KR960018758A - 조합된 감쇠 위상 교대 변이 마스크 구조 및 이를 위한 제조 방법 - Google Patents
조합된 감쇠 위상 교대 변이 마스크 구조 및 이를 위한 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960018758A KR960018758A KR1019950041614A KR19950041614A KR960018758A KR 960018758 A KR960018758 A KR 960018758A KR 1019950041614 A KR1019950041614 A KR 1019950041614A KR 19950041614 A KR19950041614 A KR 19950041614A KR 960018758 A KR960018758 A KR 960018758A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phase
- phase shift
- mask structure
- shift mask
- layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
위상 변이 리소그래픽 마스크를 위한 구조와 방법이 제공되는데, 여기서 감소된 위상 변이 메시 구조(Att PSM)가 교대 소자 위상 변이 마스크(Alt PSM)와 조합되어 위상 변이되고 변이되지 않은 감쇠 배경으로 구성된 마스크 조합을 제공한다. 위상 변이된 조정 배경은 변이 안된 부분을 둘러싸고 위상 변이되지 않은 감쇠배경은 위상 변이된 부분을 둘러싼다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 Alt-Att-Utt PSM 마스크를 형성하기 위해 Alt PSM 및 Att-Utt PSM의 조합을 도시한 개략도.
Claims (8)
- 기판 위에 배치된 복합 패턴의 재료를 갖는 위상 변이 마스크 구조에 있어서, 투명한 기판, 상기 기판의 선택된 영역 위에 배치되고 광 위상 변이 재료로 만들어진 이산 소자층, 상기 기판의 선택된 영역 위에 배치되고 광 감쇠 재료로 만들어진 이산 소자층, 및 인접한 0라디안 위상 변이 재료 및 π 라디안 위상 변이 재료로 만든 개별 교대 영역들 내에 배치되고 광 위상 변이 재료로 만든 이산 소자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 변이 마스크 구조.
- 제1항에 있어서, 위상 변이된 영역, 위상 변이되지 않은 영역, 및 감쇠된 영역을 갖고 있고, 위상 변이되고 감쇠된 영역이 위상 변이 안된 영역을 둘러싸고 위상 변이되지 않고 감쇠된 영역이 위상 변이된 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 위상 변이 마스크 구조.
- 제2항에 있어서, 0라디안 위상 변이 성분을 갖는 감쇠된 영역 및 ø가 30°가 되어 (π-ø) 위상 변이 성분을 갖는 위상 변이된 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 변이 마스크 구조.
- 제3항에 있어서, (2π-ø) 위상 변이 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 변이 마스크 구조.
- 제3항에 있어서, (3π-ø) 위상 변이 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 변이 마스크 구조.
- 제3항에 있어서, (4π-ø) 위상 변이 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 변이 마스크 구조.
- 위상 변이 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 단계 1; 투명 기판 위에 투과성 흡수 재료층을 배치하는 단계, 단계 2; 복합 감쇠 위상 변이층을 제공하기 위해 상기 흡수 재료층 위에 위상 변이용 재료를 배치하는 단계, 단계 3; 상기 기판 상의 일정양의 기판 부분, 흡수 재료 및 위상 변이용 재료로 구성된 개별 이산 영역들이 이루는 한 패턴을 형성하기 위해, 상기 복합층 위에 제1포토레지스트층을 배치하고 상기 포토레지스트층을 노출하고 패턴화하며 상기 위상 변이 재료, 상기 흡수 재료 및 상기 일정양의 기판 부분의 윤곽을 그리고(delineate) 에칭하는 단계, 단계 4; 한 포토레지스트층을 단계 3에서 형성된 상기 기판과 이산층 위에 가하는 단계, 단계 5; 위상 변이용 재료의 상기 이산 영역의 선택된 영역 상에 에치 마스크를 형성하기 위해 상기 포토레지스트층을 노출시키고 에칭하는 단계, 및 단계 6; 상기 위상 변이용 재료의 상기 선택된 영역을 제거하기 위해 위상 변이용 재료의 상기 이산 영역을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 변이 마스크를 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 단계 6의 위상 변이용 재료가 리프트 오프(lift off)에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 위상 변이 마스크를 제조하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/340,992 | 1994-11-17 | ||
US8/340,992 | 1994-11-17 | ||
US08/340,992 US5565286A (en) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960018758A true KR960018758A (ko) | 1996-06-17 |
KR0174336B1 KR0174336B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=23335806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950041614A KR0174336B1 (ko) | 1994-11-17 | 1995-11-16 | 조합된 감쇠-교대 위상 변이 마스크 구조 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5565286A (ko) |
EP (1) | EP0713142A3 (ko) |
JP (1) | JP2986086B2 (ko) |
KR (1) | KR0174336B1 (ko) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6492349B1 (en) * | 1993-03-31 | 2002-12-10 | Nutramax Laboratories, Inc. | Aminosugar and glycosaminoglycan composition for the treatment and repair of connective tissue |
KR0161879B1 (ko) * | 1995-09-25 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상 반전 마스크의 구조 및 제조방법 |
KR100201040B1 (ko) * | 1996-08-26 | 1999-06-15 | 다니구찌 이찌로오; 기타오카 다카시 | 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조 방법 |
US6228539B1 (en) | 1996-09-18 | 2001-05-08 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shifting circuit manufacture method and apparatus |
US5783337A (en) * | 1997-05-15 | 1998-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process to fabricate a double layer attenuated phase shift mask (APSM) with chrome border |
US5817439A (en) * | 1997-05-15 | 1998-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of blind border pattern layout for attenuated phase shifting masks |
US6106979A (en) | 1997-12-30 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Use of attenuating phase-shifting mask for improved printability of clear-field patterns |
US6077630A (en) | 1998-01-08 | 2000-06-20 | Micron Technology, Inc. | Subresolution grating for attenuated phase shifting mask fabrication |
US6178360B1 (en) * | 1998-02-05 | 2001-01-23 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for determining optimum exposure threshold for a given photolithographic model |
US6096457A (en) | 1998-02-27 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Method for optimizing printing of a phase shift mask having a phase shift error |
US5998069A (en) | 1998-02-27 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Electrically programmable photolithography mask |
US6001512A (en) * | 1998-04-28 | 1999-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of blind border pattern layout for attenuated phase shifting masks |
US6139994A (en) * | 1999-06-25 | 2000-10-31 | Broeke; Doug Van Den | Use of intersecting subresolution features for microlithography |
US6194103B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | E-beam double exposure method for manufacturing ASPM mask with chrome border |
US6210841B1 (en) | 1999-09-07 | 2001-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Approach to increase the resolution of dense line/space patterns for 0.18 micron and below design rules using attenuating phase shifting masks |
US6090633A (en) * | 1999-09-22 | 2000-07-18 | International Business Machines Corporation | Multiple-plane pair thin-film structure and process of manufacture |
US6190809B1 (en) | 1999-10-20 | 2001-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Cost-effective method to fabricate a combined attenuated-alternating phase shift mask |
US6787271B2 (en) * | 2000-07-05 | 2004-09-07 | Numerical Technologies, Inc. | Design and layout of phase shifting photolithographic masks |
US7028285B2 (en) * | 2000-07-05 | 2006-04-11 | Synopsys, Inc. | Standard cell design incorporating phase information |
US6541165B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-04-01 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask sub-resolution assist features |
US6681379B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-01-20 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shifting design and layout for static random access memory |
US6777141B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-08-17 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces |
US6978436B2 (en) * | 2000-07-05 | 2005-12-20 | Synopsys, Inc. | Design data format and hierarchy management for phase processing |
US6524752B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-02-25 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift masking for intersecting lines |
US7083879B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-08-01 | Synopsys, Inc. | Phase conflict resolution for photolithographic masks |
US6503666B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-01-07 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift masking for complex patterns |
US6811935B2 (en) * | 2000-07-05 | 2004-11-02 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask layout process for patterns including intersecting line segments |
US6733929B2 (en) * | 2000-07-05 | 2004-05-11 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift masking for complex patterns with proximity adjustments |
US6524755B2 (en) | 2000-09-07 | 2003-02-25 | Gray Scale Technologies, Inc. | Phase-shift masks and methods of fabrication |
US6866971B2 (en) * | 2000-09-26 | 2005-03-15 | Synopsys, Inc. | Full phase shifting mask in damascene process |
US6539521B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-03-25 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects |
US6622288B1 (en) | 2000-10-25 | 2003-09-16 | Numerical Technologies, Inc. | Conflict sensitive compaction for resolving phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features |
US6901575B2 (en) | 2000-10-25 | 2005-05-31 | Numerical Technologies, Inc. | Resolving phase-shift conflicts in layouts using weighted links between phase shifters |
US6584610B1 (en) | 2000-10-25 | 2003-06-24 | Numerical Technologies, Inc. | Incrementally resolved phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features |
US6653026B2 (en) | 2000-12-20 | 2003-11-25 | Numerical Technologies, Inc. | Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask |
US6551750B2 (en) | 2001-03-16 | 2003-04-22 | Numerical Technologies, Inc. | Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks |
US6635393B2 (en) | 2001-03-23 | 2003-10-21 | Numerical Technologies, Inc. | Blank for alternating PSM photomask with charge dissipation layer |
US6553560B2 (en) | 2001-04-03 | 2003-04-22 | Numerical Technologies, Inc. | Alleviating line end shortening in transistor endcaps by extending phase shifters |
US6566019B2 (en) | 2001-04-03 | 2003-05-20 | Numerical Technologies, Inc. | Using double exposure effects during phase shifting to control line end shortening |
US6569583B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-05-27 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for using phase shifter cutbacks to resolve phase shifter conflicts |
US6593038B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-07-15 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for reducing color conflicts during trim generation for phase shifters |
US6721938B2 (en) | 2001-06-08 | 2004-04-13 | Numerical Technologies, Inc. | Optical proximity correction for phase shifting photolithographic masks |
US6852471B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-02-08 | Numerical Technologies, Inc. | Exposure control for phase shifting photolithographic masks |
US7178128B2 (en) * | 2001-07-13 | 2007-02-13 | Synopsys Inc. | Alternating phase shift mask design conflict resolution |
US6523165B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-02-18 | Numerical Technologies, Inc. | Alternating phase shift mask design conflict resolution |
US6664009B2 (en) | 2001-07-27 | 2003-12-16 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for allowing phase conflicts in phase shifting mask and chromeless phase edges |
US6684382B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-01-27 | Numerical Technologies, Inc. | Microloading effect correction |
US6738958B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-05-18 | Numerical Technologies, Inc. | Modifying a hierarchical representation of a circuit to process composite gates |
US6735752B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-05-11 | Numerical Technologies, Inc. | Modifying a hierarchical representation of a circuit to process features created by interactions between cells |
US6698007B2 (en) | 2001-10-09 | 2004-02-24 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for resolving coloring conflicts between phase shifters |
US6757886B2 (en) | 2001-11-13 | 2004-06-29 | International Business Machines Corporation | Alternating phase shift mask design with optimized phase shapes |
US6981240B2 (en) | 2001-11-15 | 2005-12-27 | Synopsys, Inc. | Cutting patterns for full phase shifting masks |
US7122281B2 (en) * | 2002-02-26 | 2006-10-17 | Synopsys, Inc. | Critical dimension control using full phase and trim masks |
US6605481B1 (en) | 2002-03-08 | 2003-08-12 | Numerical Technologies, Inc. | Facilitating an adjustable level of phase shifting during an optical lithography process for manufacturing an integrated circuit |
US6704921B2 (en) | 2002-04-03 | 2004-03-09 | Numerical Technologies, Inc. | Automated flow in PSM phase assignment |
US6785879B2 (en) * | 2002-06-11 | 2004-08-31 | Numerical Technologies, Inc. | Model-based data conversion |
TWI274969B (en) * | 2002-09-11 | 2007-03-01 | Asml Masktools Bv | Method and computer program product of generating masks and mask generated thereby, device manufacturing method and device manufactured thereby, and method of printing pattern |
US6821689B2 (en) | 2002-09-16 | 2004-11-23 | Numerical Technologies | Using second exposure to assist a PSM exposure in printing a tight space adjacent to large feature |
DE10359991B4 (de) * | 2003-09-30 | 2006-05-11 | Infineon Technologies Ag | Phasenschiebermaske |
US7361434B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-04-22 | Infineon Technologies Ag | Phase shift mask |
DE102004003341B4 (de) * | 2004-01-22 | 2006-12-21 | Infineon Technologies Ag | Halbtonphasenmaske mit mehreren Transmissionen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US20080125485A1 (en) * | 2004-02-17 | 2008-05-29 | Action Medicines | Use of 2,5-Dihydroxybenzene Derivatives for Treating Actinic Keratosis |
JP4582574B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2010-11-17 | シャープ株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
KR100802292B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2008-02-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 마이크로 렌즈 제작 방법 |
US8110321B2 (en) | 2007-05-16 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of damascene reticle |
US8231906B2 (en) * | 2008-07-10 | 2012-07-31 | Noven Pharmaceuticals, Inc. | Transdermal estrogen device and delivery |
US8389183B2 (en) * | 2010-02-09 | 2013-03-05 | International Business Machines Corporation | Chromeless phase-shifting photomask with undercut rim-shifting element |
TW201831985A (zh) * | 2017-02-18 | 2018-09-01 | 力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 | 光罩及其製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1270934A (en) * | 1985-03-20 | 1990-06-26 | Masataka Shirasaki | Spatial phase modulating masks and production processes thereof, and processes for the formation of phase-shifted diffraction gratings |
US4890309A (en) * | 1987-02-25 | 1989-12-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Lithography mask with a π-phase shifting attenuator |
US4902899A (en) * | 1987-06-01 | 1990-02-20 | International Business Machines Corporation | Lithographic process having improved image quality |
US4885231A (en) * | 1988-05-06 | 1989-12-05 | Bell Communications Research, Inc. | Phase-shifted gratings by selective image reversal of photoresist |
JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
US5288569A (en) * | 1992-04-23 | 1994-02-22 | International Business Machines Corporation | Feature biassing and absorptive phase-shifting techniques to improve optical projection imaging |
US5348826A (en) * | 1992-08-21 | 1994-09-20 | Intel Corporation | Reticle with structurally identical inverted phase-shifted features |
US5403682A (en) * | 1992-10-30 | 1995-04-04 | International Business Machines Corporation | Alternating rim phase-shifting mask |
KR0135729B1 (en) * | 1993-02-12 | 1998-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | Attenuating type phase shifting mask and method of manufacturing thereof |
-
1994
- 1994-11-17 US US08/340,992 patent/US5565286A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-31 JP JP28332695A patent/JP2986086B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-16 KR KR1019950041614A patent/KR0174336B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-17 EP EP95118118A patent/EP0713142A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08211590A (ja) | 1996-08-20 |
KR0174336B1 (ko) | 1999-03-20 |
JP2986086B2 (ja) | 1999-12-06 |
US5565286A (en) | 1996-10-15 |
EP0713142A2 (en) | 1996-05-22 |
EP0713142A3 (en) | 1997-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960018758A (ko) | 조합된 감쇠 위상 교대 변이 마스크 구조 및 이를 위한 제조 방법 | |
KR950012571A (ko) | 위상천이 마스크와 그 제조방법 및 그러한 위상천이 마스크를 사용한 노광 방법 | |
KR910018847A (ko) | 투영 포토리토그래피에 대한 이상 마스크와 이것의 제조방법 | |
KR970048985A (ko) | 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR970076061A (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
TW362237B (en) | Method for fabricating phase shift mask by controlling an exposure dose | |
KR100426414B1 (ko) | 반투명한 위상 쉬프트 영역을 가지고 있는 트리밍 마스크 | |
KR950025852A (ko) | 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR100223940B1 (ko) | 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법 | |
KR910020802A (ko) | 마스크의 제작방법 | |
KR0152952B1 (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
KR980003795A (ko) | 위상반전 마스크의 결함 수정방법 | |
KR950012630A (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR930018675A (ko) | 위상반전마스크 및 그의 제조방법 | |
KR930018322A (ko) | 노출 마스크 및 그의 제조 방법 | |
JPH05165223A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
KR980005324A (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
KR950025479A (ko) | 하프톤형 위상반전 마스크의 제조 방법 | |
KR970028803A (ko) | 위상반전마스크와 그의 제조방법 | |
KR100419971B1 (ko) | 반도체소자 제조시의 패턴 형성을 위한 마스크 및 그 제조방법 | |
KR970016762A (ko) | 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법 | |
KR100277933B1 (ko) | 위상반전마스크제조방법 | |
KR950030230A (ko) | 크롬 마스크를 이용한 하프-톤 마스크 제작 방법 | |
KR960042200A (ko) | 반도체 마스크 및 그의 제조방법 | |
KR970048951A (ko) | 하프톤(Half-tone) 부분 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20051019 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |