JPH05134386A - 位相シフトフオトマスク - Google Patents
位相シフトフオトマスクInfo
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- JPH05134386A JPH05134386A JP29561091A JP29561091A JPH05134386A JP H05134386 A JPH05134386 A JP H05134386A JP 29561091 A JP29561091 A JP 29561091A JP 29561091 A JP29561091 A JP 29561091A JP H05134386 A JPH05134386 A JP H05134386A
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- JP
- Japan
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- etching
- phase shift
- pattern
- resist
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- Granted
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングストパー層としてエッチング選択
性が優れ、耐湿性も優れた材料からなる膜を用いた位相
シフトフォトマスク。 【構成】 少なくとも基板３０とその表面に遮光パター
ン３７を介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主
成分とする材料からなる位相シフターパターン４４とか
らなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板３０表面
にＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯ
の混合物からなるエッチングストパー層３１を設けるこ
とにより、位相シフターパターンをエッチングにより作
成する際、この層のエッチングストパー作用により、位
相シフター用透明膜を確実に正確にエッチングすること
ができる。
性が優れ、耐湿性も優れた材料からなる膜を用いた位相
シフトフォトマスク。 【構成】 少なくとも基板３０とその表面に遮光パター
ン３７を介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主
成分とする材料からなる位相シフターパターン４４とか
らなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板３０表面
にＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯ
の混合物からなるエッチングストパー層３１を設けるこ
とにより、位相シフターパターンをエッチングにより作
成する際、この層のエッチングストパー作用により、位
相シフター用透明膜を確実に正確にエッチングすること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の
高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスクに係わ
り、特に、微細なパターンを高精度に形成する際の位相
シフト層を有する位相シフトフォトマスクに関する。
高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスクに係わ
り、特に、微細なパターンを高精度に形成する際の位相
シフト層を有する位相シフトフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積
回路は、Ｓｉウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。
回路は、Ｓｉウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。
【０００３】このようなリソグラフィー工程に使用され
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度を要求さ
れる傾向にあり、例えば、代表的なＬＳＩであるＤＲＡ
Ｍを例にとると、１ＭビットＤＲＡＭ用の５倍レチク
ル、すなわち、露光するパターンの５倍のサイズを有す
るレチクルにおける寸法のずれは、平均値±３σ（σは
標準偏差）をとった場合においても、０．１５μｍの精
度が要求され、同様に、４ＭビットＤＲＡＭ用の５倍レ
チクルは、０．１〜０．１５μｍの寸法精度が、１６Ｍ
ビットＤＲＡＭ用５倍レチクルは０．０５〜０．１μｍ
の寸法精度が要求されている。
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度を要求さ
れる傾向にあり、例えば、代表的なＬＳＩであるＤＲＡ
Ｍを例にとると、１ＭビットＤＲＡＭ用の５倍レチク
ル、すなわち、露光するパターンの５倍のサイズを有す
るレチクルにおける寸法のずれは、平均値±３σ（σは
標準偏差）をとった場合においても、０．１５μｍの精
度が要求され、同様に、４ＭビットＤＲＡＭ用の５倍レ
チクルは、０．１〜０．１５μｍの寸法精度が、１６Ｍ
ビットＤＲＡＭ用５倍レチクルは０．０５〜０．１μｍ
の寸法精度が要求されている。
【０００４】さらに、これらのレチクルを使用して形成
されるデバイスパターンの線幅は、１ＭビットＤＲＡＭ
で１．２μｍ、４ＭビットＤＲＡＭでは０．８μｍ、１
６ＭビットＤＲＡＭでは０．６μｍと、ますます微細化
が要求されており、このような要求に応えるために様々
な露光方法が研究されている。
されるデバイスパターンの線幅は、１ＭビットＤＲＡＭ
で１．２μｍ、４ＭビットＤＲＡＭでは０．８μｍ、１
６ＭビットＤＲＡＭでは０．６μｍと、ますます微細化
が要求されており、このような要求に応えるために様々
な露光方法が研究されている。
【０００５】ところが、例えば６４ＭビットＤＲＡＭク
ラスの次々世代のデバイスパターンになると、これまで
のレチクルを用いたステッパー露光方式ではレジストパ
ターンの解像限界となり、例えば特開昭５８−１７３７
４４号公報、特公昭６２−５９２９６号公報等に示され
ているような位相シフトマスクという新しい考え方のレ
チクルが提案されてきている。この位相シフトレチクル
を用いる位相シフトリソグラフィーは、レチクルを透過
する光の位相を操作することによって、投影像の分解能
及びコントラストを向上させる技術である。
ラスの次々世代のデバイスパターンになると、これまで
のレチクルを用いたステッパー露光方式ではレジストパ
ターンの解像限界となり、例えば特開昭５８−１７３７
４４号公報、特公昭６２−５９２９６号公報等に示され
ているような位相シフトマスクという新しい考え方のレ
チクルが提案されてきている。この位相シフトレチクル
を用いる位相シフトリソグラフィーは、レチクルを透過
する光の位相を操作することによって、投影像の分解能
及びコントラストを向上させる技術である。
【０００６】位相シフトリソグラフィーを図面に従って
簡単に説明する。図３は位相シフト法の原理を示す図、
図４は従来法を示す図であり、図３（ａ）及び図４
（ａ）はレチクルの断面図、図３（ｂ）及び図４（ｂ）
はレチクル上の光の振幅、図３（ｃ）及び図４（ｃ）は
ウェーハ上の光の振幅、図３（ｄ）及び図４（ｄ）はウ
ェーハ上の光強度をそれぞれ示し、１は基板、２は遮光
膜、３は位相シフター、４は入射光を示す。
簡単に説明する。図３は位相シフト法の原理を示す図、
図４は従来法を示す図であり、図３（ａ）及び図４
（ａ）はレチクルの断面図、図３（ｂ）及び図４（ｂ）
はレチクル上の光の振幅、図３（ｃ）及び図４（ｃ）は
ウェーハ上の光の振幅、図３（ｄ）及び図４（ｄ）はウ
ェーハ上の光強度をそれぞれ示し、１は基板、２は遮光
膜、３は位相シフター、４は入射光を示す。
【０００７】従来法においては、図４（ａ）に示すよう
に、石英ガラス等からなる基板１にクロム等からなる遮
光膜２が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成
されているだけであるが、位相シフトリソグラフィーで
は、図３（ａ）に示すように、レチクル上の隣接する光
透過部の一方に位相を反転（位相差１８０°）させるた
めの透過膜からなる位相シフター３が設けられている。
したがって、従来法においては、レチクル上の光の振幅
は図４（ｂ）に示すように同相となり、ウェーハ上の光
の振幅も図４（ｃ）に示すように同相となるので、その
結果、図４（ｄ）のようにウェーハ上のパターンを分離
することができないのに対して、位相シフトリソグラフ
ィーにおいては、位相シフターを透過した光は、図３
（ｂ）に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相
になされるため、パターンの境界部で光強度が零にな
り、図３（ｄ）に示すように隣接するパターンを明瞭に
分離することができる。このように、位相シフトリソグ
ラフィーにおいては、従来は分離できなかったパターン
も分離可能となり、解像度を向上させることができるも
のである。
に、石英ガラス等からなる基板１にクロム等からなる遮
光膜２が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成
されているだけであるが、位相シフトリソグラフィーで
は、図３（ａ）に示すように、レチクル上の隣接する光
透過部の一方に位相を反転（位相差１８０°）させるた
めの透過膜からなる位相シフター３が設けられている。
したがって、従来法においては、レチクル上の光の振幅
は図４（ｂ）に示すように同相となり、ウェーハ上の光
の振幅も図４（ｃ）に示すように同相となるので、その
結果、図４（ｄ）のようにウェーハ上のパターンを分離
することができないのに対して、位相シフトリソグラフ
ィーにおいては、位相シフターを透過した光は、図３
（ｂ）に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相
になされるため、パターンの境界部で光強度が零にな
り、図３（ｄ）に示すように隣接するパターンを明瞭に
分離することができる。このように、位相シフトリソグ
ラフィーにおいては、従来は分離できなかったパターン
も分離可能となり、解像度を向上させることができるも
のである。
【０００８】次に、位相シフトレチクルの製造工程の１
例を図面を参照して説明する。図５は位相シフトレチク
ルの製造工程を示す断面図であり、図中、１１は石英基
板、１２はクロム膜、１３はレジスト層、１４は電離放
射線、１５はレジストパターン、１６はエッチングガス
プラズマ、１７はクロムパターン、１８は酸素プラズ
マ、１９は透明膜、２０はレジスト層、２１は電離放射
線、２２はレジストパターン、２３はエッチングガスプ
ラズマ、２４は位相シフトパターン、２５は酸素プラズ
マを示す。
例を図面を参照して説明する。図５は位相シフトレチク
ルの製造工程を示す断面図であり、図中、１１は石英基
板、１２はクロム膜、１３はレジスト層、１４は電離放
射線、１５はレジストパターン、１６はエッチングガス
プラズマ、１７はクロムパターン、１８は酸素プラズ
マ、１９は透明膜、２０はレジスト層、２１は電離放射
線、２２はレジストパターン、２３はエッチングガスプ
ラズマ、２４は位相シフトパターン、２５は酸素プラズ
マを示す。
【０００９】まず、図５（ａ）に示すように、光学研磨
された石英基板１１にクロム膜１２を形成し、さらに、
クロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジスト
を、スピンコーティング等の常法により均一に塗布し、
加熱乾燥処理を施し、厚さ０．１〜２．０μｍ程度のレ
ジスト層１３を形成する。加熱乾燥処理は、使用するレ
ジストの種類にもよるが、通常、±８０〜１５０℃で、
２０〜６０分間程度行う。
された石英基板１１にクロム膜１２を形成し、さらに、
クロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジスト
を、スピンコーティング等の常法により均一に塗布し、
加熱乾燥処理を施し、厚さ０．１〜２．０μｍ程度のレ
ジスト層１３を形成する。加熱乾燥処理は、使用するレ
ジストの種類にもよるが、通常、±８０〜１５０℃で、
２０〜６０分間程度行う。
【００１０】次に、同図（ｂ）に示すように、レジスト
層１３に、常法に従って電子線描画装置等の露光装置に
より電離放射線１４でパターン描画し、エチルセロソル
ブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像液で現像
後、アルコールでリンスし、同図（ｃ）に示すようなレ
ジストパターン１５を形成する。
層１３に、常法に従って電子線描画装置等の露光装置に
より電離放射線１４でパターン描画し、エチルセロソル
ブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像液で現像
後、アルコールでリンスし、同図（ｃ）に示すようなレ
ジストパターン１５を形成する。
【００１１】次に、必要に応じて加熱処理、及び、デス
カム処理を行って、レジストパターン１５のエッジ部分
等に残存したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去
した後、同図（ｄ）に示すように、レジストパターン１
５の開口部より露出する被加工部分、すなわち、クロム
層１２をエッチングガスプラズマ１６によりドライエッ
チングし、クロムパターン１７を形成する。なお、この
クロムパターン１７の形成は、エッチングガスプラズマ
１６によるドライエッチングに代えて、ウェットエッチ
ングにより行ってもよいことは当業者に明らかである。
カム処理を行って、レジストパターン１５のエッジ部分
等に残存したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去
した後、同図（ｄ）に示すように、レジストパターン１
５の開口部より露出する被加工部分、すなわち、クロム
層１２をエッチングガスプラズマ１６によりドライエッ
チングし、クロムパターン１７を形成する。なお、この
クロムパターン１７の形成は、エッチングガスプラズマ
１６によるドライエッチングに代えて、ウェットエッチ
ングにより行ってもよいことは当業者に明らかである。
【００１２】このようにしてエッチングした後、同図
（ｅ）に示すように、レジストパターン１５、すなわ
ち、残存するレジストを酸素プラズマ１８により灰化除
去し、同図（ｆ）に示すようなフォトマスクを完成させ
る。なお、この処理は、酸素プラズマ１８による灰化処
理に代えて、溶剤剥離により行うことも可能である。
（ｅ）に示すように、レジストパターン１５、すなわ
ち、残存するレジストを酸素プラズマ１８により灰化除
去し、同図（ｆ）に示すようなフォトマスクを完成させ
る。なお、この処理は、酸素プラズマ１８による灰化処
理に代えて、溶剤剥離により行うことも可能である。
【００１３】続いて、このフォトマスクを検査し、必要
によってはパターン修正を加え、洗浄した後、同図
（ｇ）に示すように、クロムパターン１７の上にＳｉＯ
2 等からなる透明膜１９を形成する。次に、同図（ｈ）
に示すように、透明膜１９上に、上記と同様にして、ク
ロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジスト層２
０を形成し、同図（ｉ）に示すように、レジスト層２０
に常法に従ってアライメイトを行い、電子線露光装置等
の電離放射線２１によって所定のパターンを描画し、現
像、リンスして、同図（ｊ）に示すように、レジストパ
ターン２２を形成する。
によってはパターン修正を加え、洗浄した後、同図
（ｇ）に示すように、クロムパターン１７の上にＳｉＯ
2 等からなる透明膜１９を形成する。次に、同図（ｈ）
に示すように、透明膜１９上に、上記と同様にして、ク
ロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジスト層２
０を形成し、同図（ｉ）に示すように、レジスト層２０
に常法に従ってアライメイトを行い、電子線露光装置等
の電離放射線２１によって所定のパターンを描画し、現
像、リンスして、同図（ｊ）に示すように、レジストパ
ターン２２を形成する。
【００１４】次に、必要に応じて、加熱処理、及び、デ
スカム処理を行った後、同図（ｋ）に示すように、レジ
ストパターン２２の開口部より露出する透明膜１９部分
をエッチングガスプラズマ２３によりドライエッチング
し、位相シフターパターン２４を形成する。なお、この
位相シフターパターン２４の形成は、エッチングガスプ
ラズマ２３によるドライエッチングに代えて、ウェット
エッチングにより行ってもよいものである。
スカム処理を行った後、同図（ｋ）に示すように、レジ
ストパターン２２の開口部より露出する透明膜１９部分
をエッチングガスプラズマ２３によりドライエッチング
し、位相シフターパターン２４を形成する。なお、この
位相シフターパターン２４の形成は、エッチングガスプ
ラズマ２３によるドライエッチングに代えて、ウェット
エッチングにより行ってもよいものである。
【００１５】次に、残存したレジストを、同図（ｌ）に
示すように、酸素プラズマ２５により灰化除去する。以
上の工程により、同図（ｍ）に示すような位相シフター
２４を有する位相シフトマスクが完成する。
示すように、酸素プラズマ２５により灰化除去する。以
上の工程により、同図（ｍ）に示すような位相シフター
２４を有する位相シフトマスクが完成する。
【００１６】ところで、上述したような従来の位相シフ
トレチクルの製造方法において、位相シフターを形成す
る透明膜１９の深さ方向のエッチング制御は正確に行わ
なければならない。特に、基板１１と透明膜１９が同じ
ＳｉＯ2 系の材料からなるので、透明膜１９のエッチン
グが完了した後にもエッチングを継続すると、基板１１
もエッチングされてしまい、位相シフターの位相シフト
量が１８０°より大きくなって、正確なパターンの転写
が困難になってしまう。
トレチクルの製造方法において、位相シフターを形成す
る透明膜１９の深さ方向のエッチング制御は正確に行わ
なければならない。特に、基板１１と透明膜１９が同じ
ＳｉＯ2 系の材料からなるので、透明膜１９のエッチン
グが完了した後にもエッチングを継続すると、基板１１
もエッチングされてしまい、位相シフターの位相シフト
量が１８０°より大きくなって、正確なパターンの転写
が困難になってしまう。
【００１７】そこで、本出願人は位相シフターを形成す
る透明膜と基板の間にエッチングストパー層を設け、こ
の層によってエッチングを自動的に停止することを特願
平２−２９８０１号、同２−１８１７９５号において提
案した。これらの出願において提案したエッチングスト
パー層用の材料は、タンタル、モリブデン、タングステ
ン、窒化シリコン等であった。
る透明膜と基板の間にエッチングストパー層を設け、こ
の層によってエッチングを自動的に停止することを特願
平２−２９８０１号、同２−１８１７９５号において提
案した。これらの出願において提案したエッチングスト
パー層用の材料は、タンタル、モリブデン、タングステ
ン、窒化シリコン等であった。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな材料からなるエッチングストパー層では、十分満足
いくように正確にエッチングを停止することは必ずしも
容易ではない。特に、位相シフター用透明膜のエッチン
グをＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 及びこれらの混
合ガスを用いて行う反応性イオンエッチングによりドラ
イエッチングを行う場合は、この傾向が強い。
うな材料からなるエッチングストパー層では、十分満足
いくように正確にエッチングを停止することは必ずしも
容易ではない。特に、位相シフター用透明膜のエッチン
グをＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 及びこれらの混
合ガスを用いて行う反応性イオンエッチングによりドラ
イエッチングを行う場合は、この傾向が強い。
【００１９】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、エッチングストパー層として
エッチング選択性が優れ、確実に自動的にエッチングを
停止することができ、耐湿性も優れた材料からなる膜を
用いた位相シフトフォトマスクを提供することである。
ものであり、その目的は、エッチングストパー層として
エッチング選択性が優れ、確実に自動的にエッチングを
停止することができ、耐湿性も優れた材料からなる膜を
用いた位相シフトフォトマスクを提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題に
鑑み、実用的でかつ精度の高い位相シフトレチクルの位
相シフターを開発すべく研究の結果、Ａｌ2Ｏ3 とＭｇ
Ｏ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 、ＨｆＯ等の混合物がエッチン
グ選択性、耐湿性に優れていることを見い出し、かかる
知見に基づいて本発明を完成したものである。
鑑み、実用的でかつ精度の高い位相シフトレチクルの位
相シフターを開発すべく研究の結果、Ａｌ2Ｏ3 とＭｇ
Ｏ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 、ＨｆＯ等の混合物がエッチン
グ選択性、耐湿性に優れていることを見い出し、かかる
知見に基づいて本発明を完成したものである。
【００２１】すなわち、本発明の位相シフトフォトマス
クは、少なくとも基板とその表面に遮光パターンを介し
て又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材
料からなる位相シフターパターンとからなる位相シフト
フォトマスクにおいて、基板表面にＡｌ2 Ｏ3 とＭｇ
Ｏ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯの混合物からなる膜
を備えてなることを特徴とするものである。
クは、少なくとも基板とその表面に遮光パターンを介し
て又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材
料からなる位相シフターパターンとからなる位相シフト
フォトマスクにおいて、基板表面にＡｌ2 Ｏ3 とＭｇ
Ｏ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯの混合物からなる膜
を備えてなることを特徴とするものである。
【００２２】
【作用】本発明の位相シフトフォトマスクにおいては、
基板表面にＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又
はＨｆＯの混合物からなる膜が設けられているので、位
相シフターパターンをエッチングにより作成する際、Ａ
ｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯの混
合物がエッチングストパー層として作用し、位相シフタ
ー用透明膜を確実にエッチングすることができると共
に、自動的にエッチングを停止することができるので、
より高品質の位相シフトフォトマスクとなる。また、上
記膜は耐湿性に優れているので、このようにして作成さ
れた位相シフトフォトマスクは環境による劣化が少な
く、寿命が長いものとなる。
基板表面にＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又
はＨｆＯの混合物からなる膜が設けられているので、位
相シフターパターンをエッチングにより作成する際、Ａ
ｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯの混
合物がエッチングストパー層として作用し、位相シフタ
ー用透明膜を確実にエッチングすることができると共
に、自動的にエッチングを停止することができるので、
より高品質の位相シフトフォトマスクとなる。また、上
記膜は耐湿性に優れているので、このようにして作成さ
れた位相シフトフォトマスクは環境による劣化が少な
く、寿命が長いものとなる。
【００２３】
【実施例】本発明の位相シフトフォトマスクは、基板と
位相シフター用の透明膜の間にエッチングストパー層と
して、Ａｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 、Ｈｆ
Ｏ等の混合物からなる膜を設けたことを特徴とするもの
である。以下、位相シフトフォトマスクの製造方法につ
いて説明しながら、本発明の位相シフトフォトマスクの
実施例について説明する。
位相シフター用の透明膜の間にエッチングストパー層と
して、Ａｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 、Ｈｆ
Ｏ等の混合物からなる膜を設けたことを特徴とするもの
である。以下、位相シフトフォトマスクの製造方法につ
いて説明しながら、本発明の位相シフトフォトマスクの
実施例について説明する。
【００２４】図１は本発明に係る位相シフト層を有する
フォトマスク（位相シフトフォトマスク）の製造方法の
工程を示す断面図であり、図中、３０は基板、３１はＡ
ｌ2 O3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3又はＨｆＯの混合
物からなるエッチングストパー層、３２は遮光層、３３
はレジスト層、３４は電離放射線、３５はレジストパタ
ーン、３６はエッチングガスプラズマ、３７は遮光パタ
ーン、３８は酸素プラズマ、３９は透明膜、４０はレジ
スト層、４１は電離放射線、４２はレジストパターン、
４３は反応性イオン、４４は位相シフトパターン、４５
は酸素プラズマを示す。
フォトマスク（位相シフトフォトマスク）の製造方法の
工程を示す断面図であり、図中、３０は基板、３１はＡ
ｌ2 O3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3又はＨｆＯの混合
物からなるエッチングストパー層、３２は遮光層、３３
はレジスト層、３４は電離放射線、３５はレジストパタ
ーン、３６はエッチングガスプラズマ、３７は遮光パタ
ーン、３８は酸素プラズマ、３９は透明膜、４０はレジ
スト層、４１は電離放射線、４２はレジストパターン、
４３は反応性イオン、４４は位相シフトパターン、４５
は酸素プラズマを示す。
【００２５】まず、図１（ａ）に示すように、光学研磨
された基板３０上に、１０〜５００ｎｍ厚の均一なエッ
チングストパー層３１、１０〜２００ｎｍ厚の遮光層３
２を順次形成し、更に、クロロメチル化ポリスチレン等
の電離放射線レジストを、スピンコーティング等の常法
により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ０．１
〜２．０μｍ程度のレジスト層３３を形成する。ここ
で、基板３０としては、位相シフトマスクがｉ線やエキ
シマレーザ等の短波長用のものであることを考慮する
と、石英または高純度合成石英が望ましいが、その他に
も低膨張ガラス、白板、青板（ＳＬ）、ＭｇＦ2 、Ｃａ
Ｆ2 等を使用することができる。また、エッチングスト
パー層３１は、Ａｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ
3 、ＨｆＯ等を用いて形成することができる。さらに、
遮光層３２は、クロム薄膜を単層あるいは多層に形成す
ることにより形成することができるが、その他にも、窒
化クロム、酸化クロム、タングステン、モリブデン、モ
リブデンシリサイド等を使用して形成することができ
る。また、加熱乾燥処理は、レジストの種類にもよる
が、通常±８０〜１５０℃で、２０〜６０分間程度行
う。
された基板３０上に、１０〜５００ｎｍ厚の均一なエッ
チングストパー層３１、１０〜２００ｎｍ厚の遮光層３
２を順次形成し、更に、クロロメチル化ポリスチレン等
の電離放射線レジストを、スピンコーティング等の常法
により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ０．１
〜２．０μｍ程度のレジスト層３３を形成する。ここ
で、基板３０としては、位相シフトマスクがｉ線やエキ
シマレーザ等の短波長用のものであることを考慮する
と、石英または高純度合成石英が望ましいが、その他に
も低膨張ガラス、白板、青板（ＳＬ）、ＭｇＦ2 、Ｃａ
Ｆ2 等を使用することができる。また、エッチングスト
パー層３１は、Ａｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ
3 、ＨｆＯ等を用いて形成することができる。さらに、
遮光層３２は、クロム薄膜を単層あるいは多層に形成す
ることにより形成することができるが、その他にも、窒
化クロム、酸化クロム、タングステン、モリブデン、モ
リブデンシリサイド等を使用して形成することができ
る。また、加熱乾燥処理は、レジストの種類にもよる
が、通常±８０〜１５０℃で、２０〜６０分間程度行
う。
【００２６】次に、同図（ｂ）に示すように、レジスト
層３３に、常法に従って電子線描画装置等の電離放射線
３４による露光装置で所定のパターンを描画し、エチル
セロソルブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像
液で現像後、アルコールでリンスすると、同図（ｃ）に
示すようなレジストパターン３５が形成される。
層３３に、常法に従って電子線描画装置等の電離放射線
３４による露光装置で所定のパターンを描画し、エチル
セロソルブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像
液で現像後、アルコールでリンスすると、同図（ｃ）に
示すようなレジストパターン３５が形成される。
【００２７】次に、必要に応じて加熱処理及びデスカム
処理を行ってレジストパターン３５のエッジ部分等に残
存したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去した
後、同図（ｄ）に示すように、レジストパターン３５の
開口部より露出する被加工部分、即ち遮光層３２をエッ
チングガスプラズマ３６によりドライエッチングし、遮
光パターン３７を形成する。なお、この遮光パターン３
７の形成はエッチングガスプラズマ３６によるドライエ
ッチングに代えてウェットエッチングにより行ってもよ
いことは当業者に明らかである。
処理を行ってレジストパターン３５のエッジ部分等に残
存したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去した
後、同図（ｄ）に示すように、レジストパターン３５の
開口部より露出する被加工部分、即ち遮光層３２をエッ
チングガスプラズマ３６によりドライエッチングし、遮
光パターン３７を形成する。なお、この遮光パターン３
７の形成はエッチングガスプラズマ３６によるドライエ
ッチングに代えてウェットエッチングにより行ってもよ
いことは当業者に明らかである。
【００２８】このようにしてエッチングした後、同図
（ｅ）に示すように、残存するレジスト３５を酸素プラ
ズマ３８により灰化除去し、同図（ｆ）に示すような、
基板３０の上に導電層３１が形成され、さらに、その上
に所定の遮光パターン３７が形成されたフォトマスクを
作成する。なお、この処理は酸素プラズマ３８による灰
化処理に代えて溶剤剥離により行うことも可能である。
（ｅ）に示すように、残存するレジスト３５を酸素プラ
ズマ３８により灰化除去し、同図（ｆ）に示すような、
基板３０の上に導電層３１が形成され、さらに、その上
に所定の遮光パターン３７が形成されたフォトマスクを
作成する。なお、この処理は酸素プラズマ３８による灰
化処理に代えて溶剤剥離により行うことも可能である。
【００２９】続いて、このフォトマスクを検査し、必要
によってはパターンに修正を加え、洗浄した後、同図
（ｇ）に示すように、遮光パターン３７の上に蒸着、ス
ピンオングラス（ＳＯＧ）によりＳｉＯ2 を主成分とす
る透明膜３９を形成する。透明膜３９の膜厚ｄは、透明
膜３９を形成する材料の屈折率をｎ、露光波長をλとす
ると、ｄ＝λ／２（ｎ−１）にて与えられる値であり、
ＳｉＯ2 を使用した場合には、ｄの値は約４０６ｎｍで
ある。
によってはパターンに修正を加え、洗浄した後、同図
（ｇ）に示すように、遮光パターン３７の上に蒸着、ス
ピンオングラス（ＳＯＧ）によりＳｉＯ2 を主成分とす
る透明膜３９を形成する。透明膜３９の膜厚ｄは、透明
膜３９を形成する材料の屈折率をｎ、露光波長をλとす
ると、ｄ＝λ／２（ｎ−１）にて与えられる値であり、
ＳｉＯ2 を使用した場合には、ｄの値は約４０６ｎｍで
ある。
【００３０】次に、同図（ｈ）に示すように、透明膜３
９上に、上述したと同様にして、クロロメチル化ポリス
チレン等の電離放射線レジストを均一に塗布してレジス
ト層４０を形成し、同図（ｉ）に示すように、レジスト
層４０に常法に従ってアライメントを行い、電子線露光
装置等の電離放射線４１によって位相をシフトすべき位
置に所定のパターン描画し、所定の現像液にて現像、リ
ンスして、同図（ｊ）に示すように、レジストパターン
４２を形成する。
９上に、上述したと同様にして、クロロメチル化ポリス
チレン等の電離放射線レジストを均一に塗布してレジス
ト層４０を形成し、同図（ｉ）に示すように、レジスト
層４０に常法に従ってアライメントを行い、電子線露光
装置等の電離放射線４１によって位相をシフトすべき位
置に所定のパターン描画し、所定の現像液にて現像、リ
ンスして、同図（ｊ）に示すように、レジストパターン
４２を形成する。
【００３１】続いて、必要に応じて加熱処理及びデスカ
ム処理を行った後、同図（ｋ）に示すようにレジストパ
ターン４２の開口部より露出する透明膜３９部分をＣＦ
4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 及びこれらの混合ガスを
用いた反応性イオン４３による反応性イオンエッチング
によりドライエッチングし、位相シフトパターン４４を
形成する。なお、この位相シフトパターン４４の形成は
反応性イオンエッチングに代えてフッ酸系の溶液による
ウェットエッチングにより行ってもよいものである。
ム処理を行った後、同図（ｋ）に示すようにレジストパ
ターン４２の開口部より露出する透明膜３９部分をＣＦ
4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 及びこれらの混合ガスを
用いた反応性イオン４３による反応性イオンエッチング
によりドライエッチングし、位相シフトパターン４４を
形成する。なお、この位相シフトパターン４４の形成は
反応性イオンエッチングに代えてフッ酸系の溶液による
ウェットエッチングにより行ってもよいものである。
【００３２】このとき、従来法では、エッチングが基板
３０にまで及んでしまい、エッチングの終点の判定が困
難であったり、基板３０もエッチングされてしまい、位
相シフターの位相シフト量が１８０°より大きくなっ
て、正確なパターンの転写が困難になってしまうという
問題があったが、本発明においては、上記フッ素系の反
応性イオンに対してエッチング耐性が大きく、耐湿性に
優れているＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 、
ＨｆＯ等の混合物をエッチングストパー層３１として用
いているので、透明膜３９を確実にエッチングすること
ができると共に、自動的にエッチングを停止することが
でき、より高品質の位相シフトフォトマスクを作成する
ことができる。
３０にまで及んでしまい、エッチングの終点の判定が困
難であったり、基板３０もエッチングされてしまい、位
相シフターの位相シフト量が１８０°より大きくなっ
て、正確なパターンの転写が困難になってしまうという
問題があったが、本発明においては、上記フッ素系の反
応性イオンに対してエッチング耐性が大きく、耐湿性に
優れているＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 、
ＨｆＯ等の混合物をエッチングストパー層３１として用
いているので、透明膜３９を確実にエッチングすること
ができると共に、自動的にエッチングを停止することが
でき、より高品質の位相シフトフォトマスクを作成する
ことができる。
【００３３】次に、同図（ｌ）に示すように、残存した
レジストを酸素プラズマ４５により灰化除去する。これ
によって、同図（ｍ）に示すような高精度な位相シフト
フォトマスクが完成する。なお、この処理は酸素プラズ
マ４５による灰化処理に代えて溶剤剥離により行うこと
も可能である。
レジストを酸素プラズマ４５により灰化除去する。これ
によって、同図（ｍ）に示すような高精度な位相シフト
フォトマスクが完成する。なお、この処理は酸素プラズ
マ４５による灰化処理に代えて溶剤剥離により行うこと
も可能である。
【００３４】さて、このようなエッチングストッパー層
は、図３に示したような位相シフトフォトマスクに限ら
ず他の構造の位相シフトフォトマスクにも適用できる。
その１例として、本出願人が特願平２−１８１７９５号
で提案した自己整合型の位相シフトフォトマスクにこの
エッチングストッパー層を適用して場合について、次に
簡単に説明する。
は、図３に示したような位相シフトフォトマスクに限ら
ず他の構造の位相シフトフォトマスクにも適用できる。
その１例として、本出願人が特願平２−１８１７９５号
で提案した自己整合型の位相シフトフォトマスクにこの
エッチングストッパー層を適用して場合について、次に
簡単に説明する。
【００３５】図２は、このような位相シフトフォトマス
クの製造工程を示す断面図であり、図中、５０は基板、
５１はＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨ
ｆＯの混合物からなるエッチングストパー層、５２は透
明膜、５３は遮光性薄膜、５４はレジスト層、５５はレ
ジストパターン、５６は電離放射線、５７はエッチング
ガスプラズマ、５８は遮光パターン、５９は酸素プラズ
マ、６０はレジスト層、６１はバック露光、６２は反応
性イオン、６３は位相シフターパターン、６４は酸素プ
ラズマを示す。
クの製造工程を示す断面図であり、図中、５０は基板、
５１はＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨ
ｆＯの混合物からなるエッチングストパー層、５２は透
明膜、５３は遮光性薄膜、５４はレジスト層、５５はレ
ジストパターン、５６は電離放射線、５７はエッチング
ガスプラズマ、５８は遮光パターン、５９は酸素プラズ
マ、６０はレジスト層、６１はバック露光、６２は反応
性イオン、６３は位相シフターパターン、６４は酸素プ
ラズマを示す。
【００３６】まず、図２（ａ）に示すように、光学研磨
された基板５０上に、１０〜５００ｎｍ厚の均一なエッ
チングストッパー層５１と膜厚ｄ＝λ／２（ｎ−１）の
ＳｉＯ2 を主成分とする透明膜５２と５０〜２００ｎｍ
の遮光層５３を順次形成して、フォトマスクブランクス
を構成する。
された基板５０上に、１０〜５００ｎｍ厚の均一なエッ
チングストッパー層５１と膜厚ｄ＝λ／２（ｎ−１）の
ＳｉＯ2 を主成分とする透明膜５２と５０〜２００ｎｍ
の遮光層５３を順次形成して、フォトマスクブランクス
を構成する。
【００３７】次いで、このフォトマスクブランクス上に
クロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジストを
スピンコーティング等の常法により均一に塗布し、加熱
乾燥処理を施し、厚さ０．１〜２．０μｍ程度のレジス
ト層５４を形成する。
クロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジストを
スピンコーティング等の常法により均一に塗布し、加熱
乾燥処理を施し、厚さ０．１〜２．０μｍ程度のレジス
ト層５４を形成する。
【００３８】ここで、基板５０としては、本発明の位相
シフトマスクが、通常ｉ線やエキシマレーザ等の短波長
用のものであることを考慮すると、石英、高純度石英、
ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等を使用することが好ましい。しか
し、それより長波長の場合には、低膨脹ガラス、白板ガ
ラス、青板ガラス等を用いてもよい。また、エッチング
ストッパー層５１は、図１の場合と同様、Ａｌ2 Ｏ3 と
ＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 、ＨｆＯ等を用いて形成す
る。また、透明膜５２は、高純度なＳｉＯ2 膜が好まし
く、この膜のコーティング法としては、スパッタ法、Ｃ
ＶＤ法、あるいは、スピンオングラスによるコーティン
グ（例えば、シロキサンをスピンコーティングし、加熱
してＳｉＯ2 膜を形成）が採用される。さらに、遮光層
５３は、クロム、窒化クロム、酸化クロム、タングステ
ン、モリブデン、モリブデンシリサイド等の薄膜を単層
あるいは多層に形成することにより形成することができ
る。
シフトマスクが、通常ｉ線やエキシマレーザ等の短波長
用のものであることを考慮すると、石英、高純度石英、
ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等を使用することが好ましい。しか
し、それより長波長の場合には、低膨脹ガラス、白板ガ
ラス、青板ガラス等を用いてもよい。また、エッチング
ストッパー層５１は、図１の場合と同様、Ａｌ2 Ｏ3 と
ＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 、ＨｆＯ等を用いて形成す
る。また、透明膜５２は、高純度なＳｉＯ2 膜が好まし
く、この膜のコーティング法としては、スパッタ法、Ｃ
ＶＤ法、あるいは、スピンオングラスによるコーティン
グ（例えば、シロキサンをスピンコーティングし、加熱
してＳｉＯ2 膜を形成）が採用される。さらに、遮光層
５３は、クロム、窒化クロム、酸化クロム、タングステ
ン、モリブデン、モリブデンシリサイド等の薄膜を単層
あるいは多層に形成することにより形成することができ
る。
【００３９】また、レジストの加熱乾燥処理は、レジス
トの種類にもよるが、通常、８０〜２００℃で、２０〜
６０分間程度行う。
トの種類にもよるが、通常、８０〜２００℃で、２０〜
６０分間程度行う。
【００４０】次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト
層５４に、常法に従って電子線描画装置等の電離放射線
５６による露光装置で所定のパターンを描画し、エチル
セロソルブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像
液で現像後、アルコールでリンスすると、同図（ｃ）に
示すようなレジストパターン５５が形成される。
層５４に、常法に従って電子線描画装置等の電離放射線
５６による露光装置で所定のパターンを描画し、エチル
セロソルブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像
液で現像後、アルコールでリンスすると、同図（ｃ）に
示すようなレジストパターン５５が形成される。
【００４１】次に、必要に応じて加熱処理及びデスカム
処理を行って、レジストパターン５５のエッジ部分等に
残存したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去した
後、同図（ｃ）に示すように、レジストパターン５５の
開口部より露出する被加工部分、すなわち、遮光層５３
をエッチングガスプラズマ５７によりドライエッチング
し、遮光パターン５８を形成する（図（ｄ））。なお、
この遮光パターン５８の形成は、エッチングガスプラズ
マ５７によるドライエッチングに代え、ウェットエッチ
ングにより行ってもよいことは当業者に明らかである。
処理を行って、レジストパターン５５のエッジ部分等に
残存したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去した
後、同図（ｃ）に示すように、レジストパターン５５の
開口部より露出する被加工部分、すなわち、遮光層５３
をエッチングガスプラズマ５７によりドライエッチング
し、遮光パターン５８を形成する（図（ｄ））。なお、
この遮光パターン５８の形成は、エッチングガスプラズ
マ５７によるドライエッチングに代え、ウェットエッチ
ングにより行ってもよいことは当業者に明らかである。
【００４２】このようにしてエッチングした後、同図
（ｄ）に示すように、残存するレジスト５５を酸素プラ
ズマ５９により灰化除去し、同図（ｅ）に示すような、
基板５０の上にエッチングストッパー層５１が形成さ
れ、その上に位相シフト層５２が形成され、さらに、そ
の上に所定の遮光パターン５８が形成されたフォトマス
クが作成される。なお、残存するレジスト５５の除去処
理は、酸素プラズマ５９による灰化処理に代えて、溶剤
剥離により行うことも可能である。
（ｄ）に示すように、残存するレジスト５５を酸素プラ
ズマ５９により灰化除去し、同図（ｅ）に示すような、
基板５０の上にエッチングストッパー層５１が形成さ
れ、その上に位相シフト層５２が形成され、さらに、そ
の上に所定の遮光パターン５８が形成されたフォトマス
クが作成される。なお、残存するレジスト５５の除去処
理は、酸素プラズマ５９による灰化処理に代えて、溶剤
剥離により行うことも可能である。
【００４３】続いて、このフォトマスクを検査し、必要
によってはパターンに修正を加え、洗浄した後、同図
（ｆ）に示すように、遮光パターン５８の上にＯＦＰＲ
−８００等のフォトレジストをスピンコーティング等の
常法により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ１
〜２μｍ程度のレジスト層６０を形成する。
によってはパターンに修正を加え、洗浄した後、同図
（ｆ）に示すように、遮光パターン５８の上にＯＦＰＲ
−８００等のフォトレジストをスピンコーティング等の
常法により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ１
〜２μｍ程度のレジスト層６０を形成する。
【００４４】続いて、ガラス基板５０側より上記レジス
ト層６０をバック露光６１し、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドを主成分とするアルカリ水溶液で
現像し、純水でリンスして、遮光パターン５８の上にレ
ジストパターンののったパターンを形成する。
ト層６０をバック露光６１し、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドを主成分とするアルカリ水溶液で
現像し、純水でリンスして、遮光パターン５８の上にレ
ジストパターンののったパターンを形成する。
【００４５】次に、図２（ｇ）に示すように、このレジ
ストパターンの開口部より露出する被加工部分、すなわ
ち、位相シフト層５２をＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 及びこれらの混合ガスを用いた反応性イオン６２に
よる反応性イオンエッチングによりドライエッチング
し、位相シフターパターン６３を形成する（同図
（ｈ））。
ストパターンの開口部より露出する被加工部分、すなわ
ち、位相シフト層５２をＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 及びこれらの混合ガスを用いた反応性イオン６２に
よる反応性イオンエッチングによりドライエッチング
し、位相シフターパターン６３を形成する（同図
（ｈ））。
【００４６】続いて、この基板を硝酸第二セリウムアン
モニウムを主成分とするエッチング液で処理して、位相
シフター６３とレジスト６０とに挟まれた遮光膜５８を
サイドエッチングする。このサイドエッチング量は、パ
ターンの種類や大きさにもよるが、通常０．１〜０．５
μｍ位である。
モニウムを主成分とするエッチング液で処理して、位相
シフター６３とレジスト６０とに挟まれた遮光膜５８を
サイドエッチングする。このサイドエッチング量は、パ
ターンの種類や大きさにもよるが、通常０．１〜０．５
μｍ位である。
【００４７】このようにしてエッチングした後、同図
（ｉ）に示すように、残存するレジスト６０を、酸素プ
ラズマ６４により灰化除去し、同図（ｊ）に示すような
自己整合型の位相シフトマスクが完成する。
（ｉ）に示すように、残存するレジスト６０を、酸素プ
ラズマ６４により灰化除去し、同図（ｊ）に示すような
自己整合型の位相シフトマスクが完成する。
【００４８】この場合も、図１の場合と同様、上記フッ
素系の反応性イオンに対してエッチング耐性が大きく、
耐湿性に優れているＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ
2 Ｏ3 、ＨｆＯ等の混合物をエッチングストパー層５１
として用いているので、透明膜５２を確実にエッチング
することができると共に、自動的にエッチングを停止す
ることができ、より高品質の位相シフトフォトマスクを
作成することができる。
素系の反応性イオンに対してエッチング耐性が大きく、
耐湿性に優れているＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ
2 Ｏ3 、ＨｆＯ等の混合物をエッチングストパー層５１
として用いているので、透明膜５２を確実にエッチング
することができると共に、自動的にエッチングを停止す
ることができ、より高品質の位相シフトフォトマスクを
作成することができる。
【００４９】
【発明の効果】半導体集積回路の製造に用いるフォトマ
スクは、現在、石英等のガラス基板上にクロム膜等の遮
光膜をパターニングしたものが使用されているが、最近
の超ＬＳＩの高集積化においては、いままでのフォトマ
スクを使用した露光技術は限界に近づき、位相シフトフ
ォトマスクを用いる方向に移行しようとしている。
スクは、現在、石英等のガラス基板上にクロム膜等の遮
光膜をパターニングしたものが使用されているが、最近
の超ＬＳＩの高集積化においては、いままでのフォトマ
スクを使用した露光技術は限界に近づき、位相シフトフ
ォトマスクを用いる方向に移行しようとしている。
【００５０】本発明による位相シフトフォトマスクは、
上記したように、基板表面にＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯの混合物からなる膜が設けら
れているので、位相シフターパターンをエッチングによ
り作成する際、Ａｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ
3 又はＨｆＯの混合物がエッチングストパー層として作
用し、位相シフター用透明膜を確実にエッチングするこ
とができると共に、自動的にエッチングを停止すること
ができるので、より高品質の位相シフトフォトマスクと
なる。また、上記膜は耐湿性に優れているので、このよ
うにして作成された位相シフトフォトマスクは環境によ
る劣化が少なく、寿命が長いものとなる。
上記したように、基板表面にＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯの混合物からなる膜が設けら
れているので、位相シフターパターンをエッチングによ
り作成する際、Ａｌ2 Ｏ3 とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ
3 又はＨｆＯの混合物がエッチングストパー層として作
用し、位相シフター用透明膜を確実にエッチングするこ
とができると共に、自動的にエッチングを停止すること
ができるので、より高品質の位相シフトフォトマスクと
なる。また、上記膜は耐湿性に優れているので、このよ
うにして作成された位相シフトフォトマスクは環境によ
る劣化が少なく、寿命が長いものとなる。
【図１】本発明に係る位相シフトフォトマスクの製造方
法の工程を示す断面図である。
法の工程を示す断面図である。
【図２】本発明に係る別の位相シフトフォトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３】位相シフト法の原理を示す図である。
【図４】従来法を示す図である。
【図５】従来の位相シフトフォトマスクの製造工程を示
す断面図である。
す断面図である。
３０…基板 ３１…エッチングストパー層 ３２…遮光層 ３３…レジスト層 ３４…電離放射線 ３５…はレジストパターン ３６…エッチングガスプラズマ ３７…遮光パターン ３８…酸素プラズマ ３９…透明膜 ４０…レジスト層 ４１…電離放射線 ４２…レジストパターン ４３…反応性イオン ４４…位相シフトパターン ４５…酸素プラズマ
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも基板とその表面に遮光パター
ンを介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分
とする材料からなる位相シフターパターンとからなる位
相シフトフォトマスクにおいて、基板表面にＡｌ2 Ｏ3
とＭｇＯ、ＺｒＯ、Ｔａ2 Ｏ3 又はＨｆＯの混合物から
なる膜を備えてなることを特徴とする位相シフトフォト
マスク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29561091A JP3210705B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 位相シフトフォトマスク |
| KR1019920021133A KR100239960B1 (ko) | 1991-11-12 | 1992-11-11 | 위상(位相) 쉬프트 포토마스크 |
| US07/974,919 US5380608A (en) | 1991-11-12 | 1992-11-12 | Phase shift photomask comprising a layer of aluminum oxide with magnesium oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29561091A JP3210705B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 位相シフトフォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134386A true JPH05134386A (ja) | 1993-05-28 |
| JP3210705B2 JP3210705B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=17822857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29561091A Expired - Fee Related JP3210705B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 位相シフトフォトマスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3210705B2 (ja) |
| KR (1) | KR100239960B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05165190A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びにその製造方法 |
| JP2001056544A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びそのためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2002156739A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク |
| WO2020066591A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP29561091A patent/JP3210705B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1992
- 1992-11-11 KR KR1019920021133A patent/KR100239960B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN112740106A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-04-30 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 |
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|---|---|
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| JP3210705B2 (ja) | 2001-09-17 |
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