KR930001301A - 반도체 패턴 형성방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

반도체 패턴 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 포지티브 PR을 사용한 본 발명에 따른 패턴 형성 구성도.

제2도는 네가티브 PR을 사용한 본 발명에 따른 패턴 형성 구성도.

Claims (5)

1. 사진공정을 이용한 반도체 패턴 형성시 통상의 방법으로 기판(1)에 도전막 또는 절연막(3)을 형성한 후 그 상부에 포지티브 PR(5) 혹은 네가티브 PR(5')을 도포하여 감광막으로 사용하여 패턴을 형성하는데 있어서, 2개이상의 분리된 마스크인 제1마스크(6) 및 제2마스크(8)를 이용하여 노광영억을 형성한 후 노광된 포지티브 PR영역(7,9) 혹은 노광되지 않은 네가티브 PR(5') 영역을 선택 제거하여 PR패턴(PT)을 형성하며, 상기 PR패턴(PT)을 마스크로 하여 하부의 도전막 또는 절연막(3)을 선택 식각하여 노광 장치가 갖는 해상능력 이하의 미세패턴을 형성함을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1,2 마스크(6,8)는 형성해야할 패턴이 라인(L)과 스페이스(S)로 이루어질때 피치는 L+S이고 노광장치의 축소비율이 1/N(N=1,2,3…)이면 n(n=2,3,4…)개의 마스크로 분리될때 마스크라인의 치수(CD:Critical Dimension)는 포지티브 PR을 사용하는 마스크의 경우 N[nL+(n-1)S]로 하고, 스페이스의 CD는 NS로 하여 피치가 Nn(L+S)이 되게 하여 n개의 마스크 패턴이 서로에 대하여 NL만큼 이동되게 제조하며, 네가티브 PR을 사용하는 마스크의 경우 마스크라인의 치수는 N[ns+(n-1)]으로 하고 스페이스의 치수는 NL으로 하여 마스크 피치는 Nn(L+S)가 되게 하고 n개의 마스크 패턴이 각각에 대해 NS만큼 이동된 스페이스를가지도록 제조함을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1,2 마스크(6,8)의 라인(L)이나 스페이스(S)는 노광공정에 따라 축소 또는 확대함을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 PR패턴(PT)은 단 한번의 현상공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 PR패턴(PT)을 마스크로 식각공정 혹은 이온주입공정을 실시함을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.