의 프로파일을 나타낸다.
웨이퍼(31)의 상부에 도포된 포지티브 포토레지스트(33)는 어광 공정시 광의 강도에 비례하여 광이 흡수되는 깊이가 다르게 된다.
즉, 포토레지스트(33)는 노광시 광의 강도가 크면 광이 깊은 깊이까지 흡수되고, 광의 강도가 작으면 얕은 깊이 까지만 흡수된다.
그러므로, 상기 포토레지스트(33)가 제2도와 같은 강도 분포를 갖는 광에 의해 노광되고 현상되면, 상기 포토레지스트(33)는 제2도의 광의 강도 분포와 반대의 프로파일을 갖게 된다.
따라서, 상기 포토레지스트(33)는 제1패턴(17)으로 투과된 광에 의해 상기 웨이퍼(31)가 노출되도록 제거되고, 제2패턴(19)으로 투과된 광에 의해 넓게 중간 부분까지만 제거되므로 다리 부분의 폭이 좁고 머리부분의 폭이 넓은 T-게이트전극을 형성할 수 있는 패턴이 형성된다.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 사시도이다.
상기 포토마스크는 일측면에 주마스크(13)가 형성된 석영 등의 투명 기판(11)과, 상기 투명 기판(11)의 일측면에 형성된 주마스크(13)와, 상기 투명 기판(11)의 타측면에 부착된 다른 몸체로 이루어진 보조마스크(21)로 이루어진다.
상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크는 상기 보조 마스크(21)가 투명 기판(11)과 다른 몸체를 이루는 것을 제외하고 나머지는 상술한 구조를 가지며, 따라서, 동일한 부분은 동일한 참조 번호로 나타낸다.
제5도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포토마스크의 사시도이다.
상기 포토마스크는 석영 등의 투명 기판(11)과, 이 투명기판(11)의 일측면에 형성된 주마스크(13)로 이루어진다.
상기 주마스크(13)는 투명 기판(11)의 일측면에 크롬(Cr), 산화철(Fe2O3) 등과 같은 마스크 패턴 재료(mask patten material)이나 그밖의 불투명한 물질이 500~1500Å 정도의 두께로 증착된 불투명막과(15)과, 이 불투명막(15)사이에 상기 불투명막(15)을 형성하는 물질이 불투명막(15)에 상대적으로 매우 얇은, 예를 들면, 100~300Å정도의 두께로 형성하거나 또는 반투명 수지 등과 같은 반투명 재료로 일 방향으로 스트라이프 형태로 증착된 반투명막과(27)과, 이 반투명막(27) 사이에 상기 불투명막(15) 및 반투명막(27)이 증착되지 않아 투명 기판(11)이 노출된 마스크패턴(29)을 갖는다.
상기 불투명막(15)는 노광 공정시 투명 기판(11)의 타측면으로 조사되는 광을 완전히 차단하며, 반투명막(27)은 조사되는 광의 강도를 감소시켜 통과시키며, 마스크패턴(29)은 조사되는 광의 강도를 감소시키지 않고 투과시킨다.
그러므로, 상기 반투명막(27)과 마스크패턴(29)은 광을 투과시켜 각기 T-게이트전극의 다리 부분과 머리 부분의 선폭 변화를 조절한다.
상기에서, 투명 기판(11)의 타측면에 해상력을 향상시키기 위해 상기 제1도에 도시된 것과 동일하게 형성된 보조 마스크가 형성될 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 포토마스크는 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어진다.
상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe2O3) 등과 같은 마스크 패턴 재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되지 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기위한 제1 및 제2패턴을 갖는다.
그리고, 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변환시키는 반전부와 조사되는 광의 위상을 변화시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다.
따라서, 본 발명은 단일의 포토레지스트층에 1번에 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한, 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광이 회절 및 보강 간섭에 의해 행상력을 증가시킬 수 있다.

Claims (13)

  1. 투명기판과, 상기 투명 기판의 일측면에 타측면으로 조사되는 광이 투과되지 않도록 불투명한 물질이 증착되어 형성된 불투명막과, 상기 불투명막이 증착되지 않아 상기 기판이 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제1패턴과, 상기 제1패턴의 양측에 상기 불투명막에 소정 거리 이격되어 상기 불투명막이 증착되지 않아 상기 투명 기판이 일방향 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 제2패턴으로 이루어진 주마스크를 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판이 석영으로 형성된 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불투명막이 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe2O3)로 500~1500Å로 증착되어 형성된 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1패턴이 0.24~0.28㎛의 폭을 가지고, 상기 제2패턴이 0.22~0.26㎛의 폭을 갖는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1패턴과 제2패턴이 상기 제2패턴의 폭 만큼 이격된 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판의 타측면에 상기 주 마스크의 제1 및 제2패턴과 동일한 방향으로 형성된 스트라이프(stripe) 형태의 투과부와 반전부가 순차적으로 반복 배열되게 형성된 보조마스크를 더 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보조 마스크는 상기 투명 기판 타측면에 소정 부분을 소정 깊이로 에칭하므로써 반전부가 형성되고 상기 에칭되지 않은 나머지 부분이 투과부가 되는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  8. 제7항에 있어서, 상기 투과부와 반전부의 두께 차는을 갖는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크. (상기에서, n은 반전부의 굴절율이고, λ는 상기 광원으로부터 조사되는 광의 파장이다.)
  9. 제8항에 있어서, 상기 투과부와 반전부는 폭이 상기 마스크의 제1패턴의 폭 보다 2배가 되도록 동일한 폭으로 형성된 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  10. 제6항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 상기 보조 마스크가 상기 투명 기판과 한 몸체이거나, 또는 다른 몸체인 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  11. 투명 기판과, 상기 투명 기판의 일측면에 타측면으로부터 조사되는 광이 투과되지 않도록 불투명한 물질이 증착되어 형성된 불투명막과, 상기 불투명막 사이에 상기 타측면으로부터 조사되는 광의 강도를 감소시켜 통과시키는 반투명막과, 상기 불투명막 및 반투명막이 형성되지 않아 상기 조사되는 광을 투과시키는 투명 기판이 일 방향으로 줄무늬 형태로 노출되어 형성된 마스크 패턴을 갖는 주 마스크를 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  12. 제11항에 있어서, 상기 투명 기판의 타측면에 상기 주 마스크의 패턴과 동일한 방향으로 형성된 스트라이프(stripe) 형태의 투과부와 반전부가 순차적으로 반복 배열되게 형성된 보조 마스크를 더 구비하는 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
  13. 제12항에 있어서, 상기 보조 마스크가 상기 투명 기판과 한 몸체이거나, 또는 다른 몸체인 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크.
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