KR970048962A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

위상반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970048962A
KR970048962A KR1019950062172A KR19950062172A KR970048962A KR 970048962 A KR970048962 A KR 970048962A KR 1019950062172 A KR1019950062172 A KR 1019950062172A KR 19950062172 A KR19950062172 A KR 19950062172A KR 970048962 A KR970048962 A KR 970048962A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
contact window
phase
phase inversion
forming
Prior art date
Application number
KR1019950062172A
Other languages
English (en)
Inventor
임성출
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950062172A priority Critical patent/KR970048962A/ko
Publication of KR970048962A publication Critical patent/KR970048962A/ko

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

근접효과의 발생을 제거할 수 있는 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 그 배열밀도가 높은 방향으로는 투과하는 빛이 위상반전되지 않은 패턴과 위상반전되는 패턴이 교대로 형성된 접촉창 패턴 ; 및 그 배열빌도가 낮은 방향으로는 상기 접촉창 패턴 주위에 이 접촉창 패턴과는 투과되는 빛을 반대위상으로 반전시키는 접촉창 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 그 배열밀도가 높은 방향과 낮은 방향 모두에서 웨이퍼 상에 전사된 패턴의 길이가 길어지는 것을 방지함과 동시에 해상도를 향상시킬 수 있다.

Description

위상반전 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A및 제3B도는 본 발명에 따른 위상반전 마스크 구조 및 웨이퍼상의 패턴을 도시한 평면도,

Claims (3)

  1. 그 배열밀도가 높은 방향으로는 투과하는 빛이 위상반전되지 않은 패턴과 위상반전되는 패턴이 교대로 형성된 접촉창 패턴 및 그 배열빌도가 낮은 방향으로는 상기 접촉창 패턴 주위에 이 접촉창 패턴과는 투과되는 빛을 반대위상으로 반전시키는 접촉창 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  2. 석영기판상에 차광층을 형성하는 공정; 상기 차광층에 대하여 사진식각공정을 거쳐 위상반전이 일어나지 않는 소정의 차광층 패턴을 형성하는 공정; 상기 차광층 패턴이 형성된 결과물 전면에 소정두께의 포토레지스트층을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트층에 대하여 노광 및 현상을 실시하여 위상반전 영역을 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정; 및 상기 포토레지스트 패턴을 적용하여 상기 석영기판을 식각함으로써 위상반전 영역을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 포토레지스트층 대신에 SOG막을 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950062172A 1995-12-28 1995-12-28 위상반전 마스크 및 그 제조방법 KR970048962A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950062172A KR970048962A (ko) 1995-12-28 1995-12-28 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950062172A KR970048962A (ko) 1995-12-28 1995-12-28 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970048962A true KR970048962A (ko) 1997-07-29

Family

ID=66620701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950062172A KR970048962A (ko) 1995-12-28 1995-12-28 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970048962A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930001348A (ko) 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법, 그것에 사용하는 노출 방법 및 마스크
KR0128827B1 (ko) 위상반전마스크 제조방법
KR970048962A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR900015229A (ko) 새도우마스크의 패턴 프린터 및 그 제조방법
KR950001940A (ko) 반도체 소자의 패턴형성용 마스크 제조방법
KR970013040A (ko) 반도체소자 제조방법
KR910020802A (ko) 마스크의 제작방법
KR950015617A (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
KR970008364A (ko) 미세패턴 형성방법
KR970016789A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR970028803A (ko) 위상반전마스크와 그의 제조방법
KR970005055B1 (ko) 반도체 제조용 위상반전 마스크 제조방법
KR970048952A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR970008372A (ko) 반도체장치의 미세 패턴 형성방법
KR970028801A (ko) 포토마스크 및 그의 제조 방법
KR950015577A (ko) 반도체소자의 제조방법
KR960011465B1 (ko) 반도체 제조용 위상반전 마스크 제조방법
KR950012589A (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR0132750B1 (ko) 초 미세팬턴 형성방법
KR970048946A (ko) 반도체 소자 제조용 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법
KR960002592A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR940004719A (ko) 위상반전 마스크 형성방법
KR950021040A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR950024261A (ko) 림(Rim)형 위상반전마시크 및 그 제조방법
KR970007485A (ko) 하프톤막이 구비된 위상반전 마스크의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19981123

Effective date: 19990531

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
S601 Decision to reject again after remand of revocation
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
J121 Written withdrawal of request for trial