JP3409924B2 - フォトマスクおよびその製造方法ならびにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスクおよびその製造方法ならびにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JP3409924B2 JP3409924B2 JP17258794A JP17258794A JP3409924B2 JP 3409924 B2 JP3409924 B2 JP 3409924B2 JP 17258794 A JP17258794 A JP 17258794A JP 17258794 A JP17258794 A JP 17258794A JP 3409924 B2 JP3409924 B2 JP 3409924B2
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程で使用
されるフォトマスク（レチクル）に関し、特に、位相シ
フト用フォトマスクに適用して有効な技術に関するもの
である。
されるフォトマスク（レチクル）に関し、特に、位相シ
フト用フォトマスクに適用して有効な技術に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化が進み、素子や
配線の設計ルールがサブミクロン・オーダになると、ｉ
線（波長３６５ｎｍ）などの紫外線を使用してフォトマ
スク上の集積回路パターンを半導体ウエハに転写するフ
ォトリソグラフィ工程においては、パターン精度の低下
が深刻な問題となってくる。
配線の設計ルールがサブミクロン・オーダになると、ｉ
線（波長３６５ｎｍ）などの紫外線を使用してフォトマ
スク上の集積回路パターンを半導体ウエハに転写するフ
ォトリソグラフィ工程においては、パターン精度の低下
が深刻な問題となってくる。
【０００３】そこで、フォトマスクを透過する光の位相
を変えることによって、投影像のコントラストの向上を
図る位相シフト技術が注目されている。
を変えることによって、投影像のコントラストの向上を
図る位相シフト技術が注目されている。
【０００４】例えば特公昭６２−５９２９６号公報に
は、フォトマスク上の遮光領域を挟む一対の光透過領域
の一方に透明な薄膜で構成された位相シフタを設け、上
記一対の光透過領域を透過した二つの光の位相を互いに
逆相とすることによって、ウエハ上の二つの光の境界部
における光の強度を弱めるようにした位相シフト用フォ
トマスクが開示されている。
は、フォトマスク上の遮光領域を挟む一対の光透過領域
の一方に透明な薄膜で構成された位相シフタを設け、上
記一対の光透過領域を透過した二つの光の位相を互いに
逆相とすることによって、ウエハ上の二つの光の境界部
における光の強度を弱めるようにした位相シフト用フォ
トマスクが開示されている。
【０００５】また、特開昭６２−６７５１４号公報に
は、フォトマスク上の光透過領域の周囲に光の解像度以
下の微小な光透過領域を設けると共に、上記光透過領域
のいずれか一方に位相シフタを設け、一対の光透過領域
を透過した二つの光の位相を互いに逆相とすることによ
って、パターンの転写精度を向上させる位相シフト用フ
ォトマスクが開示されている。
は、フォトマスク上の光透過領域の周囲に光の解像度以
下の微小な光透過領域を設けると共に、上記光透過領域
のいずれか一方に位相シフタを設け、一対の光透過領域
を透過した二つの光の位相を互いに逆相とすることによ
って、パターンの転写精度を向上させる位相シフト用フ
ォトマスクが開示されている。
【０００６】また、特開平２−１４０７４３号公報に
は、フォトマスク上の光透過領域内の一部に位相シフタ
を設け、この位相シフタが有る箇所と無い箇所とを透過
した二つの光の位相を互いに逆相とすることによって、
パターンの転写精度を向上させる位相シフト用フォトマ
スクが開示されている。
は、フォトマスク上の光透過領域内の一部に位相シフタ
を設け、この位相シフタが有る箇所と無い箇所とを透過
した二つの光の位相を互いに逆相とすることによって、
パターンの転写精度を向上させる位相シフト用フォトマ
スクが開示されている。
【０００７】上記した位相シフト用フォトマスクを製造
するには、まず、全面にＣｒなどの遮光膜を蒸着したガ
ラス基板（マスクブランクス）上に電子線レジストをス
ピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記電子線レジス
トに集積回路パターンの潜像を形成する。次に、この電
子線レジストを現像し、残ったレジストパターンをマス
クにして遮光膜をエッチングすることにより、集積回路
パターンに対応した遮光パターン、例えば実寸の５倍の
寸法の集積回路パターンの原画を形成する。
するには、まず、全面にＣｒなどの遮光膜を蒸着したガ
ラス基板（マスクブランクス）上に電子線レジストをス
ピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記電子線レジス
トに集積回路パターンの潜像を形成する。次に、この電
子線レジストを現像し、残ったレジストパターンをマス
クにして遮光膜をエッチングすることにより、集積回路
パターンに対応した遮光パターン、例えば実寸の５倍の
寸法の集積回路パターンの原画を形成する。
【０００８】次に、上記フォトマスクの全面に位相シフ
タ材料となる薄膜を形成し、さらにその上に電子線レジ
ストをスピン塗布する。位相シフタ材料としては、一般
にスピンオングラス(Spin On Glass；ＳＯＧ) 膜のよう
な酸化シリコン系の絶縁膜が使用される。
タ材料となる薄膜を形成し、さらにその上に電子線レジ
ストをスピン塗布する。位相シフタ材料としては、一般
にスピンオングラス(Spin On Glass；ＳＯＧ) 膜のよう
な酸化シリコン系の絶縁膜が使用される。
【０００９】次に、電子線描画装置を用いて上記スピン
オングラス膜上の電子線レジストに位相シフトパターン
の潜像を形成した後、電子線レジストを現像し、残った
レジストパターンをマスクにしてスピンオングラス膜を
エッチングすることにより、フォトマスクの所定の領域
に位相シフトパターンを形成する。
オングラス膜上の電子線レジストに位相シフトパターン
の潜像を形成した後、電子線レジストを現像し、残った
レジストパターンをマスクにしてスピンオングラス膜を
エッチングすることにより、フォトマスクの所定の領域
に位相シフトパターンを形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、位相
シフト用フォトマスクの製造工程では、まずガラス基板
上に遮光パターンを形成し、次に、位相シフトパターン
を形成する。そのため、上記遮光パターンと位相シフト
パターンとの間に描画合わせずれが生じると、半導体ウ
エハ上に高精度にパターンを転写することができなくな
る。
シフト用フォトマスクの製造工程では、まずガラス基板
上に遮光パターンを形成し、次に、位相シフトパターン
を形成する。そのため、上記遮光パターンと位相シフト
パターンとの間に描画合わせずれが生じると、半導体ウ
エハ上に高精度にパターンを転写することができなくな
る。
【００１１】その対策として、位相シフト用フォトマス
クを製造する際、ガラス基板の一部に遮光膜とスピンオ
ングラス膜とで構成される合わせずれチェック用のパタ
ーン（以下、「ずれチェックパターン」と称する）を形
成し、このずれチェックパターンを観測することによっ
て、遮光パターンと位相シフトパターンとの間のずれ量
を検出することが考えられる。
クを製造する際、ガラス基板の一部に遮光膜とスピンオ
ングラス膜とで構成される合わせずれチェック用のパタ
ーン（以下、「ずれチェックパターン」と称する）を形
成し、このずれチェックパターンを観測することによっ
て、遮光パターンと位相シフトパターンとの間のずれ量
を検出することが考えられる。
【００１２】しかし、このようなずれチェックパターン
を形成する場合は、同じガラス基板上に形成される本来
のパターンから出来るだけ離れた位置、すなわちガラス
基板の端部に配置することによって、このずれチェック
パターンが半導体ウエハ上に転写されないようにする必
要がある。その理由は、ずれチェックパターンは本来の
パターンよりも微細であることから、ずれチェックパタ
ーンを構成する遮光膜とスピンオングラス膜との隙間の
パターンが半導体ウエハ上に転写されると、この隙間の
パターンとその上のフォトレジストとの接触面積が小さ
いためにフォトレジストの剥離が生じ、これが異物とな
ってＬＳＩの製造歩留りの低下を引き起こすからであ
る。
を形成する場合は、同じガラス基板上に形成される本来
のパターンから出来るだけ離れた位置、すなわちガラス
基板の端部に配置することによって、このずれチェック
パターンが半導体ウエハ上に転写されないようにする必
要がある。その理由は、ずれチェックパターンは本来の
パターンよりも微細であることから、ずれチェックパタ
ーンを構成する遮光膜とスピンオングラス膜との隙間の
パターンが半導体ウエハ上に転写されると、この隙間の
パターンとその上のフォトレジストとの接触面積が小さ
いためにフォトレジストの剥離が生じ、これが異物とな
ってＬＳＩの製造歩留りの低下を引き起こすからであ
る。
【００１３】ところが、ガラス基板の端部は、中央部に
比べてレジストの膜厚が厚くなる傾向があることや、電
子線描画時にチャージアップが発生し易いことから、ず
れチェックパターンをガラス基板の端部に配置すると、
ずれチェックパターン自体の精度が低下し、例えば0.１
〜0.３μm といった微細な描画合わせずれを高精度に検
出することができなくなる。
比べてレジストの膜厚が厚くなる傾向があることや、電
子線描画時にチャージアップが発生し易いことから、ず
れチェックパターンをガラス基板の端部に配置すると、
ずれチェックパターン自体の精度が低下し、例えば0.１
〜0.３μm といった微細な描画合わせずれを高精度に検
出することができなくなる。
【００１４】このように、位相シフト用フォトマスクに
ずれチェックパターンを形成する際、これをガラス基板
の中央部（実パターン領域）近傍に配置した場合は、ず
れチェックパターンが半導体ウエハ上に転写されてしま
うためにフォトレジストの剥離が発生し、他方、ガラス
基板の端部に配置した場合は、ずれチェックパターン自
体の精度が低下して高精度なずれ検出ができなくなると
いう問題がある。
ずれチェックパターンを形成する際、これをガラス基板
の中央部（実パターン領域）近傍に配置した場合は、ず
れチェックパターンが半導体ウエハ上に転写されてしま
うためにフォトレジストの剥離が発生し、他方、ガラス
基板の端部に配置した場合は、ずれチェックパターン自
体の精度が低下して高精度なずれ検出ができなくなると
いう問題がある。
【００１５】本発明の目的は、位相シフト用フォトマス
クの転写精度を向上させることのできる技術を提供する
ことにある。
クの転写精度を向上させることのできる技術を提供する
ことにある。
【００１６】本発明の目的は、位相シフト用フォトマス
クを用いた半導体集積回路装置の製造歩留りを向上させ
ることのできる技術を提供することにある。
クを用いた半導体集積回路装置の製造歩留りを向上させ
ることのできる技術を提供することにある。
【００１７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１９】本発明の位相シフト用フォトマスクは、ガ
ラス基板の実パターン領域の近傍に、遮光パターンと同
一の材料で形成され、その一部に開口パターンを有する
第１のパターンと、前記位相シフトパターンと同一の材
料で形成され、前記第１のパターンの前記開口パターン
内に配置された第２のパターンとで構成された合わせず
れチェック用のパターンを配置し、前記第１のパターン
と前記第２のパターンとの間隔を露光光の解像度よりも
小さくするものである。
ラス基板の実パターン領域の近傍に、遮光パターンと同
一の材料で形成され、その一部に開口パターンを有する
第１のパターンと、前記位相シフトパターンと同一の材
料で形成され、前記第１のパターンの前記開口パターン
内に配置された第２のパターンとで構成された合わせず
れチェック用のパターンを配置し、前記第１のパターン
と前記第２のパターンとの間隔を露光光の解像度よりも
小さくするものである。
【００２０】
【作用】上記した手段によれば、レジストの膜厚のばら
つきやチャージアップの影響を受けにくいガラス基板の
中央部（実パターン領域の近傍）にずれチェックパター
ンを配置することにより、ずれチェックパターン自体を
高精度に形成することができる。
つきやチャージアップの影響を受けにくいガラス基板の
中央部（実パターン領域の近傍）にずれチェックパター
ンを配置することにより、ずれチェックパターン自体を
高精度に形成することができる。
【００２１】また、遮光パターンと同一の材料で形成さ
れた第１のパターンと位相シフトパターンと同一の材料
で形成された第２のパターンとの間隔を露光光の解像度
よりも小さくすることにより、上記第１のパターンと第
２のパターンの隙間のパターンが半導体ウエハに転写さ
れなくなるので、フォトレジストの剥離を防止すること
ができる。
れた第１のパターンと位相シフトパターンと同一の材料
で形成された第２のパターンとの間隔を露光光の解像度
よりも小さくすることにより、上記第１のパターンと第
２のパターンの隙間のパターンが半導体ウエハに転写さ
れなくなるので、フォトレジストの剥離を防止すること
ができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２３】図１(a) は、本発明の一実施例である位相
シフト用フォトマスクの平面図、同図(b) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’線における断面図である。
シフト用フォトマスクの平面図、同図(b) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’線における断面図である。
【００２４】この位相シフト用フォトマスク１は、半導
体ウエハに所定の集積回路パターンを転写するための、
例えば実寸の５倍の寸法の集積回路パターンの原画が形
成されたレチクルであり、ガラス基板２と、その主面上
の中央部の一点鎖線で囲まれた実パターン領域（Ｃ）の
内側に形成された遮光パターン３と、この遮光パターン
３の間に形成された位相シフトパターン４とによって構
成されている。
体ウエハに所定の集積回路パターンを転写するための、
例えば実寸の５倍の寸法の集積回路パターンの原画が形
成されたレチクルであり、ガラス基板２と、その主面上
の中央部の一点鎖線で囲まれた実パターン領域（Ｃ）の
内側に形成された遮光パターン３と、この遮光パターン
３の間に形成された位相シフトパターン４とによって構
成されている。
【００２５】ガラス基板２は、例えば屈折率が1.４７程
度の透明な合成石英で構成されている。遮光パターン３
は、例えばＣｒ系の遮光材料で構成され、半導体素子間
を接続する配線パターンを構成している。また、位相シ
フタ４は、例えばスピンオングラス膜で構成されてい
る。
度の透明な合成石英で構成されている。遮光パターン３
は、例えばＣｒ系の遮光材料で構成され、半導体素子間
を接続する配線パターンを構成している。また、位相シ
フタ４は、例えばスピンオングラス膜で構成されてい
る。
【００２６】本実施例の位相シフト用フォトマスク１
は、上記ガラス基板２の実パターン領域（Ｃ）の近傍の
四隅に、ずれチェックパターン５が設けられている。こ
のずれチェックパターン５は、図２に拡大して示すよう
に、前記遮光パターン３と同一の材料（Ｃｒ）で形成さ
れた第１のパターン５ａと、前記位相シフトパターン４
と同一の材料（スピンオングラス膜）で形成された第２
のパターン５ｂとで構成されており、第１のパターン５
ａと第２のパターン５ｂとのスペース（Δｓ）は、この
位相シフト用フォトマスク１を使って半導体ウエハに遮
光パターン３を転写する際に用いる露光光（例えばｉ線
＝0.３６５μm)の解像度以下（例えば１μm 以下）とな
るように構成されている。
は、上記ガラス基板２の実パターン領域（Ｃ）の近傍の
四隅に、ずれチェックパターン５が設けられている。こ
のずれチェックパターン５は、図２に拡大して示すよう
に、前記遮光パターン３と同一の材料（Ｃｒ）で形成さ
れた第１のパターン５ａと、前記位相シフトパターン４
と同一の材料（スピンオングラス膜）で形成された第２
のパターン５ｂとで構成されており、第１のパターン５
ａと第２のパターン５ｂとのスペース（Δｓ）は、この
位相シフト用フォトマスク１を使って半導体ウエハに遮
光パターン３を転写する際に用いる露光光（例えばｉ線
＝0.３６５μm)の解像度以下（例えば１μm 以下）とな
るように構成されている。
【００２７】上記位相シフト用フォトマスク１を製造す
るには、まず、スパッタ法などを用いてガラス基板２の
全面にＣｒ膜を堆積した後、このＣｒ膜上に電子線レジ
ストをスピン塗布する。続いて、電子線描画装置を用い
て上記電子線レジストに配線パターン（遮光パターン
３）およびずれチェックパターン５の第１のパターン５
ａの潜像を描画した後、電子線レジストを現像し、Ｃｒ
膜上に残ったレジストパターンをマスクにしてＣｒをエ
ッチングすることにより、遮光パターン３とずれチェッ
クパターン５の第１のパターン５ａとを形成する。
るには、まず、スパッタ法などを用いてガラス基板２の
全面にＣｒ膜を堆積した後、このＣｒ膜上に電子線レジ
ストをスピン塗布する。続いて、電子線描画装置を用い
て上記電子線レジストに配線パターン（遮光パターン
３）およびずれチェックパターン５の第１のパターン５
ａの潜像を描画した後、電子線レジストを現像し、Ｃｒ
膜上に残ったレジストパターンをマスクにしてＣｒをエ
ッチングすることにより、遮光パターン３とずれチェッ
クパターン５の第１のパターン５ａとを形成する。
【００２８】次に、ガラス基板２の主面上にスピンオン
グラス膜をスピン塗布し、所定の温度でベークして硬化
させる。続いて、このスピンオングラス膜の上に電子線
レジストをスピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記
電子線レジストに位相シフトパターン４およびずれチェ
ックパターン５の第２のパターン５ｂの潜像を形成した
後、電子線レジストを現像し、スピンオングラス膜の上
にレジストパターンを形成する。
グラス膜をスピン塗布し、所定の温度でベークして硬化
させる。続いて、このスピンオングラス膜の上に電子線
レジストをスピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記
電子線レジストに位相シフトパターン４およびずれチェ
ックパターン５の第２のパターン５ｂの潜像を形成した
後、電子線レジストを現像し、スピンオングラス膜の上
にレジストパターンを形成する。
【００２９】続いて、上記レジストパターンをマスクに
してスピンオングラス膜をエッチングし、位相シフトパ
ターン４およびずれチェックパターン５の第２のパター
ン５ｂを形成する。スピンオングラス膜のエッチング
は、フッ化炭素系のガス（例えばＣＦ4)を用いたドライ
エッチング法、またはフッ酸系のエッチング液を用いた
ウェットエッチング法で行う。
してスピンオングラス膜をエッチングし、位相シフトパ
ターン４およびずれチェックパターン５の第２のパター
ン５ｂを形成する。スピンオングラス膜のエッチング
は、フッ化炭素系のガス（例えばＣＦ4)を用いたドライ
エッチング法、またはフッ酸系のエッチング液を用いた
ウェットエッチング法で行う。
【００３０】次に、上記ずれチェックパターン５の第１
のパターン５ａと第２のパターン５ｂとの間のずれ量を
測定し、位相シフト用フォトマスク１が良品であるか否
かをこのずれ量の大小によって判別する。
のパターン５ａと第２のパターン５ｂとの間のずれ量を
測定し、位相シフト用フォトマスク１が良品であるか否
かをこのずれ量の大小によって判別する。
【００３１】このように、本実施例の位相シフト用フォ
トマスク１によれば、レジストの膜厚のばらつきやチャ
ージアップの影響を受けにくいガラス基板２の略中央部
にずれチェックパターン５を配置することにより、ずれ
チェックパターン５自体を高精度に形成することができ
る。
トマスク１によれば、レジストの膜厚のばらつきやチャ
ージアップの影響を受けにくいガラス基板２の略中央部
にずれチェックパターン５を配置することにより、ずれ
チェックパターン５自体を高精度に形成することができ
る。
【００３２】また、遮光パターン３と同一の材料で形成
された第１のパターン５ａと位相シフトパターン４と同
一の材料で形成された第２のパターン５ｂとの間隔を露
光光の解像度よりも小さくすることにより、この位相シ
フト用フォトマスク１を露光装置に装着して遮光パター
ン３を半導体ウエハに転写する際、第１のパターン５ａ
と第２のパターン５ｂとのスペースのパターンが半導体
ウエハに転写されないので、フォトレジストの剥離を防
止することができる。
された第１のパターン５ａと位相シフトパターン４と同
一の材料で形成された第２のパターン５ｂとの間隔を露
光光の解像度よりも小さくすることにより、この位相シ
フト用フォトマスク１を露光装置に装着して遮光パター
ン３を半導体ウエハに転写する際、第１のパターン５ａ
と第２のパターン５ｂとのスペースのパターンが半導体
ウエハに転写されないので、フォトレジストの剥離を防
止することができる。
【００３３】従って、本実施例の位相シフト用フォトマ
スク１を使用することにより、遮光パターン３を半導体
ウエハに高精度に転写することができると共に、半導体
製造の歩留りを向上させることができる。
スク１を使用することにより、遮光パターン３を半導体
ウエハに高精度に転写することができると共に、半導体
製造の歩留りを向上させることができる。
【００３４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３５】前記実施例では、位相シフタの材料にスピ
ンオングラス膜を用いた場合について説明したが、例え
ばＣＶＤ法を用いて堆積した酸化シリコン膜などを用い
る場合にも適用することができる。
ンオングラス膜を用いた場合について説明したが、例え
ばＣＶＤ法を用いて堆積した酸化シリコン膜などを用い
る場合にも適用することができる。
【００３６】前記実施例では、ずれチェックパターン５
を実パターン領域（Ｃ）の近傍の四隅に配置したが、実
パターン領域（Ｃ）の近傍であれば四隅に限定されるも
のではなく、またその数も４個に限定されるものではな
い。
を実パターン領域（Ｃ）の近傍の四隅に配置したが、実
パターン領域（Ｃ）の近傍であれば四隅に限定されるも
のではなく、またその数も４個に限定されるものではな
い。
【００３７】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００３８】本発明によれば、位相シフト用フォトマス
クの遮光パターンを半導体ウエハに高精度に転写するこ
とができる。また、本発明によれば、半導体製造の歩留
りを向上させることができる。
クの遮光パターンを半導体ウエハに高精度に転写するこ
とができる。また、本発明によれば、半導体製造の歩留
りを向上させることができる。
【図１】(a) は、本発明の一実施例である位相シフト用
フォトマスクの平面図、(b) は(a) のＢ−Ｂ’線におけ
る断面図である。
フォトマスクの平面図、(b) は(a) のＢ−Ｂ’線におけ
る断面図である。
【図２】図１の要部を拡大して示す平面図である。
１ 位相シフト用フォトマスク
２ ガラス基板
３ 遮光パターン
４ 位相シフトパターン
５ ずれチェックパターン
５ａ 第１のパターン
５ｂ 第２のパターン
Ｃ 実パターン領域
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭50−98277（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−225352（ＪＰ，Ａ)
実開 平４−55042（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭63−160557（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/00 - 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス基板の主面上に所定の遮光パター
ンと位相シフトパターンとを形成したフォトマスクであ
って、前記遮光パターンと同一の材料で形成され、その
一部に開口パターンを有する第１のパターンと、前記位
相シフトパターンと同一の材料で形成され、前記第１の
パターンの前記開口パターン内に配置された第２のパタ
ーンとで構成された合わせずれチェック用のパターンを
前記ガラス基板の実パターン領域の近傍に配置し、前記
第１のパターンと前記第２のパターンとの間隔を、前記
フォトマスクを透過する露光光の解像度よりも小さくし
たことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 前記合わせずれチェック用のパターンを
前記実パターン領域の四隅の近傍に配置したことを特徴
とする請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項３】 ガラス基板の主面上に所定の遮光パター
ンを形成すると共に、前記ガラス基板の実パターン領域
の近傍に前記遮光パターンと同一の材料で合わせずれチ
ェック用の第１のパターンを形成する工程と、前記ガラ
ス基板の主面上に所定の位相シフトパターンを形成する
と共に、前記ガラス基板の前記実パターン領域の近傍に
前記位相シフトパターンと同一の材料で合わせずれチェ
ック用の第２のパターンを形成する工程と、前記第１の
パターンと前記第２のパターンとのずれ量を検出するこ
とによって、フォトマスクの良否を判別する工程とを備
えたフォトマスクの製造方法であって、前記第１のパタ
ーンの一部に開口パターンを設け、前記第２のパターン
を前記第１のパターンの前記開口パターン内に配置し、
前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間隔を、
前記フォトマスクを透過する露光光の解像度よりも小さ
くすることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のフォトマスクを用いて半
導体ウエハ上に所定の集積回路パターンを転写すること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17258794A JP3409924B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | フォトマスクおよびその製造方法ならびにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17258794A JP3409924B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | フォトマスクおよびその製造方法ならびにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
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1994
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