KR970016789A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
레벤손 위상반전 효과와 하프톤 위상반전 효과를 동시에 적용할 수 있는 위상반전 마스크 및 그 제조 방법에 대해 기재되어 있다. 본 발명의 위상반전 마스크는, 석영기판 상에 형성된 위상반전층, 위상반전층에 형성되고, 일방향으로 밀도가 높게 배열되고 타방향으로는 밀도가 낮게 배열된 다수개의 개구부들, 일방향으로 배열된 개구부들 중 짝수 또는 홀수번째의 개구부와 얼라인 되도록 석영기판에 형성된 홈들을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 패턴의 배열 밀도가 높은 방향의 패턴 길이가 길어지는 현상을 방지함과 동시에 패터의 해상도를 향상시켰다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 5도는 상기 제 4도의 V-V' 선을 잘라 본 단면도이다.
Claims (5)
- 석영기판 상에 형성된 위상변위층 ; 상기 위상변위층에 형성되고, 일방향으로 밀도가 높게 배열되고 타방향으로도 밀도가 낮게 배열된 다수개의 개구부들 ; 일방향으로 배열된 개구부들 중 짝수 또는 홀수번째의 개구부와 얼라인 되도록 상기 석영기판에 형성된 홈들을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제 1항에 있어서, 석영기판에 홈이 형성되어 있는 개구부를 통과한 광의 위상과 석영기판에 홈이 형성되어 있지 않는 개구부를 통과한 광의 위상은 180° 차이가 있는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제 1항에 있어서, 상기 위상변위층은 입사광이 45~135° 위상변위되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제 3항에 있어서, 상기 위상변위층이 광투과율은 3~15%인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 석영기판 상에 위상변위층을 형성하는 제 1단계 ; 상기 위상변위층을 부분적으로 식각하여, 일방향으로는 밀도가 높게 배열되고 타방향으로도 밀도가 낮게 배열되는 개구부들을 형성하는 제 2단계 ; 상기 개구부들이 형성되어 있는 석영기판 상에 포토레지스트를 도포/현상함으로써 상기 일방향으로 배열된 개구부들 중 짝수 또는 홀수번째의 개구부를 통해 노출되어 있는 석영기판을 노출하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 제 3단계 ; 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 한 식각 공정을 행하여 상기 석영 기판에 홈을 형성하는 제 4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029499A KR970016789A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950029499A KR970016789A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016789A true KR970016789A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66596726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029499A KR970016789A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016789A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475083B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 미세한 콘택홀 어레이를 위한 포토마스크, 그 제조방법 및사용방법 |
| KR100510447B1 (ko) * | 1998-01-12 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
| KR20210016813A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-17 | 주식회사 포트로닉스 천안 | 하프톤 위상반전마스크 및 그 제조 방법 |
-
1995
- 1995-09-11 KR KR1019950029499A patent/KR970016789A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510447B1 (ko) * | 1998-01-12 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
| KR100475083B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 미세한 콘택홀 어레이를 위한 포토마스크, 그 제조방법 및사용방법 |
| KR20210016813A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-17 | 주식회사 포트로닉스 천안 | 하프톤 위상반전마스크 및 그 제조 방법 |
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