JPH0473651A - 位相シフトマスクの形成方法 - Google Patents
位相シフトマスクの形成方法Info
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- JPH0473651A JPH0473651A JP2186185A JP18618590A JPH0473651A JP H0473651 A JPH0473651 A JP H0473651A JP 2186185 A JP2186185 A JP 2186185A JP 18618590 A JP18618590 A JP 18618590A JP H0473651 A JPH0473651 A JP H0473651A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、写真製版法に適用される位相シフトマスク
の形成方法に関し、さらに詳しくは、フォトマスクにお
ける光透過部に光の位相をシフトするシフター膜を形成
した位相シフトマスクの形成方法に係るものである。
の形成方法に関し、さらに詳しくは、フォトマスクにお
ける光透過部に光の位相をシフトするシフター膜を形成
した位相シフトマスクの形成方法に係るものである。
〔従来の技術］
従来から、半導体集積回路装置の製造に際しては、縮小
投影露光装置によるパターン転写のために写真製版法が
多用されており、当該写真製版法には、フォトマスクの
使用が必要不可欠のものである。近年、半導体集積回路
装置の集積度が向上されるにつれて転写パターンがより
一層微細化される傾向が顕著であって、現在では、ウェ
ハに対する縮小投影露光装置の転写限界に達しており、
このための対策として、当該縮小投影露光装置の解像度
、焦点深度を高める上で、位相シフトマスクの重要性が
増してきている。
投影露光装置によるパターン転写のために写真製版法が
多用されており、当該写真製版法には、フォトマスクの
使用が必要不可欠のものである。近年、半導体集積回路
装置の集積度が向上されるにつれて転写パターンがより
一層微細化される傾向が顕著であって、現在では、ウェ
ハに対する縮小投影露光装置の転写限界に達しており、
このための対策として、当該縮小投影露光装置の解像度
、焦点深度を高める上で、位相シフトマスクの重要性が
増してきている。
一般に、この種の位相シフトマスクは、ガラス基板上に
遮光性金属薄膜のパターンを形成したフォトマスクにお
いて、光が透過する部分に光の位相をシフトさせるため
のシフター膜となる所要のパターン膜を、例えば、Ｓｉ
Ｏ□膜によって形成したものである。
遮光性金属薄膜のパターンを形成したフォトマスクにお
いて、光が透過する部分に光の位相をシフトさせるため
のシフター膜となる所要のパターン膜を、例えば、Ｓｉ
Ｏ□膜によって形成したものである。
こＳで、従来例による位相シフトマスクの形成方法を第
２図（ａ）ないしくｄ）に示す。
２図（ａ）ないしくｄ）に示す。
この第２図の従来例方法においては、まず、同図（ａ）
に示すように、ガラス基板ｌ上にあって、導電性透明膜
（ＩＴＯ）２．５ｉｎ２膜からなるシフター膜３、およ
びＭｏＳｉｘ膜による遮光性金属薄膜５のそれぞれを、
所要の膜厚制御のもとに順次にスパッタ形成すると共に
、その上に電子線ポジレジスト６をスピン塗布したブラ
ンクスを用い、同図（ｂ）に示すように、当該ブランク
スに対して、適宜、所期通りのパターン露光、現像、ボ
ストベークを施してレジストパターニングをなし、つい
で、このレジストパターンをマスクにして、ＣＦ４＋０
２ガスにより、遮光性金属薄膜５を選択的にドライエツ
チングし、かつ当該レジストパターンの除去後、洗浄を
行なう。
に示すように、ガラス基板ｌ上にあって、導電性透明膜
（ＩＴＯ）２．５ｉｎ２膜からなるシフター膜３、およ
びＭｏＳｉｘ膜による遮光性金属薄膜５のそれぞれを、
所要の膜厚制御のもとに順次にスパッタ形成すると共に
、その上に電子線ポジレジスト６をスピン塗布したブラ
ンクスを用い、同図（ｂ）に示すように、当該ブランク
スに対して、適宜、所期通りのパターン露光、現像、ボ
ストベークを施してレジストパターニングをなし、つい
で、このレジストパターンをマスクにして、ＣＦ４＋０
２ガスにより、遮光性金属薄膜５を選択的にドライエツ
チングし、かつ当該レジストパターンの除去後、洗浄を
行なう。
続いて、同図（ｃ）に示すように、前記パターニングさ
れた遮光性金属薄膜５上に、再度、電子線ポジレジスト
パターン７をスピン塗布し、前記と同様に、パターン露
光、現像、ボストベークを施してレジストパターニング
をなし、さらに、このレジストパターンをマスクにして
、ＣＦ４＋８２ガスにより、今度は、シフター膜３の不
要部分を選択的にドライエツチングし、かつ当該レジス
トパターンの除去後、洗浄を行ない、このようにして、
同図（ｄ）に示すように、所期通りの位相シフトマスク
を得るのである。
れた遮光性金属薄膜５上に、再度、電子線ポジレジスト
パターン７をスピン塗布し、前記と同様に、パターン露
光、現像、ボストベークを施してレジストパターニング
をなし、さらに、このレジストパターンをマスクにして
、ＣＦ４＋８２ガスにより、今度は、シフター膜３の不
要部分を選択的にドライエツチングし、かつ当該レジス
トパターンの除去後、洗浄を行ない、このようにして、
同図（ｄ）に示すように、所期通りの位相シフトマスク
を得るのである。
しかしながら、前記のように形成される従来の位相シフ
トマスクでは、遮光性金属薄膜５であるＭｏ５ｉｚ膜を
ドライエツチングする過程で、 ＣＦ４系ガスを用いて
いるために、こＳでのシフター膜３となるＳｉＯ□膜が
オーバーエツチングされて、当該シフター膜３の膜厚制
御ができないという問題点がある。
トマスクでは、遮光性金属薄膜５であるＭｏ５ｉｚ膜を
ドライエツチングする過程で、 ＣＦ４系ガスを用いて
いるために、こＳでのシフター膜３となるＳｉＯ□膜が
オーバーエツチングされて、当該シフター膜３の膜厚制
御ができないという問題点がある。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、シフター膜
３の膜厚をスパッタ時における均一性を保持したまきで
形成し得るようにした。この種の位相シフトマスクの形
成方法を提供することである。
なされたもので、その目的とするところは、シフター膜
３の膜厚をスパッタ時における均一性を保持したまきで
形成し得るようにした。この種の位相シフトマスクの形
成方法を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る位相シフト
マスクの形成方法は、遮光性金属薄膜のドライエツチン
グ時におけるシフター膜のオーバーエツチングを避ける
ために、当該遮光性金属薄膜を異種金属によって多種多
層に形成させたものである。
マスクの形成方法は、遮光性金属薄膜のドライエツチン
グ時におけるシフター膜のオーバーエツチングを避ける
ために、当該遮光性金属薄膜を異種金属によって多種多
層に形成させたものである。
すなわち、この発明は、ガラス基板上に遮光性金属薄膜
のパターンを形成すると共に、光透過部分に透過光の位
相をシフトさせるシフター膜を形成した位相シフトマス
クにおいて、前記シフター膜上に、前記遮光性金属薄膜
として異種金属を多種多層に形成させた後、当該各遮光
性金属薄膜。
のパターンを形成すると共に、光透過部分に透過光の位
相をシフトさせるシフター膜を形成した位相シフトマス
クにおいて、前記シフター膜上に、前記遮光性金属薄膜
として異種金属を多種多層に形成させた後、当該各遮光
性金属薄膜。
ならびにシフター膜を順次パターニング成形することを
特徴とする位相シフトマスクの形成方法である。
特徴とする位相シフトマスクの形成方法である。
従って、この発明方法では、シフター膜上に、遮光性金
属薄膜として異種金属を多種多層に形成させであるため
に、当該各遮光性金属薄膜のエツチング成形に際してシ
フター膜がオーバーエツチングされる慣れがなく、シフ
ター膜の膜厚をスパッタ時における均一性を保持したま
＼でパターニングし得るのである。
属薄膜として異種金属を多種多層に形成させであるため
に、当該各遮光性金属薄膜のエツチング成形に際してシ
フター膜がオーバーエツチングされる慣れがなく、シフ
ター膜の膜厚をスパッタ時における均一性を保持したま
＼でパターニングし得るのである。
［実 施 例］
以下、この発明に係る位相シフトマスクの形成方法の一
実施例につき、第１図を参照して詳細に説明する。
実施例につき、第１図を参照して詳細に説明する。
第１図（ａ）ないしくｇ）はこの実施例を適用した位相
シフトマスクの形成方法の主要な工程を順次模式的に示
すそれぞれに断面図であり、この第１図に示す実施例方
法において、前記第２図の従来例方法と同一符号は同一
または相当部分を示している。
シフトマスクの形成方法の主要な工程を順次模式的に示
すそれぞれに断面図であり、この第１図に示す実施例方
法において、前記第２図の従来例方法と同一符号は同一
または相当部分を示している。
すなわち、この第１図の実施例方法においても、まず、
同図（ａ）に示すように、ガラス基板ｌ上にあって、導
電性透明膜（ＩＴＯ）２．５ｉＯａ膜からなるシフター
膜３．およびＣｒ膜（約３００人）による下層の遮光性
金属薄膜４． Ｍｏ５ｉｔ膜（約６００人）による上層
の遮光性金属薄膜５のそれぞれを、所要の膜厚制御のも
とに順次にスパッタ形成すると共に、その上に電子線ポ
ジレジスト６をスピン塗布したブランクスを用い、同図
（ｂ）に示すように、当該ブランクスに対して、適宜、
所期通りの回路パターンを電子ビーム露光、現像、ボス
トベークを施してレジストパターニングをなし、ついで
、同図（ｃ）に示すように、このレジストパターンをマ
スクにして、ＣＦ４＋０□ガスにより、最初に上層の遮
光性金属薄膜５を選択的にドライエツチングした上で、
次に、同図（ｄ）に示すように、当該パタニングされた
遮光性金属薄膜５をマスクにして、ＣＣβ４＋０□ガス
により、下層の遮光性金属薄膜４を選択的にドライエツ
チングし、かつ当該レジストパターンの除去後、洗浄を
行なう。
同図（ａ）に示すように、ガラス基板ｌ上にあって、導
電性透明膜（ＩＴＯ）２．５ｉＯａ膜からなるシフター
膜３．およびＣｒ膜（約３００人）による下層の遮光性
金属薄膜４． Ｍｏ５ｉｔ膜（約６００人）による上層
の遮光性金属薄膜５のそれぞれを、所要の膜厚制御のも
とに順次にスパッタ形成すると共に、その上に電子線ポ
ジレジスト６をスピン塗布したブランクスを用い、同図
（ｂ）に示すように、当該ブランクスに対して、適宜、
所期通りの回路パターンを電子ビーム露光、現像、ボス
トベークを施してレジストパターニングをなし、ついで
、同図（ｃ）に示すように、このレジストパターンをマ
スクにして、ＣＦ４＋０□ガスにより、最初に上層の遮
光性金属薄膜５を選択的にドライエツチングした上で、
次に、同図（ｄ）に示すように、当該パタニングされた
遮光性金属薄膜５をマスクにして、ＣＣβ４＋０□ガス
により、下層の遮光性金属薄膜４を選択的にドライエツ
チングし、かつ当該レジストパターンの除去後、洗浄を
行なう。
続いて、同図（ｅ）に示すように、前記パターニングさ
れた遮光性金属薄膜５上に、再度、電子線ポジレジスト
７をスピン塗布し、前記と同様に、回路パターンを電子
ビーム露光、現像、ボストベークを施してレジストパタ
ーニングをなし、さらに、このレジストパターンをマス
クにして、同図（ｆ）に示すように、ＣＦ４＋Ｈｆｆｉ
ガスにより、今度は、シフター膜３の不要部分を選択的
にドライエツチングし、かつ当該レジストパターンの除
去後、洗浄を行ない、このようにして、同図（ｇ）に示
すように、所期通りの位相シフトマスクを得るのである
。
れた遮光性金属薄膜５上に、再度、電子線ポジレジスト
７をスピン塗布し、前記と同様に、回路パターンを電子
ビーム露光、現像、ボストベークを施してレジストパタ
ーニングをなし、さらに、このレジストパターンをマス
クにして、同図（ｆ）に示すように、ＣＦ４＋Ｈｆｆｉ
ガスにより、今度は、シフター膜３の不要部分を選択的
にドライエツチングし、かつ当該レジストパターンの除
去後、洗浄を行ない、このようにして、同図（ｇ）に示
すように、所期通りの位相シフトマスクを得るのである
。
従って、前記した従来の位相シフトマスクの形成方法の
場合、遮光性金属薄膜５であるＭｏ５ｉｚ膜のドライエ
ツチングにＣＦ、系ガスを用いているために、当該Ｍｏ
５ｉｘ膜の下層側にあるシフター膜３としての５ｉＯｚ
膜がオーバーエツチングされることになり、当該シフタ
ー膜３での膜厚の均一性が損なわれるものであったが、
この実施例方法の場合には、上層の遮光性金属薄膜５で
あるＭｏ５ｉＪＩＩの下層側にあって、下層の遮光性金
属薄膜４であるＣｒ膜が形成されているために、当該下
層のＣｒ膜がシフター膜３であるＳｔｏｗ膜の保護膜と
しての役割を果たし、当該ＳｉＯ□膜がオーバーエツチ
ングされるような慣れを解消し得るのである。
場合、遮光性金属薄膜５であるＭｏ５ｉｚ膜のドライエ
ツチングにＣＦ、系ガスを用いているために、当該Ｍｏ
５ｉｘ膜の下層側にあるシフター膜３としての５ｉＯｚ
膜がオーバーエツチングされることになり、当該シフタ
ー膜３での膜厚の均一性が損なわれるものであったが、
この実施例方法の場合には、上層の遮光性金属薄膜５で
あるＭｏ５ｉＪＩＩの下層側にあって、下層の遮光性金
属薄膜４であるＣｒ膜が形成されているために、当該下
層のＣｒ膜がシフター膜３であるＳｔｏｗ膜の保護膜と
しての役割を果たし、当該ＳｉＯ□膜がオーバーエツチ
ングされるような慣れを解消し得るのである。
なお、前記実施例方法においては、シフター膜３である
ＳｉＯ□膜の保護膜としての下層の遮光性金属薄膜４に
Ｃｒ膜を用いる場合について述べたが、このＣ「膜以外
にも、例えば、ＣｒＯｘ膜を用いても同様な作用、効果
を得ることができ、また、上層にＭｏＳｉ２０ｘ膜、あ
るいはＣｒＯ＋＋膜を、中間層にＭｏ５ｉａ膜を、下層
にＣｒ膜、あるいはＣｒ００膜を用いても同様な作用、
効果を実現できる。
ＳｉＯ□膜の保護膜としての下層の遮光性金属薄膜４に
Ｃｒ膜を用いる場合について述べたが、このＣ「膜以外
にも、例えば、ＣｒＯｘ膜を用いても同様な作用、効果
を得ることができ、また、上層にＭｏＳｉ２０ｘ膜、あ
るいはＣｒＯ＋＋膜を、中間層にＭｏ５ｉａ膜を、下層
にＣｒ膜、あるいはＣｒ００膜を用いても同様な作用、
効果を実現できる。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明方法によれば、ガラス基
板上に遮光性金属薄膜のパターンを形成すると共に、光
透過部分に透過光の位相をシフトさせるシフター膜を形
成した位相シフトマスクにおいて、シフター膜上に、遮
光性金属薄膜として異種金属を多種多層に形成させた後
、当該各遮光性金属薄膜、ならびにシフター膜を順次パ
ターニング成形するようにしたので、各遮光性金属薄膜
のエツチング成形に際し、少なくとも最下層の遮光性金
属薄膜がシフター膜の保護膜として作用することになり
、この結果、当該各遮光性金属薄膜のエツチング成形時
にあってシフター膜がオーバーエツチングされる慣れが
解消され、シフター膜自体の膜厚をスパッタ時における
均一性を保持したま＼でパターニングできて、良好かつ
効果的な位相シフトマスクを形成し得るのである。
板上に遮光性金属薄膜のパターンを形成すると共に、光
透過部分に透過光の位相をシフトさせるシフター膜を形
成した位相シフトマスクにおいて、シフター膜上に、遮
光性金属薄膜として異種金属を多種多層に形成させた後
、当該各遮光性金属薄膜、ならびにシフター膜を順次パ
ターニング成形するようにしたので、各遮光性金属薄膜
のエツチング成形に際し、少なくとも最下層の遮光性金
属薄膜がシフター膜の保護膜として作用することになり
、この結果、当該各遮光性金属薄膜のエツチング成形時
にあってシフター膜がオーバーエツチングされる慣れが
解消され、シフター膜自体の膜厚をスパッタ時における
均一性を保持したま＼でパターニングできて、良好かつ
効果的な位相シフトマスクを形成し得るのである。
第１図（ａ）ないしくｇ）はこの発明の一実施例を適用
した位相シフトマスクの形成方法の主要な工程を順次模
式的に示すそれぞれに断面図であり、また、第２図（ａ
）ないしくｄ）は従来例による位相シフトマスクの形成
方法の主要な工程を順次模式的に示すそれぞれに断面図
である。 １・・・・ガラス基板、 ２・・・・導電性透明膜（ＩＴＯ膜）、３・・・・シフ
ター膜（Ｓｉｎ、膜）、４・・・・下層遮光性金属薄膜
（Ｃｒ膜＋ ＣｒＯｘ膜）、５・・・・上層遮光性金属
薄膜（Ｍｏｓｔ、膜）、６．７・・・・電子線ポジレジ
スト。 代理人 大 岩 増 雄 ｗＡ１図 （千の１） １： がクス！４枝 ２、勢を性迭明暎 ７： を子革撃汀ごシレレスト
した位相シフトマスクの形成方法の主要な工程を順次模
式的に示すそれぞれに断面図であり、また、第２図（ａ
）ないしくｄ）は従来例による位相シフトマスクの形成
方法の主要な工程を順次模式的に示すそれぞれに断面図
である。 １・・・・ガラス基板、 ２・・・・導電性透明膜（ＩＴＯ膜）、３・・・・シフ
ター膜（Ｓｉｎ、膜）、４・・・・下層遮光性金属薄膜
（Ｃｒ膜＋ ＣｒＯｘ膜）、５・・・・上層遮光性金属
薄膜（Ｍｏｓｔ、膜）、６．７・・・・電子線ポジレジ
スト。 代理人 大 岩 増 雄 ｗＡ１図 （千の１） １： がクス！４枝 ２、勢を性迭明暎 ７： を子革撃汀ごシレレスト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガラス基板上に遮光性金属薄膜のパターンを形成する
と共に、光透過部分に透過光の位相をシフトさせるシフ
ター膜を形成した位相シフトマスクにおいて、 前記シフター膜上に、前記遮光性金属薄膜として異種金
属を多種多層に形成させた後、当該各遮光性金属薄膜、
ならびにシフター膜を順次パターニング成形することを
特徴とする位相シフトマスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18618590A JP2734753B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 位相シフトマスクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18618590A JP2734753B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 位相シフトマスクの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0473651A true JPH0473651A (ja) | 1992-03-09 |
| JP2734753B2 JP2734753B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=16183878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18618590A Expired - Lifetime JP2734753B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 位相シフトマスクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734753B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05265181A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Nec Corp | 縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランク |
| KR100508075B1 (ko) * | 1997-12-04 | 2005-11-11 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크 |
| US7563658B2 (en) | 2004-12-27 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102345757A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-02-08 | 喜开理株式会社 | 电磁阀 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18618590A patent/JP2734753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05265181A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Nec Corp | 縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランク |
| KR100508075B1 (ko) * | 1997-12-04 | 2005-11-11 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크 |
| US7563658B2 (en) | 2004-12-27 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102345757A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-02-08 | 喜开理株式会社 | 电磁阀 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734753B2 (ja) | 1998-04-02 |
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