KR980003812A - 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 위상 반전 마스크는 투명한 포토마스크 기판상에 상기 기판을 일부 노출시키는 하프톤층 패턴이 형성되고, 상기 기판의 노출된 부분중 적어도 2부분에서 서로 다른 위상차를 가진다. 상기 위상차는 상기 기판의 두께차에 의해 형성되고, 또한 상기 위상차는 20° 이하이다.
본 발명에 의하면, 위상 반전 마스크중에서 반도체 장치의 단차가 있는 부분에 대응하는 부분의 위상을 변화시킴으로써 유효 DOF가 감소되는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 단차가 형성된 일반적인 반도체 장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
제2도는 단차가 있는 반도체 기판의 경우 종래의 위상 시프트 마스크에 의한 유효 DOF를 나타낸 그래프이다.
제3도는 상기 제2도의 결과를 얻는 데 사용된 위상 마스크의 단면도이다.
제4도 내지 제6도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 위상 반전 마스크를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
Claims (5)
- 투명한 포토마스크 기판상에 상기 기판을 일부 노출시키는 하프톤 패턴이 형성된 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 기판의 노출된 부분중 적어도 2부분에서 서로 다른 위상차를 가지는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 위상차는 상기 기판의 두께차에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 위상차는 20°이하인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 투명한 포토마스크 기판상에 하프톤 물질을 증착하는 단계와, 상기 하프톤 물질을 패터닝하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 하프톤층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물 일부에 포토레지스트 패턴을 형성하여 상기 노출된 기판의 일부만을 노출시키는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판의 노출된 부분을 소정의 깊이로 식각하여 홈을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 기판의 노출된 부분을 식각하는 단계는 상기 기판의 노출된 부분간의 위상차가 20°이하로 되도록 식각 깊이를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023682A KR0183891B1 (en) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Halftone phase shifting mask and the manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023682A KR0183891B1 (en) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Halftone phase shifting mask and the manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980003812A true KR980003812A (ko) | 1998-03-30 |
| KR0183891B1 KR0183891B1 (en) | 1999-04-01 |
Family
ID=19463395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023682A KR0183891B1 (en) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Halftone phase shifting mask and the manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0183891B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20180071452A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
-
1996
- 1996-06-25 KR KR1019960023682A patent/KR0183891B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0183891B1 (en) | 1999-04-01 |
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