KR950024275A - 미세 레지스트 패턴형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리화 공정과 알칼리 표면처리 공정을 병용하여 선폭 편차문제와 상면 돌출문제를 해결할 수 있는 개선된 미세 레지스트 패턴 형성방법으로서, 실리콘 기판상에 포토레지스트막을 도포하는 스텝과, 도포된 레지스트막을 알라칼리 용액으로 표면처리하여 1차 난용층을 형성하는 스텝과, 노광용 마스크를 사용하여 레지스트 막을 노광시켜 노광된 부분에 잠재 이미지 패턴을 형성하는 스텝과, 노광된 레지스트막을 1차 난용층의 두께만큼 선택적으로 식각하여 비노광된 레지스트막과의 표면 단차를 형성하는 스텝과, 실리화 공정을 수행하여 식각된 노광된 레지스트막의 펴면에 실리화층을 형성하는 스텝과, 실리화층을 마스크로 비노광된 레지스트막을 O2RIE법으로 제거하는 스텝과, 실리화층을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 스텝을 포함한다.

Description

미세 레지스트 패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도 (A)-(F)는 본 발명의 제1실시예에 따른 미세 레지스트 패턴 형성공정도
제8도는 제7도 (E)의 SEM사진
제9도 (A)-(F)는 본 발명의 제2실시예에 따른 미세 레지스트 패턴 형성공정도

Claims (3)

  1. 실리콘기판(61)상에 레지스트막(62)을 도포하는 스텝과, 도포된 레지스트막(62)을 알칼리 용액으로 표면처리하여 1차 난용층(63)을 형성 하는 스텝과, 노광용 마스크(64)를 사용하여 레지스트막(62)을 노광시켜 노광된 부분(62-1)에 잠재 이미지 패턴(65)을 형성하는 스텝과, 노광된 레지스트막(62-1)을 일정 깊이만큼 선택적으로 식각하여 비노광 레지스트막(62-2)과의 표면단차를 형성하는 스텝과, 실리화공정을 수행하여 식각된 노광 레지스트막(62-1)의 표면에 실리화층(67)을 형성하는 스텝과, 비노광 레지스트막(62-2)을 식각하는 스텝과, 실리화층(67)을 제거하여 레지스트 패턴(62′)을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 레지스트 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 레지스트막(62)은 자외선(UV), 딥자외선(DUV), 전자빔 및 X선등에 감광되는 레지스트막인 것을 특징으로 하는 미세 레지스트 패턴 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 레지스트막(62)은 양성 유기질 레지스트막인 것을 특징으로 하는 미세 레지스트 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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