JPH05265181A - 縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランク - Google Patents
縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランクInfo
- Publication number
- JPH05265181A JPH05265181A JP6290192A JP6290192A JPH05265181A JP H05265181 A JPH05265181 A JP H05265181A JP 6290192 A JP6290192 A JP 6290192A JP 6290192 A JP6290192 A JP 6290192A JP H05265181 A JPH05265181 A JP H05265181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- layer
- chromium
- thin film
- projection exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】位相シフト法を利用した縮小投影露光用レティ
クルにおいて、位相シフト法適用領域と適用外領域との
投影像に対するレティクル寸法変換差の格差をなくす。 【構成】レティクルブランクは、石英基板１上に露光波
長の透過率を調整するための薄膜クロム層２を有し、そ
の上に位相部材であるケイ素酸化膜３と反射防止酸化ク
ロム層５で反射防止処理を施されたクロム層４とを有す
る。また、このブランクを用いたレティクルは、選択的
にパターニングを施すことによって位相シフト法適用領
域のパターン明部には石英基板面に薄膜クロム層２を有
し、適用外領域のパターン明部の石英基板面からは薄膜
クロム層２は除去されている。この薄膜クロム層２は、
露光光の透過率を調整する目的の他に電子線描画時のチ
ャージアップを抑制し、しかも位相部材であるケイ素酸
化物３のエッチング時のエッチングストッパーとしての
役割を有する。
クルにおいて、位相シフト法適用領域と適用外領域との
投影像に対するレティクル寸法変換差の格差をなくす。 【構成】レティクルブランクは、石英基板１上に露光波
長の透過率を調整するための薄膜クロム層２を有し、そ
の上に位相部材であるケイ素酸化膜３と反射防止酸化ク
ロム層５で反射防止処理を施されたクロム層４とを有す
る。また、このブランクを用いたレティクルは、選択的
にパターニングを施すことによって位相シフト法適用領
域のパターン明部には石英基板面に薄膜クロム層２を有
し、適用外領域のパターン明部の石英基板面からは薄膜
クロム層２は除去されている。この薄膜クロム層２は、
露光光の透過率を調整する目的の他に電子線描画時のチ
ャージアップを抑制し、しかも位相部材であるケイ素酸
化物３のエッチング時のエッチングストッパーとしての
役割を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は縮小投影露光用レティク
ル及びそれに用いるブランクに関し、特に露光光の位相
差を利用した縮小投影露光に使用するレティクルに関す
る。
ル及びそれに用いるブランクに関し、特に露光光の位相
差を利用した縮小投影露光に使用するレティクルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の縮小投影露光装置用レティクルの
ブランクは、石英基板上にクロム膜を蒸着し、その上に
反射防止用の酸化クロム膜を蒸着したものが一般的であ
った。また、クロム膜の下層にも反射防止酸化クロム膜
を有しているもの、もしくはクロムの代わりにモリブデ
ン等の他の金属を使用した例もある。また、通常のレテ
ィクルは、このブランクの多層合金膜を所定の同一パタ
ーンで選択的にエッチング除去したものである。
ブランクは、石英基板上にクロム膜を蒸着し、その上に
反射防止用の酸化クロム膜を蒸着したものが一般的であ
った。また、クロム膜の下層にも反射防止酸化クロム膜
を有しているもの、もしくはクロムの代わりにモリブデ
ン等の他の金属を使用した例もある。また、通常のレテ
ィクルは、このブランクの多層合金膜を所定の同一パタ
ーンで選択的にエッチング除去したものである。
【０００３】これに対し、この縮小投影露光用レティク
ルの透明部の一部に、露光光が位相差を生ずるように透
過膜を設けたレティクルを用いて露光装置の光学系の空
間周波数特性を向上させ、限界解像力及び焦点深度を高
める位相シフト法がある（特開昭５７−６２０５２号公
報、ＩＥＥＥ，ＶＯＬ．ＥＤ−２９，ＮＯ．１２，ｐ１
８２８，１９８２ ｅｔｃ）。
ルの透明部の一部に、露光光が位相差を生ずるように透
過膜を設けたレティクルを用いて露光装置の光学系の空
間周波数特性を向上させ、限界解像力及び焦点深度を高
める位相シフト法がある（特開昭５７−６２０５２号公
報、ＩＥＥＥ，ＶＯＬ．ＥＤ−２９，ＮＯ．１２，ｐ１
８２８，１９８２ ｅｔｃ）。
【０００４】位相シフト法を実現化するためのレティク
ル（以下では位相シフトレティクルと略す）としては、
図４の断面図に示すように、石英基板１上の所定のパタ
ーンでパターニングされたクロム合金層（クロム層４、
反射防止酸化クロム層５）の上に位相差を生じさせる透
過膜（ケイ素酸化物３）を選択的に形成したものが知ら
れている（ＩＥＤＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓ
ｔ，ｐ５７，１９８９、Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩＥ，Ｖ
ＯＬ．１０８８，ｐ２５，１９８９ ｅｔｃ）。
ル（以下では位相シフトレティクルと略す）としては、
図４の断面図に示すように、石英基板１上の所定のパタ
ーンでパターニングされたクロム合金層（クロム層４、
反射防止酸化クロム層５）の上に位相差を生じさせる透
過膜（ケイ素酸化物３）を選択的に形成したものが知ら
れている（ＩＥＤＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓ
ｔ，ｐ５７，１９８９、Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩＥ，Ｖ
ＯＬ．１０８８，ｐ２５，１９８９ ｅｔｃ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】位相シフト法は、縮小
投影露光時のレティクルパターンのフランホーファ回折
に伴う投影光の暗部への広がりを隣接明部からの位相差
を持つ回折光で打ち消して光学コントラストを向上させ
る方法であるが、同一レティクル上に、位相シフト法を
利用したレティクルパターン領域と位相シフト法を利用
しないレティクルパターン領域が混在する場合、それぞ
れの領域の光学コントラストが異なるために、同一露光
量（光の照射量）ではレティクル上のパターン寸法とウ
ェハー上に形成されるレジストパターンの寸法間の寸法
変換差が図５（ａ）に示すように異なってしまうため、
レティクルパターンの設計の際にあらかじめその寸法変
換差を加味して各々の領域の寸法を補正し、レティクル
パターンを形成しなければならなかった。
投影露光時のレティクルパターンのフランホーファ回折
に伴う投影光の暗部への広がりを隣接明部からの位相差
を持つ回折光で打ち消して光学コントラストを向上させ
る方法であるが、同一レティクル上に、位相シフト法を
利用したレティクルパターン領域と位相シフト法を利用
しないレティクルパターン領域が混在する場合、それぞ
れの領域の光学コントラストが異なるために、同一露光
量（光の照射量）ではレティクル上のパターン寸法とウ
ェハー上に形成されるレジストパターンの寸法間の寸法
変換差が図５（ａ）に示すように異なってしまうため、
レティクルパターンの設計の際にあらかじめその寸法変
換差を加味して各々の領域の寸法を補正し、レティクル
パターンを形成しなければならなかった。
【０００６】一般に、位相シフト適用領域の方が投影像
の光学コントラストが高くなり、適用外領域に比べ転写
された暗部のレジストパターンが図５（ａ）に示すよう
に細くなるため、その分だけクロムパターンを太めに補
正してパターン形成する必要があった。
の光学コントラストが高くなり、適用外領域に比べ転写
された暗部のレジストパターンが図５（ａ）に示すよう
に細くなるため、その分だけクロムパターンを太めに補
正してパターン形成する必要があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトレテ
ィクル用マスクブランクは、石英基板上に露光光の透過
率を適度に減少させ、かつパターン作成プロセス中の電
子線描画時のチャージアップを防ぐ導電膜として、また
エッチングストッパーとしても有効な薄膜クロム層を有
し、その上に明暗のパターンを形成するためのクロム層
と反射防止酸化クロム層を有している。
ィクル用マスクブランクは、石英基板上に露光光の透過
率を適度に減少させ、かつパターン作成プロセス中の電
子線描画時のチャージアップを防ぐ導電膜として、また
エッチングストッパーとしても有効な薄膜クロム層を有
し、その上に明暗のパターンを形成するためのクロム層
と反射防止酸化クロム層を有している。
【０００８】また、そのブランクをパターニングした位
相シフトレティクルは、位相シフト法利用領域（適用領
域）の明部には透過率を低下させるための薄膜クロム層
を有し、位相シフト法を利用していない領域（適用外領
域）の明部ではその薄膜クロム層が除去されている。こ
の薄膜クロム層の膜厚により露光光の透過率を調整し
て、位相シフト適用領域と適用外領域において、クロム
パターン寸法とその転写像であるレジストパターンとの
寸法リニアリティを確保させることが可能となる。
相シフトレティクルは、位相シフト法利用領域（適用領
域）の明部には透過率を低下させるための薄膜クロム層
を有し、位相シフト法を利用していない領域（適用外領
域）の明部ではその薄膜クロム層が除去されている。こ
の薄膜クロム層の膜厚により露光光の透過率を調整し
て、位相シフト適用領域と適用外領域において、クロム
パターン寸法とその転写像であるレジストパターンとの
寸法リニアリティを確保させることが可能となる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の縮小投影露光用のレティ
クルブランクの断面図である。このブランクの作成に当
たっては、合成石英からなる石英基板１上に、まずスパ
ッタリング法により十から数十オングストローム程度の
薄膜状のクロム層２を蒸着し、次に位相部材としてケイ
素酸化物３を形成する。
る。図１は本発明の一実施例の縮小投影露光用のレティ
クルブランクの断面図である。このブランクの作成に当
たっては、合成石英からなる石英基板１上に、まずスパ
ッタリング法により十から数十オングストローム程度の
薄膜状のクロム層２を蒸着し、次に位相部材としてケイ
素酸化物３を形成する。
【００１０】ケイ素酸化物３の形成方法は、ＳＯＧある
いはスパッタリング法あるいはＣＶＤ法が適用できる。
ケイ素酸化物３の膜厚は、π（１８０度）の位相差を利
用する場合、λ／｛２（ｎ−１）｝で与えられる。ここ
でλは縮小投影露光波長で、ｎはケイ素酸化物のその波
長での屈折率である。例えばｎ＝１．４４、λ＝３６５
ｎｍの場合で膜厚は約４１５０オングストロームとな
る。
いはスパッタリング法あるいはＣＶＤ法が適用できる。
ケイ素酸化物３の膜厚は、π（１８０度）の位相差を利
用する場合、λ／｛２（ｎ−１）｝で与えられる。ここ
でλは縮小投影露光波長で、ｎはケイ素酸化物のその波
長での屈折率である。例えばｎ＝１．４４、λ＝３６５
ｎｍの場合で膜厚は約４１５０オングストロームとな
る。
【００１１】次に約８００オングストロームのクロム層
４と約３００オングストロームの反射防止膜としてのク
ロム酸化膜をスパッタリング法により蒸着する。以上に
より、反射防止酸化クロム層５を持ったクロム層４の下
に、位相部材としてのケイ素酸化物３と透過率調整用の
薄膜クロム層２とを有する本実施例のレティクルブラン
ク（図１）が得られる。
４と約３００オングストロームの反射防止膜としてのク
ロム酸化膜をスパッタリング法により蒸着する。以上に
より、反射防止酸化クロム層５を持ったクロム層４の下
に、位相部材としてのケイ素酸化物３と透過率調整用の
薄膜クロム層２とを有する本実施例のレティクルブラン
ク（図１）が得られる。
【００１２】次にこのレティクルブランクを加工して得
られる本実施例の縮小投影露光用のレティクル（図２の
断面図）の製造方法について、図３（ａ）〜（ｅ）の工
程断面図を用いて説明する。本実施例のレティクルでは
位相シフト法を適用する領域とそうでない領域とにかか
わらず、半導体回路パターンの設計寸法通りにクロムパ
ターンを形成すればよいので、まず図３（ａ）におい
て、電子線描画装置を用いて所望の回路パターンをレジ
スト６上に描画し現像処理によりパターニングする。次
に図３（ｂ）のように、このレジストをマスクとして四
塩化炭素（あるいは塩素）と酸素とを、およそ１対１の
割合で含む混合ガス中で、ドライエッチングにより反射
防止酸化クロム層５とクロム層４とを同時にエッチング
して所望の半導体回路パターンを形成する。
られる本実施例の縮小投影露光用のレティクル（図２の
断面図）の製造方法について、図３（ａ）〜（ｅ）の工
程断面図を用いて説明する。本実施例のレティクルでは
位相シフト法を適用する領域とそうでない領域とにかか
わらず、半導体回路パターンの設計寸法通りにクロムパ
ターンを形成すればよいので、まず図３（ａ）におい
て、電子線描画装置を用いて所望の回路パターンをレジ
スト６上に描画し現像処理によりパターニングする。次
に図３（ｂ）のように、このレジストをマスクとして四
塩化炭素（あるいは塩素）と酸素とを、およそ１対１の
割合で含む混合ガス中で、ドライエッチングにより反射
防止酸化クロム層５とクロム層４とを同時にエッチング
して所望の半導体回路パターンを形成する。
【００１３】その後、このレジストパターンを剥離し
て、次に位相シフト適用領域の位相部材を所望のパター
ンで選択的に残存させるために、再び電子線描画により
図３（ｃ）のようにレジスト６をパターン形成するが、
この際、位相部材であるケイ素酸化物３の下層の薄膜ク
ロム層２は電子線によるチャージアップの抑制に有効で
ある。次に図３（ｄ）のように、このレジストパターン
と反射防止酸化クロム層５を含むクロムパターンとをマ
スクとして位相部材であるケイ素酸化物３をエッチング
除去する。この時のエッチングは、バッファードフッ酸
によるウェットエッチング法でも、あるいはＣＨＦ3 と
ＣＦ4 を含む混合ガス中でのドライエッチング法でもよ
く、クロムとのエッチング選択比は十分に大きいのでど
ちらでも選択が可能である。すなわち、このエッチング
の際は薄膜クロム層２はエッチングストッパーとしての
働きをしていることになる。
て、次に位相シフト適用領域の位相部材を所望のパター
ンで選択的に残存させるために、再び電子線描画により
図３（ｃ）のようにレジスト６をパターン形成するが、
この際、位相部材であるケイ素酸化物３の下層の薄膜ク
ロム層２は電子線によるチャージアップの抑制に有効で
ある。次に図３（ｄ）のように、このレジストパターン
と反射防止酸化クロム層５を含むクロムパターンとをマ
スクとして位相部材であるケイ素酸化物３をエッチング
除去する。この時のエッチングは、バッファードフッ酸
によるウェットエッチング法でも、あるいはＣＨＦ3 と
ＣＦ4 を含む混合ガス中でのドライエッチング法でもよ
く、クロムとのエッチング選択比は十分に大きいのでど
ちらでも選択が可能である。すなわち、このエッチング
の際は薄膜クロム層２はエッチングストッパーとしての
働きをしていることになる。
【００１４】次に図３（ｅ）のように、位相シフト適用
領域以外の薄膜クロム層２を除去するために、再度位相
シフト適用領域のみレジスト６で被覆しなくてはならな
いが、薄膜クロム層２が酸化クロム層５に比べ十分に薄
いので、重ね合わせ精度も必要ない上にパターン寸法も
それほど微細ではないため、リソグラフィーは電子線に
限る必要はない。このレジスト６をマスクにして薄膜ク
ロム層２を四塩化炭素（あるいは塩素）と酸素を含む混
合ガス中でドライエッチングにより除去することによ
り、本実施例の位相シフト適用領域のみ投影時の露光光
の透過率を適度に減少させた縮小投影露光用レティクル
（図２）が完成する。
領域以外の薄膜クロム層２を除去するために、再度位相
シフト適用領域のみレジスト６で被覆しなくてはならな
いが、薄膜クロム層２が酸化クロム層５に比べ十分に薄
いので、重ね合わせ精度も必要ない上にパターン寸法も
それほど微細ではないため、リソグラフィーは電子線に
限る必要はない。このレジスト６をマスクにして薄膜ク
ロム層２を四塩化炭素（あるいは塩素）と酸素を含む混
合ガス中でドライエッチングにより除去することによ
り、本実施例の位相シフト適用領域のみ投影時の露光光
の透過率を適度に減少させた縮小投影露光用レティクル
（図２）が完成する。
【００１５】ここで、図５（ａ）に示した従来の技術で
の位相シフト適用領域と適用外領域との寸法リニアリテ
ィーの関係より、位相シフト適用領域で調整すべき透過
率の値を算出し、薄膜クロム層２の膜厚をあらかじめ決
定しておくことにより、同一レティクル上では位相シフ
ト適用領域か否かにかかわらず、その投影像であるレジ
ストパターン寸法はレティクル寸法に対し図５（ｂ）に
示すようにリニアリティーが確保できることとなる。
の位相シフト適用領域と適用外領域との寸法リニアリテ
ィーの関係より、位相シフト適用領域で調整すべき透過
率の値を算出し、薄膜クロム層２の膜厚をあらかじめ決
定しておくことにより、同一レティクル上では位相シフ
ト適用領域か否かにかかわらず、その投影像であるレジ
ストパターン寸法はレティクル寸法に対し図５（ｂ）に
示すようにリニアリティーが確保できることとなる。
【００１６】以上、本発明を一実施例について説明して
きたが、石英基板上に形成する薄膜金属はクロムに限ら
ず、他の重金属もしくはその金属合金を用いることも可
能である。また、その上に形成する金属層もクロムに限
らず、クロム合金もしくはモリブデンシリサイド合金を
含む金属合金を用いてもよい。
きたが、石英基板上に形成する薄膜金属はクロムに限ら
ず、他の重金属もしくはその金属合金を用いることも可
能である。また、その上に形成する金属層もクロムに限
らず、クロム合金もしくはモリブデンシリサイド合金を
含む金属合金を用いてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の縮小投影露
光用のレティクルは、そのブランクが石英基板上に露光
波長の透過率をその膜厚でコントロールできる金属合金
薄膜を有しているので、位相シフト法を利用したレティ
クルを作成するプロセス中で、その合金薄膜が位相部材
のパターニングの際の電子線によるチャージアップの抑
制とエッチングストッパーとしても有効であるととも
に、同一レティクル上に位相シフト適用領域と適用外領
域とを共存させた場合の各領域の明部の透過率を調整す
ることにより、レティクル寸法とその投影像であるレジ
スト寸法の寸法変換差の各領域間格差をなくすことがで
きるので、半導体回路パターン設計時においては、位相
シフト適用か否かにかかわらず寸法補正をする必要がな
くなるという効果がある。
光用のレティクルは、そのブランクが石英基板上に露光
波長の透過率をその膜厚でコントロールできる金属合金
薄膜を有しているので、位相シフト法を利用したレティ
クルを作成するプロセス中で、その合金薄膜が位相部材
のパターニングの際の電子線によるチャージアップの抑
制とエッチングストッパーとしても有効であるととも
に、同一レティクル上に位相シフト適用領域と適用外領
域とを共存させた場合の各領域の明部の透過率を調整す
ることにより、レティクル寸法とその投影像であるレジ
スト寸法の寸法変換差の各領域間格差をなくすことがで
きるので、半導体回路パターン設計時においては、位相
シフト適用か否かにかかわらず寸法補正をする必要がな
くなるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例のレティクルブランクの断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例の位相シフト法適用のレティ
クルの断面図である。
クルの断面図である。
【図３】本発明の一実施例のレティクルの製作工程を示
す図で、同図（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ断面図である。
す図で、同図（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ断面図である。
【図４】従来の位相シフト法適用のレティクルの断面図
である。
である。
【図５】レジストパターン寸法とレティクル寸法との関
係図で、同図（ａ）は従来の関係図、同図（ｂ）は本発
明の関係図である。
係図で、同図（ａ）は従来の関係図、同図（ｂ）は本発
明の関係図である。
１ 石英基板 ２ 薄膜クロム層 ３ ケイ素酸化物 ４ クロム層 ５ 反射防止酸化クロム層 ６ レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｗ
Claims (2)
- 【請求項１】 位相シフト法を用いた縮小投影露光用レ
ティクルにおいて、石英基板上に形成された金属層のう
ち下層の金属合金層と中間層のケイ素酸化物層と最上層
の金属合金層とがそれぞれ異なるパターンで選択的に除
去されて形成されていることを特徴とする縮小投影露光
用レティクル。 - 【請求項２】 石英基板上に薄膜金属合金層を有し、そ
の上層にケイ素酸化物層を有し、さらにその上層にクロ
ム合金もしくはモリブデンシリサイド合金を含む金属合
金層を有することを特徴とする縮小投影露光用レティク
ルに用いるブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6290192A JPH05265181A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6290192A JPH05265181A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05265181A true JPH05265181A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13213623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6290192A Pending JPH05265181A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05265181A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744268A (en) * | 1996-09-06 | 1998-04-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift mask, method of manufacturing a phase shift mask and method of forming a pattern with phase shift mask |
| JP2002296757A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
| JP2002296758A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| KR100429860B1 (ko) * | 1997-05-27 | 2004-06-16 | 삼성전자주식회사 | 교번형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| KR100531486B1 (ko) * | 2004-02-09 | 2005-11-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법용 마스크 |
| JP2015121801A (ja) * | 2012-07-13 | 2015-07-02 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
| JPWO2020027178A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2021-08-02 | ホヤ レンズ タイランド リミテッドＨＯＹＡ Ｌｅｎｓ Ｔｈａｉｌａｎｄ Ｌｔｄ | 光学製品およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0378747A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-03 | Hitachi Ltd | マスク及びマスク製造方法 |
| JPH0473651A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの形成方法 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP6290192A patent/JPH05265181A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0378747A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-03 | Hitachi Ltd | マスク及びマスク製造方法 |
| JPH0473651A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの形成方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744268A (en) * | 1996-09-06 | 1998-04-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift mask, method of manufacturing a phase shift mask and method of forming a pattern with phase shift mask |
| KR100429860B1 (ko) * | 1997-05-27 | 2004-06-16 | 삼성전자주식회사 | 교번형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| JP2002296757A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
| JP2002296758A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| KR100531486B1 (ko) * | 2004-02-09 | 2005-11-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법용 마스크 |
| JP2015121801A (ja) * | 2012-07-13 | 2015-07-02 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
| JPWO2020027178A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2021-08-02 | ホヤ レンズ タイランド リミテッドＨＯＹＡ Ｌｅｎｓ Ｔｈａｉｌａｎｄ Ｌｔｄ | 光学製品およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5750290A (en) | Photo mask and fabrication process therefor | |
| US5906910A (en) | Multi-level photoresist profile method | |
| EP0838726B1 (en) | Halftone phase shift mask, blank for the same, and methods of manufacturing these | |
| JP3037941B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク | |
| JPH0798493A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH0876353A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| US5268244A (en) | Self-aligned phase shifter formation | |
| JP3164039B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JP3478067B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク | |
| JP3272790B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランク | |
| JPH06123961A (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP3312702B2 (ja) | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス | |
| JPH05265181A (ja) | 縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランク | |
| JPH1124231A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスク、及びその製造方法 | |
| JPH11125896A (ja) | フォトマスクブランクス及びフォトマスク | |
| JP3677866B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP3289606B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
| JP2859894B2 (ja) | 露光用マスク、露光用マスクの製造方法およびこれを用いた露光方法 | |
| JP2000221660A (ja) | マスク構造体の製造方法 | |
| US5744268A (en) | Phase shift mask, method of manufacturing a phase shift mask and method of forming a pattern with phase shift mask | |
| JP3485071B2 (ja) | フォトマスク及び製造方法 | |
| JP3301557B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JP3095063B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH05257264A (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
| US6348288B1 (en) | Resolution enhancement method for deep quarter micron technology |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981104 |