JP2001100429A - レジストのパターニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 さらに微細な半導体集積回路のパターンを形
成することができるレジストのパターニング方法を得
る。 【解決手段】 下地層１上にレジストを形成する。次
に、レジストに対して選択的に露光を行い、露光部と未
露光部とを形成する。次に、レジストに対して現像液を
用いて現像処理を行う。現像処理では、まず、露光部に
おいてレジストを第１の速度で除去し、次に、未露光部
においてレジストを第１の速度よりも遅い第２の速度で
除去する。これによって、レジストパターン２を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路を
有するレジストのパターニング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の製造技術の進歩によ
り、半導体集積回路の微細化が進んでいる。デバイスの
さらなる性能向上のために、近年では、レジストのパタ
ーンのラインの寸法（幅）、スペースの寸法（パターン
間の隙領域の幅）はそれぞれ０．１０μｍ、０．３０μ
ｍ程度にパターニングすることが必要になってきてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しなしながら、レジス
トの従来のパターニングでは、上記の具体例程度に微細
なパターンを形成することは困難であるという問題点が
ある。

【０００４】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、さらに微細な半導体集積回路のパ
ターンを形成することができるレジストのパターニング
方法を得ることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、（ａ）下地層上にレジストを形成する
ステップと、（ｂ）前記レジストに対して選択的に露光
を行い、露光部と未露光部とを形成するステップと、
（ｃ）前記露光部及び前記未露光部のうちの一方を第１
の領域とし、現像液に対する溶解速度が前記第１の領域
よりも低い他方を第２の領域として、前記ステップ
（ｂ）の後に前記レジストに対して前記現像液を用いて
現像処理を行って、（ｃ−１）前記第１の領域において
前記レジストをその厚さ方向に第１の速度で除去する工
程と、（ｃ−２）前記工程（ｃ−１）の後に、前記第２
の領域において前記第１の速度よりも遅い第２の速度で
除去する工程とを有するステップとを備える。

【０００６】本発明の請求項２に係る課題解決手段にお
いて、前記第２の領域は前記第１の領域によって同じ大
きさ形に区画して並べられた複数の第３の領域を含み、
前記複数の第３の領域は少なくとも当該第３の領域１つ
分空けて配置されている。

【０００７】本発明の請求項３に係る課題解決手段にお
いて、前記複数の第３の領域の各々は細長い配線形成用
である。

【０００８】

【発明の実施の形態】実施の形態１．まず、実施の形態
１について説明する。パターニングされたレジストの形
成方法について説明する。具体例として、図１及び図２
に示す寸法のレジストを形成する場合を説明する。図１
は半導体ウェハの一部断面図である。図２は図１に示す
構造を上から眺めた一部平面図である。

【０００９】図１及び図２に示すように、レジストパタ
ーン２は下地層１上に形成されている。レジストパター
ン２のライン、レジストパターン２のスペース、高さの
所望寸法はそれぞれ０．１０μｍ、０．３０μｍ、０．
４５μｍである。ラインの所望寸法とスペースの所望寸
法との和（ピッチ）は０．４μｍである。

【００１０】下地層１は、レジストパターン２の下に形
成されている層である。例えば、アルミ配線を形成する
場合ならば、下地層１はアルミ層であり、細長い配線形
成用のレジストパターン２をマスクとして下地層１をエ
ッチングすることによって、下地層１をアルミ配線にな
るようにパターニングする。

【００１１】図１及び図２に示す構造を形成するための
方法を、図３〜図７を用いて説明する。図３，５，６
は、半導体ウェハの一部断面図である。図４は、露光し
ている状態において、図３に示す構造を上から眺めた一
部平面図である。

【００１２】図７は、露光装置の一例であって、ステッ
パである。図７の露光装置は、照明ＳＡ、コンデンサレ
ンズＳＢ、レチクルＳＣ、投影レンズＳＤ、ステージＳ
Ｅを含む。ステージＳＥには半導体ウェハＷが載置され
ている。照明ＳＡは、光源ＳＡ１、フライアイレンズＳ
Ａ２、遮光板ＳＡ３を含む。動作について簡単に説明す
ると、照明ＳＡは露光光を発する。照明ＳＡが発した光
は、コンデンサレンズＳＢ、レチクルＳＣ、投影レンズ
ＳＤを介してステージＳＥ上の半導体ウェハＷに照射さ
れる。このように、レチクルＳＣを介して半導体ウェハ
Ｗ上に形成されているレジストを露光する。これによっ
て、半導体ウェハＷ上に塗布されているレジストの表面
に、レチクルＳＣからのパターンＰ１が転写される。パ
ターンＰ１の焦点の位置は、投影レンズＳＤによって調
節することができる。

【００１３】さて、レジストの形成方法について、ま
ず、下地層１上に厚さが０．５０μｍのポジ型のレジス
ト２ａを塗布形成する。

【００１４】次に、露光装置を用いて、半導体ウェハＷ
上に塗布されているレジスト２ａの表面に、レチクルＳ
ＣからのパターンＰ１を転写する。これによって、レジ
スト２ａに対して選択的に露光を行い、第１及び第２の
領域を形成する。実施の形態１では、第１の領域は露光
光が照射され、レチクルＳＣからのパターンＰ１の一部
である露光部Ｒ１である。未露光部Ｒ２はレジスト２ａ
のうち、露光光が照射されない領域であり、実施の形態
１における第２の領域である。未露光部Ｒ２はレジスト
２ａのうち、露光光が照射されない領域である。未露光
部Ｒ２のピッチは所望寸法に等しい０．４０μｍに設定
されている。未露光部Ｒ２のラインの寸法は所望寸法の
０．１０μｍより大きくすればよく、ここでは、０．１
５μｍに設定されている。複数の未露光部Ｒ２は露光部
Ｒ１によって同じ大きさ形に区画されている。レジスト
２ａはポジ型なので、未露光部Ｒ２の後述の現像液に対
する溶解速度が露光部Ｒ１よりも低くなる。溶解速度
は、現像液がレジスト２ａを単位時間に溶解させる量を
意味する。露光部Ｒ１及び未露光部Ｒ２の溶解速度は、
例えば図２１のグラフによって決まる。露光量を調節す
ることによって、露光部Ｒ１及び未露光部Ｒ２の溶解速
度を設定する。

【００１５】次に、レジスト２ａに対して現像液を用い
て現像処理を行う。ここでは、半導体ウェハＷを現像液
に１８５ｓｅｃ間（現像時間）だけ浸す。現像液は例え
ばＴＭＡＨ（Tetra Methyl Anmonium Hydroxydo）を用
いればよい。これによって、レジスト２ａのうち、未露
光部Ｒ２内の一部を所望寸法のレジストパターン２とし
て残す。

【００１６】１８５ｓｅｃという現像時間は、現像液の
露光部Ｒ１及び未露光部Ｒ２の溶解速度、露光部Ｒ１の
寸法、及びレジストパターン２の所望寸法に基づいて予
め求められたものである。つまり、露光部Ｒ１の溶解速
度と寸法とによって露光部Ｒ１のレジスト２ａを溶かす
のに必要な時間を求めることができる。未露光部Ｒ２内
の溶解速度と所望寸法とによって未露光部Ｒ２内のレジ
スト２ａを溶かすのに必要な時間を求めることができ
る。これらの時間を足し合わせたものが現像時間にな
る。

【００１７】まず、半導体ウェハＷを現像液に浸すこと
によって、半導体ウェハＷの現像を開始する。露光部Ｒ
１内の溶解速度は非常に速い第１の速度で（約０．１μ
ｍ／ｓｅｃ程度）、現像を開始してから僅か５ｓｅｃ後
で、図５の構造のようになる。レジスト２ａは厚さ方向
に除去され、レジスト２ａのうち、露光部Ｒ１のうちの
ほとんどが除去される。この時点でのレジスト２ａのラ
インの寸法は、未露光部Ｒ２より一回り大きい０．１７
２μｍである。図５の状態から、溶解速度は急激に小さ
くなり、溶解速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃ（＝０．０００
２μｍ／ｓｅｃ）に近づく。レジスト２ａの両側から溶
解されるので、溶解速度は実質的に倍の約０．４ｎｍ／
ｓｅｃである。よって、レジスト２ａのラインの寸法が
未露光部Ｒ２と同じ寸法の０．１５μｍになるには（図
６）、図５の状態から５５ｓｅｃ（＝（０．１７２−
０．１５０）／０．０００４）を要する。以上のように
して、露光部Ｒ１においてレジスト２ａはその厚さ方向
に第１の速度（＞０．２ｎｍ／ｓｅｃ）で除去され、そ
の後、０．２ｎｍ／ｓｅｃ程度の遅い第２の速度で幅方
向へとエッチングが進む。

【００１８】引き続き、図６の状態からも、溶解速度は
約０．２ｎｍ／ｓｅｃである。よって、図６の状態か
ら、１２５ｓｅｃ（＝（０．１５０−０．１００）／
０．０００４）だけ現像すれば、レジスト２ａは所望寸
法のレジストパターン２として残る。以上のようにし
て、未露光部Ｒ２においても第１の速度よりも遅い第２
の速度（＝０．２ｎｍ／ｓｅｃ）でレジスト２ａを除去
する。

【００１９】なお、レジストパターン２の高さの寸法に
ついては、１８５ｓｅｃ間で少なくとも０．０３７μｍ
（＝１８５×０．０００４）程度、等方的に除去される
ので、ほぼ所望寸法の０．４５μｍになる。また、レジ
ストパターン２のピッチの寸法については、隣り合うレ
ジストパターン２が同様に溶解するので、０．４μｍの
ままである。

【００２０】以上のようにして、未露光部Ｒ２より微細
な所望寸法のレジストパターン２を形成することができ
る。しかも、レジストパターン２が得られるまでは、レ
ジスト２ａをその厚さ方向に第１の速度（＞０．２ｎｍ
／ｓｅｃ）で迅速に溶解し、その後第２の速度でゆっく
りと溶解するので、未露光部Ｒ２に対して細かなパター
ニングを行うための時間設定に大きなマージンを許すこ
とができる。その後、所定の工程を経て、微細なレジス
トパターン２に基づいて形成された半導体集積回路を有
する半導体装置が完成する。

【００２１】また、以上のように未露光部Ｒ２の寸法を
所望寸法より大きくすればよいわけである。しかし、単
に大きくすればよいというわけではなく、望ましい範囲
がある。これについて、シミュレーションを用いて検討
したので、下記に説明する。

【００２２】まず、レチクルＳＣのパターンＰ１のライ
ンの寸法，スペースの寸法をそれぞれ所望寸法に等しい
０．１０μｍ，０．３０μｍにして、シミュレーション
を行った。その結果を、図１１に示す。図１１の横軸は
後述のデフォーカス（単位μｍ）であり、レジストパタ
ーン２のラインの寸法であって、現像開始時点から６０
ｓｅｃ後の寸法（単位μｍ）である。条件としては、露
光光の波長を２４８ｎｍ（ＫｒＦ）、投影レンズＳＤの
開口数（レンズの大きさ）ＮＡ＝ｓｉｎθ１＝０．５５
になるように設定した。照明は通常照明（σ＝０．８）
を用いた。ｓｉｎθ２＝ＮＡ／ｍ、ｓｉｎθ３＝σ×ｓ
ｉｎθ２である（ｍ：倍率）。通常照明は遮光板ＳＡ３
の開口Ｈを図９に示す形状にしたものである。σは可干
渉性を示す度合いである。また、露光量（単位：ｍＪ／
ｃｍ²）も１０％づつ変えており、グラフの上の曲線ほ
ど露光量が小さい。デフォーカスは、焦点がレジスト２
ａ表面に位置した状態からのずれである。

【００２３】ここで、レチクルＳＣのパターンＰ１のラ
インと同じ寸法（サイジングレベル）のレジストパター
ン２を形成する場合を考える。なお、ここでは、レジス
トパターン２のラインの寸法は、±０．０２μｍの誤差
で許容され、デフォーカスは±０．８μｍ内で変動する
とする。この場合、図１１によると、デフォーカスの変
動に対してラインの寸法が０．１μｍ±０．０２μｍの
レジストパターン２を形成する露光量が存在しないの
で、この寸法のレジストパターン２を形成することがで
きない。

【００２４】また、通常照明を変形照明に変えて、通常
照明の場合と同様にして、シミュレーションを行った。
変形照明は、図１０の２／３輪帯、つまり、図９の通常
照明に、開口Ｈの２／３の半径の遮光円を同心円状に設
けたものである。シミュレーションの結果を図１２に示
す。この場合も、デフォーカスの変動に対して誤差が±
０．０２μｍのサイジングレベルのレジストパターン２
を形成することができる露光量は存在しない。

【００２５】次に、未露光部Ｒ２のラインの寸法を所望
寸法の０．１０μｍより大きい０．１５μｍにし、スペ
ースの寸法を０．２５μｍにし、上記と同様にして、シ
ミュレーションを行った。その結果を、図１３及び図１
４に示す。図１３は通常照明を用いた場合であり、図１
４は変形照明を用いた場合である。図１３の場合も、デ
フォーカスの±０．８μｍの変動に対して誤差が±０．
０２μｍのサイジングレベルのレジストパターン２を形
成することができる露光量は存在しない。

【００２６】しかし、図１４の場合は、±０．８μｍ以
上の変動量で変動するデフォーカスに対しても、誤差が
±０．０２μｍのサイジングレベルのレジストパターン
２を形成することができる露光量が存在する（グラフＬ
１）。しかも、図１４において、デフォーカスが変化し
ても、ラインの寸法がほぼ０．２０μｍで一定になる露
光量のあることが分かった（グラフＬ２）。図１４で
は、ラインの寸法がサイジングレベル（ここでは、０．
１５μｍ）より０．０４μｍ大きい０．１９μｍで一定
になる。このように、ラインの寸法をスペース以下の寸
法、つまり、複数の未露光部Ｒ２（第３の領域）は少な
くとも未露光部Ｒ２の１つ分空けて配置されていれば、
デフォーカスのマージンを大きくすることができる。

【００２７】また、ラインとスペースとを同じ寸法にす
ることについて、実験を行った。実験データを図１５〜
図１８に示す。この実験では、未露光部Ｒ２のラインの
寸法，スペースの寸法のどちらも０．３０μｍにした。

【００２８】図１５は露光量とレジストのラインの寸法
ＣＤとの関係を示すグラフである。図１５に示すよう
に、この実験では、露光量を様々に変えて行った。露光
量を変えても、現像を開始してから６０ｓｅｃ後と１２
０ｓｅｃ後との間で除去されるレジストの量はほぼ一定
になった。

【００２９】図１６はフォーカスとレジストのラインの
寸法ＣＤとの関係を示すグラフである。図１６に示すよ
うに、この実験では、フォーカスを様々に変えて行っ
た。フォーカスを変えても、現像を開始してから６０ｓ
ｅｃ後と１２０ｓｅｃ後との間で除去されるレジストの
量はほぼ一定になった。

【００３０】以上のように、未露光部Ｒ２のラインとス
ペースとを同じ寸法にすれば、フォーカスや露光量に依
存することなく、現像を開始してからの時間経過に対す
るレジストの除去量はほぼ一定にできる。

【００３１】図１７及び図１８は、この実験で得られた
レジストパターン２を情報から撮影したＳＥＭ写真を模
写したものであって、図１７は現像を開始してから６０
ｓｅｃ後、図１８は現像を開始してから１２０ｓｅｃ後
のものである。ＳＥＭの機能を使って、寸法を測定した
ところ、レジストパターン２のラインの寸法は、現像を
開始してから６０ｓｅｃ後では、０．１９２μｍであ
り、１２０ｓｅｃ後では、０．１２１μｍになった。

【００３２】なお、以上の説明では、例えば細長い配線
形成用のレジストパターン２について説明したが、他の
形状のレジストパターン２に適用してもよい。例えば、
図１９に示すような形状のレジストパターン２に適用し
てもよい。図１９は半導体ウェハＷを上から眺めた一部
平面図である。図１９のレジストパターン２では、多角
形の多くのホールが設けられ、正方形のホールの底部に
は、下地層１が露出している。また、図１９に示すレジ
ストパターン２を得るのに行った露光している状態を上
から眺めた一部平面図を図２０に示す。図２０の露光部
Ｒ１は、図１９の多角形のホールに対応しており、多角
形である。

【００３３】なお、図１９及び図２０の多角形のホール
や露光部Ｒ１は正方形である。これは、ラインスペース
パターンと同様に考えて、露光部Ｒ１の寸法と未露光部
Ｒ２の寸法とが等しいほど、最もデフォーカスのマージ
ンを大きくすることができるためである。図１９では、
未露光部Ｒ２のピッチの寸法は０．４μｍであり、未露
光部Ｒ２のスペースの寸法は、０．２μｍである。この
現像の後、上記のラインスペースパターンの場合と同様
に現像を行うことによって、図１９に示すように、未露
光部Ｒ２のラインの寸法が０．１μｍのレジストパター
ン２を形成することがでる。

【００３４】実施の形態２．未露光部Ｒ２内のレジスト
２ａの一部を除去する分、従来と比較して、現像時間が
長くなる。そこで、実施の形態２では、未露光部Ｒ２内
の溶解速度を速くする。これによって、現像時間を従来
と同程度にする。

【００３５】例えば、未露光部Ｒ２内の溶解速度を０．
０００８μｍに設定する。例えば現像を開始してから５
ｓｅｃ後のレジスト２ａのラインの寸法が実施の形態１
と同様に０．１７２μｍとすれば、５５×０．０００８
／０．０００２＝約１４（ｓｅｃ）だけ現像時間を追加
することで、合計２０秒足らずで０．１μｍ幅のレジス
トパターン２を得ることができる。あるいは、露光時間
が短く、現像を開始してから５ｓｅｃ後のレジスト２ａ
のラインの寸法が０．１８８μｍであれば（０．１８８
−０．１）／（０．０００８×２）＝５５（ｓｅｃ）だ
け現像時間を追加する。

【００３６】次に、２種類のレジストの溶解速度特性曲
線を図２１に示す。未露光部Ｒ２の溶解速度は、一方の
レジストが０．０５ｎｍ／ｓｅｃ、他方が０．５ｎｍ／
ｓｅｃである。未露光部Ｒ２の溶解速度が０．２ｎｍ／
ｓｅｃ（一方のレジストの溶解速度特性曲線の変化点）
以上、１．５ｎｍ／ｓｅｃ（他方のレジストの溶解速度
特性曲線の変化点）以下であれば、本発明による現像時
間を従来による一般的な現像時間と同程度にすることが
できる。

【００３７】図２１の２種類のレジストはどちらもＫｒ
Ｆである。ＫｒＦのレジストではＰＨＳ樹脂の水酸基の
一部を保護化している。保護化率を低減することによっ
て、溶解速度を速くすることができる。保護化率の低減
は、例えば、レジストに含めるＰＶＰ（Poly-Vinyl-phe
nol）とｔ−ＢＯＣ（tertialy Butoxy Carbonyl）との
割合を調節すれば可能である。しかし、保護化率を低減
すると、露光部Ｒ１と未露光部Ｒ２との境界を溶解する
際に急峻さを決定する、溶解速度の変化率（傾きγ）が
一般的に低下する。図５でも、発明のレジストの方は傾
きγが滑らかになっている。この傾きγが極端に低下し
ないように、レジストに添加物（例えば、塩基性アミ
ン）を入れて調整できる。この２種類のレジストを用い
たときのシミュレーションの結果を図２２及び図２３に
示す。

【００３８】図２２及び図２３の横軸は後述のデフォー
カス（単位μｍ）であり、縦軸はデフォーカスで得られ
るレジストパターン２のラインの寸法であって、現像を
開始した時点から６０ｓｅｃ後の寸法（単位μｍ）であ
る。条件としては、露光光の波長を２４８ｎｍ（Ｋｒ
Ｆ）、投影レンズＳＤの開口数（レンズの大きさ）ＮＡ
＝０．６になるように設定した。照明は通常照明（σ＝
０．７５）を用いた。レチクルＳＣのパターンＰ１のラ
インの寸法とスペースの寸法とをそれぞれ０．１４μ
ｍ，０．２４μｍにした。また、寸法精度の向上を図る
ためにレジスト２ａの上面と下面とにＴＡＲＣ及びＢＡ
ＲＣ（ＡＲＣ：反射防止膜）を設けた。ＴＡＲＣ、レジ
スト２ａ、ＢＡＲＣの厚さはそれぞれ４３０オングスト
ローム、７６００オングストローム、８００オングスト
ロームである。図２２は本発明のレジストを用いた場
合、図２３は従来のレジストを用いた場合である。露光
量も様々に変えてみた。グラフの上の曲線ほど、露光量
が小さい。

【００３９】図２３の従来のレジストの場合では、デフ
ォーカスの影響が最も少ないラインの寸法ＣＤ（ピポタ
ル寸法）は約０．１５μｍである。次に、現像を開始し
てから６０秒後に、ラインの寸法ＣＤが約０．１０μｍ
になるように、露光量を設定した場合、デフォーカスが
変動すると、寸法ＣＤも大きく変化する。

【００４０】一方、図２２の本発明のレジストの場合で
は、ピボタル寸法は約０．０８μｍ〜約０．０９μｍで
ある。このように、本発明のレジストを用いれば、従来
と同じ現像時間で、しかも従来よりもデフォーカスのマ
ージンを広くして、約０．１０μｍの寸法のラインのレ
ジストパターン２を形成できる。

【００４１】デフォーカスが変化しても、レジストの寸
法が変化しないようにするためには、従来では、露光部
Ｒ１内の溶解速度と未露光部Ｒ２内の溶解速度との差を
大きくすればよいと言われていた。しかし、図２１から
検討すると、露光部Ｒ１と未露光部Ｒ２との境界を溶解
するときが最もレジストの除去量にバラツキが生じやす
い。したがって、傾きγが極めて高いと、溶解速度が露
光部のレベルから未露光部のレベル（図２１の発明のレ
ジストでは３００ｎｍ／ｓｅｃから０．４ｎｍ／ｓｅ
ｃ）へ移り変わる時間が非常に短くなり、上記のバラツ
キが小さくなる。よって、未露光部の溶解速度を高くし
たとしても、傾きγが高ければ、デフォーカスが変化し
ても、レジストの寸法が変化しないようにすることがで
きる。

【００４２】変形例．なお、上記のレジスト２ａは、ポ
ジ型であるが、これに代えて、ネガ型でもよい。レジス
トがネガ型の場合は、露光部（第２の領域）の現像液に
対する溶解速度が非露光部（第１の領域）よりも低くな
る。

【００４３】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、ステッ
プ（ｂ）において行われる選択的な露光において区別さ
れる露光領域／非露光領域の寸法よりも、より細かな寸
法でレジストをパターニングすることができる。しか
も、パターニングされたレジストが得られるまでは、レ
ジストを第１の速度で迅速に溶解し、その後第２の速度
でゆっくりと溶解するので、第２の領域に対して細かな
パターニングを行うための時間設定に大きなマージンを
許すことができる。

【００４４】請求項２に記載の発明によれば、例えば、
複数の第３の領域を当該第３の領域１つ分だけ空けて配
置すれば、フォーカスのマージンを大きくすることがで
きる。

【００４５】請求項３に記載の発明によれば、細長い配
線形成用に適用することが、微細化、フォーカスのマー
ジン等のおいて効果的である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１のレジストのパターニ
ング方法を説明するための断面図である。

【図２】 本発明の実施の形態１のレジストのパターニ
ング方法を説明するための平面図である。

【図３】 本発明の実施の形態１のレジストのパターニ
ング方法を説明するための断面図である。

【図４】 本発明の実施の形態１のレジストのパターニ
ング方法を説明するための平面図である。

【図５】 本発明の実施の形態１のレジストのパターニ
ング方法を説明するための断面図である。

【図６】 本発明の実施の形態１のレジストのパターニ
ング方法を説明するための断面図である。

【図７】 本発明の実施の形態１のレジストのパターニ
ング方法で用いる露光装置を示す概念図である。

【図８】 本発明の実施の形態１のレジストのパターニ
ング方法を説明するための平面図である。

【図９】 本発明の実施の形態１の説明のレジストのパ
ターニング方法を説明するために用いる通常照明を示す
平面図である。

【図１０】 本発明の実施の形態１の説明のレジストの
パターニング方法を説明するために用いる変形照明を示
す平面図である。

【図１１】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するためのグラフである。

【図１２】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するためのグラフである。

【図１３】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するためのグラフである。

【図１４】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するためのグラフである。

【図１５】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するためのグラフである。

【図１６】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するためのグラフである。

【図１７】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するための実験写真を模写した図であ
る。

【図１８】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するための実験写真を模写した図であ
る。

【図１９】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するための平面図である。

【図２０】 本発明の実施の形態１のレジストのパター
ニング方法を説明するための平面図である。

【図２１】 本発明の実施の形態２のレジストのパター
ニング方法を説明するためのグラフである。

【図２２】 本発明の実施の形態２のレジストのパター
ニング方法を説明するためのグラフである。

【図２３】 従来のレジストのパターニング方法を説明
するためのグラフである。

【符号の説明】

１ 下地層、２ レジストパターン、２ａ レジスト、
Ｒ１ 露光部、Ｒ２未露光部。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）下地層上にレジストを形成するステ
   ップと、（ｂ）前記レジストに対して選択的に露光を行
   い、露光部と未露光部とを形成するステップと、（ｃ）
   前記露光部及び前記未露光部のうちの一方を第１の領域
   とし、現像液に対する溶解速度が前記第１の領域よりも
   低い他方を第２の領域として、前記ステップ（ｂ）の後
   に前記レジストに対して前記現像液を用いて現像処理を
   行って、 （ｃ−１）前記第１の領域において前記レジストをその
   厚さ方向に第１の速度で除去する工程と、 （ｃ−２）前記工程（ｃ−１）の後に、前記第２の領域
   において前記第１の速度よりも遅い第２の速度で除去す
   る工程と、を有するステップと、を備えるレジストのパ
   ターニング方法。
2. 【請求項２】 前記第２の領域は前記第１の領域によっ
   て同じ大きさ形に区画して並べられた複数の第３の領域
   を含み、前記複数の第３の領域は少なくとも当該第３の
   領域１つ分空けて配置されている請求項１記載のレジス
   トのパターニング方法。
3. 【請求項３】 前記複数の第３の領域の各々は細長い配
   線形成用である請求項２記載のレジストのパターニング
   方法。