KR950027929A - 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 위상반전 마스크(Phase Shift Mask)를 제조하는 방법에 관한 것으로, 빛 투과영역과 비투과영역을 설정하는 감광막 패턴을 석영기판상에 형성한 다음, 상기 감광막 패턴을 이용한 식각공정으로 석영기판을 소정깊이 식각하여 빛 투과영역에 식각홈을 형성하고, 식각되지 않은 빛 투과영역의 석영기판상에 양감광막을 이용한 후면노광법으로 폭이 좁은 크롬패턴을 형성하므로써, 빛 투과시에 상기 빛 투과영역과 비투과영역의 경계를 이루는 식각홈의 가장자리부분에서 위상반전이 180° 일어나 빛 투과 강도를 0(Zero)으로 만들기 때문에 반도체 패턴형성시 공정마진 및 해상력을 증대시켜 고집적 반도체 소자의 제조공정에도 적용시킬 수 있는 림형(Rim Type)의 위상반전 마스크를 제조하는 방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1G도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 위상 반전 마스크를 제조하는 단계를 도시한 단면도,

제2도는 본 발명의 위상반전 마스크의 빛 강도 분포도.

Claims (3)

1. 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법에 있어서, 소정의 석영기판(1)상에 전자 빔으로 제1감광막(2)을 패턴화하여 빛 투광영역(A)과 빛 비투과영역(B)을 설정하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 제1감광막(2)을 식각 정지층으로 한 비등방성 식각방식으로 석영기판(1)의 노출부위인 빛 투과영역(A) 부분을 소정깊이로 식각하여 식각홈(3)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 제1감광막(2)을 제거한 후 상기 식각홈(3)이 형성된 석영기판(1) 전체면 상부에 제2감광막(4)을 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 에치 백공정으로 상기 제2감광막(4)을 식각홈(3) 저면부에 소정의 두께만 남도록 식각한 다음, 경화공정을 통하여 경화감광막(4A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조 상부에 제3감광막(5)을 도포한 후, 후면 노광공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 제3감광막(5)의 노광부분을 현상하여 식각홈(3) 측벽을 중심으로 패턴화된 제3감광막(5A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 빛 투과영역(B)에 노출된 석영기판(1) 표면과 빛 투과영역(A)에 노출된 경화 감광막(4A) 표면에 크롬(6)을 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 제3감광막(5A) 및 경화 감광막(4A)을 제거하여 빛 투과영역(B)의 석영기판(1)상에 폭이 좁게 형성된 크롬(6)과 빛 투과영역(A)의 석영기판(1)에 식각홈(3)이 형성된 림형 위상반전 마스크(10)를 완성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 빛 투과영역(A)과 빛 투과영역(B)의 경계부분인 식각홈(3) 측벽에서 180° 위상반전이 일어나 빛 강도를 0으로 되게하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제3감광막(5)은 양감광막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.