KR970048985A - 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents
더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
차광막을 이용하여 상기 더미 패턴이 커지는 것을 바어지한 하프톤형 위상 반점 마스크에 관하여 개시한다. 본 발명은 주패턴 및 더미 패턴을 포함하는 하프톤형 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 주패턴 및 더미패턴의 모서리를 감싸며 차광하는 보조 패턴이 형성되어 있다. 본 발명의 하프톤형 위상 반전 마스크는 종래의 경우와 달리 상기 하프톤형 시프터에 언터것이 발생하여도 상기 보조 패턴에 위하여 보호되기 때문에 상기 더미 패턴의 크기에 아무런 영향을 주지 않고, 하프톤형 위상 반전 마스크의 효과에 상기 더미 패턴의 효과를 가져올수 있다. 따라서, 미세크기의 접촉창 패턴에 해상도를 중가시키는 장점을 가진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의하여 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크를 보여주는 평면도이다.
Claims (2)
- 주패턴 밑 더미 패턴을 포함하는 하프톤형 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 주패턴 및 더미 패턴의 모서리를 감싸며 차광하는 보조 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상 반전 마스크.
- 투명한 기판 위에 하프톤형 시프터.치광막 및 제1감광막을 순서대로 형성하는 단계; 상기 제1감광막을 패턴닝하는 단계; 상기 차광막 및 상기 하프톤형 시프터를 식각하는 단계; 제1감광막을 제거하는 단계; 상기 차광막 위에 네가티브형의 제2감광막을 형성하는 단계; 상기 투명한 기판 쪽에서 노광하여 제2감광막을 패턴닝하는 단계; 상기 차광막을 식각하는 단계; 및 상기 제2감광막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상 반전 마스크의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950056970A KR970048985A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 |
US08/774,106 US5789116A (en) | 1995-12-26 | 1996-12-24 | Half-tone phase shift masks and fabricating methods therefor including phase shifter pattern and phase shifting groove |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950056970A KR970048985A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970048985A true KR970048985A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=19444576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950056970A KR970048985A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5789116A (ko) |
KR (1) | KR970048985A (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW365654B (en) * | 1997-07-01 | 1999-08-01 | Matsushita Electronics Corp | Electronic device phase shift mask and method using the same |
US5965303A (en) * | 1997-10-27 | 1999-10-12 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a phase shift mask utilizing a defect repair machine |
US6258490B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Transmission control mask utilized to reduce foreshortening effects |
US6466373B1 (en) | 1999-10-07 | 2002-10-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Trimming mask with semitransparent phase-shifting regions |
US6261725B1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-07-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Phase angle modulation of PSM by chemical treatment method |
JP2001201842A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
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US6277528B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to change transmittance of attenuated phase-shifting masks |
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KR20040005052A (ko) * | 2002-07-08 | 2004-01-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
DE10237344A1 (de) * | 2002-08-14 | 2004-03-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Phasenmaske |
US20050019673A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-01-27 | Kunal Taravade | Attenuated film with etched quartz phase shift mask |
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JP2007279440A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH067263B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1994-01-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 光可溶化組成物 |
JP2980149B2 (ja) * | 1993-09-24 | 1999-11-22 | 富士通株式会社 | レジスト材料およびパターン形成方法 |
KR0151427B1 (ko) * | 1994-03-04 | 1999-02-18 | 문정환 | 위상 반전마스크 및 그의 제조방법 |
US5480747A (en) * | 1994-11-21 | 1996-01-02 | Sematech, Inc. | Attenuated phase shifting mask with buried absorbers |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950056970A patent/KR970048985A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-12-24 US US08/774,106 patent/US5789116A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5789116A (en) | 1998-08-04 |
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