KR910001460A - 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선 방법 - Google Patents

포토레지스트의 측벽 프로파일 개선 방법 Download PDF

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KR910001460A
KR910001460A KR1019890007680A KR890007680A KR910001460A KR 910001460 A KR910001460 A KR 910001460A KR 1019890007680 A KR1019890007680 A KR 1019890007680A KR 890007680 A KR890007680 A KR 890007680A KR 910001460 A KR910001460 A KR 910001460A
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Abstract

내용 없음

Description

포토레지스트의 측벽 프로파일 개선 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 개선된 포토레지스트의 구조를 나타낸 도면으로서, (A)는 웨이퍼위에 도포된 후의 단면도, (B)는 노광 후의 단면도, (B)는 현상후의 네가티브 포토레지스트의 단면도, (C)는 현상후의 포지티브 포토레지스트의 단면도이다.

Claims (4)

  1. 기판상에 포토레지스트를 도포하고, 노광 후 베이크공정을 수행하며, 베이크공정후 현상하여 레지스트 패턴이 형성되게 하는 반도체 장치의 사진공정에 있어서, 상기 포토레지스트는 서로 다른 감도를 갖는 상부 및 하부 포토레지스트(21),(22)가 도포되어 적층구조로 형성되어 지는 것을 특징으로하는 포토레지스터의 측벽 프로파일 개선방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부 포토레지스트(22)는 하부 포토레지스트(21)보다 감도가 작은 물질이 도포되어지는 것을 특징으로하는 포토레지스터의 측벽 프로파일 개성방법.
  3. 제2항에 있어서, 노광시 자외선을 사용하는 경우 상부포토레지스트(22)로 TSMR-8800 또는 TROCY 914잉 사용되고, 하부 포토레지스트(21)로 Shipley 1400-27가 사용되는 것을 특징으로하는 포토레지스트의 측벽프로파일 개선방법.
  4. 제2항에 있어서, 노광시 전자빔을 사용하는 경우 상부 포토레지스트(22)로 OEBR-1000이 사용되고, 하부 포토레지스트(21)로 CFGR-2010이 사용되는 것을 특징으로하는 포토레지스터의 측벽 프로파일 개선방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890007680A 1989-06-03 1989-06-03 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선방법 KR910006040B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100433462B1 (ko) * 2001-03-02 2004-05-31 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 패턴형성방법 및 이 패턴형성방법을 이용한액정표시장치의 제조방법
KR200475536Y1 (ko) * 2013-12-30 2014-12-09 두산인프라코어 주식회사 관절식 붐 장착 굴삭기의 오토 아이들 해제장치

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