KR950030230A - 크롬 마스크를 이용한 하프-톤 마스크 제작 방법 - Google Patents

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KR950030230A
KR950030230A KR1019940008594A KR19940008594A KR950030230A KR 950030230 A KR950030230 A KR 950030230A KR 1019940008594 A KR1019940008594 A KR 1019940008594A KR 19940008594 A KR19940008594 A KR 19940008594A KR 950030230 A KR950030230 A KR 950030230A
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함영목
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof

Abstract

본 발명은 공정마진이 큰 마스크 패턴을 형성하도록 하는 크롬 마스크를 이용한 하프-톤 마스크(half-tone mask) 제작방법에 관한 것으로, 석영기판(6)상에 투과성 크롬막(5)을 도포하는 단계; 상기 투과성 크롬막(5)상에 위상반전물질(4)을 도포하는 단계; 상기 위상반전물질(4)상에 감광막(3)을 도포하는 단계; 상기 감광막(3)을 상기 크롬패턴(2)이 형성된 포토마스크(1)를 이용하여 노광시켜 감광막패턴을 형성함으로써 일정패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 위상반전물질(4)과 투광성크롬막(5)을 차례로 식각하여 일정패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하여 하나의 층에서 형성되는 패턴을 제작함에 있어 크롬마스크와 공정마진이 큰 하프-톤 마스크를 동시에 사용함으로써 고집접소자의 제조를 가능하게 하는 효과가 있다.

Description

크롬 마스크를 리용한 하프-톤 마스크 제작 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 하프-톤 마스크 제작방법의 일실시예를 나타낸 공정 단면도, 제2도는 본 발명에 의한 하프-톤 마스크의 공정마진 확보를 도시한 작용상태도.

Claims (2)

  1. 소정의 크롬패턴(2)이 형성된 포토마스크(1)를 이용한 노광 공정시 상기 포토마스크(1)의 공정마진을 확보하기 위한 하프-톤 마스크 제작방법에 있어서, 석영기판(6)상에 투과성 크롬막(5)을 도포하는 단계; 상기 투과성 크롬막(5)상에 위상반전물질(4)을 도포하는 단계; 상기 위상반전물질(4)상에 감강막(3)을 도포하는 단계; 상기 감광막(3)을 상기 크롬패턴(2)이 형성된 포토마스크(1)를 이용하여 노광시켜 감광막패턴을 형성함으로써 일정패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 위상반전물질(4)과 투과성크롬막(5)을 차례로 식각하여 일정패턴을 형성하는 단계를 포함하여, 이루어지는 것을 특징으로 하는 크롬 마스크를 이용한 하프-톤 마스크 제작방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴을 형성하는 단계에서 전사되는 에너지로 상기 포토마스크(1)의 크롬막(2) 가장자리에서의 빛의 산란을 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 크롬 마스크를 이용한 하프-톤 마스크 제작방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019940008594A 1994-04-22 1994-04-22 크롬마스크를 이용한 하프-톤 마스크 제작방법 KR0126878B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030001643A (ko) * 2001-06-25 2003-01-08 주식회사 하이닉스반도체 위상반전 마스크 제조 방법

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