JPH05142750A - フオトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
フオトマスクおよびその製造方法Info
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- JPH05142750A JPH05142750A JP31059191A JP31059191A JPH05142750A JP H05142750 A JPH05142750 A JP H05142750A JP 31059191 A JP31059191 A JP 31059191A JP 31059191 A JP31059191 A JP 31059191A JP H05142750 A JPH05142750 A JP H05142750A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifter
- photomask
- film
- etching
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフト用フォトマスクの製造歩留りを向
上させる。 【構成】 ガラス基板２上の遮光パターン３ａ〜３ｅと
位相シフタ５ａ，５ｂとの間にアルミナなどで構成され
た耐エッチング保護膜４を設け、位相シフタ材料である
ＳＯＧ（スピンオングラス）膜をエッチングして位相シ
フタ５ａ，５ｂを形成したり、欠陥の有る位相シフタ５
ａ，５ｂをエッチングによって除去したりする際にガラ
ス基板２がエッチングされるのを防止する。
上させる。 【構成】 ガラス基板２上の遮光パターン３ａ〜３ｅと
位相シフタ５ａ，５ｂとの間にアルミナなどで構成され
た耐エッチング保護膜４を設け、位相シフタ材料である
ＳＯＧ（スピンオングラス）膜をエッチングして位相シ
フタ５ａ，５ｂを形成したり、欠陥の有る位相シフタ５
ａ，５ｂをエッチングによって除去したりする際にガラ
ス基板２がエッチングされるのを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造工程（ウエハプロセス）などにおいて使用されるフ
ォトマスク（レチクル）の製造技術に関し、特に、位相
シフト用フォトマスクに適用して有効な技術に関する。
製造工程（ウエハプロセス）などにおいて使用されるフ
ォトマスク（レチクル）の製造技術に関し、特に、位相
シフト用フォトマスクに適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化が進み、素子や
配線の設計ルールがサブミクロン・オーダになると、ｉ
線（波長３６５ｎｍ）などの光を使用してフォトマスク
上の集積回路パターンを半導体ウエハに転写するフォト
リソグラフィ工程では、パターン精度の低下が深刻な問
題となる。
配線の設計ルールがサブミクロン・オーダになると、ｉ
線（波長３６５ｎｍ）などの光を使用してフォトマスク
上の集積回路パターンを半導体ウエハに転写するフォト
リソグラフィ工程では、パターン精度の低下が深刻な問
題となる。
【０００３】そこで、フォトマスクを透過する光の位相
を変えることによって、投影像のコントラストの向上を
図る位相シフト技術が注目されている。
を変えることによって、投影像のコントラストの向上を
図る位相シフト技術が注目されている。
【０００４】例えば特公昭６２−５９２９６号公報に
は、フォトマスク上の遮光領域を挟む一対の光透過領域
の一方に透明な薄膜で構成された位相シフタを設け、上
記一対の光透過領域を透過した二つの光の位相を互いに
逆相とすることによって、ウエハ上の二つの光の境界部
における光の強度を弱めるようにした位相シフト用フォ
トマスクが開示されている。
は、フォトマスク上の遮光領域を挟む一対の光透過領域
の一方に透明な薄膜で構成された位相シフタを設け、上
記一対の光透過領域を透過した二つの光の位相を互いに
逆相とすることによって、ウエハ上の二つの光の境界部
における光の強度を弱めるようにした位相シフト用フォ
トマスクが開示されている。
【０００５】また、特開昭６２−６７５１４号公報に
は、フォトマスク上の光透過領域の周囲に光の解像度以
下の微小な光透過領域を設けると共に、上記光透過領域
のいずれか一方に位相シフタを設け、上記一対の光透過
領域を透過した二つの光の位相を互いに逆相とすること
によって、パターンの転写精度を向上させる位相シフト
用フォトマスクが開示されている。
は、フォトマスク上の光透過領域の周囲に光の解像度以
下の微小な光透過領域を設けると共に、上記光透過領域
のいずれか一方に位相シフタを設け、上記一対の光透過
領域を透過した二つの光の位相を互いに逆相とすること
によって、パターンの転写精度を向上させる位相シフト
用フォトマスクが開示されている。
【０００６】また、特開平２−１４０７４３号公報に
は、フォトマスク上の光透過領域内の一部に位相シフタ
を設け、この位相シフタが有る箇所と無い箇所とを透過
した二つの光の位相を互いに逆相とすることによって、
パターンの転写精度を向上させる位相シフト用フォトマ
スクが開示されている。
は、フォトマスク上の光透過領域内の一部に位相シフタ
を設け、この位相シフタが有る箇所と無い箇所とを透過
した二つの光の位相を互いに逆相とすることによって、
パターンの転写精度を向上させる位相シフト用フォトマ
スクが開示されている。
【０００７】従来、これらの位相シフト用フォトマスク
は、次のような方法で製造されている。
は、次のような方法で製造されている。
【０００８】まず、全面にＣｒなどの遮光膜を蒸着した
ガラス基板（マスクブランクス）上に電子線レジストを
スピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記電子線レジ
ストに集積回路パターンの潜像を形成した後、電子線レ
ジストを現像し、遮光膜上に残ったレジストパターンを
マスクにして遮光膜をエッチングして所定の遮光パター
ンを形成する。
ガラス基板（マスクブランクス）上に電子線レジストを
スピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記電子線レジ
ストに集積回路パターンの潜像を形成した後、電子線レ
ジストを現像し、遮光膜上に残ったレジストパターンを
マスクにして遮光膜をエッチングして所定の遮光パター
ンを形成する。
【０００９】次に、上記フォトマスクの全面に位相シフ
タ材料となる薄膜を被着し、さらにその上に電子線レジ
ストをスピン塗布する。位相シフタ材料としては、スピ
ンオングラス(Spin On Glass；ＳＯＧ) のような酸化珪
素系の薄膜が使用される。
タ材料となる薄膜を被着し、さらにその上に電子線レジ
ストをスピン塗布する。位相シフタ材料としては、スピ
ンオングラス(Spin On Glass；ＳＯＧ) のような酸化珪
素系の薄膜が使用される。
【００１０】次に、電子線描画装置を用いて上記電子線
レジストに位相シフトパターンの潜像を形成した後、電
子線レジストを現像し、ＳＯＧ膜上に残ったレジストパ
ターンをマスクにしてＳＯＧ膜をエッチングし、フォト
マスクの所定の光透過領域に位相シフタを形成する。
レジストに位相シフトパターンの潜像を形成した後、電
子線レジストを現像し、ＳＯＧ膜上に残ったレジストパ
ターンをマスクにしてＳＯＧ膜をエッチングし、フォト
マスクの所定の光透過領域に位相シフタを形成する。
【００１１】位相シフタが形成された光透過領域を透過
した光と、位相シフタが形成されていない光透過領域を
透過した光の位相を互いに逆相とするには、光の波長を
λ、位相シフタの屈折率をｎとして、位相シフタの膜厚
（ｄ）を ｄ＝λ／２（ｎ−１） の関係を満たすように設定する。
した光と、位相シフタが形成されていない光透過領域を
透過した光の位相を互いに逆相とするには、光の波長を
λ、位相シフタの屈折率をｎとして、位相シフタの膜厚
（ｄ）を ｄ＝λ／２（ｎ−１） の関係を満たすように設定する。
【００１２】例えば光の波長が３６５ｎｍ（ｉ線）、位
相シフタ材料であるＳＯＧの屈折率が1.５である場合
は、位相シフタの膜厚を３６５ｎｍ程度とする。
相シフタ材料であるＳＯＧの屈折率が1.５である場合
は、位相シフタの膜厚を３６５ｎｍ程度とする。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した従
来の位相シフト用フォトマスクの製造方法は、位相シフ
タ材料にガラス基板と同じ酸化珪素系のＳＯＧを使用し
ているため、フォトマスク上のＳＯＧ膜をエッチングし
て位相シフタを形成する際、下地のガラス基板の表面ま
でもがエッチングされてしまうという問題がある。
来の位相シフト用フォトマスクの製造方法は、位相シフ
タ材料にガラス基板と同じ酸化珪素系のＳＯＧを使用し
ているため、フォトマスク上のＳＯＧ膜をエッチングし
て位相シフタを形成する際、下地のガラス基板の表面ま
でもがエッチングされてしまうという問題がある。
【００１４】また、位相シフト用フォトマスクを製造す
る際の問題点として、欠陥修正の困難性が指摘されてい
る。位相シフタに生じた欠陥の修正は、位相シフタの膜
厚、屈折率、透明度を修正の前後で合わせる必要がある
ため、遮光パターンに生じた欠陥を修正する場合に比べ
てより高い修正精度が要求されるからである。
る際の問題点として、欠陥修正の困難性が指摘されてい
る。位相シフタに生じた欠陥の修正は、位相シフタの膜
厚、屈折率、透明度を修正の前後で合わせる必要がある
ため、遮光パターンに生じた欠陥を修正する場合に比べ
てより高い修正精度が要求されるからである。
【００１５】そのため、位相シフタに欠陥が生じた場合
は、通常、フォトマスク上の全ての位相シフタをエッチ
ングにより除去した後、フォトマスク上に新たなＳＯＧ
膜をスピン塗布し、位相シフタを再度形成するという方
法が採られている。
は、通常、フォトマスク上の全ての位相シフタをエッチ
ングにより除去した後、フォトマスク上に新たなＳＯＧ
膜をスピン塗布し、位相シフタを再度形成するという方
法が採られている。
【００１６】ところが、この場合も、欠陥を含む元の位
相シフタをエッチングする際に、下地のガラス基板まで
もがエッチングされてしまうという問題がある。
相シフタをエッチングする際に、下地のガラス基板まで
もがエッチングされてしまうという問題がある。
【００１７】そこで、本発明の目的は、位相シフタを形
成する際のガラス基板の削れを防止し、位相シフト用フ
ォトマスクの製造歩留りを向上させることのできる技術
を提供することにある。
成する際のガラス基板の削れを防止し、位相シフト用フ
ォトマスクの製造歩留りを向上させることのできる技術
を提供することにある。
【００１８】本発明の他の目的は、位相シフタの欠陥を
修正する際のガラス基板の削れを防止し、位相シフト用
フォトマスクの製造歩留りを向上させることのできる技
術を提供することにある。
修正する際のガラス基板の削れを防止し、位相シフト用
フォトマスクの製造歩留りを向上させることのできる技
術を提供することにある。
【００１９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００２１】本発明による位相シフト用フォトマスクの
製造方法は、所定の遮光パターンを形成したガラス基板
の主面上にあらかじめ耐エッチング保護膜を被着し、こ
の保護膜の上部に位相シフタ材料となる薄膜を被着した
後、この薄膜をエッチングして位相シフタを形成するも
のである。
製造方法は、所定の遮光パターンを形成したガラス基板
の主面上にあらかじめ耐エッチング保護膜を被着し、こ
の保護膜の上部に位相シフタ材料となる薄膜を被着した
後、この薄膜をエッチングして位相シフタを形成するも
のである。
【００２２】
【作用】上記した手段によれば、位相シフタ材料となる
薄膜の下層に耐エッチング保護膜を被着したことによ
り、上記薄膜をエッチングして位相シフタを形成する
際、下地のガラス基板の削れを防止することができる。
薄膜の下層に耐エッチング保護膜を被着したことによ
り、上記薄膜をエッチングして位相シフタを形成する
際、下地のガラス基板の削れを防止することができる。
【００２３】また、上記した手段によれば、位相シフタ
の欠陥を修正する際、下地のガラス基板の削れを防止す
ることができる。
の欠陥を修正する際、下地のガラス基板の削れを防止す
ることができる。
【００２４】上記耐エッチング保護膜は、酸化珪素系の
材料とのエッチングレートの差が大きいこと、露光光の
透過率が大きいこと、下地のガラス基板に対する密着性
が高いことが要求される。このような条件を満たす耐エ
ッチング保護膜材料としては、例えばアルミナを挙げる
ことができる。
材料とのエッチングレートの差が大きいこと、露光光の
透過率が大きいこと、下地のガラス基板に対する密着性
が高いことが要求される。このような条件を満たす耐エ
ッチング保護膜材料としては、例えばアルミナを挙げる
ことができる。
【００２５】
【実施例】本発明の一実施例である位相シフト用フォト
マスクの要部を図１（断面図）および図２（平面図）に
示す。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線における断面図で
ある。
マスクの要部を図１（断面図）および図２（平面図）に
示す。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線における断面図で
ある。
【００２６】本実施例の位相シフト用フォトマスク１
は、半導体ウエハに所定の集積回路パターンを転写する
ための、例えば実寸の５倍の寸法の集積回路パターンの
原画が形成されたレチクルである。
は、半導体ウエハに所定の集積回路パターンを転写する
ための、例えば実寸の５倍の寸法の集積回路パターンの
原画が形成されたレチクルである。
【００２７】この位相シフト用フォトマスク１は、ガラ
ス基板２と、その主面上の所定領域に形成された遮光パ
ターン３ａ〜３ｅと、遮光パターン３ａ〜３ｅの上層に
形成された耐エッチング保護膜４と、耐エッチング保護
膜４の上層の遮光パターン３ａ，３ｂ間および遮光パタ
ーン３ｃ，３ｄ間にそれぞれ形成された位相シフタ５
ａ，５ｂとによって構成されている。
ス基板２と、その主面上の所定領域に形成された遮光パ
ターン３ａ〜３ｅと、遮光パターン３ａ〜３ｅの上層に
形成された耐エッチング保護膜４と、耐エッチング保護
膜４の上層の遮光パターン３ａ，３ｂ間および遮光パタ
ーン３ｃ，３ｄ間にそれぞれ形成された位相シフタ５
ａ，５ｂとによって構成されている。
【００２８】ガラス基板１は、例えば屈折率が1.４７程
度の透明な合成石英で構成されており、遮光パターン３
ａ〜３ｅは、例えばＣｒ系の遮光材料で構成されてい
る。これらの遮光パターン３ａ〜３ｅは、例えば半導体
素子間を接続する配線パターンの一部である。また、耐
エッチング保護膜４は、Ａｌ2 Ｏ3(アルミナ）で構成さ
れており、位相シフタ５ａ，５ｂは、例えばＳＯＧ（ス
ピンオングラス）で構成されている。
度の透明な合成石英で構成されており、遮光パターン３
ａ〜３ｅは、例えばＣｒ系の遮光材料で構成されてい
る。これらの遮光パターン３ａ〜３ｅは、例えば半導体
素子間を接続する配線パターンの一部である。また、耐
エッチング保護膜４は、Ａｌ2 Ｏ3(アルミナ）で構成さ
れており、位相シフタ５ａ，５ｂは、例えばＳＯＧ（ス
ピンオングラス）で構成されている。
【００２９】次に、上記位相シフト用フォトマスク１の
製造方法の一例を図３〜図７を用いて説明する。
製造方法の一例を図３〜図７を用いて説明する。
【００３０】まず、図３に示すように、ガラス基板２の
主面上にＣｒの遮光パターン３ａ〜３ｅを形成する。遮
光パターン３ａ〜３ｅを形成するには、例えばスパッタ
法を用いてガラス基板２の全面にＣｒ膜を堆積した後、
このＣｒ膜上に電子線レジストをスピン塗布する。
主面上にＣｒの遮光パターン３ａ〜３ｅを形成する。遮
光パターン３ａ〜３ｅを形成するには、例えばスパッタ
法を用いてガラス基板２の全面にＣｒ膜を堆積した後、
このＣｒ膜上に電子線レジストをスピン塗布する。
【００３１】続いて、電子線描画装置を用いて上記電子
線レジストに配線パターンの潜像を形成した後、電子線
レジストを現像し、Ｃｒ膜上に残ったレジストパターン
をマスクにしてＣｒをエッチングする。
線レジストに配線パターンの潜像を形成した後、電子線
レジストを現像し、Ｃｒ膜上に残ったレジストパターン
をマスクにしてＣｒをエッチングする。
【００３２】上記遮光パターン３ａ〜３ｅの膜厚は、例
えば５００〜１５０００Å程度であり、各遮光パターン
３ａ〜３ｅの幅およびそれらの間隔は、例えばそれぞれ
1.０〜1.５μｍ程度である。
えば５００〜１５０００Å程度であり、各遮光パターン
３ａ〜３ｅの幅およびそれらの間隔は、例えばそれぞれ
1.０〜1.５μｍ程度である。
【００３３】次に、図４に示すように、例えばスパッタ
法を用いて上記遮光パターン３ａ〜３ｅの上層にアルミ
ナの耐エッチング保護膜４を被着する。なお、このアル
ミナの膜厚を２５ｎｍ程度以下とすることにより、ｉ線
（波長３６５ｎｍ）の光透過率が９０％以上と実用上問
題のない値となることが本発明者の実験によって確認さ
れている。
法を用いて上記遮光パターン３ａ〜３ｅの上層にアルミ
ナの耐エッチング保護膜４を被着する。なお、このアル
ミナの膜厚を２５ｎｍ程度以下とすることにより、ｉ線
（波長３６５ｎｍ）の光透過率が９０％以上と実用上問
題のない値となることが本発明者の実験によって確認さ
れている。
【００３４】次に、図５に示すように、上記耐エッチン
グ保護膜４の上層に位相シフタ材料となるＳＯＧ膜５を
スピン塗布し、所定の温度でベークする。このＳＯＧ膜
５の膜厚は、例えば３６５〜４２０ｎｍ程度である。
グ保護膜４の上層に位相シフタ材料となるＳＯＧ膜５を
スピン塗布し、所定の温度でベークする。このＳＯＧ膜
５の膜厚は、例えば３６５〜４２０ｎｍ程度である。
【００３５】次に、図６に示すように、上記ＳＯＧ膜５
の上に電子線レジストをスピン塗布し、電子線描画装置
を用いて上記電子線レジストに位相シフトパターンの潜
像を形成した後、電子線レジストを現像し、ＳＯＧ膜５
の上にレジストパターン６ａ，６ｂを形成する。
の上に電子線レジストをスピン塗布し、電子線描画装置
を用いて上記電子線レジストに位相シフトパターンの潜
像を形成した後、電子線レジストを現像し、ＳＯＧ膜５
の上にレジストパターン６ａ，６ｂを形成する。
【００３６】次に、図７に示すように、上記レジストパ
ターン６ａ，６ｂをマスクにしてＳＯＧ膜５をドライエ
ッチングし、位相シフタ５ａ，５ｂを形成する。このド
ライエッチングには、フッ化炭素系のエッチングガス
（例えばＣＦ4)を使用する。
ターン６ａ，６ｂをマスクにしてＳＯＧ膜５をドライエ
ッチングし、位相シフタ５ａ，５ｂを形成する。このド
ライエッチングには、フッ化炭素系のエッチングガス
（例えばＣＦ4)を使用する。
【００３７】このとき、アルミナとＳＯＧとのエッチン
グレートの差は、１：２０以上あるため、耐エッチング
保護膜４の下層のガラス基板２が上記エッチングガスに
よってエッチングされる虞れはない。
グレートの差は、１：２０以上あるため、耐エッチング
保護膜４の下層のガラス基板２が上記エッチングガスに
よってエッチングされる虞れはない。
【００３８】次に、上記位相シフタ５ａ，５ｂを形成し
た位相シフト用フォトマスク１の欠陥検査を行い、例え
ば図８に示すように、位相シフタ５ｂに欠陥７が見出さ
れた場合は、前記ドライエッチングによって位相シフタ
５ａ，５ｂを除去する。
た位相シフト用フォトマスク１の欠陥検査を行い、例え
ば図８に示すように、位相シフタ５ｂに欠陥７が見出さ
れた場合は、前記ドライエッチングによって位相シフタ
５ａ，５ｂを除去する。
【００３９】この場合も、位相シフタ５ａ，５ｂの下層
には、耐エッチング保護膜４が形成されているので、ガ
ラス基板２がエッチングされる虞れはない。
には、耐エッチング保護膜４が形成されているので、ガ
ラス基板２がエッチングされる虞れはない。
【００４０】その後、図示は省略するが、上記耐エッチ
ング保護膜４の上層に新たなＳＯＧ膜５をスピン塗布
し、前記した工程を繰り返すことにより、欠陥の無い位
相シフタ５ａ，５ｂを形成する。
ング保護膜４の上層に新たなＳＯＧ膜５をスピン塗布
し、前記した工程を繰り返すことにより、欠陥の無い位
相シフタ５ａ，５ｂを形成する。
【００４１】このように、位相シフタ材料であるＳＯＧ
膜５とガラス基板２との間に耐エッチング保護膜４を設
けた本実施例によれば、ＳＯＧ膜５をエッチングして位
相シフタ５ａ，５ｂを形成したり、欠陥の有る位相シフ
タ５ａ，５ｂをエッチングによって除去したりする際に
ガラス基板２がエッチングされるのを防止することがで
きるので、位相シフト用フォトマスク１の製造歩留りを
向上させることができる。
膜５とガラス基板２との間に耐エッチング保護膜４を設
けた本実施例によれば、ＳＯＧ膜５をエッチングして位
相シフタ５ａ，５ｂを形成したり、欠陥の有る位相シフ
タ５ａ，５ｂをエッチングによって除去したりする際に
ガラス基板２がエッチングされるのを防止することがで
きるので、位相シフト用フォトマスク１の製造歩留りを
向上させることができる。
【００４２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４３】前記実施例では、ＳＯＧ膜をドライエッチ
ングして位相シフタを形成する場合について説明した
が、ＳＯＧ膜をフッ酸系のエッチング液でウェットエッ
チングして位相シフタを形成する場合に適用することも
できる。
ングして位相シフタを形成する場合について説明した
が、ＳＯＧ膜をフッ酸系のエッチング液でウェットエッ
チングして位相シフタを形成する場合に適用することも
できる。
【００４４】前記実施例では、位相シフタの材料にＳＯ
Ｇを用いた場合について説明したが、例えばＣＶＤ法を
用いて堆積した酸化珪素膜などを用いる場合にも適用す
ることができる。
Ｇを用いた場合について説明したが、例えばＣＶＤ法を
用いて堆積した酸化珪素膜などを用いる場合にも適用す
ることができる。
【００４５】前記実施例では、耐エッチング保護膜の材
料にアルミナを用いた場合について説明したが、酸化珪
素系の材料とのエッチングレートの差や露光光の透過率
が大きく、かつ下地のガラス基板に対する密着性が高い
ものであれば、アルミナ以外のものを使用してもよい。
料にアルミナを用いた場合について説明したが、酸化珪
素系の材料とのエッチングレートの差や露光光の透過率
が大きく、かつ下地のガラス基板に対する密着性が高い
ものであれば、アルミナ以外のものを使用してもよい。
【００４６】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００４７】本発明によれば、位相シフト用の薄膜をエ
ッチングして位相シフタを形成したり、欠陥の有る位相
シフタをエッチングによって除去したりする際にガラス
基板がエッチングされるのを防止することができるの
で、位相シフト用フォトマスクの製造歩留りを向上させ
ることができる。
ッチングして位相シフタを形成したり、欠陥の有る位相
シフタをエッチングによって除去したりする際にガラス
基板がエッチングされるのを防止することができるの
で、位相シフト用フォトマスクの製造歩留りを向上させ
ることができる。
【図１】本発明の一実施例である位相シフト用フォトマ
スクを示す図２のＩ−Ｉ線における要部断面図である。
スクを示す図２のＩ−Ｉ線における要部断面図である。
【図２】本発明の一実施例である位相シフト用フォトマ
スクの要部平面図である。
スクの要部平面図である。
【図３】位相シフト用フォトマスクの製造方法を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図４】位相シフト用フォトマスクの製造方法を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図５】位相シフト用フォトマスクの製造方法を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図６】位相シフト用フォトマスクの製造方法を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図７】位相シフト用フォトマスクの製造方法を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図８】位相シフト用フォトマスクの製造方法を示す要
部断面図である。
部断面図である。
１ 位相シフト用フォトマスク ２ ガラス基板 ３ａ〜３ｅ 遮光パターン ４ 耐エッチング保護膜 ５ ＳＯＧ膜 ５ａ，５ｂ 位相シフタ ６ａ，６ｂ レジストパターン ７ 欠陥
Claims (5)
- 【請求項１】 所定の遮光パターンを形成したガラス基
板の主面上の光透過領域の一部に位相シフタを設けたフ
ォトマスクであって、前記ガラス基板と位相シフタとの
間に耐エッチング保護膜を設けたことを特徴とするフォ
トマスク。 - 【請求項２】 前記耐エッチング保護膜は、アルミナで
構成されていることを特徴とする請求項１記載のフォト
マスク。 - 【請求項３】 所定の遮光パターンを形成したガラス基
板の主面上の光透過領域の一部に位相シフタを設けたフ
ォトマスクの製造方法であって、ガラス基板の主面上に
被着した遮光膜をエッチングして所定の遮光パターンを
形成した後、前記ガラス基板の主面上に耐エッチング保
護膜を被着し、次いで、前記耐エッチング保護膜の上部
に位相シフタ材料となる薄膜を被着した後、前記薄膜を
エッチングして前記ガラス基板の主面上の光透過領域の
一部に位相シフタを形成することを特徴とするフォトマ
スクの製造方法。 - 【請求項４】 前記薄膜は、スピンオングラスからなる
ことを特徴とする請求項３記載のフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項５】 前記位相シフタ形成後、その良否を検査
し、欠陥が見出された場合は、必要に応じて前記位相シ
フタをエッチングにより除去し、次いで、前記耐エッチ
ング保護膜の上部に位相シフタ材料となる薄膜を被着し
た後、前記薄膜をエッチングして再度位相シフタを形成
することを特徴とする請求項３記載のフォトマスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31059191A JPH05142750A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | フオトマスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31059191A JPH05142750A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | フオトマスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142750A true JPH05142750A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18007096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31059191A Pending JPH05142750A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | フオトマスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142750A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07209851A (ja) * | 1993-12-23 | 1995-08-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リソグラフィ露光マスクおよびその製造方法 |
| KR101480113B1 (ko) * | 2013-05-08 | 2015-01-07 | (주)화인솔루션 | 유기 발광 소자 제조용 마스크 및 그 제조 방법 |
| US11739420B2 (en) | 2019-09-16 | 2023-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Metal mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing display panel using the metal mask |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP31059191A patent/JPH05142750A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07209851A (ja) * | 1993-12-23 | 1995-08-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リソグラフィ露光マスクおよびその製造方法 |
| KR101480113B1 (ko) * | 2013-05-08 | 2015-01-07 | (주)화인솔루션 | 유기 발광 소자 제조용 마스크 및 그 제조 방법 |
| US11739420B2 (en) | 2019-09-16 | 2023-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Metal mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing display panel using the metal mask |
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