KR930006839A - 반도체 제조공정의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조공정의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 도전층 또는 절연층의 패턴 선폭을 사진현상 기술에 의해 형성할 수 있는 최소선폭 이하로 형성하기 위하여 제1패턴 마스크, 제2 마스크를 이용하여 패턴공정을 실시하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1H도는 본 발명에 의해 도전층 또는 절연층을 미세패턴으로 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 제조공정에 있어서, 도전층 패턴선폭을 사진현상 기술에 의해 형성할 수 있는 최소선폭이하로 형성하기 위하여, 기판 상부의 예정된 영역에 전체적으로 도전층을 형성하고, 그 상부에 제1감광막을 형성하는 단계와, 제1패턴마스크를 이용하여 예정된 부분의 제1감관막을 노광시키고 노광된 제1감광막을 현상하여 제거한 다음, 노출된 도전층을 식각하는 단계와, 제1감광막을 제거하고, 다시 남아있는 도전층 및 전체구조 상부에 제2감광막을 형성한 다음, 제2패턴마스크를 이용하여 상기 제2감광막을 노광시키는 단계와, 상기 노광된 제2감광막을 현상공정으로 제거하여 상기 도전층의 단부에 제2감광막이 일부 겹치게 한후, 노출되는 도전층을 식각하여 도전층 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 제조공정의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 상부의 예정된 영역에 전체적으로 도전층을 형성하여 최소선폭 이하의 도전층 패턴을 형성하는 대신에 절연층을 최소선폭 이하의 절연층 패턴으로 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910016517A KR930006839A (ko) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 반도체 제조공정의 미세패턴 형성방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910016517A KR930006839A (ko) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 반도체 제조공정의 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930006839A true KR930006839A (ko) | 1993-04-22 |
Family
ID=67433678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910016517A KR930006839A (ko) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 반도체 제조공정의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930006839A (ko) |
-
1991
- 1991-09-20 KR KR1019910016517A patent/KR930006839A/ko not_active Application Discontinuation
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