KR970048962A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
근접효과의 발생을 제거할 수 있는 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 그 배열밀도가 높은 방향으로는 투과하는 빛이 위상반전되지 않은 패턴과 위상반전되는 패턴이 교대로 형성된 접촉창 패턴 ; 및 그 배열빌도가 낮은 방향으로는 상기 접촉창 패턴 주위에 이 접촉창 패턴과는 투과되는 빛을 반대위상으로 반전시키는 접촉창 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 그 배열밀도가 높은 방향과 낮은 방향 모두에서 웨이퍼 상에 전사된 패턴의 길이가 길어지는 것을 방지함과 동시에 해상도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A및 제3B도는 본 발명에 따른 위상반전 마스크 구조 및 웨이퍼상의 패턴을 도시한 평면도,
Claims (3)
- 그 배열밀도가 높은 방향으로는 투과하는 빛이 위상반전되지 않은 패턴과 위상반전되는 패턴이 교대로 형성된 접촉창 패턴 및 그 배열빌도가 낮은 방향으로는 상기 접촉창 패턴 주위에 이 접촉창 패턴과는 투과되는 빛을 반대위상으로 반전시키는 접촉창 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 석영기판상에 차광층을 형성하는 공정; 상기 차광층에 대하여 사진식각공정을 거쳐 위상반전이 일어나지 않는 소정의 차광층 패턴을 형성하는 공정; 상기 차광층 패턴이 형성된 결과물 전면에 소정두께의 포토레지스트층을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트층에 대하여 노광 및 현상을 실시하여 위상반전 영역을 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정; 및 상기 포토레지스트 패턴을 적용하여 상기 석영기판을 식각함으로써 위상반전 영역을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 포토레지스트층 대신에 SOG막을 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950062172A KR970048962A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950062172A KR970048962A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970048962A true KR970048962A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66620701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950062172A KR970048962A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970048962A (ko) |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950062172A patent/KR970048962A/ko active Application Filing
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