KR970016794A - 하프톤 위상 반전 마스크의 제조 방법 - Google Patents
하프톤 위상 반전 마스크의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
하프톤 위상반전 마스크의 제조 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 간단한 공정으로 블라인드 영역에 위상반전막과 크롬막의 이중층을 만들어 주는 제조 방법이 개시된다.
본 발명의 위상반전 마스크 제조 방법은 마스크 기판 상에 위상 반전막과 제 1감광막을 차례로 형성하는 공정 ; 상기 제 1감광막과 위상 반전막을 사진/식각하여 위상 반전 패턴을 형성하는 제 1사진/식각 공정 ; 상기 제 1사진/식각 공정의 결과물 상에 크롬막을 형성시키는 공정 ; 상기 크롬막 상에 제 2감광막을 형성하는 공정 ; 및 상기 제 2감광막과 크롬막을 사진/식각하여 블라인드 패턴을 형성하는 제 2사진/식각 공정을 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 위상반전 마스크의 제조 방법은 크롬의 습식 식각 후에 위상 반전층을 건식 식각하는 공정 순서에서 불가피하게 야기되는 물반점에 의한 결함 발생을 위상 반전층의 건식 식각 후에 크롬(블라인드층)을 습식 식각함으로써 없앨 수 있어 마스크의 제작 수유을 높이는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2A도 내지 제 2I도는 본 발명의 제조 방법을 순차적으로 보이는 공정 단면도이다.
Claims (1)
- 블라인드 패턴을 갖는 하프톤 위상반전 마스크의 제조 방법에 있어서, 마스크 기판 상에 위상 반전막과 제 1감광막을 차례로 형성하는 공정 ; 상기 제 1감광막과 위상 반전막을 사진/식각하여 위상반전 패턴을 형성하는 제 1사진/식각 공정 ; 상기 제 1사진/식각 공정의 결과물 상에 크롬막을 형성시키는 공정 ; 상기 크롬막 상에 제 2감광막을 형성하는 공정 ; 및 상기 제 2감광막과 크롬막을 사진/식각하여 블라인드 패턴을 형성하는 제 2사진/식각 공정을 포함하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032907A KR970016794A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 하프톤 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950032907A KR970016794A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 하프톤 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016794A true KR970016794A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66616053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032907A KR970016794A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 하프톤 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016794A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030052956A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및장치 |
| KR20030090877A (ko) * | 2002-05-22 | 2003-12-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 위상 반전 마스크 제조방법 |
| KR100555447B1 (ko) * | 1998-02-17 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032907A patent/KR970016794A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100555447B1 (ko) * | 1998-02-17 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| KR20030052956A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및장치 |
| KR20030090877A (ko) * | 2002-05-22 | 2003-12-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 위상 반전 마스크 제조방법 |
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