KR950001893A - 초미세 콘택홀 형성 방법 - Google Patents

초미세 콘택홀 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950001893A
KR950001893A KR1019930010711A KR930010711A KR950001893A KR 950001893 A KR950001893 A KR 950001893A KR 1019930010711 A KR1019930010711 A KR 1019930010711A KR 930010711 A KR930010711 A KR 930010711A KR 950001893 A KR950001893 A KR 950001893A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive film
contact hole
mask
developing
phase
Prior art date
Application number
KR1019930010711A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960008560B1 (en
Inventor
함영목
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR93010711A priority Critical patent/KR960008560B1/ko
Publication of KR950001893A publication Critical patent/KR950001893A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960008560B1 publication Critical patent/KR960008560B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼(6) 상에 제 1 감광막(14)를 도포하고 위상반전 마스크를 사용하여 감광막(14)을 노광하는 단계와 ; 상기 노광된 감광막을 현상하여 1차 현상 공정후의 감광막 형태(16)를 베이크(bake)하는 단계와 ; 제 2 감광막(18)을 도포하여 상기 위상반전 마스크로 현상한 콘택홀의 바닥 폭보다 큰 위상 비반전 콘택홀 패턴 마스크로 노광하는 단계와 ; 상기 제 2 감광막(18)을 현상하여 최종 콘택홀인 2차 현상 공정후의 감광막 형태(21)를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것으로, 반도체 소자의 제조 공정에 따른 미세 콘택제조 공정에 있어서의 노광 장비의 한계를 극복할 수 있으므로 고집적 소자를 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

초미세 콘택홀 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성을 위한 위상 반전 마스크 평면도, 제5도는 제4도의 위상 반전 마스크에 대한 웨이퍼상의 광 분포도, 제6도는 제4도의 위상 반전 마스크를 사용하여 노광후 현상한 웨이퍼 단면도이다.

Claims (5)

  1. 초미세 콘택홀 형성 방법에 있어서, 웨이퍼(6)상에 제1감광막(14)을 도포하고 위상 반전 마스크를 사용하여 감광막(14)을 노광하는 단계와, 상기 노광된 감광막을 현상하여 1차 현상 공정후의 감광막 형태(16)를 베이크(bake)하는 단계와, 제2감광막(18)을 도포하여 상기 위상 반전 마스크로 현상한 콘택홀의 바닥폭보다 큰 위상 비반전 콘택홀 패턴마스크로 노광하는 단계와, 상기 제2감광막(18)을 현상하여 최종 콘택홀인 2차 현상 공정후의 감광막 형태(21)를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초미세 콘택홀 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1감광라(14)의 두께는 0.3∼0.5㎛인 것을 특징으로 하는 초미세 콘택홀 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 위상 반전 마스크로 현상된 1차 현상 공정후의 감광막 형태(16)의 두께를 0.20㎛로하는 것을 특징으로 하는 초미세 콘택홀 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 위상 반전 마스크로 현상된 1차 현상 공정후의 감광막 형태(16)의 콘택 폭은 0.1∼0.2㎛가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 초미세 콘택홀 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 위상 비반전 마스크의 콘택홀 패턴은 위상 반전 마스크로 현상된 콘택홀의 바닥 폭보다 0.1∼0.2㎛ 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 초미세 콘택홀 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93010711A 1993-06-12 1993-06-12 Super fine contact hall forming method KR960008560B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR93010711A KR960008560B1 (en) 1993-06-12 1993-06-12 Super fine contact hall forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR93010711A KR960008560B1 (en) 1993-06-12 1993-06-12 Super fine contact hall forming method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950001893A true KR950001893A (ko) 1995-01-04
KR960008560B1 KR960008560B1 (en) 1996-06-28

Family

ID=19357303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR93010711A KR960008560B1 (en) 1993-06-12 1993-06-12 Super fine contact hall forming method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960008560B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960008560B1 (en) 1996-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970018110A (ko) 반도체장치의 패턴 형성방법
JPH05243115A (ja) 半導体装置の製造方法
KR950001893A (ko) 초미세 콘택홀 형성 방법
KR930018661A (ko) 콘택트홀의 형성방법
KR970049060A (ko) 다중 노광에 의한 미세 패턴 형성 방법
KR950021040A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR100436771B1 (ko) 반도체소자의감광막패턴형성방법
KR960012332A (ko) 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
KR960002592A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR950015617A (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
KR970003523A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR940015681A (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
KR970054993A (ko) 부분 회절 격자 형성 방법
KR950015577A (ko) 반도체소자의 제조방법
KR950027948A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR950012588A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR950025485A (ko) 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법
KR950021158A (ko) 광학적 스텝퍼를 이용한 금속반도체 전계효과 트랜지스터의 미세선폭 형성방법
JPH04186641A (ja) 半導体装置の製造方法
KR950024261A (ko) 림(Rim)형 위상반전마시크 및 그 제조방법
KR20020010294A (ko) 미세 콘택홀 형성방법
KR970003415A (ko) 반도체 기판상에 감광막 패턴을 형성하는 방법
KR970072014A (ko) 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법
KR940016689A (ko) 반도체 소자의 금속배선 평탄화 방법
KR970013064A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100524

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee