KR950025484A - 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법에 관한 것으로, 반도체 소자와 제조공정시 리소그라피(Lithography) 공정에 사용되는 마스크의 크롬패턴을 형성할 때 기존의 공정으로 석영유리기판상에 크롬패턴을 형성하고, 전체구조 상부에 음감광막(Negative Photoresist)을 도포한 후 후면 노광하여 크롬패턴가의 석영유리기판상에 음감광막을 남기고, 크롬습식식각 용액에서 크롬패턴을 소정두께만큼 제거한 다음 빛 차단막을 증착하고, 이후 음감광막을 제거하므로써, 크롬패턴의 측면이 균일하게되어 반도체 제조시 선폭조절을 양호하게 할 수 있는 마스크의 크롬패턴을 형성하는 방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 의한 마스크의 크롬패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도,
제2도는 상기 제1A도의 A부분을 확대한 도면,
제3도는 상기 제1F도의 B부분을 확대한 도면.
Claims (2)
- 표면을 균일하게 하기위한 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법에 있어서, 공지의 방법으로 석영유리기판(1)상에 표면이 불균일한 다수의 크롬패턴(20이 형성된 상태에서, 그 상부에 음감광막(3)을 도포한 후 후면노광을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 노광된 음감광막(3)을 현상하여 크롬패턴(2)간의 석영유리기판(1)에만 상기 음감광막(3)을 패턴화하는 단계와, 상기 단계로부터 크롬 습식식각용액에 담그어 크롬패턴(2)의 상부면 및 음감광막(3)과의 경계면을 식각하여 선폭이 좁아진 크롬패턴(2A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 스퍼터링 방식으로 빛 차단막(4)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 음감광막(3)을 제거하여 석영유리기판(1) 상부에 선폭이 좁아진 크롬패턴(2A)과 그 둘레에 형성된 빛 차단막(4)으로 된 표면이 균일한 크롬패턴(20)을 완성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 빛 차단막(4)은 크롬, Al203, Au, Ag중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019940002579A KR0126649B1 (ko) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019940002579A KR0126649B1 (ko) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법 |
Publications (2)
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KR950025484A true KR950025484A (ko) | 1995-09-15 |
KR0126649B1 KR0126649B1 (ko) | 1997-12-26 |
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Family Applications (1)
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KR1019940002579A KR0126649B1 (ko) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0126649B1 (ko) |
-
1994
- 1994-02-15 KR KR1019940002579A patent/KR0126649B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR0126649B1 (ko) | 1997-12-26 |
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