JPH0619107A - セルフアライン位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
セルフアライン位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH0619107A JPH0619107A JP12536391A JP12536391A JPH0619107A JP H0619107 A JPH0619107 A JP H0619107A JP 12536391 A JP12536391 A JP 12536391A JP 12536391 A JP12536391 A JP 12536391A JP H0619107 A JPH0619107 A JP H0619107A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、相互のマスク合わせを問題にしなく
てよいセルフアラインで位相シフト部を、容易な工程で
制御性良く製造する方法に関する。 【構成】透明基板１に、遮光部１０と、光透過部１２
と、位相シフト部１１ａとを備えた位相シフトマスクを
製造する場合に、遮光材料パターン１０が形成された透
明基板１上にネガレジスト層１１ｂを全面に形成し、透
明基板１の裏面から露光し、続いて現像し光透過部１２
上にネガレジスト層１１ｂを残し、次いでこのネガレジ
スト層１１ｂ更に現像を続けて幅をせばめて遮光部１０
との間にサブスペース１２ａを形成することによって位
相シフト部１１ａを容易にかつ高精度で得る。
てよいセルフアラインで位相シフト部を、容易な工程で
制御性良く製造する方法に関する。 【構成】透明基板１に、遮光部１０と、光透過部１２
と、位相シフト部１１ａとを備えた位相シフトマスクを
製造する場合に、遮光材料パターン１０が形成された透
明基板１上にネガレジスト層１１ｂを全面に形成し、透
明基板１の裏面から露光し、続いて現像し光透過部１２
上にネガレジスト層１１ｂを残し、次いでこのネガレジ
スト層１１ｂ更に現像を続けて幅をせばめて遮光部１０
との間にサブスペース１２ａを形成することによって位
相シフト部１１ａを容易にかつ高精度で得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本出願の各発明は、位相シフトマ
スクの製造方法に関する。本出願の各発明は、各種パタ
ーン形成技術等に用いる位相シフトマスクの製造方法と
して利用することができ、例えば半導体装置製造プロセ
スにおいてレジストパターンを形成する場合のマスクな
どとして用いる位相シフトフォトマスクの製造方法とし
て利用することができる。
スクの製造方法に関する。本出願の各発明は、各種パタ
ーン形成技術等に用いる位相シフトマスクの製造方法と
して利用することができ、例えば半導体装置製造プロセ
スにおいてレジストパターンを形成する場合のマスクな
どとして用いる位相シフトフォトマスクの製造方法とし
て利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクを利用して形成するもの、
例えば半導体装置等は、その加工寸法が年々微細化され
る傾向にある。このような背景で、微細化した半導体装
置を得るフォトリソグラフィーの技術において、その解
像度を更に向上させるため、マスクを透過する光に位相
差を与え、これにより光強度プロファイルを改善するい
わゆる位相シフト技術が脚光を浴びている。
例えば半導体装置等は、その加工寸法が年々微細化され
る傾向にある。このような背景で、微細化した半導体装
置を得るフォトリソグラフィーの技術において、その解
像度を更に向上させるため、マスクを透過する光に位相
差を与え、これにより光強度プロファイルを改善するい
わゆる位相シフト技術が脚光を浴びている。
【０００３】従来の位相シフト技術については、特開昭
５８−１７３７４４号公報や、ＭＡＲＣ Ｄ．ＬＥＶＥ
ＮＳＯＮ 他“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｒｅｓｏｌｕｔｉ
ｏｎｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔ
ｈ ａ Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ”Ｉ
ＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ．Ｖｏｌ．ＥＤ−２９ Ｎｏ．
１２，ＤＥＣＥＭＢＥＲ １９８２，Ｐ１８２８〜１８
３６、また、ＭＡＲＣ Ｄ．ＬＥＶＥＮＳＯＮ 他“Ｔ
ｈｅ Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ ＭａｓｋＩＩ：
Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｓ
ｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ Ｅｘｐｏｓ
ｕｒｅｓ”同誌 Ｖｏｌ．ＥＤ−３１，Ｎｏ．６，ＪＵ
ＮＥ１９８４，Ｐ７５３〜７６３に記載がある。
５８−１７３７４４号公報や、ＭＡＲＣ Ｄ．ＬＥＶＥ
ＮＳＯＮ 他“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｒｅｓｏｌｕｔｉ
ｏｎｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔ
ｈ ａ Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ”Ｉ
ＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ．Ｖｏｌ．ＥＤ−２９ Ｎｏ．
１２，ＤＥＣＥＭＢＥＲ １９８２，Ｐ１８２８〜１８
３６、また、ＭＡＲＣ Ｄ．ＬＥＶＥＮＳＯＮ 他“Ｔ
ｈｅ Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ ＭａｓｋＩＩ：
Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｓ
ｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ Ｅｘｐｏｓ
ｕｒｅｓ”同誌 Ｖｏｌ．ＥＤ−３１，Ｎｏ．６，ＪＵ
ＮＥ１９８４，Ｐ７５３〜７６３に記載がある。
【０００４】また、特公昭６２−５０８１１号には、透
明部と不透明部とで形成された所定のパターンを有し、
不透明部をはさむ両側の透明部の少なくとも一方に位相
部材を設け、該両側の透明部に位相差を生ずる構成とし
た位相シフトマスクが開示されている。
明部と不透明部とで形成された所定のパターンを有し、
不透明部をはさむ両側の透明部の少なくとも一方に位相
部材を設け、該両側の透明部に位相差を生ずる構成とし
た位相シフトマスクが開示されている。
【０００５】従来より知られている位相シフト技術につ
いて、図１２を利用して説明すると、次のとおりであ
る。例えばライン・アンド・スペースのパターン形成を
行う場合、通常の従来のマスクは、図１２（ａ）に示す
ように、石英基板等の透明基板１上に、Ｃｒ（クロム）
やその他金属、金属酸化物などの遮光性の材料を用いて
遮光部１０を形成し、これによりライン・アンド・スペ
ースの繰り返しパターンを形成して、露光用マスクとし
ている。この露光用マスクを透過した光の強度分布は、
図１２（ａ）に符号Ａ１で示すように、理想的には遮光
部１０のところではゼロで、他の部分（透過部１２ａ，
１２ｂ）では透過する。１つの透過部１２ａについて考
えると、被露光材に与えられる透過光は、光の回折など
により、図１２（ａ）にＡ２で示す如く、両側の裾に小
山状の極大をもつ光強度分布になる。透過部１２ｂの方
の透過光Ａ２′は、一点鎖線で示した。各透過部１２
ａ，１２ｂからの光を合わせると、Ａ３に示すように光
強度分布はシャープさを失い、光の回折による像のぼけ
が生じ、結局、シャープな露光は達成できなくなる。こ
れに対し、上記繰り返しパターンの光の透過部１２ａ，
１２ｂの上に、１つおきに図１２（ｂ）に示すように位
相シフト部１１ａ（シフターと称される。ＳｉＯ2 やレ
ジストなどの材料が用いられる）を設けると、光の回折
による像のぼけが位相の反転によって打ち消され、シャ
ープな像が転写され、解像力や焦点裕度が改善される。
即ち、図１２（ｂ）に示す如く、一方の透過部１２ａに
位相シフト部１１ａが形成されると、それが例えば１８
０°の位相シフトを与えるものであれば、該位相シフト
部１１ａを通った光は符号Ｂ１で示すように反転する。
それに隣合う透過部１２ｂからの光は位相シフト部１１
ａを通らないので、かかる反転は生じない。被露光材に
与えられる光は、互いに反転した光が、その光強度分布
の裾において図にＢ２で示す位置で互いに打ち消し合
い、結局被露光材に与えられる光の分布は図１２（ｂ）
にＢ３で示すように、シャープな理想的な形状になる。
いて、図１２を利用して説明すると、次のとおりであ
る。例えばライン・アンド・スペースのパターン形成を
行う場合、通常の従来のマスクは、図１２（ａ）に示す
ように、石英基板等の透明基板１上に、Ｃｒ（クロム）
やその他金属、金属酸化物などの遮光性の材料を用いて
遮光部１０を形成し、これによりライン・アンド・スペ
ースの繰り返しパターンを形成して、露光用マスクとし
ている。この露光用マスクを透過した光の強度分布は、
図１２（ａ）に符号Ａ１で示すように、理想的には遮光
部１０のところではゼロで、他の部分（透過部１２ａ，
１２ｂ）では透過する。１つの透過部１２ａについて考
えると、被露光材に与えられる透過光は、光の回折など
により、図１２（ａ）にＡ２で示す如く、両側の裾に小
山状の極大をもつ光強度分布になる。透過部１２ｂの方
の透過光Ａ２′は、一点鎖線で示した。各透過部１２
ａ，１２ｂからの光を合わせると、Ａ３に示すように光
強度分布はシャープさを失い、光の回折による像のぼけ
が生じ、結局、シャープな露光は達成できなくなる。こ
れに対し、上記繰り返しパターンの光の透過部１２ａ，
１２ｂの上に、１つおきに図１２（ｂ）に示すように位
相シフト部１１ａ（シフターと称される。ＳｉＯ2 やレ
ジストなどの材料が用いられる）を設けると、光の回折
による像のぼけが位相の反転によって打ち消され、シャ
ープな像が転写され、解像力や焦点裕度が改善される。
即ち、図１２（ｂ）に示す如く、一方の透過部１２ａに
位相シフト部１１ａが形成されると、それが例えば１８
０°の位相シフトを与えるものであれば、該位相シフト
部１１ａを通った光は符号Ｂ１で示すように反転する。
それに隣合う透過部１２ｂからの光は位相シフト部１１
ａを通らないので、かかる反転は生じない。被露光材に
与えられる光は、互いに反転した光が、その光強度分布
の裾において図にＢ２で示す位置で互いに打ち消し合
い、結局被露光材に与えられる光の分布は図１２（ｂ）
にＢ３で示すように、シャープな理想的な形状になる。
【０００６】上記の場合、この効果を最も確実ならしめ
るには位相を１８０°反転させることが最も有利である
が、このためには、 （ｎは位相シフト部の屈折率、λは露光波長）なる膜厚
Ｄで膜形成した位相シフト部１１ａを設ける。
るには位相を１８０°反転させることが最も有利である
が、このためには、 （ｎは位相シフト部の屈折率、λは露光波長）なる膜厚
Ｄで膜形成した位相シフト部１１ａを設ける。
【０００７】なお露光によりパターン形成する場合、縮
小投影するものをレティクル、１対１投影するものをマ
スクと称したり、あるいは原盤に相当するものをレティ
クル、それを複製したものをマスクと称したりすること
があるが、本発明においては、このような種々の意味に
おけるマスクやレティクルを総称して、マスクと称する
ものである。
小投影するものをレティクル、１対１投影するものをマ
スクと称したり、あるいは原盤に相当するものをレティ
クル、それを複製したものをマスクと称したりすること
があるが、本発明においては、このような種々の意味に
おけるマスクやレティクルを総称して、マスクと称する
ものである。
【０００８】最近、上記のような位相シフト技術におい
て、解像力が良好で、かつセルフアラインで容易に位相
シフト膜を形成できる技術として、図１３に示す方法が
提案されている（Ｎｉｔａｙａｍａ ｅｔ．ａｌ．，Ｉ
ＥＤＭ Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ．，１９８９，３−３、ま
た、１９９０年春季応用物理学会予稿集２８ａ−ＰＤ−
２）。
て、解像力が良好で、かつセルフアラインで容易に位相
シフト膜を形成できる技術として、図１３に示す方法が
提案されている（Ｎｉｔａｙａｍａ ｅｔ．ａｌ．，Ｉ
ＥＤＭ Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ．，１９８９，３−３、ま
た、１９９０年春季応用物理学会予稿集２８ａ−ＰＤ−
２）。
【０００９】この技術は、基板１上のクロムをＥＢレジ
ストパターン２０によりパターニングしてクロムパター
ン１０ｂを得（図１３（ａ））、次いでＥＢレジストパ
ターン２０を適宜除去後、位相シフト材料を兼ねるフォ
トレジストとしてＰＭＭＡを、位相シフトマスクの露光
光として用いる光の透過光の位相が１８０°反転する厚
さに塗布して図１３（ｂ）のようにし、次いで同図に矢
印Ｐで示す如く基板１の裏面からの遠紫外線により露光
する。ＰＭＭＡ層を符号１１′で示す。これによりクロ
ムパターン１０ｂをＰＭＭＡに転写し現像してＰＭＭＡ
パターン１１″を有する図１３（ｃ）の構造を得る。そ
の後、クロムパターン１０ｂをサイドエッチングにより
後退させて図１３（ｄ）に示すようなクロム遮光部１０
ｃを得、これによりＰＭＭＡパターン１１″のクロム遮
光部１０ｃが存在していない部分を位相シフト部１１と
して用いる位相シフトマスク構造を得るものである。図
中Ｗは位相シフト部１１の幅である。
ストパターン２０によりパターニングしてクロムパター
ン１０ｂを得（図１３（ａ））、次いでＥＢレジストパ
ターン２０を適宜除去後、位相シフト材料を兼ねるフォ
トレジストとしてＰＭＭＡを、位相シフトマスクの露光
光として用いる光の透過光の位相が１８０°反転する厚
さに塗布して図１３（ｂ）のようにし、次いで同図に矢
印Ｐで示す如く基板１の裏面からの遠紫外線により露光
する。ＰＭＭＡ層を符号１１′で示す。これによりクロ
ムパターン１０ｂをＰＭＭＡに転写し現像してＰＭＭＡ
パターン１１″を有する図１３（ｃ）の構造を得る。そ
の後、クロムパターン１０ｂをサイドエッチングにより
後退させて図１３（ｄ）に示すようなクロム遮光部１０
ｃを得、これによりＰＭＭＡパターン１１″のクロム遮
光部１０ｃが存在していない部分を位相シフト部１１と
して用いる位相シフトマスク構造を得るものである。図
中Ｗは位相シフト部１１の幅である。
【００１０】
【発明が解決しようとする問題点】上記従来技術によれ
ば、自己整合型の位相シフトマスクを比較的簡単に製作
できると言えるかもしれないが、位相シフト部１１は、
クロムパターン１０ｂをエッチングにより後退させるこ
とにより得るので、その幅Ｗは該後退を制御することに
より決定されるものであり、かかるエッチングによる後
退を良好に制御するのは困難である。また、工程は依然
としてかなり複雑である。
ば、自己整合型の位相シフトマスクを比較的簡単に製作
できると言えるかもしれないが、位相シフト部１１は、
クロムパターン１０ｂをエッチングにより後退させるこ
とにより得るので、その幅Ｗは該後退を制御することに
より決定されるものであり、かかるエッチングによる後
退を良好に制御するのは困難である。また、工程は依然
としてかなり複雑である。
【００１１】本発明は上記問題点を解決して、容易な工
程で、位相シフト部を制御性良く得ることができて、し
かも従来の位相シフト部が遮光部にかかるものと違って
サブスペースを介して遮光部とは独立に遮光材料パター
ン間に形成される新規なセルフアライン位相シフトマス
クの製造方法を提供することを目的とする。
程で、位相シフト部を制御性良く得ることができて、し
かも従来の位相シフト部が遮光部にかかるものと違って
サブスペースを介して遮光部とは独立に遮光材料パター
ン間に形成される新規なセルフアライン位相シフトマス
クの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相シフト
部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であって、遮
光材料パターンが形成された透明基板上にネガレジスト
層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現像して
光透過部上にネガレジスト層を残し、次いで該ネガレジ
スト層をエッチバックして遮光部との間にサブスペース
を形成して、前記ネガレジスト層を位相シフト部とする
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法である。
明は、透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相シフト
部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であって、遮
光材料パターンが形成された透明基板上にネガレジスト
層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現像して
光透過部上にネガレジスト層を残し、次いで該ネガレジ
スト層をエッチバックして遮光部との間にサブスペース
を形成して、前記ネガレジスト層を位相シフト部とする
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法である。
【００１３】本出願の請求項２の発明は、透明基板に、
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上に位相シフト材料層及びネガレジス
ト層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現像し
て光透過部上にネガレジスト層を残し、該ネガレジスト
層をマスクトして位相シフト材料層をエッチバックして
遮光部との間にサブスペースを形成して、前記位相シフ
ト材料層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シ
フトマスクの製造方法である。
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上に位相シフト材料層及びネガレジス
ト層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現像し
て光透過部上にネガレジスト層を残し、該ネガレジスト
層をマスクトして位相シフト材料層をエッチバックして
遮光部との間にサブスペースを形成して、前記位相シフ
ト材料層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シ
フトマスクの製造方法である。
【００１４】本出願の請求項３の発明は、透明基板に、
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上にネガレジスト層を全面に形成し、
透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレ
ジスト層を残し、次いで遮光部をエッチバックしてネガ
レジスト層との間にサブスペースを形成して、前記ネガ
レジスト層を位相シフト部とすることを特徴とする位相
シフトマスクの製造方法である。
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上にネガレジスト層を全面に形成し、
透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレ
ジスト層を残し、次いで遮光部をエッチバックしてネガ
レジスト層との間にサブスペースを形成して、前記ネガ
レジスト層を位相シフト部とすることを特徴とする位相
シフトマスクの製造方法である。
【００１５】本出願の請求項４の発明は、透明基板に、
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上に無機位相シフト材料層及びネガレ
ジスト層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現
像して光透過部上にネガレジスト層を残し、該ネガレジ
スト層をマスクとして位相シフト材料層をエッチング
し、次いで遮光部をエッチバックして位相シフト材料層
との間にサブスペースを形成して、前記位相シフト材料
層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シフトマ
スクの製造方法である。
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上に無機位相シフト材料層及びネガレ
ジスト層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現
像して光透過部上にネガレジスト層を残し、該ネガレジ
スト層をマスクとして位相シフト材料層をエッチング
し、次いで遮光部をエッチバックして位相シフト材料層
との間にサブスペースを形成して、前記位相シフト材料
層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シフトマ
スクの製造方法である。
【００１６】本出願の請求項５の発明は、透明基板に、
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン及び
該遮光材料パターン間に位相シフト材料層が形成された
透明基板上にポジレジスト層を全面に形成し、透明基板
の裏面から露光、現像して遮光材料パターン上にポジレ
ジスト層を残し、次いで該ポジレジスト層をエッチバッ
クし、更に遮光材料層をエッチバックして位相シフト材
料層との間にサブスペースを形成して、前記位相シフト
材料層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シフ
トマスクの製造方法である。
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン及び
該遮光材料パターン間に位相シフト材料層が形成された
透明基板上にポジレジスト層を全面に形成し、透明基板
の裏面から露光、現像して遮光材料パターン上にポジレ
ジスト層を残し、次いで該ポジレジスト層をエッチバッ
クし、更に遮光材料層をエッチバックして位相シフト材
料層との間にサブスペースを形成して、前記位相シフト
材料層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シフ
トマスクの製造方法である。
【００１７】本出願の請求項６の発明は、透明基板に、
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン及び
該遮光材料パターン間に位相シフト材料層が形成された
透明基板上に下層材層、中間層及びポジレジスト層を順
次全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現像して前
記遮光材料パターン間より広がった間隔のポジレジスト
を遮光材料の上部に残し、該ポジレジストをマスクとし
て中間層をエッチングし、続いて中間層をマスクとして
下層材層をエッチングし、更に中間層と下層材層をマス
クとして遮光材料層をエッチバックして前記位相シフト
材料層との間にサブスペースを形成して、前記位相シフ
ト材料層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シ
フトマスクの製造方法である。
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン及び
該遮光材料パターン間に位相シフト材料層が形成された
透明基板上に下層材層、中間層及びポジレジスト層を順
次全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現像して前
記遮光材料パターン間より広がった間隔のポジレジスト
を遮光材料の上部に残し、該ポジレジストをマスクとし
て中間層をエッチングし、続いて中間層をマスクとして
下層材層をエッチングし、更に中間層と下層材層をマス
クとして遮光材料層をエッチバックして前記位相シフト
材料層との間にサブスペースを形成して、前記位相シフ
ト材料層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シ
フトマスクの製造方法である。
【００１８】本出願の請求項７の発明は、透明基板に、
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上に無機位相シフト材料層及びネガレ
ジスト層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現
像して光透過部上にネガレジスト層を残すに際して露光
をアンダー露光で行い現像をオーバー現像で行うことに
よって光透過部よりせばまったネガレジスト層を残し、
該ネガレジスト層をマスクとして位相シフト材料層をエ
ッチングして遮光部との間にサブスペースを形成して、
前記無機位相シフト材料層を位相シフト部とすることを
特徴とする位相シフトマスクの製造方法である。
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上に無機位相シフト材料層及びネガレ
ジスト層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現
像して光透過部上にネガレジスト層を残すに際して露光
をアンダー露光で行い現像をオーバー現像で行うことに
よって光透過部よりせばまったネガレジスト層を残し、
該ネガレジスト層をマスクとして位相シフト材料層をエ
ッチングして遮光部との間にサブスペースを形成して、
前記無機位相シフト材料層を位相シフト部とすることを
特徴とする位相シフトマスクの製造方法である。
【００１９】本出願の請求項８の発明は、透明基板に、
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン及び
該遮光材料パターン間に位相シフト材料層が形成された
透明基板上にネガレジスト層を全面に形成し、透明基板
の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレジスト層
を残すに際して露光をアンダー露光で行い現像をオーバ
ー現像で行うことによって光透過部よりせばまったネガ
レジスト層を残し、該ネガレジスト層をマスクとして位
相シフト材料層をエッチングして遮光部との間にサブス
ペースを形成して、前記位相シフト材料層を位相シフト
部とすることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法
である。
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン及び
該遮光材料パターン間に位相シフト材料層が形成された
透明基板上にネガレジスト層を全面に形成し、透明基板
の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレジスト層
を残すに際して露光をアンダー露光で行い現像をオーバ
ー現像で行うことによって光透過部よりせばまったネガ
レジスト層を残し、該ネガレジスト層をマスクとして位
相シフト材料層をエッチングして遮光部との間にサブス
ペースを形成して、前記位相シフト材料層を位相シフト
部とすることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法
である。
【００２０】本出願の請求項９の発明は、透明基板に、
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上にポジレジスト層を全面に形成し、
透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジレジ
スト層を残し、次いで位相シフト材料を全面に析出し、
その後ポジレジスト層を剥離し、更に遮光材料または位
相シフト材料層のいずれかをエッチバックして両者の間
にサブスペースを形成して、前記位相シフト材料層を位
相シフト部とすることを特徴とする位相シフトマスクの
製造方法である。
遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シ
フトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形
成された透明基板上にポジレジスト層を全面に形成し、
透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジレジ
スト層を残し、次いで位相シフト材料を全面に析出し、
その後ポジレジスト層を剥離し、更に遮光材料または位
相シフト材料層のいずれかをエッチバックして両者の間
にサブスペースを形成して、前記位相シフト材料層を位
相シフト部とすることを特徴とする位相シフトマスクの
製造方法である。
【００２１】本出願の請求項１０の発明は、透明基板
に、遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位
相シフトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン
が形成された透明基板上にポジレジスト層を全面に形成
し、透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジ
レジスト層を残し、次いで位相シフト材料を全面に析出
し、更にポジレジスト層をエッチバックし、その後該ポ
ジレジスト層をマスクとして遮光材料をエッチバックし
て前記光透過部上に析出した位相シフト材料層との間に
サブスペースを形成して、前記位相シフト材料層を位相
シフト部とすることを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法である。
に、遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位
相シフトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン
が形成された透明基板上にポジレジスト層を全面に形成
し、透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジ
レジスト層を残し、次いで位相シフト材料を全面に析出
し、更にポジレジスト層をエッチバックし、その後該ポ
ジレジスト層をマスクとして遮光材料をエッチバックし
て前記光透過部上に析出した位相シフト材料層との間に
サブスペースを形成して、前記位相シフト材料層を位相
シフト部とすることを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法である。
【００２２】本出願の請求項１１の発明は、透明基板
に、遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位
相シフトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン
が形成された透明基板上にポジレジスト層を全面に形成
し、透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジ
レジスト層を残し、次いで位相シフト材料を全面に析出
し、更にポジレジスト層を全面に形成し、透明基板の裏
面から露光、現像して前記遮光材料パターン間より広が
った間隔のポジレジスト層を遮光材料の上部に残し、該
上層ポジレジスト層をマスクとして下層ポジレジスト層
を露光、現像して下層ポジレジスト層をエッチバック
し、該下層ポジレジスト層をマスクとして遮光材料をエ
ッチバックして前記位相シフト材料層との間にサブスペ
ースを形成して、前記位相シフト材料層を位相シフト部
とすることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法で
ある。
に、遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位
相シフトマスクの製造方法であって、遮光材料パターン
が形成された透明基板上にポジレジスト層を全面に形成
し、透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジ
レジスト層を残し、次いで位相シフト材料を全面に析出
し、更にポジレジスト層を全面に形成し、透明基板の裏
面から露光、現像して前記遮光材料パターン間より広が
った間隔のポジレジスト層を遮光材料の上部に残し、該
上層ポジレジスト層をマスクとして下層ポジレジスト層
を露光、現像して下層ポジレジスト層をエッチバック
し、該下層ポジレジスト層をマスクとして遮光材料をエ
ッチバックして前記位相シフト材料層との間にサブスペ
ースを形成して、前記位相シフト材料層を位相シフト部
とすることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法で
ある。
【００２３】本出願の各発明において、位相シフト部と
は、光透過部が透過する露光光に対して互いに異なる位
相で露光光を透過するものをいう。遮光部とは、使用す
る露光光についてその光の透過を遮るものであり、光透
過部とは、使用する露光光を透過するものである。遮光
部、光透過部は、それぞれ光遮断性、及び光透過性が大
きいものが望ましいが、必ずしも完全ないしそれに近く
光を遮り、あるいは透過しなくても、必要なパターン形
成が可能な程度に光を遮断し、あるいは透過するもので
あればよい。位相シフト部も、光透過部と同様、光の透
過率が大きいことが望まれるが、必要な位相反転と露光
を行えるものであればよい。
は、光透過部が透過する露光光に対して互いに異なる位
相で露光光を透過するものをいう。遮光部とは、使用す
る露光光についてその光の透過を遮るものであり、光透
過部とは、使用する露光光を透過するものである。遮光
部、光透過部は、それぞれ光遮断性、及び光透過性が大
きいものが望ましいが、必ずしも完全ないしそれに近く
光を遮り、あるいは透過しなくても、必要なパターン形
成が可能な程度に光を遮断し、あるいは透過するもので
あればよい。位相シフト部も、光透過部と同様、光の透
過率が大きいことが望まれるが、必要な位相反転と露光
を行えるものであればよい。
【００２４】遮光部の材料としては、クロムや、その他
酸化クロム、もしくは高融点金属（Ｗ、Ｍｏ、Ｂｅ等）
全般、及びその酸化物などを用いることができる。
酸化クロム、もしくは高融点金属（Ｗ、Ｍｏ、Ｂｅ等）
全般、及びその酸化物などを用いることができる。
【００２５】光透過部は、遮光部や位相シフト部が形成
されていない透明な基板部分をそのまま用い、ここから
光を透過させるように構成することができる。しかし
て、本出願の各発明において、サブスペースも光透過部
と同様光を透過させるように構成される。
されていない透明な基板部分をそのまま用い、ここから
光を透過させるように構成することができる。しかし
て、本出願の各発明において、サブスペースも光透過部
と同様光を透過させるように構成される。
【００２６】透明基板としては、石英、通常のガラス、
適宜各種成分を含有させたガラス、その他適宜のものを
用いることができる。
適宜各種成分を含有させたガラス、その他適宜のものを
用いることができる。
【００２７】本出願の各発明において、一般に、位相シ
フト部は、基板等上に位相シフト部を構成する材料をパ
ターニングして得ることができる。位相シフト部の材料
としては、例えば一般に、各発明の特徴に反しない限
り、次のようなものを用いることができる。即ち、フォ
トレジストとして用いることができる各種有機物質を用
いることができ、例えばＥＢ用レジスト（ネガまたはポ
ジレジスト）を用いて、ＥＢ描画装置におけるレジスト
機能を兼ねさせることができる。あるいは、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2 ，シリコン窒化物を用いることができる。但し位
相シフト部は所望の位相シフトが達成されればよいので
あるから、各発明の特徴に反しなければ、基板上に形成
することなく、光透過部（基板）中の一部にパターン状
に屈折率を変えるような物質をドープすることによっ
て、位相シフトを起こさせるようにしてもよい。
フト部は、基板等上に位相シフト部を構成する材料をパ
ターニングして得ることができる。位相シフト部の材料
としては、例えば一般に、各発明の特徴に反しない限
り、次のようなものを用いることができる。即ち、フォ
トレジストとして用いることができる各種有機物質を用
いることができ、例えばＥＢ用レジスト（ネガまたはポ
ジレジスト）を用いて、ＥＢ描画装置におけるレジスト
機能を兼ねさせることができる。あるいは、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2 ，シリコン窒化物を用いることができる。但し位
相シフト部は所望の位相シフトが達成されればよいので
あるから、各発明の特徴に反しなければ、基板上に形成
することなく、光透過部（基板）中の一部にパターン状
に屈折率を変えるような物質をドープすることによっ
て、位相シフトを起こさせるようにしてもよい。
【００２８】
【作用】本出願の各発明によれば、位相シフト部は、位
相シフト材料層または遮光材料層をエッチバックして位
相シフト材料層と遮光部との間にサブスペースを形成し
て、前記位相シフト部とするので、該位相シフト部等の
幅等の形状制御は、エッチバック条件によって制御でき
る。よって、本出願の各発明によれば、制御性良く、か
つ従来より良く知られている容易な工程によって、位相
シフトマスクを形成することができる。
相シフト材料層または遮光材料層をエッチバックして位
相シフト材料層と遮光部との間にサブスペースを形成し
て、前記位相シフト部とするので、該位相シフト部等の
幅等の形状制御は、エッチバック条件によって制御でき
る。よって、本出願の各発明によれば、制御性良く、か
つ従来より良く知られている容易な工程によって、位相
シフトマスクを形成することができる。
【００２９】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。但し
当然ではあるが、本発明は以下に述べる実施例により限
定されるものではない。
当然ではあるが、本発明は以下に述べる実施例により限
定されるものではない。
【００３０】実施例−１ この実施例は、本出願の請求項１の発明を、微細化・集
積化した半導体装置を製造する際に用いる位相シフトマ
スクを製造する場合に、具体化したものである。本実施
例においては、遮光材料パターン１０が形成された透明
基板１上にネガレジスト層１１ｂを全面に形成し（図１
ａ参照）、透明基板１の裏面から矢印Ｐに示す如く露光
し、続いて現像して光透過部１２上にネガレジスト層１
１ｂを残し（図１ｂ参照）、次いでこのネガレジスト層
１１ｂをエッチバックして細らせて図１ｃに示す如く遮
光部１０との間にサブスペース１２ａを形成して、前記
細らせたネガレジスト層１１ｂを位相シフト部１１ａと
する。更に詳しくは本実施例では、ネガレジスト層１１
ｂのエッチバックによる後退は、そのまま現像を続ける
ことによって行ってもよく、または濃い現像液で現像を
行うことによってもよく、更にはプラズマエッチングに
よって行ってもよい。
積化した半導体装置を製造する際に用いる位相シフトマ
スクを製造する場合に、具体化したものである。本実施
例においては、遮光材料パターン１０が形成された透明
基板１上にネガレジスト層１１ｂを全面に形成し（図１
ａ参照）、透明基板１の裏面から矢印Ｐに示す如く露光
し、続いて現像して光透過部１２上にネガレジスト層１
１ｂを残し（図１ｂ参照）、次いでこのネガレジスト層
１１ｂをエッチバックして細らせて図１ｃに示す如く遮
光部１０との間にサブスペース１２ａを形成して、前記
細らせたネガレジスト層１１ｂを位相シフト部１１ａと
する。更に詳しくは本実施例では、ネガレジスト層１１
ｂのエッチバックによる後退は、そのまま現像を続ける
ことによって行ってもよく、または濃い現像液で現像を
行うことによってもよく、更にはプラズマエッチングに
よって行ってもよい。
【００３１】実施例−２ この実施例は、本出願の請求項２の発明を具体化したも
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上に位相シフト材料層１１ｃ及
びネガレジスト層１１ｂを順次積層して全面に形成し
（図２ａ参照）、透明基板１の裏面から露光し、続いて
現像して光透過部１２上にネガレジスト層１１ｂを残し
（図２ｂ参照）、このネガレジスト層１１ｂをマスクと
して位相シフト材料層１１ｃをエッチングし（図２ｃ参
照）、更にオーバーエッチしてサブスペース１２ａを形
成して（図２ｄ参照）からレジスト層１１ｂを剥離する
か、またはレジスト層１１ｂを剥離した後位相シフト材
料層１１ｃをエッチバックして遮光部１０との間にサブ
スペース１２ａを形成して、図２ｅに示すように前記位
相シフト材料層１１ｃを位相シフト部１１ａとする。更
に詳しくは本実施例では、位相シフト材料はＳＯＧ（Ｓ
ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ。塗布可能であり、加熱によ
りＳｉＯ2 化する含Ｓｉ有機材料）、ＳｉＮ（シリコン
ナイトライド）、ＳｉＯ2 など有機、無機いずれの材料
であってもよい。位相シフト材料の膜厚は好ましい１８
０°位相反転を達成するためλ／２（ｎ−１）とする。
図２ｄの位相シフト材料層１１ｃのオーバーエッチング
はプラズマエッチングによる等方性エッチングが望まし
い。また図２ｅのレジスト層１１ｂを剥離した後の位相
シフト材料層１１ｃのエッチバックはプラズマエッチン
グ、液体エッチングどちらの等方性エッチングであって
もよい。
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上に位相シフト材料層１１ｃ及
びネガレジスト層１１ｂを順次積層して全面に形成し
（図２ａ参照）、透明基板１の裏面から露光し、続いて
現像して光透過部１２上にネガレジスト層１１ｂを残し
（図２ｂ参照）、このネガレジスト層１１ｂをマスクと
して位相シフト材料層１１ｃをエッチングし（図２ｃ参
照）、更にオーバーエッチしてサブスペース１２ａを形
成して（図２ｄ参照）からレジスト層１１ｂを剥離する
か、またはレジスト層１１ｂを剥離した後位相シフト材
料層１１ｃをエッチバックして遮光部１０との間にサブ
スペース１２ａを形成して、図２ｅに示すように前記位
相シフト材料層１１ｃを位相シフト部１１ａとする。更
に詳しくは本実施例では、位相シフト材料はＳＯＧ（Ｓ
ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ。塗布可能であり、加熱によ
りＳｉＯ2 化する含Ｓｉ有機材料）、ＳｉＮ（シリコン
ナイトライド）、ＳｉＯ2 など有機、無機いずれの材料
であってもよい。位相シフト材料の膜厚は好ましい１８
０°位相反転を達成するためλ／２（ｎ−１）とする。
図２ｄの位相シフト材料層１１ｃのオーバーエッチング
はプラズマエッチングによる等方性エッチングが望まし
い。また図２ｅのレジスト層１１ｂを剥離した後の位相
シフト材料層１１ｃのエッチバックはプラズマエッチン
グ、液体エッチングどちらの等方性エッチングであって
もよい。
【００３２】実施例−３ この実施例は、本出願の請求項３の発明を具体化したも
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上にネガレジスト層１１ｂを全
面に形成し（図３ａ参照）、透明基板１の裏面から露光
し、続いて現像して光透過部１２上にネガレジスト層１
１ｂを残し（図３ｂ参照）、次いで遮光部１０をエッチ
バックしてネガレジスト層１１ｂとの間にサブスペース
１２ａを形成して、図３ｃの構造とし、前記ネガレジス
ト層１１ｂを位相シフト部１１ａとする。更に詳しくは
ネガレジストとして米国シプレイ社のＳＡＬ−６０１を
厚さλ／２（ｎ−１）に塗布する。また遮光材料として
はＣｒを使用し、そのエッチバックは等方性ウェットエ
ッチンで行うことが好ましい。
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上にネガレジスト層１１ｂを全
面に形成し（図３ａ参照）、透明基板１の裏面から露光
し、続いて現像して光透過部１２上にネガレジスト層１
１ｂを残し（図３ｂ参照）、次いで遮光部１０をエッチ
バックしてネガレジスト層１１ｂとの間にサブスペース
１２ａを形成して、図３ｃの構造とし、前記ネガレジス
ト層１１ｂを位相シフト部１１ａとする。更に詳しくは
ネガレジストとして米国シプレイ社のＳＡＬ−６０１を
厚さλ／２（ｎ−１）に塗布する。また遮光材料として
はＣｒを使用し、そのエッチバックは等方性ウェットエ
ッチンで行うことが好ましい。
【００３３】実施例−４ この実施例は、本出願の請求項４の発明を具体化したも
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上に位相シフト材料層１１ｃ及
びネガレジスト材料層１１ｂを順次形成し（図４ａ参
照）、透明基板１の裏面から露光し、次いで現像して光
透過部１２上にパターニングされたネガレジスト層１１
ｂを残し（図４ｂ参照）、このネガレジスト層１１ｂを
マスクとして位相シフト材料層１１ｃをエッチングし
（図４ｃ参照）、次いで適宜手段により遮光材料層１０
をエッチバックして位相シフト材料層１１ｃとの間にサ
ブスペース１２ａを形成して、位相シフト材料層１１ｃ
を位相シフト部１１ａとする（図４ｄ参照）。更に詳し
くは位相シフト材料としては好ましくはＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎ等の無機位相シフト材料を使用する。
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上に位相シフト材料層１１ｃ及
びネガレジスト材料層１１ｂを順次形成し（図４ａ参
照）、透明基板１の裏面から露光し、次いで現像して光
透過部１２上にパターニングされたネガレジスト層１１
ｂを残し（図４ｂ参照）、このネガレジスト層１１ｂを
マスクとして位相シフト材料層１１ｃをエッチングし
（図４ｃ参照）、次いで適宜手段により遮光材料層１０
をエッチバックして位相シフト材料層１１ｃとの間にサ
ブスペース１２ａを形成して、位相シフト材料層１１ｃ
を位相シフト部１１ａとする（図４ｄ参照）。更に詳し
くは位相シフト材料としては好ましくはＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎ等の無機位相シフト材料を使用する。
【００３４】実施例−５ この実施例は、本出願の請求項５の発明を具体化したも
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
及びこの遮光材料パターン間の光遮光部１２上に位相シ
フト材料層１１ｃが形成された透明基板１上にポジレジ
スト層１１ｄを全面に形成し（図５ａ参照）、透明基板
１の裏面から露光し、続いて現像して遮光材料パターン
１０上にポジレジスト層１１ｄを残し（図５ｂ参照）、
次いでこのポジレジスト層１１ｄをエッチバックし（図
５ｃ参照）、更に遮光材料層１０をエッチバックして位
相シフト材料層１１ｃとの間にサブスペース１２ａを形
成し（図５ｄ参照）、ポジレジスト層１１ｄを剥離し、
前記位相シフト材料層１１ｃを位相シフト部１１ａとす
る（図５ｅ参照）。更に詳しくは、ポジレジストとして
は解像度がむしろ良好でなくて膜減りの大きいもの、例
えば東京応化（株）のＯＦＰＲ８００が好ましい。ポジ
レジストのエッチバックは現像工程に引続いて更に現像
を行うことが、ポジレジストの側部に多少光が当ってい
るので現像されてレジスト層の後退が中へ行くに従って
現像速度が遅くなるので、制御性が良好、即ち精度が良
好になるという利点がある。しかしながら、プラズマア
ッシャーによって等方性エッチングを行いポジレジスト
を後退させてもよい。また遮光材料層のエッチバックは
ドライエッチング、ウェットエッチングどちらでも行え
るが、前者の方が好ましい。
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
及びこの遮光材料パターン間の光遮光部１２上に位相シ
フト材料層１１ｃが形成された透明基板１上にポジレジ
スト層１１ｄを全面に形成し（図５ａ参照）、透明基板
１の裏面から露光し、続いて現像して遮光材料パターン
１０上にポジレジスト層１１ｄを残し（図５ｂ参照）、
次いでこのポジレジスト層１１ｄをエッチバックし（図
５ｃ参照）、更に遮光材料層１０をエッチバックして位
相シフト材料層１１ｃとの間にサブスペース１２ａを形
成し（図５ｄ参照）、ポジレジスト層１１ｄを剥離し、
前記位相シフト材料層１１ｃを位相シフト部１１ａとす
る（図５ｅ参照）。更に詳しくは、ポジレジストとして
は解像度がむしろ良好でなくて膜減りの大きいもの、例
えば東京応化（株）のＯＦＰＲ８００が好ましい。ポジ
レジストのエッチバックは現像工程に引続いて更に現像
を行うことが、ポジレジストの側部に多少光が当ってい
るので現像されてレジスト層の後退が中へ行くに従って
現像速度が遅くなるので、制御性が良好、即ち精度が良
好になるという利点がある。しかしながら、プラズマア
ッシャーによって等方性エッチングを行いポジレジスト
を後退させてもよい。また遮光材料層のエッチバックは
ドライエッチング、ウェットエッチングどちらでも行え
るが、前者の方が好ましい。
【００３５】実施例−６ この実施例は、本出願の請求項６の発明を具体化したも
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
及びこの遮光材料パターン間の光透過部１２上に位相シ
フト材料層１１ｃが形成された透明基板１上に下層材層
１１ｅ、中間層１１ｆ及びポジレジスト層１１ｄを順次
積層して全面に形成し（図６ａ参照）、透明基板１の裏
面から矢印Ｐで示すように露光し（図６ｂ参照）、続い
て現像して前記遮光材料パターン間より間隔が広がった
ポジレジスト１１ｄを遮光材料１０の上部に残し（図６
ｃ）、このポジレジスト１１ｄをマスクとして中間層１
１ｆを、続いて下層材層１１ｅをエッチングし（図６ｄ
参照）、更にこれらの層１１ｆ及び１１ｅをマスクとし
て遮光材料層１０をエッチバックして前記位相シフト材
料層１１ｃとの間にサブスペース１２ａを形成し、下層
材層１１ｅを剥離して前記位相シフト材料層１１ｃを位
相シフト部１１ａとする。更に詳しくは、下層材料層と
しては厚さ２μｍのＰＭＭＡを、中間層としては１００
ÅのＳＯＧを、ポジレジストとして０．５μｍのＯＦＰ
Ｒ８００を使用する。裏面から照射する光にはｇ線を使
用したが、このとき光の回折によって図６ｂに点線で示
したように露光が広がるが、この幅は下層材層、中間層
が厚いほど、また露光波長が長いほど広くなるので、各
層の種類も含めてこれらを適宜選択することによって制
御できる。また、中間層と下層材層のエッチングに際し
ては、ＳｉＯ2 をパターニングしてＳｉＯ2 をマスクと
して下層材層をプラズマエッチングやＲＩＥエッチング
すると同時にポジレジスト層も同時に除去できる。
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
及びこの遮光材料パターン間の光透過部１２上に位相シ
フト材料層１１ｃが形成された透明基板１上に下層材層
１１ｅ、中間層１１ｆ及びポジレジスト層１１ｄを順次
積層して全面に形成し（図６ａ参照）、透明基板１の裏
面から矢印Ｐで示すように露光し（図６ｂ参照）、続い
て現像して前記遮光材料パターン間より間隔が広がった
ポジレジスト１１ｄを遮光材料１０の上部に残し（図６
ｃ）、このポジレジスト１１ｄをマスクとして中間層１
１ｆを、続いて下層材層１１ｅをエッチングし（図６ｄ
参照）、更にこれらの層１１ｆ及び１１ｅをマスクとし
て遮光材料層１０をエッチバックして前記位相シフト材
料層１１ｃとの間にサブスペース１２ａを形成し、下層
材層１１ｅを剥離して前記位相シフト材料層１１ｃを位
相シフト部１１ａとする。更に詳しくは、下層材料層と
しては厚さ２μｍのＰＭＭＡを、中間層としては１００
ÅのＳＯＧを、ポジレジストとして０．５μｍのＯＦＰ
Ｒ８００を使用する。裏面から照射する光にはｇ線を使
用したが、このとき光の回折によって図６ｂに点線で示
したように露光が広がるが、この幅は下層材層、中間層
が厚いほど、また露光波長が長いほど広くなるので、各
層の種類も含めてこれらを適宜選択することによって制
御できる。また、中間層と下層材層のエッチングに際し
ては、ＳｉＯ2 をパターニングしてＳｉＯ2 をマスクと
して下層材層をプラズマエッチングやＲＩＥエッチング
すると同時にポジレジスト層も同時に除去できる。
【００３６】実施例−７ この実施例は、本出願の請求項７の発明を具体化したも
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上に無機位相シフト材料層１１
ｃ及びネガレジスト層１１ｂを形成し（図７ａ参照）、
透明基板１の裏面から露光し、続いて現像して光透過部
１２上にネガレジスト層１１ｂを残すに際して露光をア
ンダー露光とし、現像をオーバー現像にして光透過部１
２よりもせばまったネガレジスト層１１ｂを残し（図７
ｂ参照）、このネガレジスト層１１ｂをマスクとして位
相シフト材料層１１ｃエッチングして遮光部１０との間
にサブスペース１２ａを形成し（図７ｃ参照）、ネガレ
ジスト層１１ｂを剥離して図７ｄに示すように前記無機
位相シフト材料層１１ｃを位相シフト部１１ａとする。
更に詳しくは、ネガレジストにはＳＡＬ−６０１を使用
し、露光をアンダーに、現像をオーバーに行うことによ
ってネガレジストの幅を調節することによってサブスペ
ースの幅を制御する。
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上に無機位相シフト材料層１１
ｃ及びネガレジスト層１１ｂを形成し（図７ａ参照）、
透明基板１の裏面から露光し、続いて現像して光透過部
１２上にネガレジスト層１１ｂを残すに際して露光をア
ンダー露光とし、現像をオーバー現像にして光透過部１
２よりもせばまったネガレジスト層１１ｂを残し（図７
ｂ参照）、このネガレジスト層１１ｂをマスクとして位
相シフト材料層１１ｃエッチングして遮光部１０との間
にサブスペース１２ａを形成し（図７ｃ参照）、ネガレ
ジスト層１１ｂを剥離して図７ｄに示すように前記無機
位相シフト材料層１１ｃを位相シフト部１１ａとする。
更に詳しくは、ネガレジストにはＳＡＬ−６０１を使用
し、露光をアンダーに、現像をオーバーに行うことによ
ってネガレジストの幅を調節することによってサブスペ
ースの幅を制御する。
【００３７】実施例−８ この実施例は、本出願の請求項８の発明を具体化したも
のである。本実施例においては、図１ａに示す如き遮光
材料パターン１０及びこの遮光材料パターン間の光透過
部１２上に位相シフト材料層１１ｃが形成された透明基
板１上にネガレジスト層１１ｂを全面に形成し（図８ｂ
参照）、透明基板１の裏面から露光し、続いて現像して
光透過部１２上にネガレジスト層１１ｂを残すに際して
露光をアンダー露光とし現像をオーバー現像にして光透
過部１２よりもせばまったネガレジスト層１１ｂを残し
（図８ｃ参照）、このネガレジスト層１１ｂをマスクと
して位相シフト材料層１１ｃをエッチングして遮光部１
０との間にサブスペース１２ａを形成し、ネガレジスト
層１１ｂを剥離して、前記位相シフト材料層１１ｃを位
相シフト部１１ａとする。
のである。本実施例においては、図１ａに示す如き遮光
材料パターン１０及びこの遮光材料パターン間の光透過
部１２上に位相シフト材料層１１ｃが形成された透明基
板１上にネガレジスト層１１ｂを全面に形成し（図８ｂ
参照）、透明基板１の裏面から露光し、続いて現像して
光透過部１２上にネガレジスト層１１ｂを残すに際して
露光をアンダー露光とし現像をオーバー現像にして光透
過部１２よりもせばまったネガレジスト層１１ｂを残し
（図８ｃ参照）、このネガレジスト層１１ｂをマスクと
して位相シフト材料層１１ｃをエッチングして遮光部１
０との間にサブスペース１２ａを形成し、ネガレジスト
層１１ｂを剥離して、前記位相シフト材料層１１ｃを位
相シフト部１１ａとする。
【００３８】実施例−９ この実施例は、本出願の請求項９の発明を具体化したも
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上にポジレジスト層１１ｄを全
面に形成し（図９ａ参照）、透明基板１の裏面から露光
し、続いて現像して遮光部１０上にポジレジスト層１１
ｄを残し（図９ｂ参照）、次いで位相シフト材料層１１
ｃを全面に析出し（図９ｃ参照）、その後ポジレジスト
層１１ｄを剥離して光透過部１２上に位相シフト材料層
１１ｃを残し（図９ｄ参照）、更に遮光材料１０をエッ
チングするか（図７ｅ参照）、または位相シフト材料層
１１ｃをエッチングするか（図９ｆ参照）どちらかによ
って遮光材料１０と位相シフト材料層１１ｃとの間にサ
ブスペース１２ａを形成して、前記位相シフト材料層１
１ｃを位相シフト部１１ａとする。更に詳しくは、遮光
材料の厚さを一般に採用されている８００Åにしてマス
ク精度を維持したまま、ポジレジストに東京応化（株）
のＴＳＭＲ Ｖ３を使用して厚さ１μｍに形成すること
によって、その後蒸着等によって位相シフト材料層を析
出した際に光透過部と遮光部上の位相シフト材料層の連
結が防止でき、ポジレジスト層のリフトオフによる位相
シフターの迅速、容易な形成が可能となる。
のである。本実施例においては、遮光材料パターン１０
が形成された透明基板１上にポジレジスト層１１ｄを全
面に形成し（図９ａ参照）、透明基板１の裏面から露光
し、続いて現像して遮光部１０上にポジレジスト層１１
ｄを残し（図９ｂ参照）、次いで位相シフト材料層１１
ｃを全面に析出し（図９ｃ参照）、その後ポジレジスト
層１１ｄを剥離して光透過部１２上に位相シフト材料層
１１ｃを残し（図９ｄ参照）、更に遮光材料１０をエッ
チングするか（図７ｅ参照）、または位相シフト材料層
１１ｃをエッチングするか（図９ｆ参照）どちらかによ
って遮光材料１０と位相シフト材料層１１ｃとの間にサ
ブスペース１２ａを形成して、前記位相シフト材料層１
１ｃを位相シフト部１１ａとする。更に詳しくは、遮光
材料の厚さを一般に採用されている８００Åにしてマス
ク精度を維持したまま、ポジレジストに東京応化（株）
のＴＳＭＲ Ｖ３を使用して厚さ１μｍに形成すること
によって、その後蒸着等によって位相シフト材料層を析
出した際に光透過部と遮光部上の位相シフト材料層の連
結が防止でき、ポジレジスト層のリフトオフによる位相
シフターの迅速、容易な形成が可能となる。
【００３９】実施例−１０ この実施例は、本出願の請求項１０の発明を具体化した
ものである。本実施例においては、遮光材料パターン１
０が形成された透明基板１上にポジレジスト層１１ｄを
全面に形成し（図１０ａ参照）、透明基板１の裏面から
露光し、続いて現像して遮光部１０上にポジレジスト層
１０を残し（図１０ｂ参照）、次いで位相シフト材料１
１ｃを全面に析出し（図１０ｃ参照）、更にポジレジス
ト層１１ｄをエッチバックし（図１０ｄ参照）、その後
このポジレジスト層１１ｄをマスクとして遮光材料１０
をエッチバックして先に光透過部１２上に析出した位相
シフト材料層１１ｃとの間にサブスペース１２ａを形成
し（図１０ｅ参照）、続いてポジレジスト層１１ｄをリ
フトオフして図１０ｆに示すように前記位相シフト材料
層１１ｃを位相シフト部１１ａとする。更に詳しくは、
フォトレジスト層の後退は、現像をオーバーに行う、表
面から露光を行い続いて現像を行う、濃い現像液で現像
する、Ｏ2 プラズマで等方性エッチングを行う等の方法
を任意に選択して実行できるが、Ｏ2 プラズマによる等
方エッチングが次工程の遮光材料の等方性エッチング工
程と連続的に行えるから良好な方法といえる。そしてポ
ジレジスト層をマスクとして遮光材料をエッチバック後
ポジレジスト層をリフトオフによって除去するからサブ
スペース形成後の遮光部の膜減りが生じなくて充分な遮
光性が確保できるだけでなく遮光材料のエッチバック精
度も向上する。
ものである。本実施例においては、遮光材料パターン１
０が形成された透明基板１上にポジレジスト層１１ｄを
全面に形成し（図１０ａ参照）、透明基板１の裏面から
露光し、続いて現像して遮光部１０上にポジレジスト層
１０を残し（図１０ｂ参照）、次いで位相シフト材料１
１ｃを全面に析出し（図１０ｃ参照）、更にポジレジス
ト層１１ｄをエッチバックし（図１０ｄ参照）、その後
このポジレジスト層１１ｄをマスクとして遮光材料１０
をエッチバックして先に光透過部１２上に析出した位相
シフト材料層１１ｃとの間にサブスペース１２ａを形成
し（図１０ｅ参照）、続いてポジレジスト層１１ｄをリ
フトオフして図１０ｆに示すように前記位相シフト材料
層１１ｃを位相シフト部１１ａとする。更に詳しくは、
フォトレジスト層の後退は、現像をオーバーに行う、表
面から露光を行い続いて現像を行う、濃い現像液で現像
する、Ｏ2 プラズマで等方性エッチングを行う等の方法
を任意に選択して実行できるが、Ｏ2 プラズマによる等
方エッチングが次工程の遮光材料の等方性エッチング工
程と連続的に行えるから良好な方法といえる。そしてポ
ジレジスト層をマスクとして遮光材料をエッチバック後
ポジレジスト層をリフトオフによって除去するからサブ
スペース形成後の遮光部の膜減りが生じなくて充分な遮
光性が確保できるだけでなく遮光材料のエッチバック精
度も向上する。
【００４０】実施例−１１ この実施例は、本出願の請求項１１の発明を具体化した
ものである。本実施例においては、遮光材料パターン１
０が形成された透明基板１上にポジレジスト層１１ｄを
全面に形成して（図１１ａ参照）、透明基板１の裏面か
ら露光し、続いて現像して遮光部１０上にポジレジスト
層１１ｄを残し（図１１ｂ参照）、次いで位相シフト材
料１１ｃを全面に析出し（図１１ｃ参照）、更にその上
に別のポジレジスト層１１ｄ′を全面に形成し（図１１
ｄ参照）、透明基板１の裏面から露光し、続いて現像し
て前記遮光材料パターン１０同志の間隔より広がって遮
光材料１０の端面より後退したポジレジスト層１１ｄ′
を遮光材料１０の上部に残し（図１１ｅ参照）、この上
層ポジレジスト層１１ｄ′をマスクとして下層ポジレジ
スト層１１ｄを露光し、続いて現像して下層ポジレジス
ト層１１ｄを後退させ（図１１ｆ参照）、この下層ポジ
レジスト層１１ｄをマスクとして遮光材料１０をエッチ
バックして光透過部１２上の位相シフト材料層１１ｃと
の間にサブスペース１２ａを形成し（図１１ｇ参照）、
その後ポジレジスト層１１ｄを除去して図１１ｈに示す
ように光透過部１２上の位相シフト材料層１１ｃを位相
シフト部１１ａとする。更に詳しくは、最初に塗布する
下層のポジレジストにはＰＭＭＡを使用し、透明基板の
裏面からディープ紫外光を露光し、現像して図１１ｂの
構造を得る。上層のポジレジストとしては膜減りの大き
いＯＦＰＲ−８００が次工程の透明基板裏面からの露
光、現像により後退した上部ポジレジスト層を形成する
ために好都合である。そして、この裏面からの露光は長
波長の光、例えばｇ線を使用することによって図１１ｄ
に点線で示すように光の回折による効果のために、上部
ポジレジスト層を現像後大きく後退させることができ
る。また下層ポジレジスト層をエッチバックさせるため
の光源としてはディープ紫外光が好ましい。
ものである。本実施例においては、遮光材料パターン１
０が形成された透明基板１上にポジレジスト層１１ｄを
全面に形成して（図１１ａ参照）、透明基板１の裏面か
ら露光し、続いて現像して遮光部１０上にポジレジスト
層１１ｄを残し（図１１ｂ参照）、次いで位相シフト材
料１１ｃを全面に析出し（図１１ｃ参照）、更にその上
に別のポジレジスト層１１ｄ′を全面に形成し（図１１
ｄ参照）、透明基板１の裏面から露光し、続いて現像し
て前記遮光材料パターン１０同志の間隔より広がって遮
光材料１０の端面より後退したポジレジスト層１１ｄ′
を遮光材料１０の上部に残し（図１１ｅ参照）、この上
層ポジレジスト層１１ｄ′をマスクとして下層ポジレジ
スト層１１ｄを露光し、続いて現像して下層ポジレジス
ト層１１ｄを後退させ（図１１ｆ参照）、この下層ポジ
レジスト層１１ｄをマスクとして遮光材料１０をエッチ
バックして光透過部１２上の位相シフト材料層１１ｃと
の間にサブスペース１２ａを形成し（図１１ｇ参照）、
その後ポジレジスト層１１ｄを除去して図１１ｈに示す
ように光透過部１２上の位相シフト材料層１１ｃを位相
シフト部１１ａとする。更に詳しくは、最初に塗布する
下層のポジレジストにはＰＭＭＡを使用し、透明基板の
裏面からディープ紫外光を露光し、現像して図１１ｂの
構造を得る。上層のポジレジストとしては膜減りの大き
いＯＦＰＲ−８００が次工程の透明基板裏面からの露
光、現像により後退した上部ポジレジスト層を形成する
ために好都合である。そして、この裏面からの露光は長
波長の光、例えばｇ線を使用することによって図１１ｄ
に点線で示すように光の回折による効果のために、上部
ポジレジスト層を現像後大きく後退させることができ
る。また下層ポジレジスト層をエッチバックさせるため
の光源としてはディープ紫外光が好ましい。
【００４１】
【発明の効果】上述の如く、本出願の請求項１〜請求項
３の発明によれば、相互のマスク合わせ精度を問題にし
なくてよいセルフアラインで位相シフトマスクを簡単、
容易にかつ精度よく製造できる。更に、本出願の請求項
４〜請求項８の発明によれば、レジストマスクの使用に
より位相シフト部作成の際の遮光材料の膜減りが有効に
抑止されて遮光部の光透過が完全に防止され、位相シフ
ターの膜減りが生じなく、ドライエッチングを使用する
ためにエッチング精度が向上する。本出願の請求項９〜
請求項１１の発明によれば、ポジレジストのリフトオフ
によって位相シフトマスクが作成されるので、遮光材料
のエッチング精度が向上し、膜減りが防止され、またフ
ォトマスク上で基板との選択比がとれない場合やエッチ
ングダメージが大きくなる場合に効果的である。即ち、
本出願の各発明に係る位相シフトマスクの製造方法によ
れば、遮光部とは独立に遮光材料パターン間に形成され
るセルフアライン位相シフトマスクを容易な工程で制御
性良く形成することができる。
３の発明によれば、相互のマスク合わせ精度を問題にし
なくてよいセルフアラインで位相シフトマスクを簡単、
容易にかつ精度よく製造できる。更に、本出願の請求項
４〜請求項８の発明によれば、レジストマスクの使用に
より位相シフト部作成の際の遮光材料の膜減りが有効に
抑止されて遮光部の光透過が完全に防止され、位相シフ
ターの膜減りが生じなく、ドライエッチングを使用する
ためにエッチング精度が向上する。本出願の請求項９〜
請求項１１の発明によれば、ポジレジストのリフトオフ
によって位相シフトマスクが作成されるので、遮光材料
のエッチング精度が向上し、膜減りが防止され、またフ
ォトマスク上で基板との選択比がとれない場合やエッチ
ングダメージが大きくなる場合に効果的である。即ち、
本出願の各発明に係る位相シフトマスクの製造方法によ
れば、遮光部とは独立に遮光材料パターン間に形成され
るセルフアライン位相シフトマスクを容易な工程で制御
性良く形成することができる。
【図１】実施例−１の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図２】実施例−２の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図３】実施例−３の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図４】実施例−４の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図５】実施例−５の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図６】実施例−６の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図７】実施例−７の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図８】実施例−８の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図９】実施例−９の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
【図１０】実施例−１０の各工程におけるマスクの断面
図である。
図である。
【図１１】実施例−１１の各工程におけるマスクの断面
図である。
図である。
【図１２】位相シフトマスクの原理説明図である。
【図１３】従来技術の各工程におけるマスクの断面図で
ある。
ある。
１ 透明基板 １０ 遮光部 １１ａ 位相シフト部 １１ｂ ネガレジスト層 １２ 光透過部 １２ａ サブスペース
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月２２日
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１１】
Claims (11)
- 【請求項１】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターンが形成された透明基板上にネガレジス
ト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレ
ジスト層を残し、 次いで該ネガレジスト層をエッチバックして遮光部との
間にサブスペースを形成して、前記ネガレジスト層を位
相シフト部とすることを特徴とする位相シフトマスクの
製造方法。 - 【請求項２】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターンが形成された透明基板上に位相シフト
材料層及びネガレジスト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレ
ジスト層を残し、 該ネガレジスト層をマスクトして位相シフト材料層をエ
ッチバックして遮光部との間にサブスペースを形成し
て、前記位相シフト材料層を位相シフト部とすることを
特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項３】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターンが形成された透明基板上にネガレジス
ト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレ
ジスト層を残し、 次いで遮光部をエッチバックしてネガレジスト層との間
にサブスペースを形成して、前記ネガレジスト層を位相
シフト部とすることを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法。 - 【請求項４】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターンが形成された透明基板上に無機位相シ
フト材料層及びネガレジスト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレ
ジスト層を残し、 該ネガレジスト層をマスクとして位相シフト材料層をエ
ッチングし、 次いで遮光部をエッチバックして位相シフト材料層との
間にサブスペースを形成して、前記位相シフト材料層を
位相シフト部とすることを特徴とする位相シフトマスク
の製造方法。 - 【請求項５】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターン及び該遮光材料パターン間に位相シフ
ト材料層が形成された透明基板上にポジレジスト層を全
面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して遮光材料パターン上
にポジレジスト層を残し、 次いで該ポジレジスト層をエッチバックし、 更に遮光材料層をエッチバックして位相シフト材料層と
の間にサブスペースを形成して、前記位相シフト材料層
を位相シフト部とすることを特徴とする位相シフトマス
クの製造方法。 - 【請求項６】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターン及び該遮光材料パターン間に位相シフ
ト材料層が形成された透明基板上に下層材層、中間層及
びポジレジスト層を順次全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して前記遮光材料パター
ン間より広がった間隔のポジレジストを遮光材料の上部
に残し、 該ポジレジストをマスクとして中間層をエッチングし、 続いて中間層をマスクとして下層材層をエッチングし、 更に中間層と下層材層をマスクとして遮光材料層をエッ
チバックして前記位相シフト材料層との間にサブスペー
スを形成して、前記位相シフト材料層を位相シフト部と
することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項７】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターンが形成された透明基板上に無機位相シ
フト材料層及びネガレジスト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレ
ジスト層を残すに際して露光をアンダー露光で行い現像
をオーバー現像で行うことによって光透過部よりせばま
ったネガレジスト層を残し、 該ネガレジスト層をマスクとして位相シフト材料層をエ
ッチングして遮光部との間にサブスペースを形成して、
前記無機位相シフト材料層を位相シフト部とすることを
特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項８】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターン及び該遮光材料パターン間に位相シフ
ト材料層が形成された透明基板上にネガレジスト層を全
面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレ
ジスト層を残すに際して露光をアンダー露光で行い現像
をオーバー現像で行うことによって光透過部よりせばま
ったネガレジスト層を残し、 該ネガレジスト層をマスクとして位相シフト材料層をエ
ッチングして遮光部との間にサブスペースを形成して、
前記位相シフト材料層を位相シフト部とすることを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項９】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相
シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であっ
て、 遮光材料パターンが形成された透明基板上にポジレジス
ト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジレジ
スト層を残し、 次いで位相シフト材料を全面に析出し、 その後ポジレジスト層を剥離し、 更に遮光材料または位相シフト材料層のいずれかをエッ
チバックして両者の間にサブスペースを形成して、前記
位相シフト材料層を位相シフト部とすることを特徴とす
る位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１０】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位
相シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であ
って、 遮光材料パターンが形成された透明基板上にポジレジス
ト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジレジ
スト層を残し、 次いで位相シフト材料を全面に析出し、 更にポジレジスト層をエッチバックし、 その後該ポジレジスト層をマスクとして遮光材料をエッ
チバックして前記光透過部上に析出した位相シフト材料
層との間にサブスペースを形成して、前記位相シフト材
料層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シフト
マスクの製造方法。 - 【請求項１１】透明基板に、遮光部と、光透過部と、位
相シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であ
って、 遮光材料パターンが形成された透明基板上にポジレジス
ト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して遮光部上にポジレジ
スト層を残し、 次いで位相シフト材料を全面に析出し、 更にポジレジスト層を全面に形成し、 透明基板の裏面から露光、現像して前記遮光材料パター
ン間より広がった間隔のポジレジスト層を遮光材料の上
部に残し、 該上層ポジレジスト層をマスクとして下層ポジレジスト
層を露光、現像して下層ポジレジスト層をエッチバック
し、 該下層ポジレジスト層をマスクとして遮光材料をエッチ
バックして前記位相シフト材料層との間にサブスペース
を形成して、前記位相シフト材料層を位相シフト部とす
ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12536391A JP3030920B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | セルフアライン位相シフトマスクの製造方法 |
| KR1019920006909A KR100217711B1 (ko) | 1991-04-26 | 1992-04-24 | 셀프얼라인 위상시프트마스크의 제조방법 |
| US07/873,150 US5840445A (en) | 1991-04-26 | 1992-04-24 | Method of manufacturing a self-aligned phase-shifting mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12536391A JP3030920B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | セルフアライン位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0619107A true JPH0619107A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3030920B2 JP3030920B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=14908283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12536391A Expired - Fee Related JP3030920B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | セルフアライン位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5840445A (ja) |
| JP (1) | JP3030920B2 (ja) |
| KR (1) | KR100217711B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| JP2011029248A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
| JP2017168718A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 大日本印刷株式会社 | 多段構造体を有するテンプレートの製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001100429A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | レジストのパターニング方法 |
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|---|---|---|---|---|
| DE3374452D1 (en) * | 1982-04-05 | 1987-12-17 | Ibm | Method of increasing the image resolution of a transmitting mask and improved masks for performing the method |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3030920B2 (ja) | 2000-04-10 |
| KR100217711B1 (ko) | 1999-09-01 |
| US5840445A (en) | 1998-11-24 |
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