KR0183923B1

KR0183923B1 - 위상 반전 마스크의 제조방법

Info

Publication number: KR0183923B1
Application number: KR1019960039148A
Authority: KR
Inventors: 문성용; 신인균; 강호영
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 1996-09-10
Filing date: 1996-09-10
Publication date: 1999-04-01
Also published as: TW362237B; JPH1097052A; US5853921A; JP3566042B2; KR19980020629A

Abstract

본 발명은 레벤슨형 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관하여 기재하고 있다.

이는, 석영 기판상에 차광막 및 소정 형상의 제1패턴을 갖는 제1감광막을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 제1감광막은 위상 반전층의 형성 영역을 한정시키기 위한 제2패턴을 구비한 제2감광막으로 형성되는 단계와, 상기 제2감광막을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 상기 차광막의 일부를 제거하여서 상기 차광막은 제1패턴 및 제2패턴을 구비한 형상으로 형성되는 단계와, 상기 제2감광막을 제거하는 단계와, 상기 결과물상에 위상 반전층의 형성 영역을 노출시키는 제3패턴을 구비한 제3감광막을 형성시키는 단계와, 상기 제3감광막을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 노출되는 석영 기판에 트렌치를 형성시킴으로서 위상 반전층을 형성시키는 단계와, 상기 제3감광막을 제거하는 단계로 이루어진다. 따라서, 본 발명에 따르면, 위상 반전층 및 무위상 반전층의 선폭 크기를 상이한 크기로 한정시킴으로서 형성되는 위상 반전 마스크를 투과하는 빛의 임계 선폭 차이가 발생되는 것을 방지시키고 위상 반전 마스크의 제조시 칩핑 현상이 발생되는 것을 방지시키며 그 결과 위상 반전 마스크의 신뢰도 및 성능을 향상시킨다.

Description

위상 반전 마스크의 제조 방법

본 발명은 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 위상 반전 영역에서의 임계 선폭의 차를 보상시킬 수 있도록 위상 반전 영역의 선폭 크기를 확대시킨 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자에 형성되는 다양한 패턴의 형상은 사진 식각 공정을 사용하여 형성된다는 것이 널리 공지되어 있다. 이러한 사진 식각 공정에 따르면, 반도체 웨이퍼상에 형성된 절연막 또는 도전막 등과 같이 패턴을 형성시키고자 하는 패턴층상에 X선이나 자외선 등과 같은 광선의 조사에 의해 용해도가 변화하는 포토레지스트막을 형성한 후 상기된 바와 같은 광선의 조사에 의하여 현상액에 대한 용해도차가 변화하는 특성을 이용하여서 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴을 통하여 노출되는 상기 패턴층의 일부를 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정에 의하여 제거함으로서 상기 패턴층에 소정 형상의 패턴을 형성시킨다.

한편, 반도체 장치의 집적도가 증가되는 추세하에서, 미세한 패턴을 형성시키고자 하는 기술에 대한 요구가 증대되고 있는 실정이다. 이러한 요구를 만족시키기 위하여 전자빔, 이온빔 또는 X선을 이용한 노광법이나, 광원의 회절광을 이용한 변형 조명 방법, 새로운 레지스트 재료나 개선된 레지스트 처리 방법 등이 제시되고 있다. 그러나, 상기된 바와 같이 제시된 새로운 방법들은 반도체 장치의 제조 단가를 상승시키는 요인을 유발시키므로 이러한 문제점을 해소시키기 위하여 마스크의 패턴을 이용하여 해상도를 높이는 위상 반전 방법이 제안되었으며 이러한 위상 반전 방법은 큰 주목을 받고 있는 실정이다.

즉, 위상 반전 방법(Phase Shift Method)은 포토마스크를 투과한 빛의 파장을 반전시켜 소멸 간섭시키는 원리에 기초한 위상 시프터를 포함하는 마스크(이하, 위상 반전 마스크라 칭함)를 사용하여 패턴을 노광시키는 방법이다. 한편, 상기 위상 반전 마스크는 광의 간섭 또는 부분 간섭을 이용하여 원하는 크기의 패턴을 노광시킴으로서 해상도나 초점 심도를 증대시키는 작용을 나타내며 이러한 위상 스프트 마스크는 종래의 다른 미세 패턴 형성 방법과는 달리 새로운 장비의 추가없이 마스크 제조 방법의 변경만으로 빛의 회절을 역이용하여 마스크의 분해능이 향상시킨다.

이를 상세히 설명하면, 마스크 기판을 통과하거나 또는 시프터막을 통과하는 빛의 파장은 진공중의 파장을 굴절율로 나눈값만큼 짧아지게 된다. 따라서, 같은 위상의 빛이 시프터의 유무에 따라서 경로차를 발생시키며 이러한 경로차는 수학식 1로 표현된다. 하기 수학식 1에서 θ가 π인 경우에 시프터를 통과한 광선은 역위상을 갖게된다. 그 결과 광투광부 부분만을 통과한 빛과 시프터를 통과한 빛은 서로 역위상이기 때문에 시프터를 마스크 패턴의 가장자리에 위치시키면 패턴의 경계 부분에서 빛의 강도가 제로로 되어 콘트라스트가 증가된다.

[수학식 1]

θ= 2πt(n-1)/λ

(여기에서, n은 시프터의 굴절율, t는 시프터의 두께, λ는 빛의 파장이다.)

한편, 위상 반전 마스크는 라인 스페이스가 밀집된 상태로 반복되어 있는 경우 교대로 시프터를 배치함으로써 전기장 파동이 두 라인간에 상대적으로 반대 방향이 되도록 형성된 공간 주파 변조형 위상 반전 마스크, 패턴의 주위에 해상도이하의 작은 보조 패턴을 넣어 위상을 시프트시킨 보조 시프터 첨가형 마스크, 모든 패턴의 주위에 시프터를 형성시켜서 패턴 에지 부분만을 개선한 주변 효과 강조형 마스크, 크롬없이 위상 시프터의 경계면의 광량이 제로가 되는 원리를 이용한 무크롬형 위상 반전 마스크, 및 광차단부의 투과율을 0에서 0이 아닌 값으로 투과율을 높이고 그 외 부분을 위상 반전시켜 서로 상쇄시키는 효과를 이용한 하프톤형 위상 반전 마스크 또는 감쇄 위상 반전 마스크로 이루어져 있다.

상기된 바와 같은 다수의 위상 반전 마스크중에서 라인 스페이스의 연속 패턴 및 콘택홀 패턴에 효과적으로 적용할 수 있는 마스크로서 교번형 위상 반전 마스크(alternative type phase shift mask) 즉 레벤슨형(LEVENSON type) 위상 반전 마스크가 널리 사용되고 있다. 이러한 레벤슨형 위상 반전 마스크는 소정 형상의 패턴이 형성되어 있는 석영 기판상에 상기 패턴을 둘러싸는 불투명층(반전막)이 형성되어 있다. 이때, 상기 패턴의 깊이는 광경로차가 역위상이 형성될 수 있는 깊이로 유지되어 있으므로 정확한 패턴 형성이 가능하다는 장점을 구비하고 있다.

즉, 종래 실시예에 따라서 제조된 레벤슨형 위상 반전 마스크가 도시되어 있는 도 1 내지 도 3을 참조하면, 석영 기판(110)상에 크롬(Cr)을 소정 두께 적층시킴으로서 차광층(120)을 형성시킨 후 통상적인 사진 식각 공정에 의하여 상기 차광층(120)을 소정 형상으로 패터닝시킨다. 이 후에, 상기 결과물의 전면에 포토레지스트를 도포시킴으로서 형성되는 감광층(130)을 사진 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝시키며 그 결과 형성되는 상기 감광층(130)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 석영 기판(110)의 일부를 건식 식각 공정에 의해서 제거하여 소정 선폭 크기를 갖는 트렌치를 형성하고 상기 감광층(130)을 제거함으로서 레벤슨형 위상 반전 마스크를 형성시킨다. 여기에서, 상기 트렌치 형성 영역(A)은 180°위상 반전 영역으로 작용한다. 따라서, 상기 영역에 입사된 빛의 위상은 180°반전되는 반면에 상기 영역을 제외한 다른 영역(B) 즉 위상 무반전 영역에 입사된 빛의 위상은 바뀌지 않는다.

그러나, 도 4에 나타나 있는 바와 같이, 상기 레벤슨형 위상 반전 마스크의 위상 반전 영역을 지나는 빛이 촛점으로부터 벗어나게 될 경우 패턴의 이미지가 나빠지게 되고 또한 상기 위상 무반전 영역을 지나는 광에 의해 형성되는 패턴사이에 임계 선폭(critical dimention)의 차(D)가 발생되고 이러한 현상에 의하여 실질적인 마진이 없게되므로 위상 반전 영역에서 빛 강도가 저하된다.

따라서, 상기된 바와 같은 임계 선폭의 차(D)를 제거하기 위하여 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 식각 마스크로 작용하는 감광층을 통하여 노출되는 석영 기판(210)의 일부를 제거할 때 오버에칭에 의하여 언더 컷을 형성하거나 또는 종래 다른 실시예에 따라서 상기 트렌치의 단차를 작게 유지시키기 위하여 높은 굴절율을 갖는 물질을 사용하였지만 언더컷 구조에 의한 돌출된 크롬 차광막(220)의 단부가 약해져서 후속 세정 공정 등에 의해 상기 차광막(220)의 단부가 깨지는 현상(chipping defect)가 발생되는 등 마스크의 제작시 결함 발생 확률이 증대됨으로서 제시된 문제들을 완전하게 해결하지 못한다.

따라서, 상기된 바와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위한 본 발명의 기술적 과제는 위상 반전 영역을 구비한 마스크를 형성시킬 때 석영 기판을 오버에칭시킴으로서 형성된 돌출된 크롬 차광막의 단부가 파괴되는 현상을 제거할 뿐만 아니라 위상 반전 영역과 반위상 반전 영역사이를 투과하는 빛에 의한 임계 선폭의 차이를 보상시킬 수 있도록 빛강도의 저하가 발생되는 위상 반전 영역의 임계 선폭값을 원하는 만큼 조절시킬 수 있도록 감광막 패턴을 조절시킨 위상 반전 마스크 제조 방법을 제공한다.

도 1 내지 도 3은 종래 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도.

도 4는 종래 실시예에 따라서 제조된 위상 반전 마스크의 임계선폭차를 나타낸 그래프 .

도 5는 종래 다른 실시예에 따라서 제조된 위상 반전 마스크를 도시한 단면도.

도 6 내지 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도.

도 10은 본 발명의 일실시예를 실시하기 위한 제2패턴을 구비한 마스크를 도시한 평면도.

도 11 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도.

도 15는 본 발명의 다른 실시예를 실시하기 위한 제2패턴을 구비한 마스크를 도시한 평면도.

도면의 주요 부분에 대한 부호 설명

310,410. 석영 기판320,420. 차광막

330,430. 제1감광막330`,430`. 제2감광막

340,440. 제3감광막

상기된 바와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 석영 기판상에 차광막 및 소정 형상의 제1패턴을 갖는 제1감광막을 순차적으로 형성시키는 단계; 상기 제1감광막은 위상 반전층의 형성 영역을 한정시키기 위한 제2패턴을 구비한 제2감광막으로 형성되는 단계; 상기 제2감광막을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 상기 차광막의 일부를 제거하여서 상기 차광막은 제1패턴 및 제2패턴을 구비한 형상으로 형성되는 단계; 상기 제2감광막을 제거하는 단계; 상기 결과물상에 위상 반전층의 형성 영역을 노출시키는 제3패턴을 구비한 제3감광막을 형성시키는 단계; 상기 제3감광막을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 노출되는 석영 기판에 트렌치를 형성시킴으로서 위상 반전층을 형성시키는 단계; 상기 제3감광막을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법을 제공한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 6 내지 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도이고, 도 10은 위상 반전 영역을 한정하는 패턴을 구비한 마스크를 도시한 평면도이고, 도 11 및 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도이고, 도 15는 본 발명의 다른 실시예를 수행하기 위한 위상 반전 영역을 한정하는 패턴을 구비한 마스크의 평면도이다.

즉, 본 발명의 일실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법은 석영 기판(310)상에 차광막(320) 및 소정 형상의 제1패턴을 갖는 제1감광막(330)을 순차적으로 형성시키는 단계; 상기 제1감광막(330)은 위상 반전층의 형성 영역을 한정시키기 위한 제2패턴을 구비한 제2감광막(330`)으로 형성되는 단계; 상기 제2감광막(330`)을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 상기 차광막(320)의 일부를 제거하여서 상기 차광막(320)은 제1패턴 및 제2패턴을 구비한 형상으로 형성되는 단계; 상기 제2감광막(330`)을 제거하는 단계; 상기 결과물상에 위상 반전층의 형성 영역을 노출시키는 제3패턴을 구비한 제3감광막(340)을 형성시키는 단계; 상기 제3감광막(340)을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 노출되는 석영 기판(310)에 트렌치 형상의 위상 반전층을 형성시키는 단계; 상기 제3감광막(340)을 제거하는 단계로 이루어진다.

먼저, 석영 기판(310) 상부에 제1패턴의 제1감광막(330)이 형성된 것을 단면 도시한 도 6을 참조하면, 투명한 재질 예를 들면 소다라임 유리, 석영 또는 보로실리케이트 글라스등으로 이루어진 투명 기판을 준비한다. 여기에서, 상기 투명 기판은 열팽창 계수가 작은 석영으로 이루어지는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 석영 기판(310)상에 스퍼터링 증착 공정 또는 플라즈마 증착 공정 등에 의하여 크롬, 산화크롬 또는 MoSi 를 소정 두께로 도포시켜서 차광막(320)을 형성시킨다. 또한, 상기 차광막(320)상에 전자빔용 레지스트를 스핀 코팅에 의하여 소정 두께로 도포시킨 후 전자빔에 노광시킴으로서 소정 형상의 제1패턴을 구비한 제1감광막(330)을 형성시킨다. 여기에서, 상기 제1감광막(330)의 제1패턴은 소정 간격으로 이격된 동일한 선폭 크기를 갖는 형상으로 유지되고 또한 상기 제1패턴은 위상 반전 마스크의 무위상 반전층의 형성 영역을 한정하는 형상으로 유지된다. 또한 상기 제1감광막(330)은 현상되지 않은 상태로 유지되고 단지 전자빔 에너지를 머금은 상태로 유지된다.

또한, 상기 제1감광막(330)을 전자빔에 재차 노광시킴으로서 제2패턴을 구비한 제2감광막(330`)이 형성된 것을 단면 도시한 도 7을 참조하면, 상기된 바와 같이 전자빔 에너지를 머금은 상태의 제1패턴으로 형성된 제1감광막(330)에 전자빔을 노광시킴으로서 제2패턴을 구비한 제2감광막(330`)을 형성시킨다. 이때, 상기 제2감광막(330`)의 제2패턴을 형성시키기 위한 마스크는 도 10에 도시되어 있는 바와 같이 위상 반전 마스크의 위상 반전층 형성 영역을 한정하는 패턴을 구비한다. 따라서, 상기 마스크를 통하여 노출되는 상기 제1감광막(330)의 일부를 전자빔에 노광시킴으로서 형성되는 제2감광막(330`)에 제2패턴이 구비된다. 여기에서, 상기 제2패턴의 선폭 크기는 상기 제1패턴의 선폭 크기보다 상대적으로 확대된 상태로 유지된다.

이 후에, 상기 제2감광막(330`)을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 상기 차광막(320)이 제1패턴 및 제2패턴으로 형성되는 것을 단면 도시한 도 8을 참조하면, 상기된 바와 같이 2차례의 전자빔 노광에 의하여 제1패턴 및 제2패턴을 구비한 상기 제2감광막(330`)을 현상액에 현상시킴으로서 상기 제2감광막을 소정 형상으로 패터닝시킨다. 이때, 상기 제2감광막(330`)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 차광막(320)의 일부는 반응성 이온 식각(RIE) 공정 등과 같이 이방성 식각 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 제거한다. 그 결과 상기 차광막(320)은 선폭 크기가 상이한 제1패턴 및 제2패턴을 구비한 형상으로 패터닝된다. 그리고, 상기 제2감광막(330`)은 애싱 및 아세톤 용해 등에 의하여 제거된다.

또한, 상기 석영 기판(310)에 트렌치 형상의 위상 반전층이 형성된 것을 단면 도시한 도 9를 참조하면, 상기 차광막(320)의 패턴을 통하여 상기 석영 기판(310)의 일부가 노출된 상태의 결과물상에 전자빔용 레지스트를 소정 두께로 도포시켜서 제3감광막(340)을 형성시킨다. 그리고, 상기 제3감광막(340)은, 가상선으로 표시되어 있는 바와 같이, 소정 형상의 제3패턴으로 패터닝된다. 이때, 상기 제3감광막(340)의 패턴을 통하여 상기 석영 기판(310)에 형성시키고자 하는 위상 반전층 형성 영역이 노출된다. 즉, 상기 위상 반전층 형성 영역은 상기 차광막(320)에 형성된 제2패턴을 통하여 한정된다. 따라서, 상기 제3감광막(340)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 석영 기판(310)의 일부는 반응성 이온 식각(RIE) 공정 등과 같이 이방성 식각 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 제거된다. 그 결과 상기 석영 기판(310)에 소정 선폭 크기의 트렌치가 형성되고 이러한 트렌치는 위상 반전 영역으로 작용한다. 이 후에, 상기 석영 기판(310) 상부에 잔존하는 제3감광층(340)을 제거한다. 따라서, 상기 트렌치의 깊이는 광경로차가 역위상이 형성될 수 있는 깊이로 유지되어 있으므로 정확한 패턴 형성이 가능하다.

한편, 본 발명의 다른 실시예가 예시되어 있는 도 11 내지 도 14를 참조하면, 석영 기판(410)상에 차광막(420) 및 소정 형상의 제1패턴을 구비한 제1감광막(430)을 형성시킨다. 이때, 상기 제1감광막(430)의 제1패턴은 소정 간격으로 이격되고 동일한 선폭 크기를 갖는 형상으로 형성된다. 이 후에, 도 15에 예시되어 있는 바와 같이 위상 반전층 형성 영역을 한정시키기 위한 패턴을 구비한 마스크를 사용하여서 상기 제1감광막(430)을 전자빔에 노광시킨다. 이때, 상기 마스크에 구비된 패턴의 선폭 크기는 상기 제1감광막(430)에 형성된 제1패턴의 선폭 크기보다 상대적으로 작은 선폭 크기를 갖는다. 따라서, 상기 마스크를 통하여 노출되는 상기 제1감광막(430)의 일부를 전자빔에 재차 노출시킴으로서 위상 반전층 형성 영역의 선폭의 크기가 무위상 반전층 형성 영역의 선폭 크기에 비하여 상대적으로 증대된 제2패턴을 구비한 제2감광막(430`)을 형성시킨다. 이때, 상기 제2감광막(430`)은 전자빔 에너지를 머금은 상태로 유지된다.

또한, 상기된 바와 같이 전자빔 에너지를 머금은 상태로 유지되고 무위상 반전층 형성 영역을 한정하는 제1패턴 및 제위상 반전층 형성 영역을 한정하는 2패턴을 구비한 제2감광막(430`)을 현상액에 현상시킴으로서 소정 형상으로 패터닝시킨다. 그리고, 상기 제2감광막(430`)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 차광막(420)의 일부를 이방성 식각 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 제거함으로서 상기 차광막(420)을 소정 형상으로 패터닝시킨다. 즉, 상기 차광막(420)의 패턴을 통하여 상기 석영 기판(410)에 형성시키고자 하는 무위상 반전층 형성 영역 및 위상 반전층 형성 영역이 동시에 노출된다.

한편, 상기 차광막(420)상에 잔존하는 상기 제2감광막(430`)을 제거한 후 전자빔용 레지스트를 소정 두께로 도포시킴으로서 제3감광막(440)을 형성시킨다. 이때, 상기 차광막(420)에 형성된 제2패턴에 의하여 한정된 상기 석영 기판(410)의 위상 반전층 형성 영역은 상기 제3감광막(440)의 패턴을 통하여 노출된다. 이러한 상태에서 이방성 식각 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 상기 석영 기판(410)의 일부를 제거한다. 그 결과 상기 석영 기판(410)에 위상 반전층을 형성하는 트렌치 형상이 형성된다. 그리고, 상기 석영 기판(410) 상부에 잔존하는 제3감광막(440)을 제거한다.

이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지 및 사상을 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.

따라서, 본 발명에 따르면, 위상 반전층 및 무위상 반전층의 선폭 크기를 상이한 크기로 한정시킴으로서 형성되는 위상 반전 마스크를 투과하는 빛의 임계 선폭 차이가 발생되는 것을 방지시키고 위상 반전 마스크의 제조시 칩핑 현상이 발생되는 것을 방지시키며 그 결과 위상 반전 마스크의 신뢰도 및 성능을 향상시킨다.

Claims

석영 기판상에 차광막 및 소정 형상의 제1패턴을 갖는 제1감광막을 순차적으로 형성시키는 단계;

상기 제1감광막은 위상 반전층의 형성 영역을 한정시키기 위한 제2패턴을 구비한 제2감광막으로 형성되는 단계;

상기 제2감광막을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 상기 차광막의 일부를 제거하여서 상기 차광막은 제1패턴 및 제2패턴을 구비한 형상으로 형성되는 단계;

상기 제2감광막을 제거하는 단계;

상기 결과물상에 위상 반전층의 형성 영역을 노출시키는 제3패턴을 구비한 제3감광막을 형성시키는 단계;

상기 제3감광막을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 노출되는 석영 기판에 트렌치를 형성시킴으로서 위상 반전층을 형성시키는 단계; 그리고

상기 제3감광막을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2감광막의 제2패턴은

전자빔의 노출량을 조절시킴으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제2항에 있어서, 상기 제2감광막의 제2패턴은,

위상 반전층의 형성 영역을 한정하는 패턴으로 유지되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1감광막의 제1패턴은,

소정 간격으로 이격된 동일한 선폭 크기를 갖는 패턴으로 유지되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제4항에 있어서, 상기 제2감광막의 제2패턴은,

상기 제1패턴의 선폭 크기보다 상대적으로 작은 선폭 크기를 갖는 형상으로 유지되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제5항에 있어서, 상기 제2감광막의 제2패턴은,

위상 반전층의 형성 영역을 한정하는 패턴으로 유지되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.