KR930001348A - 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법, 그것에 사용하는 노출 방법 및 마스크 - Google Patents

반도체 집적 회로 장치의 제조 방법, 그것에 사용하는 노출 방법 및 마스크 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적 회로 장치의 제조 방법, 그것에 사용하는 노출 방법 및 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예인 노출 방식의 설명도.
제2도는 본 발명의 마스크의 1예를 도시한 설명도.
제3도는본 발명의 마스크의 작성 흐름을 도시한 설명도.
제4도는 본 발명의 마스크의 평면도의 1예를 도시한 설명도.
제5도는 본 발명의 마스크의 전사의 설명도.
제6도는 본 발명의 마스크의 맞춤 마크의 1예를 도시한 설명도.
제7도는 본 발명의 마스크의 맞춤 방법의 1예를 도시한 설명도.
제8도는 본 발명의 마스크의 다른 1예를 도시한 설명도.
제9도는 본 발명의 마스크의 다른 1예를 도시한 설명도.
제10도는 본 발명의 마스크의 다른 1예를 도시한 설명도.
제11도는 본 발명의 마스크의 다른 1예를 도시한 설명도.
제12도는 본 발명의 노출 장치의 1예를 도시한 설명도.

Claims (19)

  1. 차광 영역 및 투과 영억으로 이루어지는 소정의 패턴이 형성된 마스크의 투과광의 시료에 조사하는 것에 의해서, 상기 마스크의 패턴을 상기 시료상에 전사하는 노출 방법으로서, 상기 마스크는 제1마스크와 제2마스크로 이루어지며, 상기 제1마스크가 차광 영역 및 투과 영역으로 이루어지는 패턴을 헝성하고, 상기 제2마스크가 투과광에 위상차를 발생시키기 위해 위상 시프터로 이루어지는 패턴을 형성하고, 상기 시료상에서 제1마스크와 제2마스크와 투과광을 중첩해서 투과광의 간섭을 이용해서 상기 시료상에 선명한 영상을 결상하도록한 것을 특징으로 하는 노출 방법.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1마스크와 제2마스크의 주면을 서로 근접 또는 접촉시켜서 중첩하고, 제1마스크의 투과광에 제2마스크로서 위상차를 마련하고, 투과광의 간섭을 이용해서 상기 시료상에 선명한 영상을 결상하도록한 것을 특징으로 하는 노출 방법.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1마스크가 차광 영역 및 투과 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하고, 제2마스크가 제1마스크의 투파광에 위상차를 발생시키기 위해 위상 시프터로 이루어지는 패턴을 형성하고, 제1마스트와 제2마스크를 위상 맞춤하기 위해 마크 패턴을 각각 구비한 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1마스크가 차광 영역 및 투과 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하고, 제2마스크가 상기 제1마스크의 차광 영역을 사이에 두는 투과 영역의 투과광의 위상을 서로 반전시키기 위해 위상 시프터로 이루어지는 패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1마스크가 차광 영역 및 투과 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하고, 제2마스크가 시료상에 표면 단차가 있으며, 높이가 다른 경우에도 초점 맞춤하기 위해, 상기 제1마스크의 차광 영역을 사이에 두는 투과 영역의 투과광에 위상차를 부여하는 위상 시프터로 이루어지는 패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1마스크가 차광 영역 및 투과 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하고, 상기 제1마스크의 투과 영역의 주위의 차광 영역에 미세한 투과 영역을 마련하고, 제2마스크가 상기 제1마스크의 투과 영역과 그 주위의 차광 영역에 미세한 투과 영역의 투과광의 위상을 서로 반전시키기 위해 위상 시프터로 이루어지는 패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 마스크.
  7. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1마스크가 차광 영역 및 투과 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하고, 제2마스크가 상기 제1마스크의 투과 영역내에서 그 투과광의 위상을 서로 반전시키기 위해 위상 시프터로 이루어지는 패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 마스크.
  8. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제2마스크는 투명 기판의 주면에 투과광에 위상차를 발생시키기 위해 위상 시프터로 이루어지는 패턴을 형성하고, 투명 기판을 2㎜ 정도 이상으로 두껍게 해서 이면에 착한 이물질이 디포커스해서 전사하지 않도록한 것을 특징으로 하는 마스크.
  9. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1마스크와 제2마스크는 각각의 패턴을 석영 기판상에 형성하고, 주면을 대향해서 근접 또는 접촉시키고, 상기 제1마스크와 제2마스크의 양쪽 또는 어느쪽인가 한쪽의 마스크 기판의 주변부에서 고정되고, 일체화한 것을 특징으로 하는 마스크.
  10. 차광 영역 및 투과 영역으로 이루어지는 소정의 패턴이 형성된 마스크의 투과광의 위상차를 발생시키기 위해 위상 시프터를 구비한 마스크에 관해서 상기 마스크는 제1마스크와 제2마스크로 나누고 상기 제1마스크가 차광 영역 및 투과 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하고, 상기 제2마스크가 투과광에 위상차를 발생시키기 위한 위상 시프터로 이루어지는 패턴을 형성하고, 제1마스크와 제2마스크를 주면을 대향해서 중첩하여 상기 마스크의 주변부에서 고정하여 일체화한 것을 특징으로 마스크의 제작 방법.
  11. 차광 영역 및 차광 영역으로 이루어지는 소정의 패턴이 형성된 마스크의 투과광을 피조사물에 조사하는 노출 장치에 있어서, 상기 마스크는 제1마스크와 제2마스크가 각각 주면을 근접시켜 중첩해서 탑재되고, 제1마스크와 제2마스크의 상대적인 위치 맞춤 기능을 구비한 것을 특징으로 하는 노출 장치.
  12. 적어도 하나의 축방향으로 다수의 주기에 걸쳐서, 마스크상의 주기적인 열린 구멍 패턴을 축소 투영법에 의해, 시료상의 감광 성막상에 전사할때, 상기 청구항 제3항 기재의 제1마스크는 상기의 주기 패턴을 형성하고, 제2마스크는 상기 주기 패턴의 홀수 또는 짝수부를 빼낸 패턴을 형성하고, 상기의 주기에서 노출광의 위상을 반전시킨 것을 특징으로 하는 노출 방법.
  13. 상기 청구항 제11항 기재의 노출 방법에 있어서, 상기의 제1마스크와 제2마스크의 패턴은 반도체 집적 회로의 메모리셀 어레어부등의 주기적으로 반복한 패턴에 대응하는 것으로한 것올 특징으로 하는 반도체 집적 회로장치의 제조 방법.
  14. 상기 청구항 제7항 기재의 제1마스크의 패턴은 반도체 집적 회로의 패턴을 사용하고, 또한, 제2마스크의 패턴은 상기 패턴을 사이징 처리 또는 상기 패턴의 윤곽부 묘출 처리등이 데이타 처리시킨 패턴을 사용하는 것에 의해, 시료상의 감광성막상에 전사하는 것을 특징으로 하는 노출 방법.
  15. 상기 청구항 제13항 기재의 노출 방법에 있어서, 상기의 제1마스크와 제2마스크의 패턴은 반도체 집적 회로의 패턴의 비주기적 패턴에도 대응하는 것으로한 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법.
  16. 자의 또는 원자외의 단색광을 사용하고 바라는 패턴을 축소 투영 노출하는 반도체 집적 회로 장치의 제조방법에 있어서, 피노출 웨이퍼상에 포지티브형 레지스트막을 형성한 상태에서 상기 제1마스크와 제2마스크상의 패턴을 상기 웨이퍼상에 축소 투영 노출하는 것에 의해, 콘택트홀을 얻기 위한 레지스트 패턴을 형성하는 공정에 적용한 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법.
  17. 상기 청구항 제15항 기재의 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법에 있어서, 또 피노출 웨이퍼상에 네가티브형 레지스트막을 형성한 상태에서 상기 제1마스크와 제2마스크상의 패턴을 상기 웨이퍼상에 축소 투영 노출하는 것에 의해, 웨이퍼상에 띠형상 패턴을 형성하기 위해 레지스트 패턴을 형성하는 공정에 적용한 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법.
  18. 상기 제2마스크는 투과광의 위상을 반전시키기 위해 석영 기판상의 투과 영역의 일부분의 영역에 투명막을 마련하고, 투명막의 두께 d는 투과광의 파장을 λ, 투명막의 굴절율을 n으로서.
    d = λ/2 (n-1)
    의 홀수배 또는 그것과 등가로 되도록한 것을 특징으로 하는 마스크.
  19. 상기 제2마스크는 투과광의 위상을 반전시키기 위해 석영 기판상의 투과 영역의 일부분의 영역에 홈을 마련하고, 홈의 깊이 d는 투과광의 파장을 λ, 홈부재의 굴절율을 n으로서,
    d=λ/2 (n-1)
    의 홀수배 또는 그것과 등가로 되도록한 것을 특징으로 하는 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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