KR960002597A - 미세패턴 형성방법 - Google Patents

미세패턴 형성방법

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KR960002597A
KR960002597A KR1019940015434A KR19940015434A KR960002597A KR 960002597 A KR960002597 A KR 960002597A KR 1019940015434 A KR1019940015434 A KR 1019940015434A KR 19940015434 A KR19940015434 A KR 19940015434A KR 960002597 A KR960002597 A KR 960002597A
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안창남
최병일
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김주용
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정에 있어 미세 패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히, 마스크를 통해 감광막을 노광시킨 후, 현상전 통상적으로 실시하는 포스트-익스포져-베이크의 시간을 길게하거나 또는 포스트-익스포져-베이크의 온도를 증가시켜 습식현상 임계선을 증가시키고, 이후에 현상을 실시항으로써 패턴을 형성하는 미세 패턴 형성방법이다.

Description

미세 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2a 도와 제 2b 도는 본 받명의 미세 패턴 형성방법에 따른 패턴형성시 패턴형성 상태를 도시한 도면.

Claims (1)

  1. 기판의 상부에 감광막을 증착한 후, 노광공정으로 상기 감광막의 일정부분을 노광시켜 노광영역을 형성하는 단계와, 비노광 영역의 감광막을 식각하여 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성방법에 있어서, 상기 마스크를 통해 감광막을 노광시킨 후, 포스트-익스프져-베이크의 시간을 길게하거나 또는 포스트-익스프져-베이크의 온도를 증가시키는 등의 변화를 통해 습식현상 임계선을 증가시키는 단계와, 상기 습식현상 임계선을 증가시키는 단계 이후에 현상을 실시함으로써 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함하는것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR94015434A 1994-06-30 1994-06-30 Fine patterning method of semiconductor device KR0126635B1 (en)

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KR19990066582A (ko) * 1998-01-31 1999-08-16 윤종용 Peb 시간 조절에 의한 미세패턴 형성방법

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