JPH08211590A - 位相シフト・マスクおよびその製造方法 - Google Patents
位相シフト・マスクおよびその製造方法Info
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- JPH08211590A JPH08211590A JP28332695A JP28332695A JPH08211590A JP H08211590 A JPH08211590 A JP H08211590A JP 28332695 A JP28332695 A JP 28332695A JP 28332695 A JP28332695 A JP 28332695A JP H08211590 A JPH08211590 A JP H08211590A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相シフト・マスクおよびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 減衰位相シフト・メッシュ構造は、交互
位相シフト・マスクと組合されて、位相シフト背景およ
び無位相シフト減衰背景よりなるマスク組合せを与え
る。位相シフト減衰背景は、無位相シフト減衰背景を取
り囲み、無位相シフト減衰背景は、位相シフト要素を取
り囲む。
供する。 【解決手段】 減衰位相シフト・メッシュ構造は、交互
位相シフト・マスクと組合されて、位相シフト背景およ
び無位相シフト減衰背景よりなるマスク組合せを与え
る。位相シフト減衰背景は、無位相シフト減衰背景を取
り囲み、無位相シフト減衰背景は、位相シフト要素を取
り囲む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、リソグラフィ、
特に、フォトリソグラフィにおいて用いられる位相シフ
ト・マスクに関するものである。
特に、フォトリソグラフィにおいて用いられる位相シフ
ト・マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィにおいて、マスク
は、被加工物にパターンを露光させるために用いられて
いる。製造要件は、だんだんと小さくなる寸法のパター
ンの露光を要求しているので、フォトリソグラフィ処理
の現在の性能を増大させることを可能にする技術を採用
することが必要になりつつある。１つの手法は、過去に
おけるフォトリソグラフィに用いられる波長範囲の位相
シフト技術を用いることである。
は、被加工物にパターンを露光させるために用いられて
いる。製造要件は、だんだんと小さくなる寸法のパター
ンの露光を要求しているので、フォトリソグラフィ処理
の現在の性能を増大させることを可能にする技術を採用
することが必要になりつつある。１つの手法は、過去に
おけるフォトリソグラフィに用いられる波長範囲の位相
シフト技術を用いることである。
【０００３】現在では、小さいフィーチャ（ｆｅａｔｕ
ｒｅ）すなわち小さい幾何学パターンは、普通の光学的
フォトリソグラフィを用いて作成される。典型的には、
光学的フォトリソグラフィは、マスク上の光学的に不透
明な領域および光学的に透明な領域で作られたパターン
によって、光を遮りまたは透過させることによって実現
される。パターンの光学的に不透明な領域は、光を阻止
し、これにより影を投じおよび暗領域を形成する。一
方、光学的に透明な領域は、光を通過させ、これにより
明領域を形成する。明領域および暗領域が一旦形成され
ると、これら領域は、レンズ上に投影され、およびレン
ズを経て基板上に投影される。しかし、パターンの複雑
性を増大させる半導体デバイスの複雑性の増大、および
マスク上のパターン配置密度の増大の故に、２つの不透
明領域間の距離が小さくなってきた。不透明領域間の距
離が小さくなると、小さな開口が形成され、この開口を
通る光を回折する。回折された光は、拡がりまたは曲が
ろうとする。その結果、２つの不透明領域間のスペース
が解像されず、したがって回折は、光学的フォトリソグ
ラフィに対し厳しい制限要因となる。
ｒｅ）すなわち小さい幾何学パターンは、普通の光学的
フォトリソグラフィを用いて作成される。典型的には、
光学的フォトリソグラフィは、マスク上の光学的に不透
明な領域および光学的に透明な領域で作られたパターン
によって、光を遮りまたは透過させることによって実現
される。パターンの光学的に不透明な領域は、光を阻止
し、これにより影を投じおよび暗領域を形成する。一
方、光学的に透明な領域は、光を通過させ、これにより
明領域を形成する。明領域および暗領域が一旦形成され
ると、これら領域は、レンズ上に投影され、およびレン
ズを経て基板上に投影される。しかし、パターンの複雑
性を増大させる半導体デバイスの複雑性の増大、および
マスク上のパターン配置密度の増大の故に、２つの不透
明領域間の距離が小さくなってきた。不透明領域間の距
離が小さくなると、小さな開口が形成され、この開口を
通る光を回折する。回折された光は、拡がりまたは曲が
ろうとする。その結果、２つの不透明領域間のスペース
が解像されず、したがって回折は、光学的フォトリソグ
ラフィに対し厳しい制限要因となる。
【０００４】光学的フォトリソグラフィにおける回折の
影響を処理する従来の方法は、前述したマスクに代わる
位相シフト・マスクを用いている。一般に、光は波とみ
なされており、位相シフトは、透明物質を伝搬する光波
の正則正弦パターンの波形のシフトのタイミングの変化
である。代表的には、位相シフトは、異なる厚さの透明
物質の領域、または異なる反射率の物質を通る、あるい
はこれら両方の物質を通る光によって実現され、これに
より光波の位相または周期的パターンを変化させる。位
相シフト・マスクは、回折光と位相シフトした回折光と
を組合せて建設的および破壊的干渉が好適に生じるよう
にして、回折の影響を軽減させる。
影響を処理する従来の方法は、前述したマスクに代わる
位相シフト・マスクを用いている。一般に、光は波とみ
なされており、位相シフトは、透明物質を伝搬する光波
の正則正弦パターンの波形のシフトのタイミングの変化
である。代表的には、位相シフトは、異なる厚さの透明
物質の領域、または異なる反射率の物質を通る、あるい
はこれら両方の物質を通る光によって実現され、これに
より光波の位相または周期的パターンを変化させる。位
相シフト・マスクは、回折光と位相シフトした回折光と
を組合せて建設的および破壊的干渉が好適に生じるよう
にして、回折の影響を軽減させる。
【０００５】位相シフト・マスクの１種類の例として、
交互エレメント位相シフト・マスクおよび理論の詳細な
説明が、“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ
ｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ
ａ Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ”，
Ｉ．Ｅ．Ｅ．Ｅ． Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎＥ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−２
９，Ｎｏ．１２，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８２に開示さ
れている。
交互エレメント位相シフト・マスクおよび理論の詳細な
説明が、“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ
ｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ
ａ Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ”，
Ｉ．Ｅ．Ｅ．Ｅ． Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎＥ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−２
９，Ｎｏ．１２，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８２に開示さ
れている。
【０００６】上記文献によれば、“Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉ
ｆｔｉｎｇ ａｎｄ ＯｔｈｅｒＣｈａｌｌｅｎｇｅｓ
ｉｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｓｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ，（ｓｈｏｒｔ ｃｏｕｒｓｅ ｏｎ ｐｈａｓｅ
−ｓｈｉｆｔ ｍａｓｋｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＳＰＩ
Ｅ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，１９９１）で、Ｂｕｒｎ
Ｊ．Ｌｉｎは、種々の位相シフト技術について述べてい
る。これら技術は、密に配置されたアレイ内のすべての
他のエッチングが位相シフトされる交互位相シフトと、
与えられた光学系の解像限界以下のパターンのエッジ・
コントラストを増大させるのに役立つ副解像（ｓｕｂ−
ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）位相シフトと、位相シフトがパ
ターンのリム（周縁）でのみ生じるリム位相シフトなど
である。Ｌｉｎは、５つの異なるフィーチャ・パターン
について各種の位相シフトをテストした。すべての５つ
のフィーチャ・パターンは、リム位相シフトによって改
善された。
ｆｔｉｎｇ ａｎｄ ＯｔｈｅｒＣｈａｌｌｅｎｇｅｓ
ｉｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｓｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ，（ｓｈｏｒｔ ｃｏｕｒｓｅ ｏｎ ｐｈａｓｅ
−ｓｈｉｆｔ ｍａｓｋｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＳＰＩ
Ｅ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，１９９１）で、Ｂｕｒｎ
Ｊ．Ｌｉｎは、種々の位相シフト技術について述べてい
る。これら技術は、密に配置されたアレイ内のすべての
他のエッチングが位相シフトされる交互位相シフトと、
与えられた光学系の解像限界以下のパターンのエッジ・
コントラストを増大させるのに役立つ副解像（ｓｕｂ−
ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）位相シフトと、位相シフトがパ
ターンのリム（周縁）でのみ生じるリム位相シフトなど
である。Ｌｉｎは、５つの異なるフィーチャ・パターン
について各種の位相シフトをテストした。すべての５つ
のフィーチャ・パターンは、リム位相シフトによって改
善された。
【０００７】これらの位相シフトの他に、減衰位相シフ
トとして知られている他の技術がある。この技術では、
マスク領域を囲む背景領域の減衰のための吸収物質を含
むマスクが提供される。米国特許第５，２８８，５６９
号明細書“ＦＥＡＴＵＲＥＢＩＡＳＳＩＮＧ ＡＮＤ
ＡＢＳＯＲＰＴＩＶＥ ＰＨＡＳＥ−ＳＨＩＦＴＩＮＧ
ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＴＯ ＩＭＰＲＯＶＥ ＯＰ
ＴＩＣＡＬ ＰＲＯＪＥＣＴＩＯＮ ＩＭＡＧＩＮＧ”
は、位相シフタを吸収性にすることが位相シフト・マス
クの任意のレイアウトを容易にする、フォトリソグラフ
ィ・システムを開示している。異なる吸収レベルの位相
シフタを組合せることによって、さらなる改善が得られ
る。
トとして知られている他の技術がある。この技術では、
マスク領域を囲む背景領域の減衰のための吸収物質を含
むマスクが提供される。米国特許第５，２８８，５６９
号明細書“ＦＥＡＴＵＲＥＢＩＡＳＳＩＮＧ ＡＮＤ
ＡＢＳＯＲＰＴＩＶＥ ＰＨＡＳＥ−ＳＨＩＦＴＩＮＧ
ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＴＯ ＩＭＰＲＯＶＥ ＯＰ
ＴＩＣＡＬ ＰＲＯＪＥＣＴＩＯＮ ＩＭＡＧＩＮＧ”
は、位相シフタを吸収性にすることが位相シフト・マス
クの任意のレイアウトを容易にする、フォトリソグラフ
ィ・システムを開示している。異なる吸収レベルの位相
シフタを組合せることによって、さらなる改善が得られ
る。
【０００８】この米国特許明細書は、また、吸収体を用
いず、基板上の位相シフタのみがパターニングの問題を
有する他の構成について述べている。大きな位相シフタ
領域は、大きな位相遷移の故に、大きな暗いライン・イ
メージが生成され、エッジを除いてフィーチャの内外の
あらゆる箇所にプリントされる。小さい領域では、エッ
ジは互いに十分に接近しており、したがって完全に暗い
フィーチャが生成される。互いに接近した多数の副解像
位相シフタ・フィーチャをグループ化することによっ
て、大きな暗いイメージを生成することができる。本発
明において説明される減衰位相シフタ・マスクとは対照
的に、位相シフタは完全に透明であるので、この特別な
位相シフト・マスクは、非減衰（Ｕｔｔ）位相シフト・
マスクと呼ばれている。
いず、基板上の位相シフタのみがパターニングの問題を
有する他の構成について述べている。大きな位相シフタ
領域は、大きな位相遷移の故に、大きな暗いライン・イ
メージが生成され、エッジを除いてフィーチャの内外の
あらゆる箇所にプリントされる。小さい領域では、エッ
ジは互いに十分に接近しており、したがって完全に暗い
フィーチャが生成される。互いに接近した多数の副解像
位相シフタ・フィーチャをグループ化することによっ
て、大きな暗いイメージを生成することができる。本発
明において説明される減衰位相シフタ・マスクとは対照
的に、位相シフタは完全に透明であるので、この特別な
位相シフト・マスクは、非減衰（Ｕｔｔ）位相シフト・
マスクと呼ばれている。
【０００９】本発明の技術に関連する他の文献は、以下
のとおりである。
のとおりである。
【００１０】米国特許第５，０４５，４１７号明細書
“ＭＡＳＫ ＦＯＲ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ Ｓ
ＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＤＥＶＩＣＥ ＡＮＤ Ｍ
ＥＴＨＯＤ ＯＦ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＥ ＴＨＥＲ
ＥＯＦ”は、ＩＣチップの超小形化および高集積化を実
現する超小形化技術、および製造プロセスに用いられる
マスクの改良に関係している。換言すれば、マスクを通
る光の位相は、１つのマスク・パターン内で調整され
る。特に、透明膜は次のようにして形成される。すなわ
ち、透明膜は、マスク・パターンを拡大または縮小する
ことによって形成されたパターンに沿ってマスク・パタ
ーンを覆い、あるいはマスク基板内に溝を形成する。マ
スク基板を通る光と、透明膜または溝を通る光との間
に、１８０°の位相差が発生し、各光との干渉を生じさ
せ、互いをオフセットする。したがって、ウェハに転写
されるパターンは、改善された解像度を有し、本発明に
用いられる。
“ＭＡＳＫ ＦＯＲ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ Ｓ
ＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＤＥＶＩＣＥ ＡＮＤ Ｍ
ＥＴＨＯＤ ＯＦ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＥ ＴＨＥＲ
ＥＯＦ”は、ＩＣチップの超小形化および高集積化を実
現する超小形化技術、および製造プロセスに用いられる
マスクの改良に関係している。換言すれば、マスクを通
る光の位相は、１つのマスク・パターン内で調整され
る。特に、透明膜は次のようにして形成される。すなわ
ち、透明膜は、マスク・パターンを拡大または縮小する
ことによって形成されたパターンに沿ってマスク・パタ
ーンを覆い、あるいはマスク基板内に溝を形成する。マ
スク基板を通る光と、透明膜または溝を通る光との間
に、１８０°の位相差が発生し、各光との干渉を生じさ
せ、互いをオフセットする。したがって、ウェハに転写
されるパターンは、改善された解像度を有し、本発明に
用いられる。
【００１１】米国特許第４，９０２，８９９号明細書
“ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＩＣ ＰＲＯＣＥＳＳ ＨＡＶ
ＩＮＧ ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＩＭＡＧＥ ＱＵＡＬＩＴ
Ｙ”は、光化学露光領域の透過率を調整するために用い
られるリソグラフィの解像度よりも小さい複数の不透明
エレメントまたは透明エレメントを含むマスクを用いる
ことによって、改善されたイメージ品質を有するリソグ
ラフィ・プロセスを開示している。
“ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＩＣ ＰＲＯＣＥＳＳ ＨＡＶ
ＩＮＧ ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＩＭＡＧＥ ＱＵＡＬＩＴ
Ｙ”は、光化学露光領域の透過率を調整するために用い
られるリソグラフィの解像度よりも小さい複数の不透明
エレメントまたは透明エレメントを含むマスクを用いる
ことによって、改善されたイメージ品質を有するリソグ
ラフィ・プロセスを開示している。
【００１２】米国特許明細書第４，８９０，３０９号明
細書“ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ ＭＡＳＫ ＷＩＴＨ
Ａ π−ＰＨＡＳＥ ＳＨＩＦＴＩＮＧ ＡＴＴＥＮＵ
ＡＴＯＲ”は、次のようなリソグラフィ・システムを開
示している。すなわち、マスクは、入射電磁波の一部を
通過させ、マスクのオープン・フィーチャを通る電磁波
に対し、πの奇数倍ラジアンだけ電磁波を位相シフトさ
せる減衰体を有している。減衰体を通る光のπラジアン
の位相シフトは、回折効果から生じるエッジぶれを減少
させる。この米国特許の発明は、Ｘ線リソグラフィ複写
（ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）におけるフィーチャのエッ
ジでの強度分布のスロープを、従来のＸ線マスクにより
得られるスロープに対して、急峻にしている。急峻なス
ロープは、それが改善されたライン幅調整を可能にする
ので、かなり重要な利点である。
細書“ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ ＭＡＳＫ ＷＩＴＨ
Ａ π−ＰＨＡＳＥ ＳＨＩＦＴＩＮＧ ＡＴＴＥＮＵ
ＡＴＯＲ”は、次のようなリソグラフィ・システムを開
示している。すなわち、マスクは、入射電磁波の一部を
通過させ、マスクのオープン・フィーチャを通る電磁波
に対し、πの奇数倍ラジアンだけ電磁波を位相シフトさ
せる減衰体を有している。減衰体を通る光のπラジアン
の位相シフトは、回折効果から生じるエッジぶれを減少
させる。この米国特許の発明は、Ｘ線リソグラフィ複写
（ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）におけるフィーチャのエッ
ジでの強度分布のスロープを、従来のＸ線マスクにより
得られるスロープに対して、急峻にしている。急峻なス
ロープは、それが改善されたライン幅調整を可能にする
ので、かなり重要な利点である。
【００１３】米国特許第４，８８５，２３１号明細書
“ＰＨＡＳＥ ＳＨＩＦＴＥＤ ＧＲＡＴＩＮＧ ＢＹ
ＳＥＬＥＣＴＩＶＥ ＩＭＡＧＥ ＲＥＶＥＡＬ Ｏ
Ｆ ＰＨＯＴＯＲＥＳＩＳＴ”は、ポジティブ・フォト
レジストのリソグラフィにより画成された領域に、イメ
ージ除去が生じるように調整されるシステムを開示して
いる。そのようにして、簡単なホログラフィ格子の選択
的除去を実現して、格子のリソグラフィにより画成した
格子領域内に１８０°位相シフトを得る。このような位
相シフト格子は、例えば、単一の長さ方向モード動作の
ために構成された半導体レーザに分布帰還を与えるのに
有益である。
“ＰＨＡＳＥ ＳＨＩＦＴＥＤ ＧＲＡＴＩＮＧ ＢＹ
ＳＥＬＥＣＴＩＶＥ ＩＭＡＧＥ ＲＥＶＥＡＬ Ｏ
Ｆ ＰＨＯＴＯＲＥＳＩＳＴ”は、ポジティブ・フォト
レジストのリソグラフィにより画成された領域に、イメ
ージ除去が生じるように調整されるシステムを開示して
いる。そのようにして、簡単なホログラフィ格子の選択
的除去を実現して、格子のリソグラフィにより画成した
格子領域内に１８０°位相シフトを得る。このような位
相シフト格子は、例えば、単一の長さ方向モード動作の
ために構成された半導体レーザに分布帰還を与えるのに
有益である。
【００１４】米国特許第４，８０６，４４２号明細書
“ＳＰＡＴＩＡＬ ＰＨＡＳＥ ＭＯＤＵＬＡＴＩＮＧ
ＭＡＳＫＳ ＡＮＤ ＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮ ＰＲＯ
ＣＥＳＳＥＳ ＴＨＥＲＥＯＦ， ＡＮＤ ＰＲＯＣＥ
ＳＳＥＳ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＯＲＭＡＴＩＯＮ ＯＦ
ＰＨＡＳＥ−ＳＨＩＦＴＥＤ ＤＩＦＦＲＡＣＴＩＯ
Ｎ ＧＲＡＴＩＮＧＳ”は、２つの異なる光路を有する
２つ以上の部分を備える空間位相変調透明マスクに関
し、それらの製造方法が開示されている。この透明マス
クは、単一モード動作のための位相シフト分布帰還型
（ＤＦＢ）半導体レーザの製造のための露光マスクとし
て有用である。前記透明マスクを経て基板を放射線で露
光する工程を有する、回折格子またはコルゲーションの
作製方法も開示されている。この米国特許明細書の発明
によれば、位相シフト回折格子を、高精度かつ高信頼度
で容易かつ直接的に作製することができる。
“ＳＰＡＴＩＡＬ ＰＨＡＳＥ ＭＯＤＵＬＡＴＩＮＧ
ＭＡＳＫＳ ＡＮＤ ＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮ ＰＲＯ
ＣＥＳＳＥＳ ＴＨＥＲＥＯＦ， ＡＮＤ ＰＲＯＣＥ
ＳＳＥＳ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＯＲＭＡＴＩＯＮ ＯＦ
ＰＨＡＳＥ−ＳＨＩＦＴＥＤ ＤＩＦＦＲＡＣＴＩＯ
Ｎ ＧＲＡＴＩＮＧＳ”は、２つの異なる光路を有する
２つ以上の部分を備える空間位相変調透明マスクに関
し、それらの製造方法が開示されている。この透明マス
クは、単一モード動作のための位相シフト分布帰還型
（ＤＦＢ）半導体レーザの製造のための露光マスクとし
て有用である。前記透明マスクを経て基板を放射線で露
光する工程を有する、回折格子またはコルゲーションの
作製方法も開示されている。この米国特許明細書の発明
によれば、位相シフト回折格子を、高精度かつ高信頼度
で容易かつ直接的に作製することができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】交互エレメント位相シ
フト・マスク（Ａｌｔ ＰＳＭ）は、与えられた光学イ
メージング装置の解像度を２倍にする可能性を有してい
る。それは、密に配置された構造に対して最も効果的な
位相シフト・マスクである。そのイソフォーカス（ｉｓ
ｏｆｏｃｕｓ）特性が、非常に望まれている。しかし、
マスクに可変パッキングが存在する場合、交互位相シフ
ト・マスクはあまり効果的でない。さらに、交互位相シ
フト・マスクは、分離開口または分離不透明フィーチャ
に作用しない。減衰位相シフト・マスク（Ａｔｔ ＰＳ
Ｍ）は、任意のマスク・パターンに作用するが、密に配
置されたパターンに対するイメージング性能の改善は良
くない。
フト・マスク（Ａｌｔ ＰＳＭ）は、与えられた光学イ
メージング装置の解像度を２倍にする可能性を有してい
る。それは、密に配置された構造に対して最も効果的な
位相シフト・マスクである。そのイソフォーカス（ｉｓ
ｏｆｏｃｕｓ）特性が、非常に望まれている。しかし、
マスクに可変パッキングが存在する場合、交互位相シフ
ト・マスクはあまり効果的でない。さらに、交互位相シ
フト・マスクは、分離開口または分離不透明フィーチャ
に作用しない。減衰位相シフト・マスク（Ａｔｔ ＰＳ
Ｍ）は、任意のマスク・パターンに作用するが、密に配
置されたパターンに対するイメージング性能の改善は良
くない。
【００１６】この発明では、Ａｔｔ ＰＳＭは、Ａｌｔ
ＰＳＭと組合され、その結果、これら両方のＰＳＭの
利点を実現することができる。この発明の目的は、Ａｌ
ｔＰＭＳとＡｔｔ−Ｕｔｔ（減衰−非減衰）結合とを組
合せることにある。
ＰＳＭと組合され、その結果、これら両方のＰＳＭの
利点を実現することができる。この発明の目的は、Ａｌ
ｔＰＭＳとＡｔｔ−Ｕｔｔ（減衰−非減衰）結合とを組
合せることにある。
【００１７】この発明の目的は、開口内の位相が交互に
シフトされるＡｔｔ ＰＳＭ背景よりなるＰＳＭを提供
することにある。
シフトされるＡｔｔ ＰＳＭ背景よりなるＰＳＭを提供
することにある。
【００１８】この発明の他の目的は、シフトされる減衰
背景とシフトされない減衰背景とよりなるＰＳＭを提供
することにあり、シフトされる減衰背景は、シフトされ
ない開口を囲み、シフトされない減衰背景は、シフトさ
れる開口を囲んでいる。
背景とシフトされない減衰背景とよりなるＰＳＭを提供
することにあり、シフトされる減衰背景は、シフトされ
ない開口を囲み、シフトされない減衰背景は、シフトさ
れる開口を囲んでいる。
【００１９】この発明のさらに他の目的は、減衰シフト
・エレメントよりなる小さいフィーチャが、減衰を軽減
され、最終的な軽減がフィーチャを全体的に非減衰にす
る、減衰ＰＳＭを提供することにある。
・エレメントよりなる小さいフィーチャが、減衰を軽減
され、最終的な軽減がフィーチャを全体的に非減衰にす
る、減衰ＰＳＭを提供することにある。
【００２０】この発明のさらに他の目的は、シフトされ
る背景およびシフトされない背景よりなるＰＳＭを提供
することにあり、減衰シフト・エレメントよりなる小さ
いフィーチャが、減衰を軽減され、最終的な軽減がフィ
ーチャを全体的に非減衰にする。
る背景およびシフトされない背景よりなるＰＳＭを提供
することにあり、減衰シフト・エレメントよりなる小さ
いフィーチャが、減衰を軽減され、最終的な軽減がフィ
ーチャを全体的に非減衰にする。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１に、組合せ交互（Ａｌｔ）お
よび減衰−非減衰（Ａｔｔ−Ｕｔｔ）の位相シフト・マ
スク（Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭ）の平面図を示
す。図２は、図１のマスクの側面図を示す。図１および
図２において、右下りのハッチングは、減衰エレメント
を示し、右上りのハッチングは位相シフト・エレメント
を示しており、図１のクロス・ハッチングは、減衰エレ
メントおよび位相シフト・エレメントが重なった領域を
示している。図２において、例えば水晶よりなる基板１
０は、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）のような位相シフト
物質１２の個別の層を有しており、あるいは酸化物また
はオキシニトライドのような他の適切な物質を用いるこ
とができる。位相シフタ１２は、技術上周知のように、
透過する光に１８０°の位相シフトを与える。水晶より
なる透明領域１４が、位相シフタ１２上に設けられ、減
衰物質１６が、領域１４の上に設けられる。図１および
図２のマスクの減衰領域の大半は、わずかに透明の吸収
体であり、開口Ｃ，Ｅ，Ｇ，Ｊに対する背景Ｋのような
πシフト開口である。わずかに透明のπシフト吸収体
は、図１にＨ，Ａ，Ｉで示され、例えばクロムと位相シ
フト層とから形成されている。分離された小さい不透明
フィーチャが必要とされる領域では、図１にＢで示され
る非減衰位相シフタが、Ａｔｔ ＰＳＭの代わりに用い
られる。
よび減衰−非減衰（Ａｔｔ−Ｕｔｔ）の位相シフト・マ
スク（Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭ）の平面図を示
す。図２は、図１のマスクの側面図を示す。図１および
図２において、右下りのハッチングは、減衰エレメント
を示し、右上りのハッチングは位相シフト・エレメント
を示しており、図１のクロス・ハッチングは、減衰エレ
メントおよび位相シフト・エレメントが重なった領域を
示している。図２において、例えば水晶よりなる基板１
０は、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）のような位相シフト
物質１２の個別の層を有しており、あるいは酸化物また
はオキシニトライドのような他の適切な物質を用いるこ
とができる。位相シフタ１２は、技術上周知のように、
透過する光に１８０°の位相シフトを与える。水晶より
なる透明領域１４が、位相シフタ１２上に設けられ、減
衰物質１６が、領域１４の上に設けられる。図１および
図２のマスクの減衰領域の大半は、わずかに透明の吸収
体であり、開口Ｃ，Ｅ，Ｇ，Ｊに対する背景Ｋのような
πシフト開口である。わずかに透明のπシフト吸収体
は、図１にＨ，Ａ，Ｉで示され、例えばクロムと位相シ
フト層とから形成されている。分離された小さい不透明
フィーチャが必要とされる領域では、図１にＢで示され
る非減衰位相シフタが、Ａｔｔ ＰＳＭの代わりに用い
られる。
【００２２】Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇにより示されるような
密に配置されたパターンが存在する領域では、すべての
他のエレメント（ＤおよびＧ）が−πだけシフトされ
る。シフトされたエレメントは、各々、Ａｔｔと同じ透
過率を有するが、３πのシフトを有するリムによって、
囲まれる。リムの形状および寸法は、前記米国特許第
５，１８８，５６９号明細書に説明されているＲｉｍ
ＰＳＭとして知られているマスクに用いられるリムより
も厳密ではない。この構造では、密に配置されたエレメ
ントの各々は、減衰位相シフタによって取り囲まれ、他
方、その近接するエレメントに対しπシフトされてい
る。図１にＨおよびＩで示されるラインのようなシフト
されるエレメントとシフトされないエレメントとの間の
不透明ラインは、プリントされない。というのは、これ
らラインが、低透過率の背景内に埋込まれているからで
ある。領域ＨおよびＩは、３πシフトされる。これはπ
シフトに等価である。背景Ｋは、４πシフトされ、これ
は零位相シフトに等価である。
密に配置されたパターンが存在する領域では、すべての
他のエレメント（ＤおよびＧ）が−πだけシフトされ
る。シフトされたエレメントは、各々、Ａｔｔと同じ透
過率を有するが、３πのシフトを有するリムによって、
囲まれる。リムの形状および寸法は、前記米国特許第
５，１８８，５６９号明細書に説明されているＲｉｍ
ＰＳＭとして知られているマスクに用いられるリムより
も厳密ではない。この構造では、密に配置されたエレメ
ントの各々は、減衰位相シフタによって取り囲まれ、他
方、その近接するエレメントに対しπシフトされてい
る。図１にＨおよびＩで示されるラインのようなシフト
されるエレメントとシフトされないエレメントとの間の
不透明ラインは、プリントされない。というのは、これ
らラインが、低透過率の背景内に埋込まれているからで
ある。領域ＨおよびＩは、３πシフトされる。これはπ
シフトに等価である。背景Ｋは、４πシフトされ、これ
は零位相シフトに等価である。
【００２３】この発明のＡｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳ
Ｍ（ＡＡＵ ＰＳＭ）実施例の製造を、図３，図４，図
５，図６，図７を参照して説明する。図４に示すよう
に、水晶基板１０と、透明吸収体１６と、π位相シフタ
層１２とからなるマスク・ブランクから製造が開始され
る。透明吸収体１６は、この発明の趣旨を損なうことな
く、簡単に３０°とみなされる量θだけ、本来的に位相
をシフトさせる。すべてのπ減衰位相シフタの画成より
なる工程に続いて、図５に示すように、水晶基板に３３
０°すなわち２π−θのエッチングが行われる。工程２
では、第２レベルのフォトレジスト１８が設けられて、
図６に示すように、工程１で画成されたパターン１に適
切に位置決めされて、露光される。この露光レベルは、
図７に示される工程３の次のエッチングに対して、３π
シフト・リムおよびＵｔｔ ＰＳＭ領域を選択する。図
７のマスク構成の平面図を、図３に示す。
Ｍ（ＡＡＵ ＰＳＭ）実施例の製造を、図３，図４，図
５，図６，図７を参照して説明する。図４に示すよう
に、水晶基板１０と、透明吸収体１６と、π位相シフタ
層１２とからなるマスク・ブランクから製造が開始され
る。透明吸収体１６は、この発明の趣旨を損なうことな
く、簡単に３０°とみなされる量θだけ、本来的に位相
をシフトさせる。すべてのπ減衰位相シフタの画成より
なる工程に続いて、図５に示すように、水晶基板に３３
０°すなわち２π−θのエッチングが行われる。工程２
では、第２レベルのフォトレジスト１８が設けられて、
図６に示すように、工程１で画成されたパターン１に適
切に位置決めされて、露光される。この露光レベルは、
図７に示される工程３の次のエッチングに対して、３π
シフト・リムおよびＵｔｔ ＰＳＭ領域を選択する。図
７のマスク構成の平面図を、図３に示す。
【００２４】他の製造方法は、互いに高いエッチング選
択性を有する２つの位相シフト層を用いている。図８に
示すように、一方の層は、３３０°すなわち２π−θだ
け位相をシフトし、他方の層は、単に、π位相シフタで
ある。製造工程は、位相シフト層の選択性がエッチング
の均一性を保持するのに役立つことを除いて、図４，図
５，図６，図７に示された製造工程と同じである。薄い
エッチング停止層を、エッチング選択性を要求する層間
に挿入して、エッチング選択性を高めることができる。
択性を有する２つの位相シフト層を用いている。図８に
示すように、一方の層は、３３０°すなわち２π−θだ
け位相をシフトし、他方の層は、単に、π位相シフタで
ある。製造工程は、位相シフト層の選択性がエッチング
の均一性を保持するのに役立つことを除いて、図４，図
５，図６，図７に示された製造工程と同じである。薄い
エッチング停止層を、エッチング選択性を要求する層間
に挿入して、エッチング選択性を高めることができる。
【００２５】Ａｌｔ−Ａｌｌ−Ｕｔｔ ＰＳＭを製造す
る他の方法は、図１４（図４と同じである）の基板から
開始する。工程１は、減衰πシフタ１２，１６を画成す
るが、図１５に示すように、水晶基板１０はエッチング
しない。フォトレジスト層１８を用いて、工程２は、工
程３でのπシフタのリフトオフ処理のために、リムおよ
び非減衰領域を開口し、製造を終了する（図１７）。リ
フトオフ工程は、図９の基板に対しても、用いることが
できる。
る他の方法は、図１４（図４と同じである）の基板から
開始する。工程１は、減衰πシフタ１２，１６を画成す
るが、図１５に示すように、水晶基板１０はエッチング
しない。フォトレジスト層１８を用いて、工程２は、工
程３でのπシフタのリフトオフ処理のために、リムおよ
び非減衰領域を開口し、製造を終了する（図１７）。リ
フトオフ工程は、図９の基板に対しても、用いることが
できる。
【００２６】領域８および９が１５０°または２１０°
位相シフトするようにすることによって、処理を簡単に
することができる。これを、図１８に示す。Ａｔｔ Ｐ
ＳＭエレメントは、通常、図１９に示すように画成され
る。次に、第２レベルのレジストの供給および位置決め
露光が、図２０に示すように、Ｕｔｔ ＰＳＭ領域と、
交互に位相シフトされる領域とを開口する。１５０°位
相シフタはエッチングによって完全に除去されても、減
衰層により生じる固有の位相シフトは除去されず、した
がってこれら交互のシフトされた開口に対し、２１０°
の減衰位相シフト背景を生じる。等しいラインおよびス
ペースをウェハ上に生じさせるために、等しくないライ
ンおよびスペースをマスク上に作る通常のバイアシング
に加えて、マスクをさらにバイアスして、この構造のわ
ずかな非対称性を補償することができる。
位相シフトするようにすることによって、処理を簡単に
することができる。これを、図１８に示す。Ａｔｔ Ｐ
ＳＭエレメントは、通常、図１９に示すように画成され
る。次に、第２レベルのレジストの供給および位置決め
露光が、図２０に示すように、Ｕｔｔ ＰＳＭ領域と、
交互に位相シフトされる領域とを開口する。１５０°位
相シフタはエッチングによって完全に除去されても、減
衰層により生じる固有の位相シフトは除去されず、した
がってこれら交互のシフトされた開口に対し、２１０°
の減衰位相シフト背景を生じる。等しいラインおよびス
ペースをウェハ上に生じさせるために、等しくないライ
ンおよびスペースをマスク上に作る通常のバイアシング
に加えて、マスクをさらにバイアスして、この構造のわ
ずかな非対称性を補償することができる。
【００２７】上述したことは、減衰位相シフト・マスク
の利点と、交互エレメント位相シフト・マスクの利点と
を組合せ、また非減衰領域を含む改善された位相シフト
・マスクである。
の利点と、交互エレメント位相シフト・マスクの利点と
を組合せ、また非減衰領域を含む改善された位相シフト
・マスクである。
【００２８】以上の説明は、この発明の一例であること
を理解すべきである。当業者であれば、この発明から逸
脱することなく、種々の変形，変更を行うことができ
る。したがって、この発明は、特許請求の範囲内でのす
べての変形，変更を含むものである。
を理解すべきである。当業者であれば、この発明から逸
脱することなく、種々の変形，変更を行うことができ
る。したがって、この発明は、特許請求の範囲内でのす
べての変形，変更を含むものである。
【００２９】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）基板上に設けられた合成パターン物質を有する位
相シフト・マスクにおいて、実質的に透明な基板と、前
記基板の選択された領域上に設けられた放射線位相シフ
ト物質の個別要素層と、前記基板の選択された領域上に
設けられた放射線減衰物質の個別要素層と、前記放射線
減衰物質の層の選択された領域上に設けられた放射線位
相シフト物質の個別要素層とを備え、前記放射線位相シ
フト物質の前記個別要素層は、隣り合う零ラジアン位相
シフト物質とπラジアン位相シフト物質との分離交互領
域に配置される、ことを特徴とする位相シフト・マス
ク。 （２）上記（１）に記載される位相シフト領域，無位相
シフト領域，減衰領域を有し、前記位相シフト領域およ
び減衰領域は、無位相シフト領域を取り囲み、前記無位
相シフト領域および減衰領域は、位相シフト領域を取り
囲むことを特徴とする位相シフト・マスク。 （３）零ラジアン位相シフト要素を有する減衰領域と、
π−φ位相シフト要素（φは約３０°）を有する位相シ
フト領域とを有することを特徴とする上記（２）に記載
の位相シフト・マスク。 （４）２π−φ位相シフト要素をさらに有することを特
徴とする上記（３）に記載の位相シフト・マスク。 （５）３π−φ位相シフト要素をさらに有することを特
徴とする上記（３）に記載の位相シフト・マスク。 （６）４π−φ位相シフト要素をさらに有することを特
徴とする上記（３）に記載の位相シフト・マスク。 （７）位相シフト・マスクの製造方法において、実質的
に透明な基板上に透過吸収物質の層を設ける工程１と、
前記吸収物質上に位相シフト物質を設け、合成減衰位相
シフト層を与える工程２と、前記合成減衰位相シフト層
上にフォトレジストの第１の層を設け、前記フォトレジ
ストをパターニングし、前記位相シフト物質，前記吸収
物質，前記基板物質を画成してエッチングし、前記基板
上に、基板物質と吸収物質と位相シフト物質との別個の
個別部分のパターンを形成する工程３と、工程３におい
て形成された前記基板および個別部分上にフォトレジス
トの層を設ける工程４と、前記フォトレジストを露光し
エッチングして、位相シフト物質の前記個別部分の選択
された領域上にエッチング・マスクを形成する工程５
と、位相シフト物質の前記個別部分をエッチングして、
前記位相シフト物質の前記選択された領域を除去する工
程６と、を含むことを特徴とする位相シフト・マスクの
製造方法。 （８）前記工程６における前記位相シフト物質をリフト
オフにより除去することを特徴とする上記（７）に記載
の位相シフト・マスクの製造方法。
の事項を開示する。 （１）基板上に設けられた合成パターン物質を有する位
相シフト・マスクにおいて、実質的に透明な基板と、前
記基板の選択された領域上に設けられた放射線位相シフ
ト物質の個別要素層と、前記基板の選択された領域上に
設けられた放射線減衰物質の個別要素層と、前記放射線
減衰物質の層の選択された領域上に設けられた放射線位
相シフト物質の個別要素層とを備え、前記放射線位相シ
フト物質の前記個別要素層は、隣り合う零ラジアン位相
シフト物質とπラジアン位相シフト物質との分離交互領
域に配置される、ことを特徴とする位相シフト・マス
ク。 （２）上記（１）に記載される位相シフト領域，無位相
シフト領域，減衰領域を有し、前記位相シフト領域およ
び減衰領域は、無位相シフト領域を取り囲み、前記無位
相シフト領域および減衰領域は、位相シフト領域を取り
囲むことを特徴とする位相シフト・マスク。 （３）零ラジアン位相シフト要素を有する減衰領域と、
π−φ位相シフト要素（φは約３０°）を有する位相シ
フト領域とを有することを特徴とする上記（２）に記載
の位相シフト・マスク。 （４）２π−φ位相シフト要素をさらに有することを特
徴とする上記（３）に記載の位相シフト・マスク。 （５）３π−φ位相シフト要素をさらに有することを特
徴とする上記（３）に記載の位相シフト・マスク。 （６）４π−φ位相シフト要素をさらに有することを特
徴とする上記（３）に記載の位相シフト・マスク。 （７）位相シフト・マスクの製造方法において、実質的
に透明な基板上に透過吸収物質の層を設ける工程１と、
前記吸収物質上に位相シフト物質を設け、合成減衰位相
シフト層を与える工程２と、前記合成減衰位相シフト層
上にフォトレジストの第１の層を設け、前記フォトレジ
ストをパターニングし、前記位相シフト物質，前記吸収
物質，前記基板物質を画成してエッチングし、前記基板
上に、基板物質と吸収物質と位相シフト物質との別個の
個別部分のパターンを形成する工程３と、工程３におい
て形成された前記基板および個別部分上にフォトレジス
トの層を設ける工程４と、前記フォトレジストを露光し
エッチングして、位相シフト物質の前記個別部分の選択
された領域上にエッチング・マスクを形成する工程５
と、位相シフト物質の前記個別部分をエッチングして、
前記位相シフト物質の前記選択された領域を除去する工
程６と、を含むことを特徴とする位相シフト・マスクの
製造方法。 （８）前記工程６における前記位相シフト物質をリフト
オフにより除去することを特徴とする上記（７）に記載
の位相シフト・マスクの製造方法。
【図１】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭマスクを形成
するために、Ａｌｔ ＰＳＭとＡｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭ
との組合せを示す図である。
するために、Ａｌｔ ＰＳＭとＡｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭ
との組合せを示す図である。
【図２】図１のＡｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの側面
を示す図である。
を示す図である。
【図３】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの製造の各工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図４】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの製造の各工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図５】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの製造の各工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図６】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの製造の各工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図７】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの製造の各工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図８】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの他の製造方
法の各工程を示す図である。
法の各工程を示す図である。
【図９】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの他の製造方
法の各工程を示す図である。
法の各工程を示す図である。
【図１０】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの他の製造
方法の各工程を示す図である。
方法の各工程を示す図である。
【図１１】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの他の製造
方法の各工程を示す図である。
方法の各工程を示す図である。
【図１２】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの他の製造
方法の各工程を示す図である。
方法の各工程を示す図である。
【図１３】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭのさらに他
の製造方法の各工程を示す図である。
の製造方法の各工程を示す図である。
【図１４】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭのさらに他
の製造方法の各工程を示す図である。
の製造方法の各工程を示す図である。
【図１５】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭのさらに他
の製造方法の各工程を示す図である。
の製造方法の各工程を示す図である。
【図１６】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭのさらに他
の製造方法の各工程を示す図である。
の製造方法の各工程を示す図である。
【図１７】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭのさらに他
の製造方法の各工程を示す図である。
の製造方法の各工程を示す図である。
【図１８】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの簡略化し
た製造方法の各工程を示す図である。
た製造方法の各工程を示す図である。
【図１９】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの簡略化し
た製造方法の各工程を示す図である。
た製造方法の各工程を示す図である。
【図２０】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの簡略化し
た製造方法の各工程を示す図である。
た製造方法の各工程を示す図である。
【図２１】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの簡略化し
た製造方法の各工程を示す図である。
た製造方法の各工程を示す図である。
【図２２】Ａｌｔ−Ａｔｔ−Ｕｔｔ ＰＳＭの簡略化し
た製造方法の各工程を示す図である。
た製造方法の各工程を示す図である。
１０ 基板 １２ 位相シフタ １４ 透明物質 １６ 減衰物質 １８ フォトレジスト
Claims (8)
- 【請求項１】基板上に設けられた合成パターン物質を有
する位相シフト・マスクにおいて、 実質的に透明な基板と、 前記基板の選択された領域上に設けられた放射線位相シ
フト物質の個別要素層と、 前記基板の選択された領域上に設けられた放射線減衰物
質の個別要素層と、 前記放射線減衰物質の層の選択された領域上に設けられ
た放射線位相シフト物質の個別要素層とを備え、 前記放射線位相シフト物質の前記個別要素層は、隣り合
う零ラジアン位相シフト物質とπラジアン位相シフト物
質との分離交互領域に配置される、ことを特徴とする位
相シフト・マスク。 - 【請求項２】請求項１に記載される位相シフト領域，無
位相シフト領域，減衰領域を有し、前記位相シフト領域
および減衰領域は、無位相シフト領域を取り囲み、前記
無位相シフト領域および減衰領域は、位相シフト領域を
取り囲むことを特徴とする位相シフト・マスク。 - 【請求項３】零ラジアン位相シフト要素を有する減衰領
域と、π−φ位相シフト要素（φは約３０°）を有する
位相シフト領域とを有することを特徴とする請求項２記
載の位相シフト・マスク。 - 【請求項４】２π−φ位相シフト要素をさらに有するこ
とを特徴とする請求項３記載の位相シフト・マスク。 - 【請求項５】３π−φ位相シフト要素をさらに有するこ
とを特徴とする請求項３記載の位相シフト・マスク。 - 【請求項６】４π−φ位相シフト要素をさらに有するこ
とを特徴とする請求項３記載の位相シフト・マスク。 - 【請求項７】位相シフト・マスクの製造方法において、 実質的に透明な基板上に透過吸収物質の層を設ける工程
１と、 前記吸収物質上に位相シフト物質を設け、合成減衰位相
シフト層を与える工程２と、 前記合成減衰位相シフト層上にフォトレジストの第１の
層を設け、前記フォトレジストをパターニングし、前記
位相シフト物質，前記吸収物質，前記基板物質を画成し
てエッチングし、前記基板上に、基板物質と吸収物質と
位相シフト物質との別個の個別部分のパターンを形成す
る工程３と、 工程３において形成された前記基板および個別部分上に
フォトレジストの層を設ける工程４と、 前記フォトレジストを露光しエッチングして、位相シフ
ト物質の前記個別部分の選択された領域上にエッチング
・マスクを形成する工程５と、 位相シフト物質の前記個別部分をエッチングして、前記
位相シフト物質の前記選択された領域を除去する工程６
と、を含むことを特徴とする位相シフト・マスクの製造
方法。 - 【請求項８】前記工程６における前記位相シフト物質を
リフトオフにより除去することを特徴とする請求項７記
載の位相シフト・マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US340992 | 1989-04-20 | ||
| US08/340,992 US5565286A (en) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08211590A true JPH08211590A (ja) | 1996-08-20 |
| JP2986086B2 JP2986086B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=23335806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28332695A Expired - Fee Related JP2986086B2 (ja) | 1994-11-17 | 1995-10-31 | 位相シフト・マスクおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5565286A (ja) |
| EP (1) | EP0713142A3 (ja) |
| JP (1) | JP2986086B2 (ja) |
| KR (1) | KR0174336B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6757886B2 (en) | 2001-11-13 | 2004-06-29 | International Business Machines Corporation | Alternating phase shift mask design with optimized phase shapes |
Families Citing this family (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492349B1 (en) * | 1993-03-31 | 2002-12-10 | Nutramax Laboratories, Inc. | Aminosugar and glycosaminoglycan composition for the treatment and repair of connective tissue |
| KR0161879B1 (ko) * | 1995-09-25 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상 반전 마스크의 구조 및 제조방법 |
| KR100201040B1 (ko) * | 1996-08-26 | 1999-06-15 | 다니구찌 이찌로오; 기타오카 다카시 | 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조 방법 |
| US6228539B1 (en) | 1996-09-18 | 2001-05-08 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shifting circuit manufacture method and apparatus |
| US5783337A (en) * | 1997-05-15 | 1998-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process to fabricate a double layer attenuated phase shift mask (APSM) with chrome border |
| US5817439A (en) * | 1997-05-15 | 1998-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of blind border pattern layout for attenuated phase shifting masks |
| US6106979A (en) * | 1997-12-30 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Use of attenuating phase-shifting mask for improved printability of clear-field patterns |
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