KR970076078A - 고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체기판 상에 패터닝하고자 하는 물질막을 형성하는 단계와, 상기 물질막 상에 상기 물질막의 소정영역을 노출시키는 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴을 경화시키는 단계와, 상기 결과물 전면에 제2포토레지스트막을 도포하는 단계와, 상기 제2포토레지스트막을 프리 베이크하는 단계와, 상기 프라베이크된 제2포토레지스트막을 전면노광시키는 단계와, 상기 전면노광된 제2포토레지스트막을 후노광 베이크하여 상기 경화된 제1포토레지스트 패턴 측벽에 상기 경화된 제1포토레지스트 패턴과 상기 전면노광된 제2포토레지스트막이 서로 반응되어 상기 물질막에 대한 식각 선택비가 우수한 혼합 물질막을 형성하는 단계와, 상기 후노광 베이크된 제2포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 제1포토레지스트 패턴 측벽에 혼합 물질막을 형성함으로써, 혼합물질막 및 제1포토레지스트 패턴을 식각 마스크로하여 물질막을 시작할 경우 물질막 패턴 사이의 간격을 노광장비의 한계 해상도 보다 작게 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의한 미세패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체기판 상에 패터닝하고자 하는 물질막을 형성하는 단계; 상기 물질막 상에 상기 물질막의 소정영역을 노출시키는 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트 패턴을 경화시키는 단계; 상기 결과물 전면에 제2포토레지스트막을 도포하는 단계; 상기 제2포토레지스트막을 프리 베이크하는 단계; 상기 프리베이크된 제2포토레지스트막을 전면노광시키는 단계; 상기 전면노광된 제2포토레지스트막을 후노광 베이크하여 상기 경화된 제1포토레지스트 패턴 측벽에 상기 경화된 제1포토레지스트 패턴과 상기 전면노광된 제2포토레지스트가 서로 반응된 혼합 물질을 형성하는 단계; 및 상기 후노광 베이크된 제2포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 후노광 베이크된 제2포토레지스트막을 제거하는 현상액을 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1포토레지스트 패턴을 경화시키는 단계는 자외선을 이용하는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018220A KR970076078A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018220A KR970076078A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076078A true KR970076078A (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=66283992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018220A KR970076078A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 고집적 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970076078A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333035B1 (ko) * | 1998-08-06 | 2002-04-24 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치 |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018220A patent/KR970076078A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333035B1 (ko) * | 1998-08-06 | 2002-04-24 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치 |
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