KR950025484A - 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법에 관한 것으로, 반도체 소자와 제조공정시 리소그라피(Lithography) 공정에 사용되는 마스크의 크롬패턴을 형성할 때 기존의 공정으로 석영유리기판상에 크롬패턴을 형성하고, 전체구조 상부에 음감광막(Negative Photoresist)을 도포한 후 후면 노광하여 크롬패턴가의 석영유리기판상에 음감광막을 남기고, 크롬습식식각 용액에서 크롬패턴을 소정두께만큼 제거한 다음 빛 차단막을 증착하고, 이후 음감광막을 제거하므로써, 크롬패턴의 측면이 균일하게되어 반도체 제조시 선폭조절을 양호하게 할 수 있는 마스크의 크롬패턴을 형성하는 방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 의한 마스크의 크롬패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도,
제2도는 상기 제1A도의 A부분을 확대한 도면,
제3도는 상기 제1F도의 B부분을 확대한 도면.

Claims (2)

  1. 표면을 균일하게 하기위한 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법에 있어서, 공지의 방법으로 석영유리기판(1)상에 표면이 불균일한 다수의 크롬패턴(20이 형성된 상태에서, 그 상부에 음감광막(3)을 도포한 후 후면노광을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 노광된 음감광막(3)을 현상하여 크롬패턴(2)간의 석영유리기판(1)에만 상기 음감광막(3)을 패턴화하는 단계와, 상기 단계로부터 크롬 습식식각용액에 담그어 크롬패턴(2)의 상부면 및 음감광막(3)과의 경계면을 식각하여 선폭이 좁아진 크롬패턴(2A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 스퍼터링 방식으로 빛 차단막(4)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 음감광막(3)을 제거하여 석영유리기판(1) 상부에 선폭이 좁아진 크롬패턴(2A)과 그 둘레에 형성된 빛 차단막(4)으로 된 표면이 균일한 크롬패턴(20)을 완성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빛 차단막(4)은 크롬, Al203, Au, Ag중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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