KR100217711B1 - 셀프얼라인 위상시프트마스크의 제조방법 - Google Patents

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KR100217711B1
KR100217711B1 KR1019920006909A KR920006909A KR100217711B1 KR 100217711 B1 KR100217711 B1 KR 100217711B1 KR 1019920006909 A KR1019920006909 A KR 1019920006909A KR 920006909 A KR920006909 A KR 920006909A KR 100217711 B1 KR100217711 B1 KR 100217711B1
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리끼오 이께다
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이데이 노부유끼
소니 가부시키가이샤
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Abstract

본원 발명은 서로의 마스크맞춤을 문제로 하지 않아도 되는 셀프얼라인으로 위상시프트부를 용이한 공정으로 제어성 양호하게 제조하는 방법에 관한 것이다.
투명기판(1)에 차광부(10)와, 광투과부(12)와, 위상시프트부(11a)를 구비한 위상시프트마스크를 제조하는 경우에, 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 네가티브레지스트층(11b)을 전체면에 형성하고, 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고 계속해서 현상하여 광투과부(12) 위에 네가티브레지스트층(11b)을 남기고, 이어서 이 네가티브레지스트층(11b)을 더욱 현상을 계속해서 폭을 좁혀서 차광부(10)와의 사이에 서브스페이스(12a)를 형성함으로써 위상시프트부(11a)를 용이하게 또한 고정밀도로 얻는다.

Description

셀프얼라인 위상시프트마스크의 제조방법
제1도는 실시예 1의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제2도는 실시예 2의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제3도는 실시예 3의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제4도는 실시예 4의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제5도는 실시예 5의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제6도는 실시예 6의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제7도는 실시예 7의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제8도는 실시예 8의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제9도는 실시예 9의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제10도는 실시예 10의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제11도는 실시예 11의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
제12도는 위상시프트마스크의 원리설명도.
제13도는 종래 기술의 각 공정에 있어서의 마스크의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 투명기판 10 : 차광부
11a : 위상시프트부 11b : 네가티브레지스트층
12 : 광투과부 12a : 서브스페이스
본 출원의 각 발명은 위상시프트마스크의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원의 각 발명은 각종 패턴형성기술 등에 사용되는 위상쉬프트마스크의 제조방법으로서 이용할 수 있으며, 예를들면 반도체장치 제조프로세스에 있어서 레지스트패턴을 형성하는 경우의 마스크등으로 사용하는 위상시프트 포토마스크의 제조방법으로서 이용할 수 있다.
포토마스크를 이용하여 형성하는 것, 예를들면 반도체 장치 등은 그 가공치수가 해마다 미세화되는 경향에 있다. 이와 같은 배경에서 미세화 된 반도체장치를 얻는 포토리소그라피의 기술에 있어서, 그 해상도(解像度)를 더욱 향상시키기 위해 마스크를 투과하는 광에 위상차를 부여하고, 이로써 광강도프로파일을 개선하는 이른바 위상시프트기술이 각광을 받고 있다.
종래의 위상시프트기술에 대해서는 일본국 특개소 58(1983)-173,744호 공보나, 레벤슨(MARC D. tEVENSON) 등의 논문(Improving Resolution in Photolithogrrtphy with a Phase-Shifting Mask IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. Vol. ED-29 No. 12, 1982년 12월, P1828∼1836) 또한 레벤슨 등의 논문 (The Phase-Shifting Mask II : Imaging Simulations and Submicrometer Resist Exposures 동지(同誌) Vol. Ed-31, No. 6, 1984년 6월, P753∼763)에 기재되어 있다.
또, 일본국 특공소 62(1987)-50,811호에는 투명부와 불투명부로 형성된 소정의 패턴을 가지며 , 불투명부를 사이에 둔 양측의 투명부의 최소한 한쪽에 위상부재를 배설하고, 이 양측의 투명부에 위상차를 발생시키는 구성으로 한 위상시프트마스크가 개시되어 있다.
종래부터 알려져 있는 위상시프트 기술에 대하여 제12도를 이용하여 설명하면 다음과 같다. 예를들면 라인 앤드 스페이스의 패턴형성을 행하는 경우, 통상의 종래의 마스크는 제12(a)도에 도시된 바와 같이 석영기판 등의 투명기판 (1) 위에 Cr(크롬)이나 기타 금속, 금속산화물 등의 차광성 재료를 사용하여 차광부(10)를 형성하고, 이것에 의해 라인 앤드 스페이스의 반복패턴을 형성하여 노광용 마스크로 하고 있다. 이 노광용 마스크를 투과한 광의 강도분포는 제12(a)도에 부호 A1로 도시한 바와 같이 이상적으로는 차광부(10)가 있는 곳에서는 제로이고, 다른 부분(투과부 l2a, 12b)에서는 투과한다. 하나의 투과부(12a)에 대해 생각하면, 피노광재에 부여되는 투과광은 광의 회절 등에 의해 제12(a)도에 A2로 표시한 바와 같이 양측의 아래쪽에 작은 산모양의 극대를 가진 광강도분포로 된다. 투과부(12b)쪽의 투과광 A2은 1점쇄선으로 표시 하였다. 각 투과력(12a),(12b)로부터의 광을 합치면, A3에 표시한 바와 같이 광강도분포는 샤프성을 상실하고, 광의 회절에 의한 상(像)의 합초(合焦슴)불량이 발생하여, 결국 샤프한 노광은 달성할 수 없게 된다. 이에 대해, 상기 반복패턴의 광투과부(12a),(12b)위에 하나걸러 제12(b)도에 도시한 바와 같이 위상시프트부 (11a)(시프터라 함. SiO2나 레지스트 등의 재료가 사용됨)를 배설하면, 광의 회절에 의한 상의 합초불량이 위상의 반전에 의해 해소되어 샤프한 상이 전사되고 해상력이나 초점여유도가 개선된다.
즉,제12(b)도에 표시한 바와 같이, 한쪽의 투과부(12a)에 위상시프트 (11a)가 형성되면, 그것이 180의 위상시프트를 부여하는 것이면, 이 위상시프트부(11a)를 통과한 광은 부호 Bl로 표시한 바와 같이 반전한다. 그것에 인접한 투과부(12b)로부터의 광은 위상시프트부(11a)를 통과하지 않으므로, 이러한 반전은 발생하지 않는다. 피노광재에 부여되는 광은 서로 반전한 광이 그 광강도분포의 아래쪽에 있어서 도면에 B2로 표시한 위치에서 서로 상쇄하여, 결국 피노광재에 부여되는 광의 분포는 제12(b)도에 B3으로 표시한 바와 같이 샤프한 이상적인 형상으로 된다 .
상기의 경우, 이 효과를 가장 확실하게 하기 위해서는 위상을 180반전시키는 것이 유리하나, 이를 위해서는,
(n은 위상시프트부의 굴절율, λ은 노광파장)인 막두께 D로 막 형성한 위상시프트부(11a)를 배설한다.
그리고, 노광에 의해 패턴형성하는 경우, 축소 투영하는 것을 레티클, 1대 1투영하는 것을 마스크라 하거나, 또는 원반에 상당하는 것을 레티클, 그것을 복제한 것을 마스크라 하기도 하지만, 본원 발명에 있어서는 이와 같은 여러 가지 의미에 있어서의 마스크나 레티클을 총칭하여 마스크라고 하는 것이다.
최근, 상기와 같은 위상시프트기술에 있어서 해상력이 양호하고, 또한 셀프얼라인으로 용이하게 위상시프트막을 형성할 수 있는 기술로서, 제13도 도시한 방법이 제안되어 있다(Nitayama 등, IEDM Tech, Dig., 1989. 3-3, 또 1990년 춘계 응용물리학회 예고집(豫稿集) 28a-PD-2) .
이 기술은 기판(1)위의 크롬을 EB레지스트패턴(20)에 의해 패터닝하여 크롬패턴(10b)을 얻고(제13(a)도), 이어서, EB레지스트패턴(20)을 적절히 제거한 후, 위상시프트재료를 겸하는 포토레지스트로서 PMMA를 위상시프트마스크의 노광광으로서 사용하는 광의 투과광의 위상이 180반전하는 두께로 도포하여 제13(b)도와 같이 하고, 이어서 이 도면에 화살표 P로 표시한 바와 같이 기판(1)의 이면으로부터의 원적외선에 의해 노광된다. PMMA층을 부호(11')로 표시한다. 이것에 의해 크롬패턴(10b)을 PMMA에 전사 현상하여 PMMA패턴(11'')을 가진 제13(c)도의 구조를 얻는다. 그후 크롬패턴(10b)을 사이드에칭에 의해 후퇴시켜서 제13(d)도에 도시된 바와 같은 크롬차광부(10c)를 얻고, 이것에 의해 PMMA패턴(11'')의 크롬차광부(10c)가 존재해 있지 않은 부분을 위상시프트부(11)로서 사용하는 위상스피트구조를 얻는 것이다. 도면중 W는 위상시프트부(11)의 폭이다.
상기 종래 기술에 의하면, 자기정합형(自己整合型)의 위상시프트마스크를 비교적 간단히 제조할 수 있다고 말할 수 있을지 모르나, 위상시프트부(11)는 크롬패턴 (l0b)을 에칭에 의해 후퇴시킴으로써 얻어므로, 그 폭 W은 이 후퇴를 제어함으로써 결정되는 것이며, 이러한 에칭에 의한 후퇴를 양호하게 제어하는 것은 곤란하다. 또 공정은 여전히 복잡하다.
본원 발명은 상기 문제점을 해결하여, 용이한 공정으로 위상시프트부를 제어성 좋게 얻을 수 있고, 더욱이 종래의 위상시프트부가 차광부에 걸리는 것과는 달리 서브스페이스를 통해 차광부와는 독립으로 차광재료패턴 사이에 형성되는 신규의 셀프얼라인 위상시프트마스크의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 출원의 청구항 1의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판 위에 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남기고, 이어서 이 네가티브레지스트층을 에치백하여 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 네가티브레지스트층을 위상시프트로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 2의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 위상시프트재료층 및 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남기고, 이 네가티브레지스트층을 마스크로 하여 위상시프트재료층을 에치 백하여 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 3의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판 위에 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가브레지스트층을 남기고, 이어서 차광부를 에치백하여 네가티브레지스트층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 네가티브레지스트층과의 사이에 서비스페이스를 형성하여, 상기 네가티브레지스트층을 위상시프트로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 4의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 위상시프트재료층 및 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남기고, 이 네가티브레지스트층을 마스크로 하여 위상시프트재료층을 에칭하고 이어서 차광부를 에치 백하여 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 5의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴 및 이 차광재료패턴 사이에 위상시프트재료층이 형성된 투명기판위에 포토디브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 차광재료패턴 위에 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 이 포지티브레지스트층을 에치백하고, 다시 차광재료층을 에치백하여 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 6의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴 및 이 차광재료패턴 사이에 위상시프트재료층이 형성된 투명기판위에 포토티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 상기 차광재료패턴 사이 보다 넓어진 간격의 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 이 포지티브레지스트층을 마스크로 하여 중간층을 에칭하고 계속해서 중간층과 하층재층을 마스크로 하여 차광재료층을 에치백하여 상기 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 7의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 무기위상시프트재료층 및 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남김에 있어서 노광을 언더노광으로 행하여 현상을 오버현상으로 행함으로써 광투과부보다 좁아진 네가티브레지스트층을 남기고, 이 네가티브레지스트층을 마스크로 하여 위상시프트재료층을 에칭하여 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 무기위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 8의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴 및 이 차광재료패턴 사이에 위상시프트재료층이 형성된 투명기판위에 위상시프트재료층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남김에 있어서 노광을 언더노광으로 행하여 현상을 오버현상으로 행함으로써 광투과부보다 좁아진 네가티브레지스트층을 남기고, 이 네가티브레지스트층을 마스크로 하여 위상시프트재료층을 에칭하여 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 9의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 포지티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 차광부 위에 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 위상시프트재료를 전체면에 석출(析出)하고 그 후 포지티브레지스트층을 박리하고, 다시 차광재료 또는 위상시프트재료층의 어느 하나를 에치백하여 양자의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 10의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 포지티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 차광부 위에 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 위상시프트재료를 전체면에 석출하고 다시 포지티브레지스트층을 에치백하고 그 후 이 포지티브레지스트층을 마스크로 하여 차광재료를 에치백하여 상기 광투과부 위에 석출한 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 청구항 11의 발명은 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 포지티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 차광부 위에 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 위상시프트재료를 전체면에 석출하고, 다시 포지티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 상기 차광재료패턴 사이보다 넓어진 간격의 포지티브레지스트층을 차광재료의 상부에 남기고, 이 상층포지티브레지스트층을 마스크로 하여 하층포지티브레지스트층을 노광, 현상하여 하층포지티브레지스트층을 에치백하여 이 하층포토레지스트층을 마스크로 하여 차광재료를 에치백하여 상기 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법이다.
본 출원의 각 발명에 있어서, 위상시프트부라는 것은 광투과부가 투과하는 노광광에 대해 서로 다른 위상으로 노광광을 투과하는 것을 말한다. 차광부라는 것은 사용하는 노광광에 대해 그 광의 투과를 차단하는 것이며, 광투과부라는 것은 사용하는 노광광을 투과하는 것이다. 차광부, 광투과부는 각각 광차단성 및 광투과성이 큰 것이 바람직하나, 반드시 완전히 내지 완전에 가깝게 광을 차단하거나 또는 투과하지 않아도, 필요한 패턴형성이 가능한 정도로 광을 차단하거나 또는 투과하는 것이면 된다. 위상시프트부도 광투과부와 마찬가지로 광의 투과율이 큰 것이 바람직하나, 필요한 위상반전과 노광을 할수 있는 것이면 된다.
차광부의 재료로서는 크롬이나, 기타 산화크롬 또는 고융점금속(W, Mo, Be 등) 전반 및 그 산화물 등을 사용할 수 있다.
광투과부는 차광부나 위상시프트부가 형성되어 있지 않은 투명한 기판 부분을 그대로 사용하여 이것으로부터 광을 투과시키도록 구성할 수 있다.
이리하여 본 출원의 각 발명에 있어서, 서브스페이스도 광투과부와 마찬가지로 광을 투과시키도록 구성된다.
투명기판으로서는 석영, 통상의 유리, 적절히 각종 성분을 함유시킨 유리, 기타 적절한 것을 사용할 수 있다.
본 출원의 각 발명에 있어서, 일반적으로 위상시프트부는 기판 등에 위상시프트부를 구성하는 재료를 패터닝하여 얻을 수 있다. 위상시프트재료로서는 예를 들면 일반적으로 각 발명의 특징에 변하지 않는 한 다음과 같은 것을 사용할 수 있다.
즉, 포토레지스트로서 사용할 수 있는 유기물질을 사용할 수 있으며, 예를 들면 EB용 레지스트(네가티브 또는 포지티브레지스트)를 사용하여 EB 묘화(描畵)장치에 있어서의 레지스트기능을 겸하게 할 수 있다.
또는, SiO, SiO2, 실리콘질화물을 사용할 수 있다.
단, 위상시프트부는 원하는 위상시프트가 달성되면 되는 것이므로, 각 발명의 특징에 반하지 않으면, 기판 위에 형성되지 않고 광투과부(기판)중의 일부에 패턴형으로 굴절율을 변화시키는 물질을 도프함으로써 위상시프트를 발생시키도록 해도 된다.
본 출원의 각 발명에 의하면, 위상시프트재료층 또는 차광재료층을 에치백하여 위상시프트재료층과 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여 상기 위상시프트로 하므로, 이 위상시프트부 등의 폭 등의 형상제어는 에치백 조건에 따라 제어할 수 있다. 따라서, 본 출원의 각 발명에 의하면, 제어성 좋게 또한 종래부터 잘 알려져 있는 용이한 공정에 의해 위상시프트마스크를 형성할 수 있다.
다음에 본원 발명의 실시예에 대해 설명한다. 단, 당연한 것이나, 본원 발명은 다음에 설명하는 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
이 실시예는 본 출원의 청구항 1의 발명을 미세화(微細化), 집적화(集積化)한 반도체장치를 제조할 때 사용하는 위상시프트마스크를 제조하는 경우에 구체화 한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 네가티브레지스트층(11b)을 전체면에 형성하고(제1(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 화살표 P로 표시한 바와 같이 노광하고, 계속해서 현상하여 광투과부(12) 위에 네가티브레지스트층(11b)을 남기고(제1(b)도 참조), 이어서, 이 네가티브레지스트층(11b)을 에치백하여 축소시켜 제1(c)도에 도시한 바와 같이 차광부(10)와의 사이에 서브스페이스(12a)을 형성하여, 상기 축소시킨 네가티브레지스트층(11b)을 위상시프트부(11a)로 한다.
더욱 상세하게는 본 실시예에서는 네가티브레지스트층(11b)의 에치 백에 의한 후퇴는 그대로 현상을 속행함으로써 행해도 되며, 또는 진한 현상액으로 현상을 행하여도 되며, 나아가서는 플라즈마에칭에 의해 행하여도 된다.
[실시예 2]
이 실시예는 본 출원의 청구항 2의 발명을 구체화한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 위상시프트재료층(11c) 및 네가티브레지스층(11b)을 순차적층하여 전체면에 형성하고(제2(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고 계속해서 현상하여 광투과부(12) 위에 네가티브레지스트층(11b)을 남기고(제2(b)도 참조), 이 네가티브레지스트층(11b)을 마스크로 하여 위상시프트재료층(11c)을 에칭하고(제2(c)도 참조), 다시 오버에칭하여 서브스페이스(12a)을 형성하고 나서(제2(d)도 참조) 레지스트층(11b)을 박리하든가, 또는 레지스트층(11b)을 박리한 후 위상시프트재료층(11c)을 에치 백하여 차광부(10)와의 사이에 서브스페이스(12a)을 형성하여, 제2(e)도에 도시한 바와 같이 상기 위상시프트재료층(11c)을 위상시프트부(11a)로 한다.
더욱 상세하게는 본 실시예에서 위상시프트재료는 SOG(Spin On Glass, 도포 가능하며, 가열에 의해 SiO2화 하는 함Si유기재료 ), SiN(실리콘나이트라이드) SiO2등 유기, 무기의 어느 하나의 재료라도 된다. 위상시프트재료의 막두께는 바람직한 180위상반전을 달성하기 위해 λ/2(n-1)로 한다. 제2(d)도의 위상시프트재료층(llc)의 오버에칭은 플라즈마에칭에 의한 등방성(等方性)에칭이 바람직하다. 또, 제2(e)도의 레지스트층(l1b)을 박리한 후의 위상시프트재료층(11C)의 에치백은 플라즈마에칭, 액체에칭의 어느쪽의 동방성에칭이라도 된다.
[실시예 3]
이 실시예는 본 출원의 청구항 3의 발명을 구체화한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 네가티브레지스트층(11b)을 전체면에 형성하고(제3(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고 계속해서 현상하여 광투과부(12) 위에 네가티브레지스트층(11b)을 남기고(제3(b)도 참조), 이어서 차광부(10)를 에치백하여 네가티브레지스트층(11b)과의 사이에 서브스페이스(12a)를 형성하여, 제3(c)도의 구조로 하고 상기 네가티브레지스 트층(11b)를 위상시프트부(11a)로 한다.
더욱 상세하게는 네가티브레지스트로서 미합중국 시프레이사의 SAL-601을 두께 λ/2(n-1)로 도포한다. 또 차광재료로서는 Cr을 사용하고, 그 에치백은 등방성웨트에칭으로 행하는 것이 바람직하다.
[실시예 4]
이 실시예는 본 출원의 청구항 4의 발명을 구체화한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 위상시프트재료층(11c) 및 네가티브레지스트층(11b)을 순차 형성하고(제4(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고 계속해서 현상하여 광투과부(12) 위에 패터닝 된 네가티브레지스트층(11b)을 남기고(제4(b)도 참조), 이 네가티브레지스트층(11b)을 마스크로 하여 위상시프트재료층(11c)을 에칭하고(제4도(c) 참조), 이어서 적절한 수단에 의해 차광재료층(10)을 에치백하여 위상시프트재료층(11c)과의 사이에 서브스페이스(12a)를 형성하여, 위상시프트재료층(11c)를 위상시프트부(11a)로 한다(제4(d)도 참조).
더욱 상세하게는 위상시프트재료로서는 바람직하기로는 SiO2, SiN 등의 무기위상시프트재료를 사용한다.
[실시예 5]
이 실시예는 본 출원의 청구항 5의 발명을 구체화한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 차광재료패턴(10) 및 이 차광재료패턴 사이의 광차광부(12)위에 위상시프트재료층(11c)이 형성된 투명기판(1)위에 포토티브레지스트층(11d)을 전체면에 형성하고(제5(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고 계속해서 현상하여 차광재료패턴(10)위에 포지티브레지스트층(11d)을 남기고(제5(b)도 참조), 이어서 이 포지티브레지스트층(11d)을 에치백하고(제5(c)도 참조), 다시 차광재료층(10)을 에치백하여 위상시프트재료층(11c)과이 사이에 서브스페이스(12a)를 형성하고 (제5(d)도 참조) 포지티브레지스트층(11d)을 박리하여, 상기 위상시프트재료층(11c)을 위상시프트부(11a)로 한다(제5(e)도 참조).
더욱 상세하게는 포지티브레지스트로서는 해상도가 도리어 양호 하지 많고 막 감소가 큰 것, 예를들면 도오교오까(주)의 OFPR 800이 바람직하다. 포지티브레지스트의 에치백은 현상공정에 이어서 다시 현상을 행하는 것이 포지티브레지스트의 측부에 다소 광이 쪼이고 있으므로 현상되어 레지스트층의 후퇴가 안으로 들어 감에 따라 현상속도가 늦춰지므로, 제어성이 양호하게 즉 정밀도가 양호하게 된다는 이점이 있다. 그러나, 플라즈마애셔에 의해 등방성에칭을 행해 포지티브레지스트를 후퇴시켜도 된다. 또 차광재료층의 에치백은 드라이에칭, 웨트에칭의 어느쪽이라도 행할 수 있으나, 전자쪽이 바람직하다.
[실시예 6]
이 실시예는 본 출원의 청구항 6의 발명을 구체화한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 차광재료패턴(10) 및 이 차광재료패턴 사이의 광투과부(12)위에 위상시프트재료층(11c)이 형성된 투명기판(1)위에 하층재층(11e), 중간층(11f) 및 포토티브레지스트층(11d)을 전체면에 형성하고(제6(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 화살표 P로 표시한 바와 같이 노광하고(제6(d)도 참조), 계속해서 현상하여 차광재료패턴사이 보다 간격이 넓어진 포지티브레지스트층(11d)을 차광재료(10)의 상부에 남기고(제6(c)도), 이 포지티브레지스트층(11d)을 마스크로 하여 중간층(11f)을 이어서 하층재층(11e)을 에칭하고(제6(d)도 참조), 다시 이들 층(11f) 및 (11e)을 마스크로 하여 차광재료층(10)을 에치백하여 상기 위상시프트재료층(11c)과의 사이에 서브스페이스(12a)를 형성하고 하층재층(11e)을 박리하여 상기 위상시프트재료층(11c)을 위상시프트부(11a)로 한다.
더욱 상세하게는 하층재료층으로서는 두께 2의 PMMA를, 중간층으로서는 100Å의 SOG를, 포지티브레지스트로서 0.5의 OFPR 800을 사용한다. 이면에서 조사(凋謝)하는 광에서 g선을 사용하였으나, 이 때 광의 회절에 의해 제6(b)도에 점선으로 표시한 바와 같이 노광이 퍼지는데, 이 폭은 하층재층, 중간층이 두꺼울수록, 또 노광파장이 갈수록 넓어지므로 각 층의 종류도 포함하여 이것들을 적절히 선택함으로써 제어할 수 있다. 또, 중간층과 하층재층의 에칭에 있어서는 SiO2를 패터닝하여 SiO2를 마스크로 하여 하층재층을 플라즈마에칭이나 RIE 에칭하는 동시에 포지티브레지스트층도 동시에 제거할 수 있다.
[실시예 7]
이 실시예는 본 출원의 청구항 7의 발명을 구체화한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 무기위상시프트재료층(11c) 및 네가티브레지스트층(11b)을 전체면에 형성하고(제7(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고, 계속해서 현상하여 광투과부(12) 위에 네가티브레지스트층(11b)을 남김에 있어서 노광을 언더노광으로 하고, 현상을 오버현상으로 하여 광투과부(12)보다 좁아진 네가티브레지스트층(11b)을 남기고(제7(b)도 참조), 이 네가티브레지스트층(11b)을 마스크로 하여 위상시프트재료층(11c)을 에칭하여 차광부(10)와의 사이에 서브스페이스(12a)를 형성하고 네가티브레지스트층(11b)을 박리하여 제7(b)도에 도시한 바와 같이 상기 무기위상시프트재료층(11c)을 위상시프트부(11a)로 한다.
더욱 상세하게는 네가티브레지스트에는 BAL-601을 사용하고, 노광을 언더로, 현상을 오버로 행하여 네가티브레지스트의 폭을 조절함으로써 서브스페이스의 폭을 제어한다.
[실시예 8]
이 실시예는 본 출원의 청구항 8의 발명을 구체화한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 제1(a)도에 도시한 바와 같은 차광재료패턴(10) 및 이 차광재료패턴 사이의 광투과부(12)위에 위상시프트재료층(11c)이 형성된 투명기판(1)위에 네가티브레지스트층(11b)을 전체면에 형성하고(제8(b)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고, 계속해서 현상하여 광투과부(12) 위에 네가티브레지스트층(11b)을 남김에 있어서 노광을 언더노광으로 하고 현상을 오버현상으로 하여 광투과부(12)보다 좁아진 네가티브레지스트층(11b)을 남기고(제8(c)도 참조), 이 네가티브레지스트층(11b)을 마스크로 하여 위상시프트재료층(11c)을 에칭하여 차광부(10)와의 사이에 서브스페이스(12a)를 형성하고 네가티브레지스트층(11b)을 박리하여 상기 위상시프트재료층(11c)을 위상시프트부(11a)로 한다.
[실시예 9]
이 실시예는 본 출원의 청구항 9의 발명을 구체화한 것이다.
본 실시예에 있어서는, 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 포지티브레지스층(11d)를 전체면에 형성하고(제9(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고 계속해서 현상하여 차광부(10) 위에 포지티브레지스트층(11d)을 남기고(제9(b)도 참조), 이어서 위상시프트재료층(11c)을 전체면에 석출하고(제9(c)도 참조), 그 후 포지티브레지스트층(11d)을 박리하여 광투과부(12)위에 위상시프트재료층(11c)을 남기고(제9(d)도 참조), 다시 차광재료(10)을 에칭하든가(제9(e)도 참조) 또는 위상시프트재료층(11c)을 에칭하든가(제9(f)도 참조) 어느 하나에 의해 차광재료(10)와 위상시프트재료층(11c)과의 사이에 서브스페이스(12a)을 형성하여, 위상시프트재료층(11c)을 위상시프트부(11a)로 한다.
더욱 상세하게는 차광재료의 두께를 일반적으로 채용되고 있는 800Å으로 하여 마스크정밀도를 유지한 채, 포지티브레지스트로서는 도오교오꺄(주)의 TSMR V3을 사용하여 두께 1로 형성함으로써, 그 후 증착 등에 의해 위상시프트재료층의 연결이 방지되고, 포지티브레지스트층의 리프트오프에 의한 위상시프터의 신속, 용이한 형성이 가능하게 된다.
[실시예 10]
이 실시예는 본 출원의 청구항 10의 발명을 구체화 한 것이다.
본 실시예에 있어서는 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 포지티브레지스트층(11d)을 전체면에 형성하고(제10(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고, 계속해서 현상하여 차광부(10) 위에 포지티브레지스트층을 남기고(제10(b)도 참조), 이어서 위상시프트재료층(11c)를 전체면에 석출하고(제10(c)도 참조) 다시 포지티브레지스트층(11d)을 에치백하고 (제10(d)도 참조) 그 후 이 포지티브레지스트층(11d)을 마스크로 하여 차광재료(10)를 에치백하여 상기 광투과부(12) 위에 석출한 위상시프트재료층(11c)과의 사이에 서브스페이스(12a)를 형성하고(제10(e) 도 참조), 계속해서 포지티브레지스트층(11d)을 리프트오프하여 제10(f)도에 도시한 바와 같이 상기 위상시프트재료층(11c)을 위상시프트부로 한다
더욱 상세하게는 포토레지스트층의 후퇴는 현상을 오버로 행하는, 표면으로부터 노광을 행하고 계속해서 현상을 행하는, 진한 현상액으로 현상하는 O2플라즈마로 등방성에칭을 행하는 등의 방법을 임의로 선택하여 실행할 수 있으나, O2플라즈마에 의한 등방성에칭을 다음 공정의 차광재료의 등방성에칭공정과 연속적으로 행할 수 있으므로 양호한 방법이라고 할 수 있다. 그리고, 포지티브레지스트층을 마스크로 하여 차광재료를 에치백 후 포지티브레지스트층을 리프트오프에 의해 제거하므로 서브스페이스 형성 후의 차광부의 막감소가 발생하지않고 충분한 차광성이 확보될 뿐만 아니라 차광재료의 에치백 정밀도로 향상된다 .
[실시예 11]
이 실시예는 본 출원의 청구항 11의 발명을 구체화 한 것이다.
본 실시예에 있어서는 차광재료패턴(10)이 형성된 투명기판(1)위에 포지티브레지스트층(11d)을 전체면에 형성하고(제11(a)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고, 계속해서 현상하여 차광부(10)위에 포지티브레지스트층(11d)을 남기고(제11(b)도 참조) 이어서 위상시프트재료(11c)을 전체면으로 석출하고(제11(c)도 참조), 다시 그 위에 다른 포지티브레지스트층(11d')을 전체면으로 형성하고(제11(d)도 참조), 투명기판(1)의 이면으로부터 노광하고 계속해서 현상하여 상기 차광재료패턴(10)끼리의 간격보다 넓어져 차광재료(10)의 단면보다 후퇴시키고(제11(f)도 참조), 이 하층포지티트레피스트층(11d)을 마스크로 하며 차광재료(10)를 에치백하여 광투과부(12)위의 위상시프트재료층(11c)과의 사이에 서브스페이스(12a)를 형성하고(제 11(g)도 참조), 그 후 포.지티브레지스트층(11d)을 제거하여 제11(h)도에 도시한 바와 같이 광투과부(12)위의 위상시프트재료층(11c)을 위상시프트부(11a)로 한다.
더욱 상세하게는 최초로 도포하는 하층의 포지티브레지스트에는 PMMA를 사용하여, 투명기판의 이면으로부터 디프(deep)자외광을 노광, 현상하여 제11(b)도의 구조를 얻는다. 상층의 포지티브레지스트로서는 막 감소가 큰 OFPR-800이 다음 공정의 투명기판 이면으로부터의 노광, 현상에 의해 후퇴한 상부 포지티브레지스트층을 형성하기 위해 편리하다. 그리고, 그 이면으로부터의 노광은 장파장의 광, 예를들면 g선을 사용함으로써 제11(d)도에 점선으로 표시한 바와 같이 광의 회절에 의한 효과 때문에, 상부포지티브레지스층을 현상 후 크게 후퇴시킬 수 있다. 또, 하층포지티브레지스트층을 에치백시키기 위한 광원으로서는 디프자외광이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 본 출원의 청구항 1 ∼ 청구항 3의 발명에 의하면, 서로의 마스크맞춤정밀도를 문제로 하지 않아도 되는 셀프얼라인으로 위상시프트마스크를 간단, 용이하게 또한 본 출원의 청구항 4∼ 청구항 8의 발명에 의하면, 레지스트마스크의 사용에 의해 위상시프트부 작성시의 차광재료의 막감소가 유효하게 억제되어 차광부의 광투과가 완전히 방지되어서, 위상시프터의 막 감소가 발생하지 않고, 드라이에칭을 사용하므로 에칭 정밀도가 형상된다. 본 출원의 청구항 9 ∼ 청구항 11의 발명에 의하면, 포지티브레지스트의 리프트오프에 의해 위상시프트마스크가 작성되므로, 차광재료의 에칭정밀도가 향상되고, 막 감소가 방지되며, 또 포토마스크 위에 기판과의 선택비를 취할 수 없는 경우나 에칭대미지가 커지는 경우에 효과적이다. 즉, 본 출원의 각 발명에 관한 위상시프트마스크의 제조방법에 의하면, 차광부와는 독립으로 차광재료패턴사이에 형성되는 셀프얼라인 위상시프트마스크를 용이한 공정으로 제어성 양호하게 형성할 수 있다.

Claims (11)

  1. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판 위에 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남기고, 이어서 이 네가티브레지스트층을 에치백하여 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 네가티브레지스트층을 위상시프트로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  2. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 위상시프트재료층 및 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남기고, 이 네가티브레지스트층을 마스크로 하여 위상시프트재료층을 에치 백하여 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  3. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판 위에 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가브레지스트층을 남기고, 이어서, 차광부를 에치백하여 네가티브레지스트층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 네가티브레지스트층과의 사이에 서비스페이스를 형성하여, 상기 네가티브레지스트층을 위상시프트로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  4. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 위상시프트재료층 및 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남기고, 이 네가티브레지스트층을 마스크로 하여 위상시프트재료층을 에칭하고 이어서 차광부를 에치백하여 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  5. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴 및 이 차광재료패턴 사이에 위상시프트재료층이 형성된 투명기판위에 포토디브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 차광재료패턴 위에 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 이 포지티브레지스트층을 에치백하고, 다시 차광재료층을 에치백하여 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  6. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴 및 이 차광재료패턴 사이에 위상시프트재료층이 형성된 투명기판위에 포지티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 상기 차광재료패턴 사이보다 넓어진 간격의 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 이 포지티브레지스츠층을 마스크로 하여 중간층을 에칭하고 계속해서 중간층과 하층재층을 마스크로 하여 차광재료층을 에치백하여 상기 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  7. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 무기위상시프트재료층 및 네가티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남김에 있어서 노광을 언더노광으로 행하여 현상을 오버현상으로 행함으로써 광투과부보다 좁아진 네가티브레지스트층을 남기고, 이 네가티브레지스트층을 마스크로 하여 위상시프트재료층을 에칭하여 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 무기위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  8. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴 및 이 차광재료패턴 사이에 위상시프트재료층이 형성된 투명기판위에 위상시프트재료층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 광투과부 위에 네가티브레지스트층을 남김에 있어서 노광을 언더노광으로 행하여 현상을 오버현상으로 행함으로써 광투과부보다 좁아진 네가티브레지스트층을 남기고, 이 네가티브레지스트층을 마스크로 하여 위상시프트재료층을 에칭하여 차광부와의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  9. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 포지티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 차광부 위에 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 위상시프트재료를 전체면에 석출(析出)하고 그 후 포지티브레지스트층을 박리하고, 다시 차광재료 또는 위상시프트재료층의 어느 하나를 에치백하여 양자의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  10. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 포지티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 차광부 위에 포지티브레지스트층을 남기고, 이어서 위상시프트재료를 전체면에 석출하고 다시 포지티브레지스트층을 에치백하고 그 후 이 포지티브레지스트층을 마스크로 하여 차광재료를 에치백하여 상기 광투과부 위에 석출한 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
  11. 투명기판에 차광부와, 광투과부와, 위상시프트부를 구비한 위상시프트마스크의 제조방법으로서, 차광재료패턴이 형성된 투명기판위에 포지티브레지스트층을 전체면에 형성하고, 투명기판의 이면으로부터 노광, 현상하여 상기 차광재료패턴 사이보다 넓어진 간격의 포지티브레지스트층을 차광재료의 상부에 남기고. 이 상층포지티브레지스트층을 마스크로 하여 하층포지티브레지스트층을 노광, 현상하여 하층포지티브레지스트층을 에치백하여 이 하층포토레지스트층을 마스크로 하여 차광재료를 에치백하여 상기 위상시프트재료층과의 사이에 서브스페이스를 형성하여, 상기 위상시프트재료층을 위상시프트부로 하는 것을 특징으로 하는 위상시프트마스크의 제조방법.
KR1019920006909A 1991-04-26 1992-04-24 셀프얼라인 위상시프트마스크의 제조방법 KR100217711B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TW497165B (en) 1999-06-30 2002-08-01 Hitachi Ltd Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor
JP2001100429A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Mitsubishi Electric Corp レジストのパターニング方法
US6924069B2 (en) * 2003-01-15 2005-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for repairing attenuated phase shift masks
JP5299139B2 (ja) * 2009-07-22 2013-09-25 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用モールドの製造方法
JP6638493B2 (ja) * 2016-03-17 2020-01-29 大日本印刷株式会社 多段構造体を有するテンプレートの製造方法
CN109920727B (zh) * 2019-03-13 2021-04-02 中国科学院半导体研究所 在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3374452D1 (en) * 1982-04-05 1987-12-17 Ibm Method of increasing the image resolution of a transmitting mask and improved masks for performing the method
US4759616A (en) * 1985-08-26 1988-07-26 Eastman Kodak Company Method and apparatus for anamorphically shaping and deflecting electromagnetic beams
JP2710967B2 (ja) * 1988-11-22 1998-02-10 株式会社日立製作所 集積回路装置の製造方法

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