KR950021055A - 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하프톤형 위상반전마스크 및 그 제조방법에 관한것으로서 투명기판에서 노광영역상에 위상반전물질층 패턴과 광차단에 충분한 두께의 크롬층패턴을 형성한 수, 상기 크롬층패턴의 에지 부분을 노출시키는 포지티브 감광막 패턴을 높은 에너지의 광으로 후면 노광하여 형성한 후, 상기 노출되어 있는 크롬층패턴을 소정두께 제거하여 광의 5~50% 정도를 투과시키는 턱을 형성하였으므로, 하프톤형 위상반전마스크의 에지 부분에서의 회절 및 광투과막에서의 투과된 광에 의한 노광효과를 방지하여 감광막패턴이 에지 부분에서 얇아지지 않으므로 식각이나 이온주입 공정시 하층의 손상이 방지되어 소정의 공정수율 및 신뢰성이 향상된다.

Description

하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본발명에 따른 하프톤형 위상반전마스크의 단면도.
제4도는 제3도의 하프톤형 위상반전마스크를 사용한 위치에 따른 빛의 세기를 나타내는 그래프.
제5도는 (a)-(d)는 본발명에 따른 하프톤형 위상반전마스크의 제조 공정도.

Claims (4)

  1. 투명기판상에 형성되어 있는 노광영역을 정의하는 위상반전물질층 패턴과, 상기 위상반전물질층 패턴상에 광차단을 위하여 형성되어 있는 광차단막 패턴과, 상기 광차단막 패턴의 에지 부분이 소정두께 제거되어 빛이 통과되는 턱을 구비하는 하프톤형 위상반전마스크.
  2. 투명기판상에 위상반전물질층을 형성하는 공정과, 상기 위상반전물질층상에 광차단막을 형성하는 공정과, 상기 광차단막과 위상반전물질층의 노광지역 부분을 순차적으로 제거하여 광차단막패턴과 위상반전물질층패턴을 형성하는 공정과, 상기 광차단막패턴의 에지 부분을 소정두께 식각하여 광이 소정비율로 투과되는 턱을 형성하는 공정을 구비하는 하프톤형 위상반전마스크의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광차단막의 에지 부분식각 공정은 포지티브 감광막을 상측표면에 도포한후, 후면 노광하여 상기 광차단막 패턴의 에지 부분에서의 광희절에 의해 광차단막 패턴의 에지 부분이 노출되는 감광막패턴을 형성하여 이를 마스크로 식각하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전마스크의 제조방법.
  4. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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