JPH08297358A - 位相シフトフォトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 シフター層をエッチングしてパターンニング
する際に、遮光部の損傷が起こらない位相シフトマスク
の製造方法を提供する。 【構成】 遮光層１４上に第一のレジスト１５を塗布
し、該第一のレジスト１５を第一のレジストパターン１
５Ａを形成した後に、露出した遮光層１４をエッチング
することにより、遮光層パターン１４Ａを形成する工
程、該第一のレジストパターン１５Ａを硬化させ、遮光
層パターン１４Ａ全面を第一のレジストパターン１５Ａ
で覆ったままして、この上に第二のレジスト１６を塗布
し、該第二のレジスト１６をパターニングして第二のレ
ジストパターン１６Ａを形成した後、第一のレジストパ
ターン１５Ａと第二のレジストパターン１６Ａを耐エッ
チング性のマスクとして露出した位相シフター層１３を
エッチングして位相シフターパターン１３Ａを形成する
工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，超ＬＳＩ、超々ＬＳＩ
等の高密度集積回路の製造に用いられる、微細なパター
ンを高密度に形成するための位相シフトフォトマスクの
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化にとも
なって、この回路作製に用いられるレチクルにも、一層
の微細化が求められるようになってきた。現在では、１
６ＭのＤＲＡＭ用の５倍レチクルから転写されるデバイ
スパターンの線幅は、０．６μｍと微細なものである。
６４ＭのＤＲＡＭのデバイスパターンの場合には、０．
３５μｍ線幅の解像が必要となってきており、従来のス
テッパーを用いた光露光方式ではもはや限界にきてい
る。これに対応し、これらの微小パターンを形成する方
法として、露光光源の短波長化、転写レンズの高ＮＡ
化、輪帯照明等によるパターン形成方法や、フォトマス
クを使用しない電子線直接描画によるパターン形成方法
等が検討されているが、これらのパターン形成方法の場
合、露光装置の改造や新規装置の導入を伴うためコスト
的な問題が大きい。この為、現状のステッパーを使用し
て微小パターン形成ができる、位相シフトフォトマスク
を用いたパターン転写方法が注目されるようになってき
た。位相シフトフォトマスクについては、特開昭５８−
１７３４４号、特公昭６２−５９２９６号に、すでに、
基本的な考え、原理は開示されているが、現状の光露光
のシステムをそのまま継続できるメリットが見直され、
各種タイプの位相シフトフォトマスクの開発が盛んに検
討されるようになってきた。

【０００３】以下、位相シフトフォトマスクを用いた転
写の原理を第２図を用いて簡単に説明しておく。比較の
ため、従来のフォトマスクの転写方法も第３図を挙げ、
両方法の解像性の相違を説明する。図３（ａ）は位相シ
フトフォトマスク３０を用い露光光３５により投影露光
する場合の図で、この場合のウエハ上レジストでの光の
振幅分布を図３（ｂ）に、光の強度分布を図３（ｃ）に
示している。また、図４（ａ）は従来のフォトマスク４
０を用い露光光４５により投影露光する場合の図で、こ
の場合のウエハ上レジストでの光の振幅分布を図４
（ｂ）に、光の強度分布を図４（ｃ）に示している。図
３（ａ）、図４（ａ）中、３１、４１は透明基板、３２
はエッチングストッパー層、３３、４３は遮光膜（クロ
ム）、３４はシフター、３５、４５は露光光（電離放射
線）であり、３０は位相シフトフォトマスク、４０は従
来のフォトマスクを示している。図３（ａ）の位相シフ
トフォトマスク３０は、透明基板３１上に遮光膜３３か
らなる所定幅、ピッチのラインアンドスペースパターン
と、該ラインアンドスペースパターンの一つおきの開口
部とこの開口部に隣接する遮光層３３上にかかるように
シフター層３４を配設しており、図４（ａ）の従来のフ
ォトマスク４０は、透明基板４１上に、遮光膜４３から
なる所定幅、ピッチのラインアンドスペースパターンを
配設している。尚、エッチングストッパー層３２は遮光
層３３と透明基板間に全面に設けられている。位相シフ
トフォトマスク３０に、露光光３５が入射された場合、
マスク出光側では、シフター３４部を透過した光の振幅
は、シフター３４のない遮光膜３３間を透過した光の振
幅と位相がｎπ（ｎは奇数）ずれ、反転するように設定
してある。このため、ウエーハ上レジストではこれらの
光が互いに干渉しあい、図３（ｂ）のような振幅分布と
なり、結果としてウエーハ上レジストでの光強度は図３
（ｃ）のようになる。これに対し、従来のフォトマスク
４０を用いた場合には、フォトマスク出光側での振幅
は、各開口部の光は互いに位相にずれがなく互いに干渉
しあいため、ウエハ上レジストでは図４（ｂ）のような
振幅分布となり、結果としてウエーハ上ジストでの光強
度は図４（ｃ）のようになる。図３（ｃ）の場合は、光
強度分布の山間に光強度が零となる箇所があるのに対
し、図４（ｃ）の場合は、光強度分布の山が裾拡がりの
状態となっていることが分かる。即ち、ウエーハ上レジ
ストでの解像性に関しては、図３（ｃ）の光強度分布の
方が、図４（ｃ）の強度分布より優れていることが分か
る。このように、位相シフトフォトマスク３０を用いた
転写方法の場合、従来のフォトマスク４０を用いた転写
方法に比べ、解像性が良くなり、より微細なパターンを
転写できることが分かる。

【０００４】図３に示す位相シフトフォトマスクの場合
は、遮光層の上にシフター層を設けたもので、図５
（ａ）に示す上シフター型のレベンソン型位相シフトフ
ォトマスクと言われるものであり、同じレベンソン型位
相シフトフォトマスクとしては、他に、図５（ｂ）に示
す遮光層５４Ｂの下にシフター層５３Ｂを設ける下シフ
ター型のものや、図５（ｃ）に示す、下シフター型の変
形で、透明基板５１Ｃの一部をシフター層として用いる
基板彫り込み型のもの（通称Ｑｚエッチ型と言う）があ
る。上シフター型のシフター層５３Ａ、下シフター型の
シフター層５３Ｂの厚さおよび基板彫り込み型の彫り込
み量に相当する透明基板の厚さ（シフタに相当する厚
さ）は、転写時に用いる露光光の波長で、この部分を透
過する際に位相がｎπ（ｎは奇数）ずれ、反転するよう
に調整されており、いずれのレベンソン型の位相シフト
フォトマスクも、転写に際してはほぼ同様の効果を得る
ことができる。位相シフトフォトマスクとしては、上記
レベンソン型の他にも、ハーフトーン型、補助パターン
型等の大きく異なる構造のものがあるが、基本的な考え
方、原理は同じである。これらの位相シフトフォトマス
クは、それぞれ、その目的、用途に対応して使用されて
いるが、特にレベンソン型はライン＆スペース等の解像
力の向上に効果的とされている。

【０００５】レベンソン型の位相シフトフォトマスクの
中でも、図５（ｂ）に示す、遮光層の下にシフター層を
設けた下シフター型は、図５（ａ）に示す、遮光層の上
にシフターを設けた上シフター型に比べ、シフター層成
膜後に遮光層のパターニングを行うため、シフター層成
膜時でのミスがなく、また遮光層のパターンによるシフ
ター層のステップカバレッジがないという利点があり、
使用されるようになってきた。 ここで、従来の下シフ
ター型の位相シフトフォトマスクの製造方法を図６〜図
７に基づき簡単に説明しておく。先ず、透明基板６１上
に順次、エッチングストッパー層６２、シフター層６
３、遮光層６４を配設したブランクス６０上にレジスト
層６５Ａを配設する。（図６（ａ）） ブランクス６０の作製は、先ず、透明基板６１上に、エ
ッチングストッパー層６２をスパッタ法もしくはＣＶＤ
法で成膜する。尚、エッチングストッパー層６２は、後
工程で位相シフター層をエッチングする際に透明基板６
１がエッチングされないようにするためのものである。
この後、シフター層６３を、エッチングストッパー層６
２上にスパッタ法、ＣＶＤ法、回転塗布法等により成膜
する。尚、シフター層６３の厚さは、転写のときにシフ
ター層を透過する露光光（電離放射線）が位相１８０°
反転するように調整する。更に、シフター層６３上に遮
光層６４をスパッタ法もしくはＣＶＤ法により成膜す
る。レジスト層６５Ａは、クロロメチル化ポリスチレン
（ＣＭＳ）等の電離放射線レジストで、回転塗布方法に
より均一に塗布した後、加熱乾燥処理を施し、厚さ０．
１〜１．０μｍ程度とする。加熱処理はレジストの種類
や使用する装置によって異なるが温度８０〜２００°Ｃ
で、時間は、装置で異なるがオープンの場合２０〜６０
分、ホットプレートの場合で１〜３０分程度である。次
に、レジスト層６５Ａに対し、所定の領域のみを選択的
に露光する。（図６（ｂ）） 露光光（電離放射線）６６Ａとしては電子線ないしレー
ザ光を用い、それぞれ、一般的に使用されている所定の
露光装置により露光する。この後、レジスト層６５Ａに
対し、現像、リンス等の処理を行い、所望のレジストパ
ターン６５ａを形成する。（図６（ｃ）） 現像、リンス等の処理は、使用するレジスト層６５Ａの
種類に応じて行い、この後、必要に応じて加熱処理、デ
ィスカム処理を行う。次いで、ドライエッチングもしく
はウエットエッチングにより、レジストパターン６５ａ
の開口部より露出した遮光層６４をエッチング除去し、
遮光層からなるパターン６４ａを形成する。（図６
（ｄ）） この後、レジストパターン６５ａを酸素を主成分とする
プラズマで灰化除去もしくは溶剤にて剥離除去する。
（図６（ｅ）） 尚、必要な場合は、ここで、基板６０Ａの洗浄および遮
光層からなるパターン６４ａの検査、修正を行う。この
洗浄、検査、修正は通常のフオトマスクの処理に用いら
れる装置でもできる。続いて、遮光層からなるパターン
６４ａ上に、レジスト層６５Ｂを塗布する。（図６
（ｆ）） 次いで、露光光（電離放射線）６６Ｂにより、レジスト
層６５Ｂの所定の領域のみを選択露光する。（図６
（ｇ）） この後、現像、リンス処理を経て所望のレジストパター
ン６５ｂを形成し、必要に応じ、加熱処理、ディスカム
処理を行う。（図７（ｈ）） 次いで、遮光層からなるパターン６４ａの開口部から露
出したシフター６３をエッチングし（図７（ｉ）、エッ
チングストッパー層６２でエッチングを止める。（図７
（ｊ）） この際、エッチングを必要するシフター６３部のみをエ
ッチングするため、レジストパターン６５ｂと遮光層か
らなるパターン６４ａとの位置精度が保たれるように注
意する。尚、シフター６３は所望の領域のみエッチング
ガスプラズマ６８によりエッチングされるが、エッチン
グストッパー層６２に阻まれ、透明基板６１をエッチン
グすることはない。また、エッチングはウエットエッチ
ングにて行っても良い。この後、レジストパターン６５
ｂを酸素を主成分とするプラズマで灰化除去もしくは溶
剤で剥離除去し、位相シフトフォトマスク６０Ｂをえ
る。（図７（ｋ））

【０００６】上記のように、従来のレベンソン型の下シ
フター型の位相シフトフォトマスクの製造方法において
は、位相シフトフォトマスクの周囲の遮光層を含むよう
にレジスト層を形成するため、つまりエッチングするシ
フター層のみを露出するように電子線露光装置もしくは
レーザ露光装置によりアライメントしながら露光描画し
てパターニンクを行って、シフター層をエッチングして
いる。この為、シフター層をエッチングする際、遮光層
の一部が露出していると、その表面が損傷を受け、遮光
膜の反射率もしくは透過率に影響を与たり、遮光層が損
傷したときに発生した異物がエッチングされるシフター
層上に影響を与えることがあり、品質的に問題となって
いた。更に、上記遮光層の損傷は、遮光層の表層を低反
射化するために酸化、窒化、ないし炭化したクロム層に
おいて著しく、対応が求められていた。尚、図４（ｃ）
に示す下シフター型の変形である基板彫り込み型（Ｑｚ
エッチ型）についても、遮光層の一部を露出した状態で
シフターである透明基板部をエッチングする際には同じ
で、問題となっていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このように、レベンソ
ン型の下シフター型位相シフトフォトマスクや基板彫り
込み型（Ｑｚエッチ）型位相シフトフォトマスク等の作
製工程における、シフター層をエッチングしてパターン
ニングする際における、露出した遮光部の損傷の問題に
対する対応が求められていた。本発明は、このような状
況のもと、レベンソン型の下シフタ型位相シフトフォト
マスクや基板彫り込み型（Ｑｚエッチ型）位相シフトフ
オトマスク等の作製工程において、シフター層をエッチ
ングしてパターンニングする際に、遮光部の損傷が起こ
らない製造方法を供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトフォ
トマスクの製造方法は、透明基板上に透明基板側から順
次位相シフター層、遮光層を有する基板（ブランクス）
を用い、透明基板上に透明基板側から順次、位相シフタ
ーパターン、遮光層パターンを形成した下シフター型の
位相シフトフォトマスクの製造方法であって、遮光層上
に第一のレジストを塗布し、該第一のレジストを第一の
レジストパターンを形成した後に、露出した遮光層をエ
ッチングすることにより、遮光層パターンを形成する工
程、該第一のレジストパターンを硬化させ、遮光層パタ
ーン全面を第一のレジストパターンで覆ったままして、
この上に第二のレジストを塗布し、該第二のレジストを
パターニングして第二のレジストパターンを形成した
後、第一のレジストパターンと第二のレジストパターン
を耐エッチング性のマスクとして露出した位相シフター
層をエッチングして位相シフターパターンを形成する工
程とを含むことを特徴とするものである。そして、上記
の第一のレジストがナフトキノンジアジド−４−スルフ
ォン酸エステルを感光剤に用いたノボラック樹脂ベース
としたレジストであり、第一のレジストをポジ型レジス
トとして露光光（電離放射線）を選択的に照射して第一
のレジストパターンを形成し、且つ、該第一のレジスト
パターンを、ネガ型レジストとして架橋硬化させること
を特徴とするものである。

【０００９】

【作用】本発明の位相シフトフォトマスクの製造方法
は、このような構成にすることにより、レベンソン型の
下シフター型位相シフトフオトマスクや基板彫り込み型
（Ｑｚエッチ型）位相シフトフオトマスク等の作製工程
において、シフター層をエッチングしてパターンニング
する際に、遮光部の損傷が起こらないものとしている。
詳しくは、遮光層上に第一のレジストを塗布し、該第一
のレジストを第一のレジストパターンを形成した後に、
露出した遮光層をエッチングすることにより、遮光層パ
ターンを形成する工程、該第一のレジストパターンを硬
化させ、遮光層パターン全面を第一のレジストパターン
で覆ったままして、この上に第二のレジストを塗布し、
該第二のレジストをパターニングして第二のレジストパ
ターンを形成した後、第一のレジストパターンと第二の
レジストパターンを耐エッチング層として位相シフター
層をエッチングし、位相シフターパターンを形成する工
程とを含むことにより、遮光層パターンを硬化した第一
のレジストパターンにて覆っており、シフター層のエッ
チングに際して損傷をうけることが無くなる。具体的に
は、第一のレジストがナフトキノンジアジド−４−スル
フォン酸エステルを感光剤に用いたノボラック樹脂ベー
スとしたレジストであり、第一レジストをポジ型レジス
トとして露光光（電離放射線）を選択的に照射して第一
レジストパターンを形成し、且つ、第一のレジストパタ
ーンをネガ型レジストとして、架橋硬化させ、第一のレ
ジストパターンと第二のレジストパターンとを耐エッチ
ング性のマスクとして露出した位相シフター層をエッチ
ングことにより、図６〜図７に示す従来の工程を大きく
変えることなく、むしろ工程を簡単化して、シフター層
エッチングに際、硬化された第一のレジストパターンに
より遮光層が損傷されないようにしている。また、上記
第一のレジストはナフトキノンジアジド−４−スルフォ
ン酸エステルを感光剤とし、ノボラック樹脂からなる。

【００１０】

【実施例】本発明の位相シフトフオトマスクの製造方法
の実施例を挙げる。図１は本実施例の位相シフトフオト
マスクの製造方法の工程を示したもので、各図は各工程
中の基板断面を示している。図１中において、１０はブ
ランクス、１１は透明基板、１２はエッチングストッパ
ー層、１３はシフター層、１３Ａはシフター層パター
ン、１４は遮光膜（層）、１４Ａは遮光層パターン、１
５は第一レジスト、１５Ａは第一レジストパターン、１
５Ａａは硬化した第一レジストパターン、１６は第二レ
ジスト、１６Ａは第二レジストパターン、１７Ａ、１７
Ｂ、１７Ｃは露光光（電離放射線）、１８はエッチング
ガス、２０は位相シフトフオトマスクである。以下、本
実施例の位相シフトフオトマスクの製造方法を図１に基
づいて説明する。先ず、透明基板１１上に順次、エッチ
ングストッパー層１２、シフター層１３、遮光層１４を
形成したブランクス１０の遮光層１４上全面に第一レジ
スト１５を塗布した。（図１（ａ）） 透明基板１１は、フオトマスク用合成石英ガラスからな
り、エッラングストッパー層１２は、後の工程にてシフ
ター層１３をエッチングする際に透明基板１１までエッ
チングされることを防ぐためのもので、酸化アルミニウ
ムや酸化ハフニウムを主成分し、スパッタ法により１０
０ｎｍ程度の反射率等を考慮した厚さで成膜されたもの
である。シフター層はＳＯＧ（スピンオングラス）を膜
厚約４００ｎｍで回転塗布し成膜したものを、加熱乾
燥、加熱焼成したものであり、ｉ線ステッパーの波長
（３６５ｎｍ）で位相が反転するように膜の厚さを調整
してある。尚、加熱乾燥は２００°Ｃ３分、焼成は４０
０°Ｃ２時間行った。遮光層１４は従来のフオトマスク
で用いられている常法にて成膜した。第一レジストとし
ては、ナフトキノンジアジド−４−スルフォン酸エステ
ルを感光剤に用いたノボラック樹脂ベースの、市販のＡ
Ｚ５２００（ヘキスト社製）で、回転塗布法により均一
に塗布し、加熱処理を施し、厚さ０．５μｍ程度にし
た。加熱処理はホットプレートを用い１５０°Ｃ約２０
分間行った。

【００１１】次いで、第一レジストに対し、ポジ型レジ
ストとしてレーザ露光装置により露光描画を行い、所定
の領域のみを選択的に露光光（電離放射線）１７Ａを照
射した。（図１（ｂ）） この時の露光は、ｉ線積算露光量で４０〜６０ｍＪ／ｃ
ｍ² で行った。この後、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドを主成分とする水溶性アルカリ現像液
で、常温、１分間スプレー現像し、純水でリンスを行
い、所望形状の第一レジストパターンを形成した。（図
１（ｃ）） 次いで、第一レジストパターンを遮光層１４をドライエ
ッチングする際の耐エッチング性のマスクとして、遮光
層１４の露出している部分をエッチングした。（図１
（ｄ）） エッチング条件は、０．２ｍＴｏｒｒ圧、ＣＨ₂ Ｃｌ₂
ガスを５０ｓｃｃｍ、流量、Ｏ₂ ガスを７０ｓｃｃｍの
流量、出力０．２５Ｗ／ｃｍ² の条件で行った。エッチ
ング時間は遮光層１４が完全にエッチングされ、且つ、
完全にエッチングされる時間を約１０％オーバーした時
間で行った。次に、第一レジストパターン１５Ａをネガ
型レジストとして硬化させるために第一レジストパター
ンを全面露光し（図１（ｅ））た後、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ
Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｉｎｇ）工程を行い、硬化
した第一レジストパターン１５Ａａを得た。（図１
（ｆ）） 全面露光は、基板の膜面側から高圧水銀灯のｇ線積算露
光量で１０〜３５ｍＪ／ｃｍ² で行い、続くＰＥＢはホ
ットプレートを用い、１２０°Ｃ、５〜１０ｍｉｎ間行
った。

【００１２】続いて、硬化した第一レジストパターン１
５Ａａ上にｉ線レジストＴＨＭＲ−ｉＰ８００（東京応
化工業株式会社製）を回転塗布法により均一に塗布し、
加熱処理を施し、厚さ０．７μｍ程度の第二レジスト１
６を形成した。（図１（ｇ）） 加熱乾燥処理はオーブンを用い９０°Ｃ３０分間行っ
た。次に、レーザー露光装置によってアライメント露光
描画を行い、所定の領域のみを露光光（電離放射線）１
７Ｃにより選択露光した。（図２（ｈ）） 露光は、ｉ線積算露光量で７５〜１０５ｍＪ／ｃｍ² で
行った。この後、テトラメチルアンモニウムハンドロオ
キサイドを主成分とする有機アルカリ現像液で常温、１
分間スプレー現像し、純水でリンスを行い、所望形状の
第二レジストパターンを形成した。（図２（ｉ）） この後、平行平板電極型のＲＩＥドライエッチング装置
で０．２ｍＴｏｒｒ圧、酸素ガス１００ｓｃｃｍ流量、
出力０．１Ｗ／ｃｍ² で１分間行った。尚、デスカム処
理は必要に応じて酸素プラズマで行えば良い。

【００１３】続いて、硬化した第一レジストパターン１
５Ａａ、第二レジストパターン１６Ａの両レジストパタ
ーンから露出したシフター層１３をエッチングガス１８
によりドライエッチングし（図２（ｊ））、パターンニ
ングされたシフターパターン１３Ａを形成した。（図２
（ｋ）） エッチング条件は、０．１ｍＴｏｒｒ圧、ＣＨＦ₃ ガス
−９３ｓｃｃｍ流量、Ｏ₂ ガス−７ｓｃｃｍ流量、出力
０．２Ｗ／ｃｍ² で、シフター層１３が完全にエッチン
グされるエッチング時間の２０％オーバーの時間行っ
た。この際、エッチングストッパー層１２に阻まれ、透
明基板１１はエッチングされない。この後、硬化した第
一レジストパターン１５Ａａおよび第二レジストパター
ン１６Ａを溶剤で剥離除去し、純水でリンスし、位相シ
フトフォトマフクを得た。（図２（ｌ） 剥離はエタノールアミンを主成分とする溶剤を用い、６
０°Ｃ、３分間、超音波下で行った。上記実施例は、本
発明の位相シフトフォトマスクの製造方法の１例であ
り、使用する材料、装置、条件等はこれに限定されるも
のではない。

【００１４】

【発明の効果】本発明の位相シフトフォトマスクの製造
方法は、上記のように、レベンソン型の下シフター型位
相シフトフォトマスクや基板彫り込み型（Ｑｚエッチ
型）位相シフトフォトマスク等の作製工程において、シ
フター層をエッチングしてパターンニングする際に、遮
光部の損傷が起こらない製造方法の提供を可能とするも
のであり、遮光層の損傷による光透過率、反射率の部分
的な変化や、遮光層の損傷により発生した異物の位相シ
フター層への影響のない位相シフトフォトマスクの製造
を可能とするものである。特に、遮光層の表層を低反射
化するために酸化、窒化、ないし炭化したクロム層を配
設した遮光層を用いた位相シフトフォマフクにおいては
効果的である。詳しくは、本発明の位相シフトフォトマ
スクの製造方法においては、遮光層パターンを形成する
第一レジストパターンをそのまま硬化させて、遮光層を
覆ったままにして、その上に第二レジスト塗布して、こ
れにより第二レジストパターンを形成し、両レジストパ
ターンから露出したシフター層をエッチングするため、
工程を従来のものと比べて簡略化しており、且つ、高品
質の位相シフトフォトマスクを製造することを可能とし
ている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例の位相シフトフォトマスクの製造
工程図

【図２】図１に続く、発明実施例の位相シフトフォトマ
スクの製造工程図

【図３】位相シフトフォトマスクの転写を説明するため
の図

【図４】従来のフォトマフクの転写を説明するための図

【図５】レベンソン型位相シフトフォトマスクの図

【図６】従来の位相シフトフォトマスクの製造工程図

【図７】図６に続く、従来の位相シフトフォトマスクの
製造工程図

【符号の説明】

１０ ブランクス １１ 透明基板 １２ エッチングストッパー層 １３ シフター層 １３Ａ シフター層パターン １４ 遮光層（遮光膜） １４Ａ 遮光層パターン １５ 第一レジスト １５Ａ 第一レジストパターン １５Ａａ 硬化した第一レジストパタ
ーン １６ 第二レジスト １６Ａ 第二レジストパターン １７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ 露光光（電離放射線） １８ エッチングガス ２０ 位相シフトフォトマスク ３０ 位相シフトフォトマスク ４０ 従来のフォトマスク ３１、４１ 透明基板 ３２、４２ 遮光膜（クロム） ３４、４４ シフター ３５、４５ 露光光（電離放射線） ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ 位相シフトフォトマスク ５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ 透明基板 ５２Ａ、５２Ｂ エッチングストッパー層 ５３Ａ、５３Ｂ シフター ５４Ａ、５４Ｂ、５４Ｃ 遮光膜（クロム） ６０ ブランクス ６０Ａ 基板 ６０Ｂ 位相シフトフォトマスク ６１ 透明基板 ６２ エッチングストッパー層 ６３ シフター層 ６３ａ シフター層パターン ６４ 遮光層 ６４ａ 遮光層からなるパターン ６５Ａ、６５Ｂ レジスト層 ６５ａ、６５ｂ レジストパターン ６６Ａ、６６Ｂ 露光光（電離放射線）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に透明基板側から順次位相シ
   フター層、遮光層を有する基板を用い、透明基板上に透
   明基板側から順次、位相シフターパターン、遮光層パタ
   ーンを形成した下シフター型の位相シフトフォトマスク
   の製造方法であって、遮光層上に第一のレジストを塗布
   し、該第一のレジストを第一のレジストパターンを形成
   した後に、露出した遮光層をエッチングすることによ
   り、遮光層パターンを形成する工程、該第一のレジスト
   パターンを硬化させ、遮光層パターン全面を第一のレジ
   ストパターンで覆ったままにして、この上に第二のレジ
   ストを塗布し、該第二のレジストをパターニングして第
   二のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパ
   ターンと第二のレジストパターンを耐エッチング性のマ
   スクとして露出した位相シフター層をエッチングして位
   相シフターパターンを形成する工程とを含むことを特徴
   とする位相シフトフォトマスクの製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の第一のレジストがナフト
   キノンジアジド−４−スルフォン酸エステルを感光剤に
   用いたノボラック樹脂ベースとしたレジストであり、第
   一のレジストをポジ型レジストとして露光光を選択的に
   照射して第一のレジストパターンを形成し、且つ、該第
   一のレジストパターンを、ネガ型レジストとし架橋硬化
   させることを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造
   方法。