JP2859894B2 - 露光用マスク、露光用マスクの製造方法およびこれを用いた露光方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、露光マスク、露光マスクの製造方法および
これを用いた露光方法に係り、特にリソグラフィのマス
クに関する。

（従来の技術） 半導体集積回路は、高集積化、微細化の一途を辿って
いる。その半導体集積回路の製造に際し、リソグラフィ
技術は加工の要として特に重要である。

リソグラフィ技術において、例えば光源に対しては、
Ｇ線、ｉ線、エキシマレーザ、Ｘ線等種々の光源の採用
が検討されており、また、レジストに対しても新レジス
トの開発やRELのような新レジスト処理が検討され、さ
らには、SREP.CELイメージリバース法等も研究が進めら
れている。

これに対し、マスク製作技術に対しては、充分な検討
がなされていなかったが、最近になって位相シフト法
（1988年秋季応物学会4a−Ｋ−7,8（p.497））が提案さ
れ、注目されている。

この位相シフト法について第９図を参照しつつ説明す
る。

まず、第９図（ａ）に示すように、スパッタ法により
石英基板１の上に、クロム（Cr）あるいは酸化クロム
（Cr₂O₃）からなるマスク層２を1000Å程度堆積し、こ
の上にレジストパターンＲをパターニングする。

次いで、第９図（ｂ）に示すように、このレジストパ
ターンをマスクとしてウエットエッチング法または反応
性イオンエッチング法により、このマスク層２をパター
ニングする。

この後、第９図（ｃ）に示すように、レジストからな
る位相シフタ40を形成する。ここでは、ライン＆スペー
ス部では１つおきに開口部を位相シフタ40で覆うように
する。また、孤立スペース部は、それ単独では解像しな
いような材料からなる補助パターン９を開口部の両側に
形成し、その上を位相シフタ40で覆うようにする。

このようなマスクを用いて露光を行うと、第10図に示
すように、各開口部を通った光は、破線で示すように互
いの位相が反転しているため、マスク層の下の部分での
光強度が大幅に低下し、全体としての光は実線で示すよ
うに、強度分布からみて、従来のマスクを用いた場合に
比べ半分近い寸法までの解像が可能となる。

しかしながら、このような位相シフト法を用いたフォ
トリソグラフィのマスク製造工程においては、以下に示
すようないろいろな問題があった。

その第１は、マスクパターンの形成後に、ライン＆ス
ペース部では開口部の１つおきに位相シフタ40を配置す
ると共に孤立スペース部では補助パターン９と位相シフ
タ40とを配置しなければならず、少なくともマスクパタ
ーンと位相シフタ40との２回のパターン形成工程および
相互のアライメントが必要となるという事であった。そ
してマスク描画用の電子ビーム露光装置では、通常アラ
イメント機能は具備していないため、直描EB露光装置の
ようなアライメント可能な露光装置を新しく完成させな
ければならないことになる。これは、極めて大掛かりな
作業と時間および資金を必要とする。

第２は、マスクパターンのEBデータおよびシフタリソ
グラフィデータに大量で複雑なデータ処理が必要となる
という問題である。

また第３は、補助パターン９の形成にマスク加工にお
ける最小寸法よりもさらに微細な加工が必要となると言
う問題である。

さらに第４は、補助パターン９を通った光は十分にキ
ャンセルされないでパターンに歪みを生じる事になると
いう問題である。

そして第５は、その他のパターンとして孤立ライン
部、孤立島部などにおいて同じ解像状態を得ることがで
きないという問題である。

（発明が解決しようとする課題） このように、従来の位相シフト法を用いたフォトリソ
グラフィのマスク製造工程においては、アライメント機
能を具備したEBマスク露光装置の新規開発が必要である
こと、パターン形成に際し大量で複雑なデータ処理が必
要であること、補助パターンの形成にマスク加工におけ
る最小寸法よりもさらに微細な加工が必要であること、
孤立スペース部ではパターンに歪みを生じること、全て
のパターンに対して、同じ解像状態を得ることは極めて
困難であることなど、多くの問題があった。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、パター
ンの種類やパターン寸法に対する露光状態の依存性を低
減し、転写装置の解像限界を向上せしめると共に、一定
の光量で忠実なパターン転写を行うことのできる露光マ
スク、露光マスクの製造方法およびこれを用いた露光方
法を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） そこで本発明の露光マスクでは、透光性基板上に遮光
性材料からなるマスクパターンを配設すると共に、この
マスクパターン上またはマスクパターンと遮光性材料と
の間にこのマスクパターンよりも所定の寸法だけ開口部
に突出するように大きく形成され、かつ該マスクパター
ンの開口部を透過するリソグラフィ光に対して位相をシ
フトするように構成された位相シフタを付加している。

また、本発明の露光マスクの製造方法では、透光性基
板上に遮光性材料からなるマスク層および位相シフト層
を順次堆積し、該位相シフト層をパターニングした後、
該位相シフト層をマスクとしてオーバーエッチングによ
り自己整合的に該マスク層をパターニングするようにし
ている。

さらにまた、本発明の第２の露光マスクの製造方法で
は、透光性基板上に遮光性材料からなるマスク層を設計
寸法よりも大きめにパターニングした後、位相シフト層
となるポジ型のレジスト層を形成し、透光性基板側から
全面露光し、現像することにより位相シフトパターンを
得た後、この位相シフトパターンをマスクとして該マス
クパターンをオーバーエッチングするようにしている。

また、本発明の第３の露光マスクの製造方法では、透
光性基板上に位相シフト層および遮光性材料からなるマ
スク層を形成し、等方性エッチングにより遮光性材料に
パターン変換差を形成するようにしている。

また、本発明の露光方法では、透光性基板上に遮光性
材料からなるマスクパターンを配設すると共に、このマ
スクパターン上または基板とマスクパターンとの間に、
このマスクパターンよりも所定の寸法だけ開口部に突出
するように大きく形成され、かつ該マスクパターンの開
口部を透過するリソグラフィ光に対して位相をシフトす
るように構成された位相シフタを付加してなる露光マス
クを用いて露光を行うようにしている。

また本発明の第２の露光方法では、段差を有する表面
への露光に際し、表面の高さに応じて前記位相のシフト
量が180度からわずかにずれるように同一基板上で厚さ
または材質の異なる位相シフタを配設するようにしてい
る。

（作用） 上記構成によれば、位相シフタの存在により、本来な
らマスクパターンによる第１の開口領域を透過した露光
光の位相は、位相シフタによる第２の開口領域を透過し
た露光光に比べて位相がシフトしているため、マスクパ
ターンのエッジでの光強度分布が大幅に低下し、シャー
プな光強度分布を得ることができる。

しかも、このシャープな光強度分布は、パターン形状
に依存することなく得られ、孤立ライン部、孤立島部な
どにおいても同じ解像状態を得ることが可能となる。

また、補助パターンを必要としないため、補助パター
ンを通った光が十分にキャンセルされないでパターンが
歪んでしまったりすることもない。

さらに、本発明の露光用マスクの製造方法によれば、
自己整合的に２つのパターン形成がなされるため、相互
のマスクあわせも不要であり、アライメント機能を備え
たEB露光装置を用いる必要もない。

さらにマスクパターンのEB露光用データおよびリソグ
ラフィデータにおいて大量で複雑なデータ処理も不要で
ある。

さらにまた位相シフタとしてレジストそのものを用い
る場合には、パターン形成後のレジスト剥離工程も不要
となり、工程がさらに短縮される。

加えて、補助パターンの形成を必要としないため、マ
スク上で最小寸法よりも微細な加工を行う必要もなくな
る。

また、本発明の第１の露光方法では、容易に高精度の
露光が可能となる。

なお、以上の露光用マスク、露光方法において位相シ
フタのシフト量は180度程度とするのが望ましい。

また、本発明の第２の露光方法では、位相シフタを通
った光がマスク基板を透過する光に対して180度位相シ
フトするように設定したものと、180度よりも僅かに大
きく位相シフトするように設定したものと、180度より
も僅かに小さく位相シフトするように設定したものとに
対し、ベストフォーカス位置を測定した結果、ベストフ
ォーカス位置が変化していることに着目してなされたも
ので、同一基板上で厚さまたは材質の異なる位相シフタ
を配設した露光用マスクを用いることにより段差表面上
への高精度のパターン転写が容易に可能となる。

（実施例） 次に、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細
に説明する。

実施例１ 第１図は本発明の第１の実施例の露光用マスクの断面
を示す図である。

この露光用マスクは、透光性の石英基板１の表面に形
成されたクロム薄膜からなる遮光膜２と、該遮光膜２の
上層に、該遮光膜２よりも所定の寸法だけ突出するよう
に積層されたポリメチルメタクリレート層パターンから
なる位相シフタ10とから構成されていることを特徴とす
るもので、該遮光膜２のエッジ近傍には位相シフタ10が
存在し、該遮光膜２のエッジ近傍を透過してきた露光光
はこの位相シフタ10を通過して位相が180度反転し、位
相シフタ10を通過しない露光光と合成され、光強度がシ
ャープになるようになっている。

次に、この露光用マスクの製造工程について説明す
る。

まず、第２図（ａ）に示すように、透光性の石英基板
１の表面にスパッタリング法により、膜厚1000Åのクロ
ム薄膜からなる遮光膜２を形成したのち、位相シフタ層
10として分子量100万のポリメチルメタクリレート（レ
ジスト）をスピナーを用いて塗布し180℃のベーキング
を行い、膜厚2500Åとなるように形成した。なおこのポ
リメチルメタクリレートの屈折率は1.5、この露光用マ
スクの露光に用いる露光光は波長2480ÅのKrFエキシマ
レーザであるものとして膜厚を決定した。なお、位相シ
フタ10の膜厚はλ/2（ｎ−１）となるように設定する。
ここでλは露光光の波長、ｎはレジストの屈折率であ
る。

次いで、第２図（ｂ）に示すように、電子ビーム露光
装置を用いたドーズ量100μC/cm²で描画を行ったのち、
メチルイソブチルケトンを用いて１分間の現像を行い、
レジストからなる位相シフタ層パターン10を形成する。

続いて、第２図（ｃ）に示すように、クロムエッチン
グ液を用いて、２分間のジャストエッチングを行った
後、さらに６秒間の追加エッチングを行う。これによ
り、遮光膜パターン２が形成されるわけであるが、該位
相シフタ層パターン10よりも約0.05μｍのアンダカット
部分６が生じ、このアンダカット部分上の位相シフタ層
パターンが位相シフタ10として作用することになる。

このようにして形成された露光用マスクを、NA0.42の
投影レンズを有するKrFエキシマレーザステッパに装着
し、被処理基板上に塗布された0.5μｍ厚さのノボラッ
ク系ポジレジストPR−1024を露光したところ、0.2μｍ
のパターンが極めて高精度に再現性よく得られた。

ちなみに、この位相シフタ層を形成しないで他につい
ては前記実施例と全く同様にして形成した従来の露光用
マスクで露光した場合の解像力は、せいぜい0.4μｍ程
度であった。これらの比較からも、本発明実施例の露光
用マスクおよびこれを用いた露光方法によれば、極めて
高精度のパターンを得ることができることがわかる。

また、この方法によれば、遮光膜は位相シフタ10のパ
ターンに対して自己整合的に形成されるため、マスク合
わせの必要もなくなり、工程が大幅に簡略化される。ま
た、レジストをそのまま位相シフタ10として用いている
ため、レジスト剥離工程が不要となる。

実施例２ 次に、本発明の第２の実施例について詳細に説明す
る。

これは、第３図（ａ）乃至第３図（ｄ）に示す工程で
形成される。

まず、前記第１の実施例と同様にして遮光性の石英基
板１の表面にスパッタリング法により、膜厚1000Åのク
ロム薄膜からなる遮光膜２を形成したのち、CVD法によ
り位相シフタ層20として膜厚2500Åの酸化シリコン膜を
堆積し、そしてさらに、レジスト層Ｒとして膜厚2500Å
のポリメチルメタクリレートを塗布し、80℃のベーキン
グを行う（第３図（ａ））。

次いで、電子ビーム露光装置を用いたドーズ量1000μ
C/cm²で描画を行ったのち、メチルイソブチルケトンを
用いて１分間の現像を行い、レジストパターンＲを形成
する。

続いて、第３図（ｂ）に示すように、CF₄およびO₂を
用いた反応性イオンエッチングにより、位相シフタ20と
しての酸化シリコン膜をパターニングする。

この後、第３図（ｃ）に示すように、前記第１の実施
例と同様にしてクロムエッチング液を用いて、２分間の
ジャストエッチングを行った後、さらに６秒間の追加エ
ッチングを行う。

そして最後に、第３図（ｄ）に示すように、レジスト
パターンＲを除去する。これにより遮光膜２が形成され
るわけであるが、位相シフタ20としての該酸化シリコン
層パターンよりも約0.05μｍのアンダカット部分６が生
じ、このアンダカット部分上の位相シフタ層パターンが
位相シフタ20として作用することになる。

このようにして形成された露光用マスクを用いて、前
記第１の実施例と同様にパターン露光を行った結果、前
記第１の実施例と同様、極めて高精度のパターンを得る
ことができた。

実施例３ 次に、本発明の第３の実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。

これは、第４図（ａ）乃至第４図（ｄ）に示す工程で
形成される。これは、通常の方法で形成された露光用マ
スクを加工し位相シフタを形成することも可能な方法の
一例である。

まず、通常の方法で第４図（ａ）に示すように、透光
性の石英基板１の表面に膜厚1000Åのクロム薄膜からな
る遮光膜２を形成したのち、遮光膜２上の膜厚ｔが2500
Åとなるように位相シフタ30としてのポリメチルメタク
リレート（レジスト）を塗布し、180℃のベーキングを
行う。

次いで、第４図（ｂ）に示すように、この石英基板１
の裏面側（矢印で示す）から、波長2400〜3000ÅのXe−
Hgランプによる光８を約５分間照射し、全面露光を行
い、潜像30sを形成する。

この後、第４図（ｃ）に示すように、実施例１と同様
にして位相シフタ層（レジスト）30の現像を行う。

そして最後に、第４図（ｄ）に示すように、追加エッ
チングを行い、レジストパターン30の下にアンダカット
部分６を生ぜしめる。

このアンダカット部分上のレジストパターン30が位相
シフタとして作用することになる。

このようにして形成された露光用マスクを用いて、前
記第１および第２の実施例と同様にパターン露光を行っ
た結果、前記第１および第２の実施例と同様、極めて高
精度のパターンを得ることができた。

実施例４ 次に、本発明の第４の実施例について説明する。

第５図（ａ）乃至第５図（ｃ）は本発明の第４の実施
例の露光用マスクの製造工程を示す図である。

この露光用マスクは、第５図（ｃ）に示すように、透
光性の石英基板１の表面に位相シフタ50を介して形成さ
れたクロム薄膜と酸化クロム薄膜との積層膜からなる膜
厚1000Åの遮光膜２とから構成されている。そして、こ
の位相シフタ50は該遮光膜２と石英基板１との間に、該
遮光膜２よりも所定の寸法だけ突出するように形成され
た膜厚4000Åの酸化シリコン層から構成されており、該
遮光膜２のエッジ近傍には位相シフタ50が存在し、該遮
光膜２のエッジ近傍を透過する露光光はこの位相シフタ
50を通過して位相が180度反転し、位相シフタ50を通過
しない露光光と合成され光強度がシャープになるように
なっている。

次に、この露光用マスクの製造工程について説明す
る。

まず、第５図（ａ）に示すように、透光性の石英基板
１の表面にスパッタリング法により、位相シフタ層50と
してCVD法により膜厚4000Åの酸化シリコン膜を堆積し
た後、膜厚1000Åのクロム薄膜と酸化クロム薄膜との積
層膜からなるからなる遮光膜２を形成したのち、レジス
トＲを塗布しパターニングする。ここで位相シフタ層と
して、膜厚2500Åのポリメチルメタクリレートを用いて
も良い。このポリメチルメタクリレートの屈折率は1.
5、この露光用マスクの露光に用いる露光光は波長2480
ÅのKrFエキシマレーザであるものとして膜厚を決定し
た。

次いで、第５図（ｂ）に示すように、レジストパター
ンＲをマスクとして等方性エッチングによりこの遮光膜
２をエッチングし、アンダカット部分６を形成する。こ
こで等方性エッチングを用いるのは遮光層と位相シフタ
との間に変換差Δを生じさせるためである。

この後、第５図（ｃ）に示すように、異方性エッチン
グにより、レジストパターンＲをマスクとして位相シフ
タ50としての酸化シリコン膜をエッチングし、レジスト
パターンＲを除去して露光用マスクが完成する。

このアンダカット部分下の酸化シリコン膜50が位相シ
フタとして作用することになる。

このようにして形成された露光用マスクを用いて、前
記第１乃至第３の実施例と同様にパターン露光を行った
結果、前記第１乃至第３の実施例と同様、極めて高精度
のパターンを得ることができた。

なお、実施例４の工程において、レジストパターンＲ
の形成後、まず等方性エッチングを用いて遮光膜２のア
ンダカット部分を形成し、この後異方性エッチングによ
り位相シフタ50をパターニングしたが、まず異方性エッ
チングにより遮光膜および位相シフタ層をエッチングし
た後、等方性エッチングにより遮光膜をエッチングし変
換差Δを形成するようにしても良い。

なお、前記実施例において、位相シフタ層の厚さは、
位相シフタを通った光がマスク基板を透過する光に対し
て180度位相シフトするように設定したが、シフト量を
任意の角度に設定したければ、シフタの厚みを調整すれ
ば良い。

次に、位相シフタの厚みを調整しシフト量を変化させ
た場合のベストフォーカス位置を測定した。その結果を
第６図に示す。ここでは、位相シフタを通った光がマス
ク基板を透過する光に対して180度位相シフトするよう
に設定したものと、180度よりも僅かに大きく位相シフ
トするように設定したものと、180度よりも僅かに小さ
く位相シフトするように設定したものとに対し、ベスト
フォーカス位置を測定した。この結果から180度よりも
僅かに大きくあるいは小さく位相シフトさせることによ
ってベストフォーカス位置が変化していることがわか
る。

ここでは、設計寸法0.5μｍ、ｉ線ステッパ、開口数
0.4のレンズを用いたときのレジスト寸法と、ベストフ
ォーカス位置との関係を示した。ここで、マスク基板を
透過した光に対する位相シフタを透過した光の位相差を
150度とすると、180度とした場合に比べベストフォーカ
ス位置が１μｍずれている。

このことを利用し、段差の大きい基板への露光用マス
クの高精度化をはかることができる。

例えば、DRAMにおいては、DRAMセルアレイと周辺回路
とを同一基板上に集積して形成されるのが通常である
が、ここでは第７図（ａ）および第７図（ｂ）に示すよ
うにセルアレイ部の方が周辺回路に比べ高くなってい
る。このため、この表面に配線層を形成する際、一枚の
マスク基板を用いて同時にDRAMセルアレイと周辺回路と
に配線パターンを転写する場合、そのままではそれぞれ
ベストフォーカス位置が異なるため高精度のパターン形
成ができないという問題があった。そこで、従来は多層
レジスト法（SREP）等を用いてレジスト表面が平坦とな
るようにした後、露光するという方法がとられており、
工程が複雑であった。

そこで本発明の第５の実施例として、第７図（ｃ）に
示すように、基板中央部に位置するセルアレイ部には、
マスク基板に対して位相を180度シフトさせる厚みの位
相シフタ50aを配設すると共に、基板周辺部に位置する
周辺回路部には位相を150度シフトさせる厚みの位相シ
フタ50bを配設し、DRAMセルアレイと周辺回路とでベス
トフォーカス位置をずらすようにしている。

マスク基板の構造は第８図（ａ）および第８図（ｂ）
にそれぞれDRAMセルアレイと周辺回路との拡大断面図を
示すように、基板１と遮光膜２との間に、DRAMセルアレ
イと周辺回路とで厚さの異なる酸化シリコン膜パターン
からなる位相シフタ50aおよび50bを介在させたものであ
る。

このようにして、露光マスクにわずかな工夫を加える
のみで、極めて容易に段差のある表面上へのフォトリソ
グラフィを高精度化することができる。

なお、この方法は、DRAMのみならず他のデバイスの製
造工程においても、段差上のフォトリソグラフィを含む
工程の全てに適用可能である。

また、この例においても位相シフタを遮光膜の上層に
配設するようにすることも可能である。

以上本発明について実施例を用いて説明したが、位相
シフタとしては、レジストとしても用いられるポリメチ
ルメタクリレートおよび無機膜である酸化シリコン層に
ついて説明したが、これらに限定されるものではなく、
露光光として用いられる波長436nm以下の光に対して透
過率の高い材料であれば良い。例えば無機膜としては、
フッ化カルシウム（CaF）、フッ化マグネシウム（Mg
F）、酸化アルミニウム（Al₂O₃）等他の材料を用いるよ
うにしても良い。また、レジストとしては、ポリメチル
メタクリレート、ポリトリフルオロエチル−α−クロロ
アクリレート、クロロメチル化ポリスチレン、ポリジメ
チルグルタルイミド、ポリメチルイソプロペニルケトン
等の材料が考えれれる。また、パターンの厚さ等は、材
料およびリソグラフィ光に応じて、適宜変更可能であ
る。

また、透光性基板および遮光膜の材料についても、実
施例に限定されることなく適宜変更可能である。

加えて、位相シフタ層は必ずしも180度の位相シフト
を行うものである必要はなく、180度の近傍で遮光膜エ
ッジの光強度分布をシャープに低下させる程度であれば
180度をいくばくかはずれたものでもよい。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明の露光マスクによれ
ば、遮光膜上または遮光膜と基板との間に、この遮光膜
よりも所定の寸法だけ開口部に突出するように大きく形
成され、かつ該遮光膜の開口部を透過するリソグラフィ
光に対して位相を180度シフトするように構成された位
相シフタを配設するようにしているため、パターンエッ
ジ部分を透過した露光光の位相が180度反転し、位相シ
フタを透過しない露光光と合成され、光の強度分布をシ
ャープに低下することができ、パターン密度に依存する
ことなく遮光膜に忠実で高精度のパターン形成を行うこ
とができる。

さらに、被処理基板表面の段差形状に応じて位相シフ
ト量を変化させた露光マスクを用いるようにすることに
より、容易に高精度のパターン転写が可能となる。

また、この露光用マスクの製造に際しては、自己整合
法を用いることにより、極めて容易に製造可能である。

さらに、本発明の露光方法によれば、上記露光用マス
クを用いるようにしているため、パターン密度に依存す
ることなく遮光膜パターンに忠実で高精度のパターン形
成を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の露光用マスクを示す
図、第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）は同露光用マスクの
製造工程図、第３図（ａ）乃至第３図（ｄ）は本発明の
第２の実施例の露光用マスクの製造工程図、第４図
（ａ）乃至第４図（ｄ）は本発明の第３の実施例の露光
用マスクの製造工程図、第５図（ａ）乃至第５図（ｃ）
は本発明の第４の実施例の露光用マスクの製造工程図、
第６図はレジスト寸法とベストフォーカス位置との関係
を示す図、第７図（ａ）および第７図（ｂ）はDRAMを模
式的に示す平面図および断面図、第７図（ｃ）は本発明
の第５の実施例の露光用マスクを示す図、第８図（ａ）
および第８図（ｂ）は第７（ｃ）の部分拡大図、第９図
（ａ）乃至第９図（ｃ）は従来例の露光用マスクの製造
工程図、第10図は位相シフト法の説明図である。 １……石英基板、２……マスク層、Ｒ……レジストパタ
ーン、８……光、９……補助パターン、10,20,30,40,50
……位相シフタ層パターン、６……アンダカット部分。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仁田山 晃寛 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式 会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−292643（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−147458（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−140743（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−211451（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透光性基板と、 前記透光性基板上に配設された透光性材料からなるマス
   クパターンと、 前記マスクパターン上に、前記マスクパターンよりも開
   口部に張り出すように大きく形成され、かつ該マスクパ
   ターンの開口部を透過するリソグラフィ光に対して位相
   をシフトするように構成された前記基板と接触しない位
   相シフタ層とを具備したことを特徴とする露光用マス
   ク。
2. 【請求項２】透光性基板上に遮光性材料からなるマスク
   層および位相シフタ層として用いる膜をこの順に形成す
   る工程と、 この膜をパターニングする工程と、このパターニングさ
   れた第１の膜をマスクとしてオーバエッチングにより自
   己整合的に該マスク層をパターニングする工程とを具備
   したことを特徴とする露光用マスクの製造方法。
3. 【請求項３】前記膜は、無機膜とレジスト膜との積層膜
   であり、このレジスト膜はマスク層パターニング後除去
   することを特徴とする請求項（２）記載の露光用マスク
   の製造方法。
4. 【請求項４】透光性基板上に位相シフタ層および遮光性
   材料からなるマスク層をこの順に形成する工程と、 パターニングされたレジスト膜をマスクに異方性エッチ
   ングおよび等方性エッチングにより前記位相シフタ層が
   前記マスク層より張り出すように形成する工程とを含む
   ようにしたことを特徴とする露光用マスクの製造方法。
5. 【請求項５】露光用マスクを介してリソグラフィ光を透
   過せしめ被処理基板上にパターンを転写する露光方法に
   おいて、 露光用マスクとして、 透光性基板と、 前記透光性基板上に配設された遮光性材料からなるマス
   クパターンと、 前記マスクパターン上に、前記マスクパターンよりも開
   口部に張り出すように大きく形成され、かつ該マスクパ
   ターンの開口部を透過するリソグラフィ光に対して位相
   をシフトするように構成された前記基板と接触しない位
   相シフタ層とを具備した露光用マスクを用いるようにし
   たことを特徴とする露光方法。