KR950027948A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판의 상부에 하부층을 형성하고 그 상부에 G라인을 감광막, LPD 및 I라인용 감광막을 적층한 후, 콘택홀을 형성하기위한 마스크를 사용하여 I라인의 광으로 상기 I라인용 감광막을 노광하고 현상공정으로 I라인용 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 I라인용 감광막패턴을 마스크로하여 하부의 LPD를 식각하여 LPD패턴을 형성하고 상기 I라인용 감광막패턴과 LPD패턴을 마크로하여 하부의 G라인용 감광막을 노광한후, 현상공정으로 G라인용 감광막패턴을 형성하고 상기 I라인용 감광막패턴과 LPD패턴 그리고 상기 G라인용 감광막패턴을 마스크로하여 공지의 기술로 하부층을 식각함으로써 반도체기판 상부에 콘택홀을 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게하고 반도체소자의 해상력을 높이는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명의 실시예로 반도체소자의 콘택홀 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체기판 상부에 하부층을 형성한 다음, 그상부에 G라인용 감광막, LPD 및 I라인용 감광막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에 콘택홀을 형성하기 위한 마스크를 사용하여 상기 I라인용 감광막을 I라인으로 노광하고 형상공정을 실시하여 I라인용 감광막패턴을 형성하는 공정과 상기 I라인용 감광막패턴과 LPD패턴을 마스크로 하여 하부의 G라인용 감광막을 G라인으로 노광하고 현상공정을 실시하여 G라인용 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 각각의 패턴을 마스크로하여 공지의 기술로 하부층을 식각하는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 LPD는 형성하지 않고 G라인용 감광막 I라인용 감광막만을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 I라인용 감광막 LPD 및 I라인용 감광막의 두께는 각각 1.2㎛, 0.1㎛ 그리고 0.5㎛정도로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940004574A KR950027948A (ko) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940004574A KR950027948A (ko) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950027948A true KR950027948A (ko) | 1995-10-18 |
Family
ID=66689534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940004574A KR950027948A (ko) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950027948A (ko) |
-
1994
- 1994-03-09 KR KR1019940004574A patent/KR950027948A/ko not_active Application Discontinuation
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