KR950025485A - 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 감광막 패턴 제조방법에 관한 것으로서, 서로 다른 노광에너지 영역에서 반응하는 포지티브 및 네가티브 감광제가 소정의 당량비로 혼합된 감광막을 도포한 후, 소정의 노광에너지로 노광하여 감광막 패턴을 형성하였으므로, 다양한 크기의 노광마스크 CD에 대한 일정한 크기의 DICD를 얻을 수 있어 공정이 안정화되어 공정수율 및 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 각각의 감광제를 사용하는 종래기술에 비해 공정마진이 증가된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(A) 및 (B)는 포지티브 및 네가티브감광막의 노광에너지에 따른 현상후 감광막 두께와의 그래프,
제2도는 본 발명에 따른 반도체소자의 미세패턴 제조방법을 설명하기 위한 개략도,
제3도는 본 발명에 따른 감광막 패턴의 DICD에 대한 노광에너지의 그래프.
Claims (2)
- 반도체기판상에 서로 다른 영역의 노광에너지에 반응하는 포지티브 및 네가티브 감광제가 소정 당량비로 혼합된 혼합 감광막을 도포하는 공정과, 상기 혼합 감광막을 선택노광한 후 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서. 상기 혼합 감광막 도포 공정을 포지티브감광액을 일차로 도포한 후, 그 상측에 네가티브 감광액을 도포하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 감광막 패턴 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940001961A KR950025485A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940001961A KR950025485A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025485A true KR950025485A (ko) | 1995-09-15 |
Family
ID=66663500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940001961A KR950025485A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025485A (ko) |
-
1994
- 1994-02-03 KR KR1019940001961A patent/KR950025485A/ko not_active Application Discontinuation
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