KR950021039A - 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
일정한 패턴이 형성되는 패턴 형성 영역과 그외 영역의 광 투과율이 다른 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다. 투명한 기판상의 중앙 부분에 마련되는 패턴 형성 영역이 형성되고, 상기 패턴 형성영역의 주위 기판상에 광이 투과되지 않는 블라인드 영역이 형성된다. 상기 블라인드 영역은 기판 상부에 시프터와 차광 패턴의 이중 적층 구조로 되어 있거나 반복적인 라인-스페이스 또는 체커보드의 그레이팅 패턴으로 되어 있다. 상기 블라인드 영역에서 노광시광의 투과가 억제되어, 기판상에 정말한 패턴을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 제4도는 본 발명에 따른 하프톤형 위상 반전 마스크를 도시한 단면도이다
제5A도 내지 제5D도는 상기 제3도에 도시한 하프톤형 위상반전 마스크의 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다
제6A도 내지 제6C도는 상기 제4도에 도시한 하프톤형 위상반전 마스크의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (9)
- 투명한 기판; 상기 기판상의 중앙 부분에 마련되는 패턴형성 영역; 및 상기 패턴 형성 영역의 주위의 기판상에 형성되고, 위상 시프터와 차광 패턴의 이중 적층 구조로 광이 투과되지 않는 블라인드 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 블라인드 영역은 반복적인 라인-스페이스 또는 체커 보드의 그레이팅 패턴으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상 반전 마스크.
- 중앙부분에 일정하게 요철 형태로 복수개의 패턴을 갖는 기판; 상기 기판의 중앙 철부와 상기 기판의 중앙부분을 제외한 기판상에 형성된 하프톤 패턴; 및 상기 기판의 중앙부분을 제외한 상기 하프톤 패턴상에 형성되고, 광이 투과되지 않는 차광 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
- 중앙부분에 일정하게 요철형태로 형성되는 복수개의 패턴들과 상기 중앙부분을 제외한 부분에는 복수개의 그레이팅 패턴들을 갖는 기판; 및 상기 기판상에 형성되는 하프톤 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
- 제3항에 또는 제4항에 있어서, 상기 기판의 중앙 부분은 패턴이 형성되는 패턴 형성 영역이며, 상기 기판의 중앙부분을 제외한 영역은 광이 투과 되지 않는 블라인드 영역인 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
- 제4항에 있어서, 상기 그레이팅 패턴은 라인-스페이스 또는 체커보드로 형성하고, 노광장치의 한계해상도 이하로 그 크기를 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
- 제6항에 있어서, 상기 한계해상도 이하의 크기는 마스크이 피치가 1.0㎛이하인 것을 특징으로하는 하프톤형 위상 번전 마스크.
- 투명한 기판상에 하프톤층 및 차광층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 차광층을 패터닝하여 상기 기판의 중앙부위에 개구부를 갖는 차광패턴을 형성하는 단계;상기 개구부 하면에 형성된 하프톤층을 식각하여 복수개의 하프톤 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 하프톤 패텅 하면의 기판을 식각하여 위상 시프터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상 번전 마스크의 제조방법.
- 투명한 기판상에 하프톤층을 형성하는 단계; 상기 하프톤층을 패터닝하여, 상기 기판의 중앙부위에 복수개의 하프톤 패턴과 그 주위에 그레이팅 패턴을 동시에 형성하는 단계; 및 상기 하프톤 패턴 및 그레이팅 패턴 하면의 기판을 식각하여, 위상 시프터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029058A KR100278645B1 (ko) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029058A KR100278645B1 (ko) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021039A true KR950021039A (ko) | 1995-07-26 |
| KR100278645B1 KR100278645B1 (ko) | 2001-01-15 |
Family
ID=66850551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930029058A KR100278645B1 (ko) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR100278645B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101663173B1 (ko) | 2009-10-09 | 2016-10-07 | 삼성전자주식회사 | 알카리 세정에 내성을 갖는 위상 반전 마스크 및 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| KR101407230B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2014-06-13 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-12-22 KR KR1019930029058A patent/KR100278645B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100278645B1 (ko) | 2001-01-15 |
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