KR950003915A - 반도체 제조용 마스크 제조방법 - Google Patents

반도체 제조용 마스크 제조방법 Download PDF

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KR950003915A
KR950003915A KR1019930014255A KR930014255A KR950003915A KR 950003915 A KR950003915 A KR 950003915A KR 1019930014255 A KR1019930014255 A KR 1019930014255A KR 930014255 A KR930014255 A KR 930014255A KR 950003915 A KR950003915 A KR 950003915A
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chromium
photosensitive film
quartz substrate
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KR1019930014255A
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Inventor
함영목
Original Assignee
김주용
현재전자산업 주식회사
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조용 마스크 제조방법을 기술한 것으로, 석영 기판상에 크롬패턴을 형성하기 위한 크롬막 식각시 크롬막 자체의 특성 또는 식각공정의 외부조건등에 의한 크롬패턴 측면부가 경사지게 되는데, 이러한 경사부분을 개선하기 위하여 경사진 측면을 갖는 크롬패턴상에 감광막을 도포하고, 석영기판 후면에서 노광하여 크롬막이 얇을 경우 광이 투과되는 성질을 이용해서 경사진 측면이 노출되도록 감광막을 현상한 다음, 식각공정으로 노출된 측면 경사부분을 식각하여 경사가 개선된 크롬패턴을 갖는 마스크를 제조하므로써 노광공정시 크롬패턴에 의한 광의 차단부분과 투과부분을 명확히 할 수 있어, 이를 사용하는 반도체 공정 수행기 패턴형성마진을 좋게할 수 있도록 한 마스크 제조방법이 기술된다.

Description

반도체 제조용 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 반도체 제조용 마스크 제조방법에 있어서, 석영기판(1)상에 측면부가 경사진 크로패턴(2)이 형성된 마스크에서 상기 크롬패턴(2) 및 노출된 석영기판(1)상에 전반적으로 감광막(5)을 도포한 후, 석영기판(1)의 후면에서 노광하는 단계와, 상기 노광공정으로 노광된 감광막(5B)을 현상공정으로 현상하여 비노광된 감광막(5A)을 패턴화하여 크롬패턴(2)의 경사진 측면부의 소정부분이 노출되게 하는 단계와, 상기 현상공정으로 패턴화된 감광막(5A)을 이용하여 식각공정을 통해 상기 크롬패턴(2)의 측면부의 노출된 소정부분을 제거하여 크롬패턴(2)의 측면부 경사를 개선한 후, 상기 패턴화된 감광막(5A)을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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