JP2739065B2 - アパーチャ交番移相マスクを製造する方法 - Google Patents
アパーチャ交番移相マスクを製造する方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
関するものであり、更に詳しくいえば、光リソグラフィ
ーで使用するマスクまたはレチクルの製造に関するもの
である。本発明の方法は半導体製造のための移相マスク
の製造にとくに適するものである。
ー上の集積回路の形成にマイクロリソグラフィーを使用
する。リソグラフィック作業中は、紫外線などのある形
態の放射エネルギーをマスクすなわちレチクルを通じて
半導体ウェハー上に照射する。マスクには所定のパター
ンで透明領域および不透明領域が形成される。たとえ
ば、格子パターンを用いてウェハー上に平行に隔てられ
た導電線を形成する。ウェハー上に形成されているレジ
スト層の上のマスクパターンを露光する。その後でレジ
ストを現像して、ポジレジストの場合には露光したレジ
スト部分を除去し、ネガレジストの場合には露光しなか
ったレジスト部分を除去する。イオン打ち込みまたはエ
ッチングなどのその後の半導体製造工程中に、パターン
化したレジストが使用される。
て半導体ウェハー上の一部に形成された複雑なフォトレ
ジスト・パターン10を示す。図1では、フォトレジス
トで覆われているウェハー上の領域を斜め破線でハッチ
ングしている。ウェハー上に形成されているフォトレジ
スト・パターン10は、ほぼ図示のような形にされた全
体としてT形の部分12A〜12Dの繰り返し配置を含
む。T形の部分12A〜12Dは鏡像対で配置される。
また、平行に隔てられた一対の境界14がT形の部分1
2A〜12Dに対して全体として垂直に配置され、パタ
ーン10の下側部分を枠のようにして囲む。境界14の
鏡象として形成されている、別の平行に隔てられた一対
の境界14Aが、パターン10の上側部分を枠のように
して囲む。境界はほぼ図示のような不規則な周辺パター
ンを持つ。
T形の部分12A〜12Dと境界14、14Aを形成す
るフォトレジストはマスク上の不透明領域に一致する。
ウェハーの残りの領域にはフォトレジストはなく、マス
ク上の透明領域すなわち光透過領域に一致する。フォト
リソグラフィック作業中にマスクパターンのそれらの透
明領域を通る光は、ポジフォトレジストを現像するよう
に機能する。その後でそのポジフォトレジストは除去す
る。これとは逆に、ネガフォトレジストの場合には、フ
ォトレジストを塗布されたウェハー領域(T形の部分1
2A〜12Dと境界14、14A)はマスク上の不透明
領域に一致する。
示すフォトレジストパターン10にネガフォトレジスト
を現像するために適当なマスクパターン16を示す。図
2においては、マスク16の不透明領域に斜め実線がハ
ッチングされ、透明領域はハッチングされていない。マ
スクパターン16はほぼ図示のような形にされた全体と
してT形の部分18A〜18Dの鏡像対と、平行に隔て
られた境界20、20Aを含む。前と同様に、境界2
0、20AがT形部分18A〜18Dを枠のようにして
囲む。境界20、20AはT形部分18A〜18Dに対
して垂直である。マスクパターン16の透明領域はネガ
フォトレジストを現像するために用いる。そのネガフォ
トレジストはウェハー上に希望のパターン10(図1)
で残る。
μより大きい特徴寸法を持つ半導体構造の製造には良く
機能する。しかし、マイクロ回路密度が高くなるにつれ
て、図1のフォトレジスト・パターン10によって表さ
れる半導体装置の特徴の寸法などの寸法はサブミクロン
のレベルまで小さくなる。それらのサブミクロン寸法は
金属導電線の幅と間隔または能動半導体装置の種々の幾
何学的形状の寸法を含む。半導体製造におけるサブミク
ロン形状の要求によってフォトリソグラフィック法およ
びフォトリソグラフィック装置の改良が必要とされた。
改良されたフォトリソグラフィック法の1つが移相リソ
グラフィーとして知られているものである。
像力を向上し、ターゲットに投写される光像の深さを深
くするために、光の干渉を使用している。移相リソグラ
フィーでは、近接する明るい領域が相互に好ましくは1
80°異なる位相で形成されるように、対象における露
出光の位相を制御する。したがって、回折によって暗い
領域が明るくされたような場合でも、暗い領域は有害な
干渉によって明るい領域の間に発生される。この技術は
対象(ウェハー)における全体の解像力を向上し、0.
25μのように高い解像力を達成できるようにする。
と不透明領域のみを含むが、移相マスクは物質の3種類
の領域すなわち層で繰り返しパターンが形成される。不
透明層は光を透過させない領域を構成し、光透過層は1
00%に近い光を透過させる領域を構成し、移相層は1
00%に近い光を透過させるが、光透過層を通る光に対
して180度(π)移相させる領域を構成する。不透明
領域の縁部から回折され、光透過領域および移相領域を
透過した光が、それらの領域の間の暗くなっている領域
で打ち消されるように、光透過領域および移相領域が配
置される。これによって、暗い領域と明るい領域のパタ
ーンが形成される。そのパターンを用いて、フォトパタ
ーン化された半導体ウェハー上のマスクによって構成さ
れたパターンの特徴を明らかに描くことができる。
種々の技術がこの技術分野で開発されている。1つの種
類の移相マスクが、この分野におけるパイオニヤ的研究
者であるルベンソン(M.D.Levenson)の名
を取って名づけられた「ルベンソン」または「交番アパ
ーチャ」移相マスクとして知られている。そのマスクは
研磨した石英などの透明基板上に形成されるのが普通で
ある。クロムなどの材料で製造される不透明層が透明基
板上に付着され、アパーチャ・パターンでエッチングさ
れる。これによってマスク上に不透明領域が形成され
る。その不透明領域はアパーチャ・パターンに組合わさ
れて希望のパターンを生ずる。移相マスクによって透明
領域および不透明領域がアパーチャ内部に不透明領域に
対して交番するパターンで形成される。
1つおきのアパーチャに付着することによって形成する
ことができる(すなわち、アディティブ法)。あるい
は、1つおきのアパーチャに溝をエッチングすることに
よって移相領域を形成することができる(すなわち、サ
ブトラクティブ算法)。この種の移相構造では、溝を設
けられたアパーチャを通る光は、基板の全厚さの上すな
わち表面に形成されている近接しているアパーチャを通
る光よりも、基板内を短い距離だけ進む。したがって、
マスクの近接するアパーチャを出た光ビームは位相差を
持つ。光波がウェハーにおいて打ち消し合うように、そ
の位相差は180°(π)、またはそれの整数倍、であ
ることが好ましい。移相領域の基板厚さおよびマスクパ
ターンの光透過領域の基板厚さは次式によって計算する
ことができる。 t=iλ/2(n−1) ここに t=厚さ i=奇数整数 λ=露出光の波長 n=露出光の波長における基板の屈折率 である。
ン(交番アパーチャ)移相マスク用の従来の移相マスク
パターン22が示されている。この移相マスクは、上に
不透明物質(たとえば、クロム)が付着されている透明
基板(たとえば、石英)上に形成される。マスクパター
ンの不透明領域は斜め線ハッチングで表され、光透過領
域はハッチングが施されておらず、移相領域は垂直線の
ハッチングで表されている。
ように、移相マスクパターン22(図3)はT形の部分
24A〜24Dの鏡像対、および平行に隔てられた一対
の境界26、26Aで形成された透明領域を含む。垂直
にハッチングされた領域で表されているように、1つお
きのT形部分24A〜24Dと1つおきの境界26、2
6Aが移相領域として形成される。移相領域は、移相が
生じない光透過領域と交番する(すなわち、交番アパー
チャ)。所定の深さまでの基板中の溝として移相領域
(あるいは、光透過領域)を形成することによって移相
を行うことができる。または、基板上に移相物質を付着
して移相領域を形成することができる。
自動化したコンピュータ支援設計技術(自動CAD)を
用いてしばしば発生される。例として、1991年12
月8日から11日にワシントンD.C.で開催された国
際電子装置会議(International Ele
ctron Devices Meeting)におい
て発表されたウォン(Wong)他による「CADツー
ルキットを用いる移相マスクレイアウトの問題点の研究
(Investigating Phase−Shif
ting Mask Layout Issues U
sing aCAD Toolkitt)」と題する技
術論文が移相マスク用CAD設計法について記述してい
る。
造された移相マスクの1つの問題は、投写された画像を
劣化させる位相衝突領域が数多く存在することである。
一般に、同じ位相領域が2つ非常に近接してマスクパタ
ーン22上に一緒に生じた場合に位相衝突が起きる。隣
接する0°領域に対するそれらの位相衝突領域を2つ、
参照番号28、30で示す。隣接する180°領域に対
するそれらの位相衝突領域を2つ、参照番号28A、3
0Aで示す。
どの位相衝突領域中の不透明物質は、システムの解像力
限界以下である比較的狭い幅を持つことができる。した
がって、それらの狭い幅の領域(32、34、32A、
34A)は「解像」されず、不透明物質によって表され
る形状はウェハー上に明確にプリントされない。この理
由から、移相リソグラフィーは半導体の製造に用いられ
る多くの複雑なパターンに対して満足できる結果をもた
らさないことがある。
の問題を考慮して、複雑なパターンを形成するのに適当
な改良した移相マスクに対する需要が存在する。したが
って、本発明の目的は、フォトリソグラフィー用の移相
マスクを製作する改良した方法を得ることである。本発
明の別の目的は、位相衝突領域内の投写された諸特徴の
解像力を向上した、改良した移相マスクを得ることであ
る。本発明の更に別の目的は、大規模半導体製造に適応
でき、かつ自動CADマスクレイアウト技術に適合す
る、移相マスクを製造するための改良した方法を得るこ
とである。
スクを製作する改良した方法、および半導体フォトリソ
グラフィーに適当な改良した移相マスクが得られる。本
発明の方法は、簡単にいえば、希望の移相マスクパター
ン内部での位相衝突領域を識別する工程と、透明な基板
の上に不透明な層を付着する工程と、不透明な相を貫通
して基板まで開口部のパターンを形成して、不透明な領
域と透明な領域のマスクパターンを形成する工程と、位
相衝突領域内部でマスクパターンの近接する透明領域を
一緒に接続する工程と、1つおきの透明領域の内部およ
び接続透明領域の内部で移相領域を形成する工程とを備
える。本発明の方法はアパーチャ交番、またはルビンソ
ン、移相マスクを製造するのに適している。
領域を識別する。これは、この技術部門で知られている
技術を用いて、または自動CADマスクレイアウト技術
を用いて手作業で行うことができる。前記のように、位
相衝突領域は、相互に非常に近接している、同位相のマ
スクパターン上の領域である。その後で、段階的書込み
フォトリソグラフィック法すなわち多重書込みフォトリ
ソグラフィック法を用いて、石英などの透明基板上に1
つまたは複数の部分マスクパターンを形成する。これ
は、基板に不透明層を付着する工程と、パターン化およ
びエッチングによって不透明層内に透明領域をあける工
程とを含む。その後で、エッチングまたはその他の適当
な技術によって移相領域を透明領域内部に形成する。
部分マスクパターンまたは中間マスクパターンを基板上
に形成する。部分的に完成したマスクパターンは、位相
衝突領域内の同位相の透明領域を接続する透明接続部を
含む。その後で、要求に応じて、接続された透明領域お
よびその他のパターン領域内部に移相帯を形成する。マ
スクパターンの複雑さに応じて、マスクパターンを製造
するための段階的なフォトリソグラフィック法は2回ま
たはそれ以上の書込みを含むことがある。
に詳細に説明する。まず、移相マスクパターン40の形
成について本発明の方法を示す図4、図5および図6を
参照する。完成した移相マスクパターン40′(図6)
が半導体ウェハー上にフォトレジスト・パターン10
(図1)を形成するようにされている。図4は、2回書
込み法の最初の書込み中の部分的に完成した状態にある
マスクパターン40を示す。部分的に完成したマスクパ
ターン40はT形部分42A〜42Dと境界44、44
Aを含む。T形部分42A〜42Dと境界44、44A
はネガレジストを現像するために透明である。マスクパ
ターン40の残りは不透明である。
スク製造技術を用いて製造することができる。たとえ
ば、マスクパターン40を製造するためのマスク構造
は、クロムなどの不透明物質の層が付着されている研磨
した石英などの透明な基板を含むことができる。不透明
層は、電子ビーム付着(EBD)、化学蒸着(CVD)
またはスパッタリングなどの従来の方法を用いて透明基
板に付着することができる。
40を形成するためにフォトリソグラフィック法を使用
することができる。不透明層は、フォトレジスト層を付
着することによってパターン化することができる。その
フォトレジストを希望のパターンで現像し、その後でエ
ッチングして不透明層の望ましくない部分を除去する。
この分野で知られている技術、たとえば、電子ビーム書
込みまたはレーザパターン書込みなどによって希望のパ
ターンでのフォトレジストの書込みを行うことができ
る。エッチングは、ドライプラズマエッチまたは類似の
方法で行うことができる。本発明の方法は、不透明層を
移相領域と共に書込み、何回もエッチングする段階的エ
ッチングを含むことが好ましい。
ーンの位相衝突領域46を最初に識別する。位相衝突領
域は、同位相の2つの領域が移相マスク上に非常に近接
して生ずるものである。位相衝突領域46はこの分野で
知られている自動CAD技術を用いて識別することがで
きる。マスクパターン中の位相衝突領域を識別するため
に適当な1つの技術が、1991年のIEDM会議で発
表されたウォン他の前記技術論文に記述されている。そ
の論文を参考のためにここに引用する。
ンでは、T形部分42A〜42Dと境界44、44Aの
間の領域に位相衝突領域46が生ずる。本発明の方法に
従って、位相衝突領域46の内部に透明な接続部48が
形成される。透明な接続部48は位相衝突領域46内の
T形部分42A〜42Dと境界44、44Aを接続す
る。また、透明な接続部48Aは、位相衝突が無い場所
でT形部分42A〜42Dと境界44、44Aを接続す
る。
のT形部分42B、42Dと1つおきの境界44、44
Aを移相領域50および52として形成される(図
5)。移相領域はサブトラクティブ法を用いて形成する
ことができる。サブトラクティブ法では透明基板を浅い
深さまでエッチングする。あるいは、基板に移相物質を
付着するアディティブ法を使用することができる。いず
れの場合にも、透明移相領域および透明な光透過領域が
形成される。
のT形部分42B、42Dと1つおきの境界44、44
Aを形成するために、位相衝突領域46にある透明接続
部48が移相帯50として形成される(図5)。図5は
マスク40の他の素子から分離されている位相衝突領域
のパターンを示す。それらは移相帯50と、T形部分5
4と境界移相領域54を含む。
明領域が上に載せられている移相領域のパターンを示
す。図6で、透明な移相領域が垂直線でハッチングされ
ている。光透過領域の上に載っている移相領域(たとえ
ば、移相領域52が図4の光透過領域42Bと42Dの
上に載っている)が光透過領域より大きいことに注目さ
れたい。これによって光透過領域によってウェハー上で
露出されているパターンの縁部の周囲に移相作用を行
う。
法を示す図7ないし図11を参照する。図7は半導体ウ
ェハー上にプリントすべき従来技術の希望のフォトレジ
スト・パターン56を示す。図7で、フォトレジストで
覆われているウェハー領域に斜め破線ハッチングが施さ
れ、フォトレジストが付着されていないウェハー領域に
はハッチングは施されていない。フォトレジスト・パタ
ーン56は平行に隔てられた長方形部分58、60と、
平行に隔てられたジグザグな部分62、64を含む。そ
れらの各部分58、60、62、64はフォトレジスト
で形成される。
ォトレジスト・パターン56を形成するために適当な従
来のマスクパターン66を示す。図8で、マスクパター
ン66の不透明領域は斜め線のハッチングで示し、透明
領域にはハッチングを施していない。図8に示す透明な
長方形部分68、70はウェハー上に長方形フォトレジ
スト部分58、60(図7)を生ずる。同様にして、透
明なジグザグ部分72、74がウェハー上にジグザグな
フォトレジスト部分62、64(図7)を生ずる。
ブミクロン寸法のために、このマスクパターン66は満
足できる再現を生じないことがある。とくに、それらの
部分の間の薄い長方形部分すなわちスペースはフォトレ
ジスト・パターンで解像できないことがある。このため
に、より小さい特徴寸法を達成するために、移相リソグ
ラフィック技術を使用することができる。
ォトレジスト・パターン56を形成するために適当な従
来の移相マスクパターン76を示す。これは図8に示す
のと同じマスクパターン66であるが、180°移相領
域72′として形成された透明領域72を有する。移相
を行わず(すなわち、0°)光透過領域として機能する
ために透明領域68、70がいぜんとして形成される。
て、それらの領域の間の不透明物質82によって構成さ
れる画像を鮮明にする。しかし、この構成では透明領域
68と70の間に位相衝突領域78が配置される。サブ
ミクロン寸法のパターンでは、位相衝突領域78内の不
透明物質80はウェハー上で解像されないようである。
のこの限界を克服する本発明の方法に従う移相マスクパ
ターンの形成を示す。先に説明したのとほぼ同じである
フォトパターン化およびエッチング法を用いてマスクパ
ターンを2段階で書込むすなわちエッチングする、2回
書込み法を開示する。図10に示す最初の書込み中は、
バイナリマスクパターン84′(すなわち、パターン化
したクロム)を、不透明物質のフォトパターン化および
エッチングによって部分的に形成する。図11に示す第
2の書込み中は、190°移相領域のフォトパターン化
およびエッチングによってマスクパターン84を完成す
る。
最初に識別する。位相衝突領域の識別に続いて、位相衝
突領域において一緒に結び付けられているパターンの透
明部分でマスクパターンが部分的に形成される。図10
に示すように、部分的に完成したマスクパターン84′
は大きい全体としてH形の透明領域86を含む。この部
分的に完成したマスクパターン84′は2回書込み法の
最初の書込みで形成される。部分的に完成したマスクパ
ターン84′は、L形の不透明領域88が無く、透明領
域70、72が連続して形成されている点で、従来のパ
ターン76(図9)と異なる。
大きい透明領域86内に2つの別々の180°移相領域
が形成される。とくに、第1の長方形移相領域90と第
2のジグザグ形移相領域92が形成される。前と同様
に、それらの領域はクロム無し移相構造であって、マス
ク構造を所定の深さまでエッチングすることによって形
成することができる。(あるいは、アディティブ法では
移相物質を加えることができる)。それらの180°移
相領域90、92は交差せず、L形の0°透明領域94
によって分離される。
い180°移相領域と協働して重なり合う0を生ずる。
これによって、ネガ調レジストを用いた時に、対応する
L形フォトレジスト部分を生ずる。したがって、マスク
パターン84のL形0°透明領域94(図11)は従来
のマスクパターン76(図9)のL形不透明領域88と
同様に機能する。
す。図12はマスクパターン84の概略横断面であっ
て、両側が移相領域90と92によって接合されたL形
の0°透明領域94を示す。図13では、ウェハーにお
ける電界の強さはL形の0°透明領域94に対応する領
域では0である。この領域におけるフォトレジストは露
光されず、ネガ調レジストの場合にはウェハーから除去
される。
回書込み法による本発明の方法を示す図14ないし図1
7を参照する。4回書込み法は、先に概略説明したフォ
トリソグラフィック・パターン化およびエッチング法で
あるが、マスクパターン中に開口部を形成し、開口部中
に移相器を形成するために4回の独立したパターン化お
よびエッチング工程を有する。完成したマスクパターン
は、図1に示す複雑なパターン10に等しいネガ調フォ
トレジスト・パターンをウェハー上に形成するのに適当
である。
ク法の最初の書込み中の部分的に完成したマスクパター
ン96を示す。この4回書込み法は、前に述べた2回書
込み法(図10ないし図13)とほぼ同じであるが、形
状要素の自己位置合わせが改善されている。マスクパタ
ーン96を形成するために、透明石英基板にクロムなど
の不透明層を付着する。その後で、フォトリソグラフィ
ック法の最初の書込み中に不透明層をパターン化および
エッチングして2進マスクパターン(たとえば、石英上
のクロムパターン)を形成する。図14において、マス
クパターン96の透明領域が透明で、マスクパターン9
6の不透明領域が斜めハッチングを施されている。フォ
トリソグラフィック法の最初の書込み中に、マスクパタ
ーン96の主透明領域が上に開かれる。前と同様に、そ
れらの主透明領域はT形部分98A〜98Dと平行に隔
てられた境界の対100A〜100Dを含む。
示す従来のマスクパターンとほぼ同じ形にされる。しか
し、1つの違いは、T形部分98A〜98Dと境界10
0A〜100Dの間に薄い不透明接続部が形成されるよ
うに、T形部分98A〜98Dと境界100A〜100
Dが形成されることである。それらの接続部は上側接続
部106と下側接続部108を含む。T形部分98Aの
上端部のための1つの不透明接続部106の詳細を図1
7に示す。図17に示すように、図示の上側不透明接続
部106を形成するために、透明境界100Dは長方形
突出部110を含む。この突出部はマスクパターンの不
透明領域内に延長する。同様にして、T形部分98Aは
係合する長方形突出部112を含む。この突出部はマス
クパターンの不透明領域内に延長する。
8Dの下端部に形成されて、不透明な接続部108(図
14)を形成する。その後の書込み中に、それらの薄い
不透明な接続部106、108を除去して、T形部分9
8A〜98Dと境界100A〜100Dの間に透明な接
続部を形成する。
ク法の2回目の書込み中の部分的に完成したマスクパタ
ーン96を示す。2回目の書込み中に、不透明層内の1
つおきの境界104中の1つおきのT形領域102をエ
ッチングして180°移相器を形成する。このエッチン
グ工程中に残りのT形領域103と境界105をレジス
トで覆ってエッチングから保護する。完成したマスクパ
ターンでは、領域102、104は移相領域で、領域1
03、105は光透過領域である。それらの未来の移相
領域102、104は対応する光透過領域103、10
5より大きい。図15において、上に移相領域102、
104が形成されているマスクパターンの透明領域を破
線で示す。
ック法の3回目の書込みと4回目の書込みに続く、完成
したマスクパターンの一部を示す拡大図である。3回目
の書込み中に、上の不透明接続部106以外の全てをレ
ジストで覆い、その後で不透明物質(たとえば、クロ
ム)をエッチングによって除去することによって、上の
不透明接続部106を除去する。不透明接続部106の
除去に続いて、不透明接続部106の除去に用いたレジ
ストを除去する。その後で、T形移相領域102と境界
移相領域104でブランケット180°エッチングを行
う。このエッチング中に、既に180°までエッチング
されたT形移相領域102と境界移相領域104を36
0°までエッチングし、完成したマスクパターン内部で
移相器(水平ハッチング)になる。同時に、T形光透過
領域103と境界光透過領域105を、ブランケット・
エッチングで180°だけエッチングし、完成したマス
クパターン内部で光透過領域になる。
みで形成した下不透明接続部108(図14)と追加の
位相衝突領域をエッチングして、0°移相帯114を形
成する。
したマスクパターン40とほぼ同じである。とくに、1
80°領域と交番する360°移相領域が形成される。
また、接続移相領域すなわち0°移相領域114が位相
衝突領域内に形成される。明らかなように、0°領域は
360°領域と同様に同じ位相の光を生ずる。0°また
は360°領域を通る光は、180°領域を通る光とは
πだけ位相が異なる。
ができる。 1回目の書込み:不透明層をパターン化およびエッチン
グして2進マスク(たとえば、クロムおよび石英)を形
成する。 2回目の書込み:基板を180°までエッチングによっ
て180°移相すべき領域を開く。 3回目の書込み:180°衝突領域において「位相帯」
を開き、不透明物質をエッチングで除去する。レジスト
を除去し、ブランケット180°基板エッチングを行
う。 4回目の書込み:3回目の書込みで形成した新しい18
0°衝突領域を除去し、位相衝突領域内の不透明物質を
除去して位相帯を形成する。
を説明したが、ここで説明した発明の概念を用いて、複
雑なパターンを含む他のマスクパターンを形成できるこ
とを理解すべきである。また、ここで説明した移相領域
はサブトラクティブ法(すなわち、移相溝をエッチング
する)を用いて形成したが、移相領域を形成するために
アディティブ法(たとえば、移相物質の付着)を用いて
移相領域を形成できることも理解すべきである。更に、
ネガ調フォトレジストを用いて本発明の方法を説明した
が、ポジフォトレジストも使用できることを理解すべき
である。
ォトレジスト・パターンの略図である。
およびネガ調レジストを用いて図1に示す複雑なパター
ンを形成するのに適当な従来のマスクパターンの略図で
ある。
来の交番アパーチャ移相マスクパターンの略図である。
の部分的に完成したマスクパターンの略図である。
を示す略図である。
4のマスクパターンの透明領域の場所を示す略図であ
る。
トレジスト・パターンの略図である。
スト・パターンを形成するためのフォトリソグラフィー
で使用するために適当な従来のマスクパターンの略図で
ある。
めの従来の移相マスクパターンの略図である。
法の最初の書込みの後の、図7のフォトレジスト・パタ
ーンを形成するための部分的に完成した移相マスクパタ
ーンの略図である。
ターンを示す図10に類似する略図である。
である。
クパターンを用いてウェハー上の電界の強さを示す略図
である。
明に従って製造したマスク用の部分的に完成したマスク
パターンの略図である。
分的に完成したマスクパターンの略図である。
のマスクパターンを示す拡大略図である。
図である。
Claims (19)
- 【請求項1】透明な基板の上に不透明な層を付着する工
程と、 不透明な層を貫通して基板まで開口部のパターンを形成
して、透明な領域と不透明な領域を含むマスクパターン
を形成する工程と、 同相の領域が内部で非常に近接して生ずるような希望の
移相マスクパターン内部での位相衝突領域を識別する工
程と、 マスクパターンの近接する透明領域を位相衝突領域内部
で一緒に接続するための接続透明領域を形成する工程
と、 1つおきの透明領域の内部および接続透明領域の内部で
移相領域を形成する工程とを備える、アパーチャ交番移
相マスクを製造する方法。 - 【請求項2】請求項1記載の移相マスクを製造する方法
であって、基板に溝を形成するサブトラクティブ法を用
いて移相領域を形成する、移相マスクを製造する方法。 - 【請求項3】請求項1記載の移相マスクを製造する方法
であって、移相物質を基板上に付着するアディティブ法
を用いて移相領域を形成する、移相マスクを製造する方
法。 - 【請求項4】請求項1記載の移相マスクを製造する方法
であって、フォトリソグラフィック法を用いてマスクパ
ターンを形成し、そのフォトリソグラフィック法では不
透明層をレジストで覆って、フォトパターン化し、不透
明層と基板を段階的にエッチングする、移相マスクを製
造する方法。 - 【請求項5】請求項4記載の移相マスクを製造する方法
であって、フォトリソグラフィック法が、不透明層中に
開口部のパターンを形成する第1の書込みと、接続透明
領域を形成する第2の書込みとを含む、移相マスクを製
造する方法。 - 【請求項6】請求項4記載の移相マスクを製造する方法
であって、フォトリソグラフィック法が、不透明層中に
開口部のパターンを形成する第1の書込みと、1つおき
の開口部に移相領域を形成する第2の書込みと、接続透
明領域を形成する第3の書込みと、接続透明領域中に移
相帯を形成する第4の書込みとを含む、移相マスクを製
造する方法。 - 【請求項7】請求項1記載の移相マスクを製造する方法
であって、ネガ調レジストでウェハーをフォトパターン
化するために移相マスクパターンを適合させる、移相マ
スクを製造する方法。 - 【請求項8】請求項1記載の移相マスクを製造する方法
であって、ポジレジストを用いてウェハーをフォトパタ
ーン化するために移相マスクパターンを適合させる、移
相マスクを製造する方法。 - 【請求項9】請求項1記載の移相マスクを製造する方法
であって、移相マスクを用いるリソグラフィック作業中
に透明帯に強い零を形成するように、接続透明領域が透
明帯によって分離された重なり合う移相領域を含む、移
相マスクを製造する方法。 - 【請求項10】請求項1記載の移相マスクを製造する方
法であって、位相衝突領域を自動CAD技術を用いて識
別する、移相マスクを製造する方法。 - 【請求項11】請求項1記載の移相マスクを製造する方
法であって、移相領域のための基板をエッチングして3
60°移相させる、移相マスクを製造する方法。 - 【請求項12】同相の領域が内部で非常に近接して生ず
るような希望の移相マスクパターン内部での相の衝突の
領域を識別する工程と、 透明な基板の上に不透明な層を付着する工程と、 不透明層をフォトパターン化およびエッチングして、透
明領域と、不透明領域と、マスクパターンの近接する透
明領域を位相衝突領域において一緒に接続するための接
続透明領域とを含むマスクパターンを形成する工程と、 位相衝突領域内の諸特徴を分離するために、1つおきの
透明領域の内部および接続透明領域の内部で移相領域を
形成する工程とを備える、交番する開口部移相マスクを
製造する方法。 - 【請求項13】請求項12記載の移相マスクを製造する
方法であって、フォトパターン化およびエッチングが、
透明領域と不透明領域を形成する第1の書込みと、接続
透明領域を形成する第2の書込みとを含む、移相マスク
を製造する方法。 - 【請求項14】請求項13記載の移相マスクを製造する
方法であって、基板に溝をエッチングすることによって
移相領域を形成する、移相マスクを製造する方法。 - 【請求項15】請求項12記載の移相マスクを製造する
方法であって、フォトパターン化およびエッチングは、
透明領域と不透明領域を形成する第1の書込みと、接続
透明領域を形成する第2の書込みとを含む、移相マスク
を製造する方法。 - 【請求項16】請求項12記載の移相マスクを製造する
方法であって、フォトパターン化およびエッチングは、
バイナリマスクパターンを形成する第1の書込みと、基
板をエッチングして180°移相領域を形成する第2の
書込みと、180°位相衝突領域を形成する第3の書込
みと、第3の書込みによって形成された位相衝突領域を
エッチングして移送帯を形成する第4の書込みとを含
む、移相マスクを製造する方法。 - 【請求項17】同相の領域が内部で非常に近接して生ず
るような希望の移相マスクパターン内部での相の衝突の
領域を識別する工程と、 透明な基板の上に不透明な層を付着する工程と、 不透明層をフォトパターン化およびエッチングして、透
明領域と不透明領域を含むマスクパターンを形成する工
程と、 1つおきの透明領域をエッチングして移相領域の交番す
るパターンを形成する工程と、 位相衝突領域内のマスクパターンの近接する透明領域の
間の接続透明領域をフォトパターン化およびエッチング
する工程と、 位相衝突領域内の諸特徴を分離するために、接続透明領
域の内部で移相帯をフォトパターン化およびエッチング
する工程とを備える、交番する開口部移相マスクを製造
する方法。 - 【請求項18】請求項17記載の移相マスクを製造する
方法であって、不透明層のフォトパターン化およびエッ
チングが第1の書込み中であり、1つおきの透明領域の
フォトパターン化およびエッチングが第2の書込み中で
あり、接続透明領域のフォトパターン化およびエッチン
グが第3の書込み中であり、移相帯のエッチングが第4
の書込み中である、移相マスクを製造する方法。 - 【請求項19】請求項18記載の移相マスクを製造する
方法であって、第2の書込み中に基板をエッチングして
光を180°移相し、第3の書込み中に180°基板を
エッチングして光を360°移相する、移相マスクを製
造する方法。
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