KR19980085036A

KR19980085036A - 교번형 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR19980085036A
Application number: KR1019970020983A
Authority: KR
Inventors: 신인균
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-05-27
Filing date: 1997-05-27
Publication date: 1998-12-05
Anticipated expiration: 2017-05-27
Also published as: KR100429860B1

Abstract

교번형 위상 반전 마스크(Alternative type Phase Shift Mask) 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 교번형 위상 반전 마스크는 페리부(peri-part)에는 위상 무반전 영역을 형성하고, 셀부(cell-part)에만 위상 반전 영역을 설정한다. 셀부에 위상 반전의 역할을 하는 트렌치와 위상이 반전되지 않는 정상 부분(normal region)을 교번적으로 형성한다. 이때, 정상 부분에 인접하여 투과되는 빛의 강도를 낮추거나 위상 반전시켜 정상 부분을 투과하는 빛과 간섭을 일으켜 그 빛의 강도를 감쇄시키는 시프터를 형성한다. 이와 같이 하면 정상 부분과 트렌치를 투과하는 빛에 의한 임계 선폭의 차 ΔCD(difference of Critical Dimension)의 발생이 억제된다. 또한 반도체 기판의 페리 영역과 셀 영역에서 요구되는 상이한 노광 도우즈(exposure doze)를 충족시킬 수 있다.

Description

교번형 위상 반전 마스크(Alternative type Phase Shift Mask) 및 그 제조 방법.

본 발명은 반도체 장치 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 특히 교번형 위상 반전 마스크(Alternative type Phase Shift Mask)와 그 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 장치가 고집적화 되어 그 패턴이 미세해짐에 따라, 투과형 포토 마스크(transparent photo mask)를 사용하는 방법에 의한 반도체 장치의 패턴 형성 방법은 그 형성되는 패턴의 선폭에 있어 한계에 이르고 있다. 이를 해결하는 방법의 하나로 마스크를 투과하는 빛의 파장의 위상을 변화시켜 상호 간섭시키는 원리에 기초한 위상 반전 마스크(phase shift mask)가 제안되었다.

상기 위상 반전 마스크를 이용한 패턴 형성 방법은 투과한 빛의 상호 간섭 또는 부분 간섭을 이용하여 원하는 크기의 패턴을 노광한다. 따라서 해상도나 초점심도를 증가시킬 수 있다. 이러한 위상 반전 마스크는 여러 가지가 제안되었으나 그 중에서 교번형 위상 반전 마스크(alternative type phase shift mask)는 해상도를 효과적으로 증가시킬 수 있다. 상기 교번형 위상 반전 마스크는 라인(line)과 스페이스(space)의 연속적인 배열과 같이 연속적으로 반복되는 패턴 및 콘택 홀을 형성하는 패턴에 효과적으로 적용될 수 있다.

도1을 참조하여 종래의 교번형 위상 반전 마스크를 설명한다. 종래의 위상 반전 마스크는 투명한 마스크 기판, 예컨대 석영 기판(10) 상에 Cr으로 형성되는 차광층 패턴(20)을 포함한다. 상기 차광층 패턴(20)에 의해 노출되는 상기 석영 기판(10) 상에 하나씩 걸러 형성된, 즉 교번적으로 형성된 트렌치(30)를 포함한다. 상기 트렌치(30)는 180°위상 반전 영역으로 작용한다. 따라서, 상기 트렌치(30)에 입사된 빛의 위상은 180°반전되는 반면에 트렌치(30)가 형성되지 않은 노출되는 영역 즉, 위상 무반전 영역(40)에 입사된 빛의 위상은 바뀌지 않는다. 따라서 상기 위상 반전된 빛과 반전되지 않은 빛이 대략 180°의 위상 차이를 가지므로 상호 간섭에 의해서 그 경계부, 즉 상기 차광층 패턴(20)에 의해 차폐되는 영역에서의 빛의 강도(intensity)는 0이 된다. 따라서 해상도를 증가시킬 수 있어 더 좁은 선폭의 패턴을 형성할 수 있다.

그러나, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 마스크의 트렌치(30)를 통해 투과되는 빛은 위상 무반전 영역(40)을 투과한 빛에 비해 A만큼 빛의 강도가 작다. 이에 따라 상기 두 빛에 의해 노광되는 패턴 사이의 임계 선폭(critical dimension)의 차 ΔCD(difference of Critical Dimension)가 발생된다. 이러한 임계 선폭의 차의 발생은 초점 마진(focus margin)을 감소시키고, 반도체 기판(도시되지 않음) 상에 형성되는 포토레지스트 패턴의 불량을 초래한다.

또한 상기 마스크의 페리부(peri-part) 즉, 반도체 기판(도시되지 않음) 상의 주변 회로 영역에 대칭되는 부분(같은 맥락으로 반도체 기판 상의 셀 영역(cell-region)에 대칭되는 부분을 셀부(cell-part)라 일컫는다)에는 패턴의 불규칙한 배열과 이에 따른 마스크 제작 시 사용되는 자동 레이 아웃 소프트웨어의 미흡 등으로 상기 트렌치(30)와 같은 위상 반전 영역을 배치하기 어렵다.

더욱이, 상기 석영 기판(10)을 통해 노광되는 반도체 기판(도시되지 않음)의 페리 영역(peri-region; 주변 회로 영역)과 셀 영역(cell-region)에서의 단차 또는 도포되는 포토레지스트(도시되지 않음)의 두께차이 등에 따라 노광에 요구되는 노광 도우즈(expose doze)가 상이하다. 따라서, 상기 마스크를 사용하여 페리 영역에서 요구되는 노광 도우즈에 적절한 노광 에너지(expose energy)를 가지는 빛을 조사하여 노광하면, 셀 영역에서는 원하는 패턴 크기와 초점 마진을 얻을 수 없다. 따라서 패턴의 불량이 발생한다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 임계 선폭의 차이를 감소시키며, 반도체 기판 상의 페리 영역과 셀 영역 각각에서 요구되는 노광 도우즈를 제공할 수 있는 교번형 위상 반전 마스크를 제공하는 데 있다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 교번형 위상 반전 마스크를 형성하는 방법을 제공하는 데 있다.

도 1과 도 2는 종래의 교번형 위상 반전 마스크를 설명하기 위해서 도시한 도면들이다.

도 3과 도 4는 본 발명의 교번형 위상 반전 마스크를 설명하기 위해서 도시한 도면들이다.

도 5 내지 9는 본 발명의 교번형 위상 반전 마스크의 제조 방법을 설명하기 위해서 도시한 단면도들이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위해서 본 발명은 페리부와 셀부를 가지는 마스크 기판을 포함한다. 상기 마스크 기판의 페리부 상에 형성된 제1시프터와 상기 마스크 기판의 셀부 상에 상기 마스크 기판 상을 노출시키는 제2시프터 및 상기 노출되는 마스크 기판의 셀부 상에 교번적으로 형성된 트렌치를 포함한다. 이때, 상기 트렌치와 교번적으로 상기 노출되는 마스크 기판 상에 정상 부분이 설정된다. 또한, 상기 제1시프터 및 제2시프터를 MoSiO, MoSiON, CrO, CrON, CrSiO, CrSiON, SiN, 비정질 탄소 및 WSi으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 형성한다. 상기 트렌치에 의해 상기 마스크 기판에 입사되는 빛이 180°또는 그 홀수배로 위상 반전된다. 따라서 교번하는 트렌치가 형성되지 않은 노출된 영역 즉, 상기 정상 부분에 입사하는 빛과는 180°또는 그 홀수배의 위상차를 가지게 된다. 또한 상기 제1시프터 상에 형성된 제1차광 패턴과 상기 제2시프터 상에 상기 제2시프터의 선폭보다 작은 선폭으로 형성된 제2차광 패턴을 포함한다. 이때, 상기 제2차광 패턴에 의해 노출되는 상기 제2시프터의 일단부는 상기 정상 부분에 인접한다. 따라서 상기 제2시프터의 일단부에 입사하는 빛은 그 빛의 강도가 감소하거나 그 위상 반전되어 상기 정상 부분에 입사하는 빛과 상호 간섭을 일으킨다. 따라서 상기 정상 부분에 입사하는 빛의 강도는 감소한다. 이때, 상기 제1차광 패턴 및 제2차광 패턴은 Cr 또는 MoSi으로 형성된다.

상기 다른 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 페리부와 셀부를 가지는 마스크 기판 상에 시프터층을 형성하는 제1단계와 상기 시프터층 상에 차광층을 형성하는 제2단계를 순차적으로 수행한다. 이때, 스퍼터링 방법 또는 화학 기상 증착 방법으로 이용하여 상기 시프터층과 차광층을 순차적으로 형성한다. 이후에, 상기 차광층과 시프터층을 순차적으로 식각하여 상기 마스크 기판의 페리부에 제1차광 패턴과 그 하부의 제1시프터 및 상기 마스크 기판의 셀부에 제2차광 패턴과 그 하부에 상기 제2차광 패턴의 선폭보다 넓은 제2시프터를 순차적으로 형성하는 제3단계를 수행한다. 즉, 상기 제3단계는 다음과 같이 수행된다. 먼저, 상기 차광층 상에 제1포토레지스트 패턴을 형성하고 상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 차광층을 식각한다. 이와 같이 하여 상기 마스크 기판의 페리부에 제1차광 패턴을 형성하고 상기 마스크 기판의 셀부에는 제3차광 패턴을 형성한다. 연이어 상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 시프터층을 식각하여 상기 제1차광 패턴의 하부에 제1시프터를 형성하고 제3차광 패턴의 하부에 제2시프터를 형성한다. 이후에 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거한다. 상기 제2포토레지스트 패턴이 제거된 결과물 상의 전면에 대향하는 한 쌍씩 교번적으로 상기 제3차광 패턴의 일단부를 노출하는 제2포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제2포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제3차광 패턴의 노출되는 일단부를 식각하여 제2차광 패턴을 형성한다. 따라서 제2시프터는 상기 일단부만 노출된다. 연후에 상기 제2포토레지스트 패턴을 제거한다. 이와 같이 상기 제3단계를 수행한다. 다음에 상기 제2시프터에 의해 노출되는 상기 마스크 기판 상을 교번적으로 식각하여, 즉 상기 제2차광 패턴의 타단부에 인접하는 마스크 기판 상을 식각하여 트렌치를 형성하는 제4단계를 수행한다. 이때, 상기 제4단계는 다음과 같이 수행된다. 상기 제3단계의 결과물의 전면에 상기 제2시프터의 타단부에 인접하는 마스크 기판 상을 노출하는 제3포토레지스트 패턴을 형성한다. 이때, 상기 노출되는 마스크 기판 상은 상기 제2시프터의 노출되는 일단부에 인접하는 마스크 기판 상, 즉 정상 부분과 교번적으로 위치한다. 이어서 상기 제3포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 노출된 마스크 기판 상을 식각하여 트렌치를 형성한다. 이후에 제3포토레지스트 패턴을 제거한다. 이와 같이 하여 제 4단계를 수행한다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 실시예에 의한 교번형 위상 반전 마스크를 나타낸다.

본 발명의 교번형 위상 반전 마스크는 투명한 마스크 기판(100), 예컨대 석영 기판을 포함한다. 상기 마스크 기판(100)은 반도체 기판(도시되지 않음) 상의 주변 회로 영역에 대칭되는 페리부(peri-part; B)와 셀 영역(cell-region)에 대칭되는 부분인 셀부(cell-part; C)로 이루어진다. 이때 제1시프터(210)는 상기 페리부(B) 상에 위치하고 제2시프터(250)는 상기 셀부(C) 상에 위치한다. 상기 제2시프터(250)에 의해 노출되는 상기 셀부(C) 상에 교번적으로 위치하는 트렌치(410)와 정상 부분(430)을 포함한다. 또한 상기 제1시프터(210) 상에 제1차광 패턴(310)이 위치하고 상기 제2시프터(250) 상에 제2차광 패턴(350)이 위치한다.

상기 제1 및 제2시프터(210, 250)는 MoSiO, MoSiON, CrO, CrON, CrSiO, CrSiON, SiN, 비정질 탄소 및 WSi 중 어는 하나의 물질로 이루어지며, 상기 페리부(B) 또는 상기 셀부(C)의 일정한 영역을 노출시킨다. 이러한 상기 제1 및 제2시프터(210, 250)는 입사되는 빛의 투과율을 변화시킬 수 있다. 예컨대, 2% 내지 20%의 투과율을 가진다. 또한 상기 입사하는 빛의 위상의 변화시킨다.

상기 트렌치(410)가 형성된 부분은 상기 셀부(C)의 상기 제2시프터에 의해 노출되는 영역 중의 트렌치(410)가 형성되지 않은 정상(normal) 부분(430)과 교번적으로 형성된다. 즉, 트렌치(410)가 형성된 부분과 이후에 설명하는 제2차광 패턴(350)에 의해 차폐되는 부분, 정상 부분(430) 및 제2차광 패턴(350)에 의해 차폐되는 부분이 반복되는 교번적인 형상이 셀부(C) 상에 형성된다. 트렌치(410)가 형성된 부분을 통과하는 빛이 상기 정상 부분(430)을 통과하는 부분의 빛과 대략 180°또는 그 홀수배의 위상차를 갖도록 상기 트렌치(410)는 형성된다. 즉, 상기 트렌치(410)는 위상 반전의 역할을 하는 부분이다. 이때, 상기 트렌치(410)는 페리부(B) 상에는 형성되지 않으므로 페리부(B)에서는 위상 반전 부분이 형성되지 않는다. 또한 상기 제1시프터는 위상 반전의 역할을 하지 않도록 이후에 설명하듯이 제1차광 패턴으로 차폐된다. 즉, 상기 셀부(C) 상의 정상 부분(430)과 같이 위상 무반전 부분(450)만이 노출되어 이후에 빛이 투과되는 부분이 된다.

상기 제1 및 제2차광 패턴(310, 350)은 Cr 또는 MoSi으로 형성되어 상기 마스크 기판(100) 상에 입사되는 빛을 차단한다. 또한 상기 제2차광 패턴(350)은 상기 정상 부분(430)에 인접하는 제2시프터(250)의 일단부 상을 노출한다. 이에 따라 상기 정상 부분(430)으로 입사되는 빛과 상기 제2시프터(250)에 입사되는 빛은 위상차를 가지게 되어 상호 간섭된다. 이에 따라 상기 정상 부분(430)에 입사되는 빛은 감쇄된다. 또한 상기 제2시프터(250)는 빛의 투과율이 낮아 투과되는 빛의 강도를 저하시킨다. 이러한 작용은 정상 부분(430)과 트렌치(410)를 통과한 빛의 강도 차이, 즉 도 2의 A를 감소시킨다. 따라서 도 4에 도시한 바와 같은 통과되는 빛의 강도 차이가 거의 없도록 할 수 있다. 즉, 반도체 기판 상의 셀 영역에서 노광시키고자 하는 영역에 균일한 빛의 노출 도우즈를 공급하므로 임계 선폭의 차이 ΔCD의 발생을 방지할 수 있다.

상기 제1차단 패턴(310)은 상기 제1시프터(210)와 동일한 선폭을 갖는다. 따라서 상기 제1차광 패턴(310)에 의해 노출되는 영역, 즉, 위상 무반전 부분(450)을 통과하는 빛은 위상 반전 또는 감쇄가 없다. 따라서 도 4에 도시한 바와 같이 상기 셀부(C)를 통과한 빛과 빛의 강도 차이를 가진다. 즉, 상기 셀부(C)를 통과한 빛의 강도 보다 D만큼 큰 빛의 강도를 유지한다. 이에 따라 반도체 기판(도시되지 않음)의 페리 영역과 셀 영역의 노광에 요구되는 노광 도우즈가 상이함에서 기인하는 문제점을 해결할 수 있다. 즉, 페리 영역에서 요구되는 노광 도우즈를 공급할 수 있는 노광 에너지를 가지는 빛을 조사함으로써, 상기 페리 영역에서의 노광 도우즈를 충족하며 동시에 상기 셀 영역에는 앞서 설명한 작용에 의해서 보다 감소된 빛의 강도를 가지는 빛이 조사된다. 따라서 각각에 적절한 노광 에너지를 동시에 공급할 수 있다. 또한 페리부(B)에는 실질적인 위상 반전 작용이 일어나지 않으므로 종래의 페리부(B)에서의 시프터를 배치하는 어려움에 따른 문제점을 해결할 수 있다.

도 5 내지 도 9는 본 발명의 교번형 위상 반전 마스크의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.

도 5 는 마스크 기판(100) 상에 시프터층(200)과 차광층(300)을 순차적으로 형성하는 단계를 나타낸다.

투명한 재질의 기판, 예컨대 석영 기판을 마스크 기판(100)으로 사용한다. 상기 마스크 기판(100)의 전면에 스퍼터링(sputtering) 방법 또는 화학 기상 증착 방법(chemical vapor deposition)을 사용하여 시프터층(200)을 형성한다. 상기 시프터층(200)은 입사하는 빛의 투과율을 변화시키는 물질 또는 입사하는 빛의 위상을 변화시키는 물질로 형성한다. 상기 물질로는 MoSiO, MoSiON, CrO, CrON, CrSiO, CrSiON, SiN, 비정질 탄소 및 WSi 등과 같은 물질을 이용한다.

이후에 상기 시프터층(200)의 전면에 스퍼터링 방법 또는 화학 기상 증착 방법을 이용하여 차광층(300)을 형성한다. 상기 차광층(300)은 입사하는 빛이 투과되지 못하는 물질을 이용하여 형성한다. 예컨대, Cr 또는 MoSi를 상기 시프터층(200) 전면에 도포하여 상기 차광층(300)을 형성한다.

도 6은 제1시프터(210)와 제1차광 패턴(310) 및 제2시프터(250)와 제3차광 패턴(330)을 형성하는 단계를 나타낸다.

먼저, 상기 차광층(300) 상에 포토레지스트층을 도포하고 현상하여 제1포토레지스트 패턴(510)을 형성한다. 상기 제1포토레지스트 패턴(510)을 마스크로 상기 차광층(300)과 시프터층(200)을 순차적으로 식각하여 도 3에서 설명한 바와 같이 페리부(B)에 제1시프터(210)와 제1차광 패턴(310)의 순차적인 패턴 구조를 형성한다. 동시에 셀부(C)에도 제2시프터(250)와 제3차광 패턴(330)을 형성한다. 이때, 상기 식각은 건식 식각 또는 습식 식각 방법에 의해서 수행된다. 이후에, 상기 제1포토레지스트 패턴(510)을 제거한다.

도 7은 제2포토레지스트 패턴(530)을 형성하는 단계를 나타낸다.

제1 및 제2시프터(210, 250)와 제1및 제3차광 패턴(310, 330)이 형성된 결과물 전면에 포토레지스트층을 도포하고 현상하여 제2포토레지스트 패턴(530)을 형성한다. 상기 제2포토레지스트 패턴(530)은 상기 마스크 기판(100) 상을 교번적으로 노출시킨다. 이때, 상기 제2포토레지스트 패턴(530)에 의해 노출되는 마스크 기판(100) 상은 셀부(C)에 한정된다. 페리부(B)는 제2포토레지스트 패턴(530)에 의해 차폐된다. 즉, 도 3에서 설명한 정상 부분(430)을 이루는 마스크 기판(100) 상을 노출시킨다. 또한, 상기 정상 부분(430)에 인접하는 상기 제3차광 패턴(330)의 일단부(E)를 노출시킨다. 즉, 상기 인접하는 두 제3 차광 패턴(330)의 두 일단부(E)가 서로 대향되도록 한다.

도 8은 제3차광 패턴(330)을 패터닝하여 제2차광 패턴(350)을 형성하는 단계를 나타낸다.

구체적으로, 상기 제2포토레지스트 패턴(530)을 마스크로 상기 제3차광 패턴(330)의 노출되는 일단부(E)를 제거하여 제2차광 패턴(350)을 형성한다. 상기 제2차광 패턴(350)은 그 하부의 제2시프터(250)의 일단부(F)를 노출시킨다. 따라서 상기 제2시프터(250)의 일단부(F)는 상기 정상 부분(430)의 가장 자리를 둘러싸는 형상이 된다. 상기 제2시프터(250)의 일단부(F)를 투과하는 빛은 빛의 강도가 감소되며 또한 상기 정상 부분(430)을 투과하는 빛과 상호 간섭하여 정상 부분(430)을 투과하는 빛의 강도를 감쇄시킨다. 따라서 종래의 ΔCD 발생을 억제할 수 있다. 이후에 상기 제2포토레지스트 패턴(530)을 제거한다.

도 9는 셀부(C)상에 교번적으로 트렌치(430)를 형성하는 단계를 나타낸다.

구체적으로, 상기 제1 및 제2시프터(210, 250)와 제1및 제2차광 패턴(310, 350)이 형성된 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하고 현상하여 제3포토레지스트 패턴(550)을 형성한다. 상기 제3포토레지스트 패턴(550)은 도 7에서 설명한 제2포토레지스트 패턴에 의해 차폐되었던 마스크 기판(100) 상, 즉, 상기 정상 부분(430)과 교번적인 위치를 가지는 마스크 기판(100) 상을 노출한다. 따라서 상기 노출되는 마스크 기판(100) 상은 상기 제2시프터(250)의 일단부(F)에 대향하는 제2시프터(250)의 타단부에 인접한다. 이후에 상기 제3포토레지스트 패턴(550)을 마스크로 상기 노출된 마스크 기판(100) 상을 식각하여 트렌치(410)를 형성한다. 이때, 상기 트렌치(410)를 투과하는 빛이 상기 정상 부분(430)을 투과하는 빛과 대략 180。 또는 그 홀수배의 위상차를 가지도록 트렌치(410)의 깊이를 조절한다. 이후에 상기 제3포토레지스트 패턴(550)을 제거한다.

이와 같은 방법으로 도 3에서 설명한 바와 같은 교번형 위상 반전 마스크를 형성한다. 이와 같이 형성된 교번형 위상 반전 마스크는 페리부(B)에서 위상 반전 영역을 배치하지 않는다. 이에 따라 종래의 페리부에서의 시프터를 배치하는 방법의 어려움 등과 같은 문제점을 개선할 수 있다.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통해서 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.

상술한 바와 같이, 셀부의 정상 부분에 인접하는 일단부 상이 노출되는 제2시프터를 형성함으로써, 정상 부분을 투과하는 빛의 강도를 낮출 수 있다. 따라서 트렌치를 투과하는 빛과 정상 부분을 투과하는 빛의 강도를 균일하게 조절할 수 있어 임계 선폭의 차이 ΔCD의 발생을 방지할 수 있다. 또한 페리부에는 제1시프터를 투과하는 빛이 없고 단지 위상 무반전 부분에서 빛이 투과함으로써 빛의 강도가 유지된다. 따라서 셀부에서 투과되는 빛에 비해 높은 빛의 강도를 유지할 수 있다. 이에 따라 반도체 기판의 페리 영역과 셀 영역의 노광에 요구되는 노광 도우즈가 상이함에서 기인하는 문제점을 해결할 수 있다. 또한 페리부에는 실질적인 위상 반전 작용이 일어나지 않으므로 종래의 페리부에서의 시프터를 배치하는 어려움에 따른 문제점을 해결할 수 있다.

Claims

페리부와 셀부를 가지는 마스크 기판;

상기 마스크 기판의 페리부 상에 위치하는 제1시프터;

상기 마스크 기판의 셀부 상에 위치하는 제2시프터;

상기 제2시프터에 의해 교번적으로 위치하는 트렌치;

상기 제1시프터 상에 위치하는 제1차광 패턴; 및

상기 제2시프터 상에 상기 제2시프터의 선폭보다 작은 선폭으로 형성되어 상기 트렌치와 교번적으로 위치하는 정상 부분에 인접하는 상기 제2시프터의 일단부를 노출시키는 제2차광 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 교번형 위상 반전 마스크.
제1항에 있어서, 상기 제1시프터 및 제2시프터는 MoSiO, MoSiON, CrO, CrON, CrSiO, CrSiON, SiN, 비정질 탄소 및 WSi으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 형성된 것임을 특징으로 하는 교번형 위상 반전 마스크.
제1항에 있어서, 상기 트렌치는 상기 마스크 기판에 입사되는 빛이 대략 180°또는 그 홀수배로 위상 반전 되도록 형성된 것임을 특징으로 하는 교번형 위상 반전 마스크.
제1항에 있어서, 상기 제1차광 패턴 및 제2차광 패턴은 Cr 또는 MoSi으로 형성된 것임을 특징으로 하는 교번형 위상 반전 마스크.
페리부와 셀부를 가지는 마스크 기판 상에 시프터층을 형성하는 제1단계;

상기 시프터층 상에 차광층을 형성하는 제2단계;

상기 차광층과 시프터층을 순차적으로 식각하여 상기 마스크 기판의 페리부 상의 제1차광 패턴과 그 하부의 제1시프터 및 상기 마스크 기판의 셀부 상의 제2차광 패턴과 그 하부에 상기 제2차광 패턴의 선폭보다 넓은 제2시프터를 순차적으로 형성하는 제3단계;

상기 제2시프터에 의해 노출되는 상기 마스크 기판 중 일부를 식각하여 트렌치를 형성하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 교번형 위상 반전 마스크 형성 방법.
제5항에 있어서, 상기 제1단계 및 제2단계는 스퍼터링 방법 또는 화학 기상 증착 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 교번형 위상 반전 마스크 형성 방법.
제5항에 있어서, 상기 제3단계는

상기 차광층 상에 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 차광층을 식각하여 상기 마스크 기판의 페리부 상에 제1차광 패턴을 형성하고 상기 셀부 상에는 제3차광 패턴을 형성하는 단계;

상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 시프터층을 식각하여 상기 제1차광 패턴의 하부에 제1시프터를 형성하고 제3차광 패턴의 하부에 제2시프터를 형성하는 단계;

상기 제1포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;

상기 제1포토레지스트 패턴이 제거된 결과물 상의 전면에 대향하는 한 쌍씩 교번적으로 상기 제3차광 패턴의 일단부를 노출하는 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

상기 제2포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제3차광 패턴의 노출되는 일단부를 식각하여 제2차광 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 제2포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 교번형 위상 반전 마스크 형성 방법.
제7항에 있어서, 상기 제4단계는

상기 제3단계의 결과물의 전면에 상기 제2시프터의 타단부에 인접하는 상기 마스크 기판 상을 노출하는 제3포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

상기 제3포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 노출된 마스크 기판 상을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 및

상기 제3포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 교번형 위상 반전 마스크 형성 방법.