TW301012B - - Google Patents

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經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 i、發明説明（） 本發明偽在 Advanced Research Projects Agency授 與之MDA972-92-C-0054號協議下M政府之支持完成。對本 發明政府持有一定之權利。 本發明有两於光學石板印刷術，而更特別有鼷於護罩 或光柵之裂造，逭些是使用於光學石板印刷術中者。本發 明之方法係特別邃合於供半導《生產用之相移護軍之裂造 0 在半導黼生產中，徹石印刷術係使用於在一半導醱晶 片上之稹鼸霣路之形成。石板印刷術過程中，諸如紫外線 光之幅射能之形成，係傅送通過一護罩或光檷並落於半導 «晶片上。此護罩含有不透明和透明匾域或範園形成於一 預定之圓型中。例如，一光櫊_型可以用來界定平行分明 之導線於一半導讎晶片上。紫外線光曝«此護罩Β型於一 曆形成於晶片上之保護層。此保護饜随後係被颶發，因以 移除要就是保護靥之曝光部分供作正保護層，抑或移除保 護層之未曝光部分供作負保護«。此成圏型之保護《可隨 後在一後續之半導鼸製迪程序中被使用*諸如離子植入法 或》刻法。 第1·說明一複合之光阻形10,它使用光學石板印 刷技術業已形成在一部分半導龌晶片上。在第1圔中*晶 片上係覆蓋Μ保護層之匾域係遮蔽Μ斜虚線°此光阻圔型 10形成於晶片上者包括一大致上為Τ形剖面12A-D之重覆配 置，大鐮上構形如所示。此Τ形剖面12A-D係呈鏡式彩像 對而配置。此外，一對平行分隔邊14係大致上垂直於Τ形 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本f ) 装· 經濟部中央標準局負工消费合作杜印製 301012 Λ7 Β7 五、發明説明（） 剖面12A-D而放置並框住圈型10之下面部分。另一對平行 分隔邊14A ，形成一如邊14之嫌式彩像者，則框住晒型10 之上面部分。此邊有一不規則之周邊構形大讎上如匾所示 Ο 如果一正光阻係使用時，形成T形剖面12A-D和邊之光 阻躭會相當於在護軍上之不透明匾。晶片之其餘範園而沒 有光阻並會相霣於謹罩上透明或光可透射之範函。光刻蝕 之進行中光傳送通遇此等護罩圈型之透明匾作用Μ開發正 光阻並係随後移除。相反地為一反色調光阻則有光阻（Τ形 剖面12A-D，遴14* 14Α)之晶片之範園躭會相當於護罩之 透明區。 玆參看第2圔，一護罩鼷型16適合於两展一反色調保 護層進入第1圓說明之光阻圓型10内者係經願示。第2圈 内*護軍圔型16之不透明匾有斜實線，Μ及透明匾則爲淸 晰。此護軍16包括形成以Τ形剖面18A-D之鏡式彩像對之透 明匾以及平行分隔邊20» 20Α之透明Β，大讎上構形如酾 所示。一如先前，此邊20 , 20Α框住Τ形剖面18A-D，並係 垂直於Τ形剖面18A-D。謹軍鼷型16之透明S係用來两發此 反色調光阻，此匾仍保留在晶片上所要圏型10(第1鼸）内 〇 此類傳统式護軍配置用於形成半導鼷结構之有具特色 之大小係大於大約0.5//者。不遇，當撤霣路之密度已增 加時，則半導齷裝置之特色之大小，諸如由第1画之光阻 圓型10所代表之那些躭已減小至次微米水平。逭些次徹米 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 特色可包括金羼導黼線之寬度和間隔或者有效半導釀装置 之各種幾何鼸特色之大小。在半導鼸生產中之次微米特色 之需求已有必要有改進之石板印刷術之方法和条統之開發 。一棰此類改進之石板印刷術方法係以柑移石板印刷術著 稱。 Μ相移石板印刷術，光嫌之干涉係用來克服衍射，並 改進投射在一目檷上之光學彩像之分辨率和深度。在相移 石板印刷術中，曝光在一物鼸處之相係如此地控制，即鄰 近光明亮S係相互在相位外之180度通當地形成。黑暗區 因而係藉毀減式干渉而產生於明亮Β之藺，即令是當衍射 不會促使此等匾域成為光亮時亦然。此一技術在物龌（亦 邸晶片）上改進了總分辨度，並讓分辨精密到0.25«·可 發生。 然而一傳统式石板印刷術謹罩僅含透明和不透發匾， —相移護軍係Μ形成三播不同匾域或層之材料之重覆型 構造。一不透明層提供不讓光透射之1域，一光透射層提 供可讓接近100%之光線透射通遇之S域，以及一柑移層 提供可讓接近100%之光線傳送通過但自此光傳送通過此 光透射區之相移180度之匾域。此光透射匾和相移匾係如 此座落*即自不透明S之邊绪所衍射之光線並通過光透射 匾和相移匾者係在一其閬之黑暗區域内被消除。此將產生 一黑睹和明亮之型，它可Μ用來很淸楚地描盡由在光照 匾型之半導饈晶片上之護睪所界定之一鼸型之特色。 近年來，在用以製造不同類型之相移護罩之技藝業已 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 6 五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝 两發。柑移護軍之一種，在M.D.Levenson領域之領先硏究 者之後而定名，係以Levenson或”交變孔”相移護罩爲眾所 習知。此一謹罩典型地係形成在一逸明基鱷上諸如抛光之 石英。一不透明層*由如絡之物質形成者，係濺積在透明 基艚上並蝕刻Μ孔之型。此將在護罩上形成不透明區。 它舆載有所要圔型之孔之圈型组合。Μ—相移護罩，此透 明®和相移匾係以一枏期於不透明Β之交變型而形成於 孔内。 護罩型之相移匾亦可藉澱積一相移材料入每一其他 孔（亦邸*加色方法）内而形成。另一方式爲相移匾亦可藉 牲刻一槽於每一其他孔内而形成（亦邸，減色方法〉。如此 一類型之相移結構*此光傳送通邋一有槽之孔行進於以光 線傳送通過形成於基釀全厚度上面之粼近孔為準之基醱内 之一短距離。光束存在於護罩之鄺近孔内者因此有一相位 差。此相位差係適當地180° a，或者其全倍數，因此光 波在晶片處被消除。基質之厚度供相移谌和護軍蘭型之光 透射B用者可以此公式計算： t=i λ /2(η-1) 其中： t =厚度 i=奇整數 λ =曝光之波長 n =在曝光波長處基質之折光率 參看第2A·，一早期技S之相移護軍匾型22供一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 7 3〇1〇ΐ2 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7五、發明説明（） Levenson(交變孔〉相移護罩用者係護知。此相移護罩可形 成在一透明基髓（亦邸石英）之有一石透明材料（例如*絡） 醱稹其上者。護罩躍型之不透明匾Μ斜線描影代表，光透 射S係清晰，Μ及相移匾有垂直嫌描彩。 一如先前護罩圔型16 (第2_)—樣，此相移護罩圈型 22(第2Α·)包括形成ΜΤ形剖面24A-D之嫌式彩像對之透明 區以及平行分隔之邊26, 26Α。一如由垂直描影Β所表示 者，每一其他Τ形剖面24Β，24D，和毎一其他邊26, 26Α係 形成如一相移匾。此相移區與光透射匾交替，其中沒有相 移發生（亦邸，交變孔）。當基鼸内之槽至一預定深度時， 枏移亦可藉形成此移相匾來建成（或者交替光透射匾）。另 一方式為一種相移材料亦可澱積於基讎上以形成相移Ε。 因為其複雜性，故相移護軍型係通常使用自動霣子 計算器轎肋之設計技術來產生（自動計算槻輔助設計）。例 如，1991年十二月八日至十一日，在美囲華盛頓特匾舉行 之固際«子装置會謙中，由汪<Wong>等人所發表之技術硏 究，論題爲”使用一《子計算器輔肋設計工具袋來探査相 移護罩設計结果”，說明一CAD設計方法供相移護罩用者。 Μ此一複雜之護罩圔型22所建造之一相移護單之一項 問題係有若干相位衝突區促使所投射之影像變得退化。通 常一相位之衝突發生係相同相位之兩®非常緊密接近地一 起發生在護罩_型22上。在粼近0度區之兩值此等柑位衡 突區係指示於28和30處。在粼近180度區之兩僱此等相位 衝突區係指示於28Α和30Α處。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度逋用中國國家標牟（CNS ) Α4规格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印氧 Μ Β7 五、發明説明（） 在相位衝突區内之不透明材料，諸如不透明部分32, 34,32A,34A可有一比較窄狹之宽度，此宽度係低於供此条 統用之分辨率檯限。此等狹窄寬度之不透明部分（32,34, 32A,34A)將因此而不可”分解”，同時由不透明材料所表示 之持色将不會清晰地在晶片上印出來。爲此1原因*相移 石板印刷術可能不能爲使用於半導讎生產中之甚多複雜之 圔型提供令人滿意之結果。 躭此一和其他問題之觀酤言，此技《中有需要讓改進 之枏移護罩可適合於形成複雜之圖型。依此，本發明之目 的傜在為光刻蝕法提供一改進之做成相位謅軍之方法。本 發明之另一目的係在提供一改進之枏移護單，其中於相位 ffi突匾内所投射之待色之分辨率条獲得改進。仍爲本發明 之另一目的係在提供用以裂成相移護單之改進方法，它係 適用於大比例尺之半導疆生產，同時它係與自動霣子計算 器輔助設計之護罩佈置技術可共存者。 依據本發明，一製造相移護罩之改進方法Μ及一改良 之相移護罩可適用於半導《光刻蝕法者係經提供。簡而言 之，本發明之方法包含之步»爲：在一所要之相移護罩圔 型中辨雄柑位衝突Β ;澱稹一不透明層於透明基讎上，並 通通此不透明靥蝕刻閭口至基體Μ形成不透明匾和透明匾 之一護單匾型；在相位衝突匾內将謭罩園型之粼近透明匾 連接一起；Μ及在每另一開口内以及已連接之透明匾内形 成相移匾。本發明之方法係可適合於用以製造一交變孔， 或Levenson交相移護罩。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） _ 〇 _ (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（） 起始時，所要護軍型之相位衝突區係經辨雄。此将 可以使用業界所熟知之技術Μ手動地完成，或者藉使用自 動CAD護軍佈置技術。一如前逑，相位衝突匾係在護睪圏 型上相同相位之匾域係緊密相互接近者。使用一分级或多 级害寫光刻蝕程序，一偁或多但局部護軍·型隨後係形成 於一透明基讎上，諸如石英者。此将包含》稹一不透明層 在基鼸上，以及藉使成Η型及蝕刻而在不透明《上開放出 透明匾。相移匾隨後係藉蝕刻或其他適當之技術而形成於 透明匾內。 在分级之光》刻程序中，一局部或中级之護罩型係 形成於基腰上。此局部地複雜之護罩圓型包括透明達接部 分，它連接相位衝突谌内相同相位之透明匾。相移帶係隨 後形成於連接之透明S内以及如所要之_型之其他區域内 。嫌視護單函型之後雜性而定，此分级光刻蝕程序之用Μ 形成此護罩画型者可包括兩次或多次害寫。 本發明之各棰不同目的，優黏和能力，將可自下列以 參考附圓所說明之本發明之較佳實施例之更實際之說明， 變得益焦明顯。 第1醒爲一形成於半導醴晶片上之早期技»之複雜光 咀·型之示意·; 第2·爲一早期技S護軍匾型之示意_，此·型係供 使用於一光學石板印刷術条统中，並可適合於用Μ形成使 用一反色調保護層之第1_内所示之複雜函型； 第2Α圓爲甩Μ形成第1鼸内所示複雜型之早期技g 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） ，Λ 一 10 - -----„---r--(裝-------訂------^乂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（） 交變孔相移護罩圔型之一示意·; (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3晒痿依據本發明之方法，於護罩之形成中所顧示 之局部完成之護罩_型之一示意國； 第4臞爲一示意匾，願示供第3_之嫌罩圏型用之相 移匾之位置； 第501爲一示意_，顯示供第3·之護罩匾型用之透 明區之位置，Μ此透明區輿相移匾重墨； 第6·爲形成於一半導讎晶片上之另一早期技藹之光 阻圏型之示意·; 第7晒爲一早期技蕕之護罩醒型之示意，此圈型適 合使用於用以形成使用反色調保護層之第6匾之光阻圔型 之光學石板印刷術中者； 第8 Η爲用Μ形成第6圏之光阻匾型之一早期技藉之 相移嫌罩匾型之示意画； 第9匾為用Μ形成第6疆之光阻型之局部地已完全 之相移護罩圓型之一示意，此鼷型係依照本發明使用於 製造一護罩所使用之兩次窨寫程序之第一次書寫之後所顯 示者； 經濟部中夬揉準局貝工消費合作社印製 第10鼷爲類似於第9_之一示意，願示第二次窨寫 之後一已完成之相移議罩围型； 第11Α·為願示於第10·内之謹軍型之一示意性镄 截面圔； 第11Β·—示意_，顯示在一石板印刷術程序中使用 第10圓之己完成之護罩画型在一晶片上«埸之強度； 本紙張尺度遑用中國國家橾隼（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐） 11 11 一 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（） 第12_為四次耆寫程序之第一次窨寫之後，所顯示之 依照本發明所構造之一雄軍之局部己完成之護罩_型之示 意圔； 第13·爲四次窨寫程序之第二次書寫之後所願示之周 部已完成之護罩匾型之一示意醒； 第14圖為一放大示意麵，顯示四次窨寫程序之第三和 第四次窨寫之護罩園型；以及 第15·為第12·之一部分之放大示意圓，顯示一不透 明達接部分。 請參看第3，4和5BI，本發明之方法係以一相移謹 罩鼷型40之形成來說明。此完成之相移護罩画型40’（第5 11>係適用以形成此光阻矚型10(第1画）於半導讎晶片上 。第3圓說明此護軍匾型在二次窨寫程序之第一次耆寫中 呈周部完成之狀況。此局部完成之護罩圏型40包括T形剖 面42A-D和邊44，44A。此T形剖面42A-D和邊44，44A係透 明，用以開發一反色調保讃層者。護罩_型40之其餘部分 係不透明。 顯示於第3·内之謅罩圔型40可以使用傅統式護罩製 迨技術形成。如一範例，一護罩結構之用Μ形成此護軍· 型40者可以包括諸如抛光石英之透明基鼸之有一暦不适明 材料諸如絡澱積在其上。此不透明材料亦可使用一傳統式 方法澱積於透明基讎上，諸如®子來澱積，化學汽相澱稹 或黼射法。 一光刻蝕法亦可使用以防作此不透明層以形成護軍· 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） II丨卜，__,丨丨(裝-------訂------fa (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明（） 型40。此不透明層亦可箱»積一曆照相坑拽_而仿作，将 此抗牲—所要之型曝光並隨後蝕刻Μ移除不透明層 之不要之部分。書寫此照相抗蝕劑於一所要之圔型中亦可 藉業界所熟知之技術爲之，諸如以«子朿窨寫或雷射匾型 軎寫法。拽刻亦可Μ乾霣漿蝕刻或類似方法。本發明之方 法適當地包括一分级》刻方法，其中此不透明層隨著相移 匾係被寫出並經多次予以蝕刻。 依照本發明之方法，在所要護罩_型中之相位銜突Β 46係起始地被辨雄。枏位衡突匾發生在相同相位之兩值相 位呈緊密接近地發生之相移護罩上。此相位衡突區46亦可 使用自動CAD技術（此係樂界眾所熟知者）來辨識。在護罩 圖型中用以辨識相位銜突Β之一棰適用技術係說明於由汪 姓等人於1991年之IEDM會議中所發表之前文已提及之技術 討論中，待引介入本文作爲參考。 說明於第3圈内之局部已完成之護軍型中，相衝 突區46發生於T形剖面42A-D和邊44，44A之間之S域内。 依照本發明之方法，達接透明部分48係形成於相位衢突區 46内。此透明連接部分48連接此T形剖面42A-D^I邊44，44A 於此相位衝突區46内。此外，透明連接部分48A建接此T形 剖面42A-D和邊44，44A之沒有相位衝突者。 下一步，每一其他透明T形剖面42B，42D和每一其他邊 44,44A，一如_型之可能需求，係作爲相移區50及52(第4 画）而形成。相移區亦可使用一減色方法形成，其中此透 明基齷係經》刻至一減小之厚度。另一可供遘揮方式為加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨OX297公釐） ---.1_r,__1--(裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 A7 B7 五、發明説明（） 色方法，其中相移材料係澱積於基臁上者亦可使用。在任 何一種情況中*透明相移匾和透明光透射匾之交替函型係 形成。 此外，要形成每一其他T形剖面42B.42D和每一其他邊 44.44A成為一相移區50和54，原係在相位衝突匾46内之透 明連接部分48係形成為相移帶50 (第4 _)。第4 _說明與 護單40之其他元件分開之相移®之鼷型。這些包括相移帶 50, T形相移E52M及邊相移B54。 第5·說明相移匾與護罩匾型之透明B和不透明匾重 叠之矚型。在第5匾内，此透明相移匾係遮蓋以垂直線。 應予說明者即相移匾之重疊光透射S (例如，枏移S 52分 別重叠光透射區42B和42D者係較大於光透射B。此將沿箸 藉光透射區而曝露在晶片上之型邊绪提供一相移效用。 經濟部中央揉準局員工消费合作杜印製 (請先鬩讀背面之注意事項再填嘴本頁) 現在請參看第6至第10黼，本發明之方法係W於另一 圓形來說明。第6圖顯示一所要之早期技S之光阻材料匾 型56要予Μ印刷在半導黼晶片上者。第6_内晶片之匾域 覆蓋Μ光咀材料者有斜線描彩，以及沒有光阻材料之匾域 沒有描彩。此光阻匾型56包括平行分两之長方形剖面58, 60以及平行分两之蛇行剖面62，64。每一此等剖面58，60 ，62，64係以光阻材料形成。 第7 _顯示一早期技β之矚型66,適合於用Μ形成使 用一反色調保護層之第6_之光阻型56。第7圈内，護 罩型之不透明區有斜線描彩而透明區沒有描彩。此透明 之長方形剖面68, 70在第7圔内者將產生長方形光阻剖面 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS ) Α4规格（210Χ 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3〇l〇i2 a? Β7 五、發明説明（) 58, 60第6圈於晶片上。在一類似之方式中比透明蛇行剖 面72，74將產生蛇行光阻面62，64 (第6_〉於此晶片上。 對次微米之齷積言，霈要作VLSI和ULSI之應用者，此 一護單匾型66可能不能作令人满意之衩製。特別是此薄長 方形剖面或此等剖面之間之空間不能在光阻圓型上作分辨 。由於此一原因，相移石板印刷技術即可以應用以逢到具 有較小特色尺寸之高辨識率。 第8_願示一早期技β相移護罩圏型76適用Μ形成使 用反色調保護靥之第6Η[之光阻疆型56。此係與第7園内 所示者相同之護罩匾型砧，但Μ透明部分72作爲I80度相 移Β72’而形成。透明部分68和70係仍然形成Μ提供無（ 亦即零度）相移並作用如光逋射匾。 相移匾72’和透明部分74合作Μ使由在其間之不透明 材料82所界定之影像更淸晰。不過，以此一配置，一相位 衢突匾78係位於透明部分68和70之間。對讕型之有次撤米 «稹者言，在柑位衝突區78内之不透明材料將很可能不鳖 在晶片上分辨。 第9和第10·說明依照本發明之方法之一相移護罩丽 型之形成，此一麵型克服了早期技S中相移護軍之限制。 一棰四次軎寫方法係經吐露，其中此護單臞型係邐用照相 繪圈及蝕刻方法於兩指段中寫出或刻出，逭些方法大«上 一如前文所說明者。在第9_内所示之第一次害寫中，此 二元護軍匾型84 (亦邸成鼷型之絡）係由照相嫌及姓刻此 不透明材料而局部地形成。在第10匾内所示之第二次耆寫 本紙張尺度逋用中困國家橾準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ^^^1 HA in - - n^i m n m I (請先閲讀背面之注意i項再填寫本頁) 订

J 經濟部中央棣準局負工消费合作社印製 A7 B1_' 五、發明説明（) 中，此護罩圃型84係藉照相獪臞及蝕刻此180度相移匾而 完成。 一如先前，相位衝突區78 (第8圈）係起始時被辨識， 緊接Μ相位衢突匾之辨雄，此護單鼸型係以_型之透明部 分在相位衢突Β内被接合一起而局部地形成。一如第9圔 內所示，此局部完成之罐罩钃型84包括一較大之大致上為 Η形之透明區86。此一局部完成之護罩_型84’係形成於兩 次香寫方法之第一次害寫上。此局部完成之護睪鼷型84’ 係不同於早期技《型76 (第8圈），其中，一”L”形不逢 明部分88係不存在而透明匾70和72係連縉地形成。 在第二次書寫中* Μ及如第10·内所示，兩餡分開之 180度相移15係形成於較大透明Β86內。特別地是一第一 長方形相移區90和一第二蛇形相移Β 92係形成。一如先前 ，逭些是無鉻相移结構，它可以藉蝕刻此護單基鼸至一預 定深度而形成。（替代者，為一加色方法，一相移材料亦 可被添加）。此等180度相移Β 90和92並不相交，但係由 一” L”形0度透明區94所分開。 / 此"L”形0度透明S94與兩傾較大之180度相移S合作 以削造重叠零。當使用反色調保護靥時此将產生一相當之 光阻之”L”形剖面在晶片上。護罩圈型84之此”L”形0度透 明Ε (第10_)因此一如早期技«謹罩鼷型76(第8匾）之”L ”形不透明部分88—樣地以相同方式而作用。 重疊零之功能係顧示於第11Α和第11Β匾内。第11Α· 悌護罩國型84 (第10鼷）之一示意性播截面圔，顯示此”L” 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂

A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 形0度透明S94在其兩邊被界於相移S 90和92之間。在第 11B画内*晶片内«場之強度在柑當於L形0度透明B94之 匾透内係零。在此一匾域内之光阻将因此將是未曝光，並 讓一反色調保護層將自晶片移除。 現請參看第12至第15圏，本發明之方法将Μ用Μ形成 護睪圈型之四次窨寫方法來說明。此四次害寫方法係一光 刻蝕法之仿作和蝕刻方法大黼上一如前文所述，但Μ四次 分两之仿作和蝕刻步*用以形成在護罩_型內之開口，Κ 及在開内之相移器。此完成之護罩型悌適合用Μ形成一 反色調光阻·型於一晶片上，相等於在第1·内所示之複 雑國型10。 第12·說明四次書寫光刻蝕法程序之第一次書寫中一 局部完成之護罩型96。此一四次窨窝方法大讎上形成一 如前文說明之二次書寫方法（第9-11Β·>之相同謹軍型 ，但待色之自行校準俤獲得改進。用以形成護罩_型96， 一不透明層諸如絡者係澱積在一透明石英基鼸上》此不透 明ϋΜ後係在光刻tt法之第一次害寫中被仿作並蝕刻以形 成二元議罩圈型（例如絡_型在石英上>。第121内，護睪 圓型96之透明S係淸晰以及嫌罩圓型96之不通明脣係以斜 平行影線描彩。在光刻蝕法程序之第一次害寫中，護軍· 型96之主透明B係被展開。一如以前，疽些主要透明匾包 括T形剖面98A-D以及一對平行分開之邊100A-D。

護罩_型96之透明部分係大讎上一如第2A匾内所示早 期護軍之相同構形。不通，其中之一差異係T形剖面98A-D 本紙張尺度逋用中國國家橾丰（CNS > A4规格（210X297公釐） (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 订 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 B7__ 五、發明説明（） 和邊100A-D係如此構形，卽薄不透明連接部分係形成於其 間。此等連接部分包括上面建接部分106和下面連接部分 108。一摘不透明建接部分106供T形剖面98A所用者係詳細 地顯示於第15画内。一如第15鼸内所示，爲了要形成上面 不透明連接部分106如所示者，透明邊100D包括了一長方 形突出部分110 ，此部分突出進入護罩圈型之不透明B内 。以一類似方式，透明T形剖面98A包括了一匹配之長方形 突出部分112 ，該部分亦突出進入護睪型之不透明匾内 Ο 類似之薄突出结構係形成在T形剖面98A-D之下面终端 Μ形成不透明建接部分108 (第12·〉。在後續之害寫中， 此等薄不透明連接部分106,108将被移除以形成Τ形剖面98A-D 和邊10A-D之間之連接透明部分。 第13圖說明四次窨寫光刻蝕法程序之第二次窨寫中之 局部已完成之護軍園型96’。第二次窨寫中，在每另一値Τ 形® 102内Μ及不透明層内之每另一邊104内之石英基釀係 經蝕刻Κ形成180度相移器。在此一蝕刻步«中，其餘之Τ 形S 103和邊105係覆蓋以保護層並保護其不被蝕刻。在完 成之護罩Η型中》區102 , 104将是相移匾而匾域103, 105 将是光透射Ε。逭些未來之相移區102 , 104係較相當之光 透射Β 103，105爲大。在第13圔内，相移Ε 102，104業已 形成其上之護軍_型之透明匾係Μ虛線願示於鼸内。 第14_為一放大匾，說明緊接著四次害寫程序之第三 和第四次害寫之後之一部分己完成之護軍匾型。在第三次 本紙張尺度適用中國a家揉準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 301012 A7 B7_ 五、發明説明（） 害寫中，上面不透明達接部分106(第12·)係以覆蓋所有 部分但f接部分106則蓋Μ详罐層並Μ後蝕刻此不透明材 料（例如絡〉而予Μ移除。緊接不透明連接部分106之移除 ，使用以蝕刻此不透明達接部分106之保護靥邸予Μ移除 。敷« 180度蝕刻係隨後在Τ形相移區102内以及邊相移S 104内實施。在此一蝕刻中，此Τ形相移區104和邊相移® 104原先蝕刻匾180度者係蝕刻至360度*並在完成之護單 _型中變成相移器（水平向描影）。柑同地，Τ形光透射區 103和邊光透射區105係藉敷靥拽刻僅刻至180度，並變成 完成之護軍画型内之光透射匾。 下一步*第四次害寫中，下面不透明連接部分108 ( 第12匾）和第三次書寫中所形成之附加之相位衢突匾係經 蝕刻以形成0度相移帶114。 完成之護軍鼷型大《上係一如第5画内所示完成嫌簞 _型40—樣。特別是，180度匾域和交替之360度相移區係 形成。例外，連接之相移Β或0度相移帶114係形成於相位 衝突之苗域内。誠羼明願者，此0度匾将一如360度匾產生 光之相同相位。光傅送通過一 0度或360度匾將係以” ”自 光傳送通遇一 180度匾而在相位之外。 此四次害寫程序可以概括如下： 第一次書寫：仿作並拽刻不透明層Μ形成二元護罩（ 例如絡和石英）。 第二次害寫：藉胜刻基體至180度開展要予Μ移位180 度之S域。 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） " II — l·.--r ——(裝-------訂------¢..- (請先閲讀背*之注意事項再填寫本荑) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 A7 _____B7_· 五、發明説明（） 第三次書寫：在180度衝突腰開展相位帶並刻除不透 明材料。剝去保護層並進行一敷層180度基體蝕刻。 第四次書寫：在新180度衝突匾（那係由第三次窨寫 所產生者）移除絡、並在相位衝突匾移除不透明材料以形 成相帶。 雖然本發明之方法鬌MM聯示範性之護罩型之裂造 而作了說明，但應予嫌解者*即本文中所展示之發明理念 亦可用以形成其他包括複雜顯型之護罩型而蓮用。此外 ，雖然本文中所說明之相移B樂經使用減色方法而形成（ 亦邸，蝕刻相移槽），但應予瞭解者，即加色方法亦可使 用以形成相移匾（亦邸，相移材料之澱稹）。此外，難然 本發明之方法樂Μ反色調光阻來說明，但«予瞭解者，即 正光阻亦可使用。 因此，當本發明之方法業已Μ參者篥一較佳實施例作 說明時，經對精於此技蕕者將鼷明顯者，邸在不背醮由下 列專利申請所界定之本發明之範園時，某些改變和更換仍 可完成。 ---I L---Γ--(裝-------訂------^二 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局負工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） 20 A7 B7 五、發明説明（） 經濟部中央樣隼局貝工消费合作杜印裝 元件檷號對照 10....光阻型 68,70----長方形剖面 12A-D——T形剖面 72,74----蛇行剖面 14, 14A____邊 76....相移護罩型 16——護罩圏型 78....相位衡酤匾 18A-D----T形剖面 82....不透明材料 20.20A----邊 84’，84. ...二元護罩匾型 22....相移護罩型 86____透明匾 24A-D——T形剖面 88____L形不透明B 26,26A. . ·.邊 90____相移S 28,30——相位衝突S 92....蛇行相移區 28A.30A....相位衝突B 94____0度透明S 32,34. ...不通明部分 96,96’ ....護罩》型 B2A.34A——不透明部分 98A-D.... T形剖面 40,40’....相移護罩麵型 100A-D____邊 42A-D____T形剖面 102,103----T形 @ 44.44A____邊 104,102----邊 46....相位衝突匾 105____光透射匾 48.48A....建接透明部分 106——上面達接部分 50,52....相移區相移帶 (不透明部分> 54----相移匾 108——下面連接部分 56....光阻材料型 (不透明部分） 58,60. ...長方形剖面 110——長方形突出部分 62,64——蛇形剖面 112----長方形突出部分 66____圏型 114....相移帶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 21 Α7 Β7 經濟部中夬橾準局員工消费合作杜印製 五、發明説明（） 刻以形成相箱。 17. 製迪一交變孔相移護罩之一種方法包含： 在一所要之相移護軍型内辨雄相位衢突之區域 ，其中相同相位之匾域呈緊密接近地發生者： 釀稹一不透明層於透明基鼸上； 照相仿作画型和蝕刻此不透明層Μ形成一護罩· 型*此圈型包括透明區和不透明S ; »刻毎另一透明匾以形成相移Β之交變_型； 照相仿作圈型和蝕刻連接透明區於相位衝突區内 護單圈型之兩鄰近透明匾之間；以及 照相仿作圓型和蝕刻相移帶於連接透明區内，用 Μ在相位衝突S内分两特色。 18. 如申請專利範圃第17項之製造一相移護罩之方法，Μ 及其中照相仿作·型和蝕刻此不透明層係在第一次害 寫中，照相仿作匾型和》刻每另一透明Β係在第二次 窨寫中，照相仿作圓型和蝕刻連接透明匾係在第三次 窨寫中，Μ及蝕刻相移帶係在第四次害寫中》 19. 如申請專利範園第18項之方法，Μ及其中第二次害寫 中此基讎係以至180度之相移光而蝕刻，Μ及在第三 次窨寫中此180°之基匾係以至360度之相移光而蝕刻 Ο (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中夬標準局貝工消費合作社印装 A83〇1〇12_I__六、申請專利範圍 1. 製造一交變孔相移謅軍之一種方法包含： 濉積一不透明層於透明基纜上； 形成一通遇不透明層鼷口至此基鳢之一型，Μ 形成一護罩圈型，它包括透明匾和不透明匾； 在所要之相移護罩·型内辨雄柑位衝突之匾域， 其中相同相位之S域呈緊密接近地發生者； 形成建接之透明匾用Μ在相位蔺突匾内連接播罩 鼸型之粼近透明區在一起；Μ及 在每一另一透明Β内Μ及在連接之透明Β内形成 相移區β 2. 如申請専利範第1項之袈造一相移護罩之方法，Μ 及其中此相移Β係藉使用一減色方法而形成，其中此 滅色爲刻成一槽。 3. 如申請專利範圃第1項之製进一相移護睪之方法，以 及其中此相移Β係藉使用一加色方法而形成，其中相 移材料係蹑積於基讎上。 4. 如申請專利範圃第1項之裂迪一相移護罩之方法，以 及其中此護罩型係使用光刻蝕法形成，其中此不透 明層係覆蓋Μ保護層和光型，以及此不透明靥和基 *係分级地予以蝕刻。 5. 如申請専利範臞第4項之裂造一相移護罩之方法* W 及其中此光刻拽法程序包括第一次窨寫，其中在不透 明層内厢口之圈型係形成，以及一第二次窨寫，其中 連接之透明匾係形成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 44 > Γ— L— · 本紙張尺度遑用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） Α8 Β8 C8 D8 3〇1〇12 夂、申請專利範圍 6·如申請專利範圃第4項之製造一相移護罩之方法* Μ 及其中此光刻«法程序包括第一次害寫，其中在不透 明觸内開口之型係經形成，一第二次害寫，其中相 移匾係形成在毎另一開口内，一第三次窨寫，其中此 連接之透明區係形成，以及一第四次害寫，其中相移 帶係形成於連接之透明Β内。 7. 如申誚專利範圃第1項之製造一相移護單之方法，以 及其他此相移護罩臞型係適合於Κ一反色調保謅層用 以照相仿作型於一晶片上。 8. 如申請專利範園第1項之製造一相移護罩之方法，Μ 及其中此相移護罩圏型係適合於使用一正保護層用Μ 照相仿作函型於一晶片上。 9. 如申請專利範醑第1項之製造一相移護罩之方法，Μ 及其中此連接之透明Β包括由一透明帶所分開之重疊 相移Β，因此，在醮用此相移護罩之光刻拽程序中， 一強勢零係形成於透明帶。 10. 如申誚専利範画第1項之製造一相移護軍之方法，Μ 及其中此柑位衝突區係使用一自動«子計算器輔肋設 計技術來辨嫌。 11. 如申請專利範園第1項之製造一相移護罩之方法，以 及其中供相移Β用之基黼係經蝕刻Μ產生一 360度之 相移。 12. 裂造一交變孔相移護軍之方法，包含： 在一所要之相移護軍國型中辨雄相位衝突之區域 本紙浪尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4洗格（210X297公釐） I-.丨 Γ.Ι_^---^ 裝------订------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 經濟部中央標準局®c工消費合作杜印製 23 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 *其中枏同枏位之匾域係緊密接近地發生者； «積一不透明層在一透明基讎上； 以照相仿作型並蝕刻此不透明《Μ形成一護罩 圔型，該型包括透明區，不透明匾* Μ及用Μ在相 位衝突S内連接護軍圈型之相鄺近透明區在一起之連 接透明S;以及 在每另一透明匾和連接透明匾内形成相移匾，用 Μ在相位衡突區內分離持色。 13. 如申請專利範圍第12項之製造一相移護罩之方法，Μ 及其中照相仿作蹁型及蝕刻包括一第一次書寫，其中 此逸明和不透明匾係形成，Μ及一第二次窨寫，其中 此連接透明匾係形成。 14. 如申請専利範園第12項之製造一相移護罩之方法，以 及其中此相移區係藉蝕刻槽於基賺上而形成。 15. 如申請專利範園第12項之裂造一相移罐軍之方法*以 及其中照相仿作画型和蝕刻包括一第一次害寫*其中 此透明和不透明®係經形成，Μ及一第二次窨寫，其 中此連接透明匾係經形成。 16. 如申請專利範園第12項之裂谊一相移護軍之方法，Μ 及其中照相仿作謂型和蝕刻包括一第一次耆寫，其中 一二元護罩型係經形成，一第二次窨寫，其中此基 醱俤經蝕刻Μ形成180度之相移匾，一第二次害寫， 其中相薄在180度相位衝突匾係形成，以及一第四次 誉寫，其中相位衡突匾由第三次窨寫所形成者係經蝕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. '1Τ 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS〉Α4規格（210X297公釐） 24