KR970048952A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

위상반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR970048952A
KR970048952A KR1019950057126A KR19950057126A KR970048952A KR 970048952 A KR970048952 A KR 970048952A KR 1019950057126 A KR1019950057126 A KR 1019950057126A KR 19950057126 A KR19950057126 A KR 19950057126A KR 970048952 A KR970048952 A KR 970048952A
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KR
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photoresist film
etching
forming
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patterned photoresist
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KR1019950057126A
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임성출
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명의 위상반전 마스크는, 상하 가장자리 영역이 상기 가장자리를 제외한 내부 영역과 반대의 위상을 갖도록 형성된 접촉창 패턴; 및 상기 접촉장 패턴의 내부 영역의 위상과 반대의 위상을 갖는 다른 접촉장 패턴이 그 배열밀도가 높은 방향으로 교대로 형성된 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명에 의한 위상반전 마스크 및 그 제조방법은, 그 배열밀도가 높은 방향과 낮은 방향 모드에서 웨이퍼상에 전사된 패턴의 길이가 길어지는 것을 방지함으로써 접촉창 형성시의 해상도를 향성시킬 수 있다.

Description

위상반전 마스크 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도, 제3C도는 본 발명에 의한 위상반전 마스크를 제3B도는 상기 위상 반전 마스크를 통한 웨이퍼상의 패턴을 도시한 평면도,
제4G도는 본 발명에 따른 위상반전 마스크의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도.

Claims (3)

  1. 상하 가장자리 영역이 상기 가장자리를 제외한 내부 영역과 반대의 위상을 갖도록 형성된 접촉창 패턴; 및 상기 접촉장 패턴의 내부 영역의 위상과 반대의 위상을 갖는 다른 접촉장 패턴이 그 배열밀도가 높은 방향으로 교대로 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크(PSM: Phasw Shift Mask).
  2. 석영기판상에 차광층 및 ㅍ포토레지스트막을 증착하는 단계; 선택적인 노광공정을 실시하여 상기 포토레지트막을 패터닝하는 간계ㅣ 상기 패터닝된 포토레지스트막을 따라서 상기 차광층을 식각하고 상기 석영기판의 일정량을 식각한 후 상기 패터닝된 포토레지스트막을 제거함으로써 제1차 마스크를 형성하는 단계; 상기 제1차 마스크상에 포토레지스트막을 증착하고 소정 부위에 Rim형 위상 반전 마스크를 형성하기 위한 선택적인 노광 공정을 실시하여 상기 포토레지스트막을 패터닝하는 단계: 및 상기 패터닝된 포토레지스트막을 따라 상기 차광층 을 식각하고 상기 패터닝된 포토레지스트막을 제거함으로써 제2차 마스크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크(PSM: Phses Shift Mask)의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 위상반전 영역을 형성하기 위한 석영기판의 식각방법은 건식식각밥인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크(PSM: Phses Shift Mask)의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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