JP3027370B2 - ホトマスクの製造方法 - Google Patents
ホトマスクの製造方法Info
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- JP3027370B2 JP3027370B2 JP687099A JP687099A JP3027370B2 JP 3027370 B2 JP3027370 B2 JP 3027370B2 JP 687099 A JP687099 A JP 687099A JP 687099 A JP687099 A JP 687099A JP 3027370 B2 JP3027370 B2 JP 3027370B2
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- light
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- opening
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置の原
画であるホトマスク（またはレティクル）の製造方法に
係り、特に微細パターンを転写するのに好適なホトマス
クの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】原画パターンの描かれたホトマスク（以
下、レティクルと称す）を照明系で照明しレティクル上
のパターンをウエーハ上に転写する投影露光装置には、
転写できるパターンの微細化が要求されている。投影露
光装置がどの程度微細なパターンまで転写できるかを表
わす解像度は、レティクル上のパターンがウエーハ上に
転写された時、隣接する２ケ所の明部が分離できるかど
うかで評価される。この解像力を向上させる一手法とし
て、レティクル上の隣接する２ケ所の透過部分の露光光
に位相差を与えればよいことが知られている。従来、露
光光に位相差を与えるレティクルパターンについては、
例えば特開昭５８−１７３７４４号公報が挙げられる。
この従来例で提案されているレティクルは、図４に示す
ごとく、レティクル基板１上にパターンの原画となる遮
光部２を設け、更にその上に露光光の位相を変化させる
層６（以下、位相シフト層とする）を設けている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上記の従来例ではレテ
ィクル製作に当たっては、まず遮光パターン形成のため
の露光、エッチングを必要とし、次に位相シフト層のパ
ターンを遮光パターンに正しく合せて露光する工程が必
要である。このためレティクル製作に必要な露光工程が
２工程必要であり、工程が複雑であることおよび位相シ
フト層のパターン露光時に位置合せ誤差が生じた場合は
露光光の位相を変える機能が劣化すること等の難点があ
る。 【０００４】本発明の目的は、上記難点を解消し１回の
露光工程で遮光パターンの露光光の位相を変えうる構造
のレティクルを作成する技術を提供することにある。 【０００５】本発明の他の目的は、レティクル（ホトマ
スク）製造工程を簡略化し、解像度を向上させることの
できる技術を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のホトマスクの製造方法は、基板に形成され
た遮光膜に、前記遮光膜を介して隣り合う第１の開口部
及び第２の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部
と前記第２の開口部を透過する露光光が互いに反転する
ような位相差を有するように、前記基板をエッチング加
工する工程を有するものである。 【０００７】上記の如き本発明のホトマスクの製造方法
によれば、位相シフト膜を形成する必要がなく、ホトマ
スク製造工程を簡略化して、ホトマスクの信頼性ないし
解像度を向上させることができる。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。 【０００９】図１は、本発明を適用したレティクルの断
面を示す図である。ここでは、Ｃｒから成る遮光膜２
に、５ケ所の開口部３−１，３−２，３−３，３−４，
３−５からなる５本の線パターンが形成されている例を
とりあげ、線パターンの長手方向に対して垂直方向の断
面を示している。図示したレティクルは、開口部におい
てガラス基板１の厚さに差ｔを与えてあることを特徴と
している。 【００１０】位相を変えるための層の厚さｔは、その屈
折率をｎ、露光光の波長をλとするとき 【００１１】 【数１】 【００１２】で与えられる。例えば、層の材料として石
英ガラスを用いればｎ＝１．４６であるので、λ＝０．
３６５μｍのとき、ｔ＝０．３９７μｍとなる。図１に
示すように、５ケ所の開口部のうち、１ケ所おきの開口
部３−２，３−４は、ガラス基板が０．３９７μｍだけ
除去されている。このため、このレティクルを上面から
コヒーレンス度の高い照明すると、レティクル透過光
（露光光）の振幅分布は図２に示すごとく、ガラス基板
の厚さがｔだけ薄い開口部に対して厚さが厚い開口部で
符号が反転し、その結果従来の露光光の位相を変えるレ
ティクルと全く同等の効果が現われる。 【００１３】次に本発明のレティクルの製造手順を図３
を用いて説明する。まず、（Ａ）に示すごとく、ガラス
基板１上に遮光膜２であるＣｒを８００Å蒸着する。更
にその上にホトレジスト５を塗布する。次に、開口部の
パターンを露光する。このとき、パターンごとに露光強
度を変えてあるので現像処理後のレジストパターンは、
（Ｂ）に示すように、パターン部３−２，３−４は完全
に除去されているが、パターン部３−１，３−３，３−
５はレジスト膜厚が約１／２に減少しているだけであ
る。 【００１４】ここで、硝酸でＣｒをエッチングし、さら
に希釈したフッ酸でガラス基板をエッチングすると、
（Ｄ）に示すように開口部３−２，３−４が形成され
る。次に残っているレジストを垂直方向にドライエッチ
ングして膜厚を減少させて行き、パターン部３−１，３
−３，３−５のレジストを除去する（図３（Ｅ））。再
度硝酸でＣｒをエッチングすると、（Ｆ）に示すように
５ケ所の開口部が形成される。最後に残っているレジス
トをすべて除去することにより、図１に示す本発明のレ
ティクルが完成する。 【００１５】 【発明の効果】本発明によれば、露光光に位相差を生じ
させるために新たに位相差を生じさせる層を作る必要が
ないため、パターンを１回の露光工程でホトレジスト上
に同時に形成することができる。すなわち、従来のよう
に遮光パターンに合せて新たに位相シフト層を露光する
工程がなく、合せ誤差に起因するパターンの劣化も生じ
ない。このため、レティクル製造工程の簡略化、パター
ンの信頼性（ないし解像度）向上の効果がある。
画であるホトマスク（またはレティクル）の製造方法に
係り、特に微細パターンを転写するのに好適なホトマス
クの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】原画パターンの描かれたホトマスク（以
下、レティクルと称す）を照明系で照明しレティクル上
のパターンをウエーハ上に転写する投影露光装置には、
転写できるパターンの微細化が要求されている。投影露
光装置がどの程度微細なパターンまで転写できるかを表
わす解像度は、レティクル上のパターンがウエーハ上に
転写された時、隣接する２ケ所の明部が分離できるかど
うかで評価される。この解像力を向上させる一手法とし
て、レティクル上の隣接する２ケ所の透過部分の露光光
に位相差を与えればよいことが知られている。従来、露
光光に位相差を与えるレティクルパターンについては、
例えば特開昭５８−１７３７４４号公報が挙げられる。
この従来例で提案されているレティクルは、図４に示す
ごとく、レティクル基板１上にパターンの原画となる遮
光部２を設け、更にその上に露光光の位相を変化させる
層６（以下、位相シフト層とする）を設けている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上記の従来例ではレテ
ィクル製作に当たっては、まず遮光パターン形成のため
の露光、エッチングを必要とし、次に位相シフト層のパ
ターンを遮光パターンに正しく合せて露光する工程が必
要である。このためレティクル製作に必要な露光工程が
２工程必要であり、工程が複雑であることおよび位相シ
フト層のパターン露光時に位置合せ誤差が生じた場合は
露光光の位相を変える機能が劣化すること等の難点があ
る。 【０００４】本発明の目的は、上記難点を解消し１回の
露光工程で遮光パターンの露光光の位相を変えうる構造
のレティクルを作成する技術を提供することにある。 【０００５】本発明の他の目的は、レティクル（ホトマ
スク）製造工程を簡略化し、解像度を向上させることの
できる技術を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のホトマスクの製造方法は、基板に形成され
た遮光膜に、前記遮光膜を介して隣り合う第１の開口部
及び第２の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部
と前記第２の開口部を透過する露光光が互いに反転する
ような位相差を有するように、前記基板をエッチング加
工する工程を有するものである。 【０００７】上記の如き本発明のホトマスクの製造方法
によれば、位相シフト膜を形成する必要がなく、ホトマ
スク製造工程を簡略化して、ホトマスクの信頼性ないし
解像度を向上させることができる。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。 【０００９】図１は、本発明を適用したレティクルの断
面を示す図である。ここでは、Ｃｒから成る遮光膜２
に、５ケ所の開口部３−１，３−２，３−３，３−４，
３−５からなる５本の線パターンが形成されている例を
とりあげ、線パターンの長手方向に対して垂直方向の断
面を示している。図示したレティクルは、開口部におい
てガラス基板１の厚さに差ｔを与えてあることを特徴と
している。 【００１０】位相を変えるための層の厚さｔは、その屈
折率をｎ、露光光の波長をλとするとき 【００１１】 【数１】 【００１２】で与えられる。例えば、層の材料として石
英ガラスを用いればｎ＝１．４６であるので、λ＝０．
３６５μｍのとき、ｔ＝０．３９７μｍとなる。図１に
示すように、５ケ所の開口部のうち、１ケ所おきの開口
部３−２，３−４は、ガラス基板が０．３９７μｍだけ
除去されている。このため、このレティクルを上面から
コヒーレンス度の高い照明すると、レティクル透過光
（露光光）の振幅分布は図２に示すごとく、ガラス基板
の厚さがｔだけ薄い開口部に対して厚さが厚い開口部で
符号が反転し、その結果従来の露光光の位相を変えるレ
ティクルと全く同等の効果が現われる。 【００１３】次に本発明のレティクルの製造手順を図３
を用いて説明する。まず、（Ａ）に示すごとく、ガラス
基板１上に遮光膜２であるＣｒを８００Å蒸着する。更
にその上にホトレジスト５を塗布する。次に、開口部の
パターンを露光する。このとき、パターンごとに露光強
度を変えてあるので現像処理後のレジストパターンは、
（Ｂ）に示すように、パターン部３−２，３−４は完全
に除去されているが、パターン部３−１，３−３，３−
５はレジスト膜厚が約１／２に減少しているだけであ
る。 【００１４】ここで、硝酸でＣｒをエッチングし、さら
に希釈したフッ酸でガラス基板をエッチングすると、
（Ｄ）に示すように開口部３−２，３−４が形成され
る。次に残っているレジストを垂直方向にドライエッチ
ングして膜厚を減少させて行き、パターン部３−１，３
−３，３−５のレジストを除去する（図３（Ｅ））。再
度硝酸でＣｒをエッチングすると、（Ｆ）に示すように
５ケ所の開口部が形成される。最後に残っているレジス
トをすべて除去することにより、図１に示す本発明のレ
ティクルが完成する。 【００１５】 【発明の効果】本発明によれば、露光光に位相差を生じ
させるために新たに位相差を生じさせる層を作る必要が
ないため、パターンを１回の露光工程でホトレジスト上
に同時に形成することができる。すなわち、従来のよう
に遮光パターンに合せて新たに位相シフト層を露光する
工程がなく、合せ誤差に起因するパターンの劣化も生じ
ない。このため、レティクル製造工程の簡略化、パター
ンの信頼性（ないし解像度）向上の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレティクルの断面を示す図である。
【図２】本発明のレティクル透過後の照明光の振幅分布
を示す図である。 【図３】本発明のレティクルの製造プロセスを示す図で
ある。 【図４】従来のレティクルの断面図である。 【符号の説明】 １ ガラス基板 ２ 遮光膜 ３−１〜３−５ 開口部 ４ レティクル透過後の振幅分布 ５ ホトレジスト ６ 位相シフト層
を示す図である。 【図３】本発明のレティクルの製造プロセスを示す図で
ある。 【図４】従来のレティクルの断面図である。 【符号の説明】 １ ガラス基板 ２ 遮光膜 ３−１〜３−５ 開口部 ４ レティクル透過後の振幅分布 ５ ホトレジスト ６ 位相シフト層
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フロントページの続き
(72)発明者 森山 茂夫
東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所 中央研究所内
(56)参考文献 特開 昭52−133756（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−62052（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−292643（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−173744（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/08 - 1/16
H01L 21/027
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．基板に形成された遮光膜に、前記遮光膜を介して隣
り合う第１の開口部及び第２の開口部を形成する工程
と、 前記第１の開口部と前記第２の開口部を透過する露光光
が互いに反転するような位相差を有するように、前記基
板をエッチング加工する工程とを有することを特徴とす
るホトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP687099A JP3027370B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | ホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP687099A JP3027370B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | ホトマスクの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3083386A Division JPH0690507B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258773A JPH11258773A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3027370B2 true JP3027370B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=11650278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP687099A Expired - Lifetime JP3027370B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | ホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3027370B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468735B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 얼터네이팅 위상 반전 마스크의 제조방법 |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP687099A patent/JP3027370B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11258773A (ja) | 1999-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |