KR920003811B1 - 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법

제 1 도는 본 발명의 제조공정을 나타낸 단면도.

제 2 도는 종래의 제조공정을 나타낸 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 하층레지스트

3 : 상층레지스트

본 발명은 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법에 관한 것으로, 특히 노광장비의 해상력 향상과 식각공정의 선택비(Selectivity) 향상에 적당하도록 한 것이다.

일반적인 반도체 제조공정중 토포로지(Topology) 단차에 의한 마스킹(Masking)공정은 레지스트 두께와 반사율의 변환을 가져오므로 최상의 이미지 전달(Fine Pattern Transfer)이 어렵고 기존의 노광장비 또한 해상력 및 촛점심도의 한계로 미세 패턴형성이 어렵다.

이러한 문제점을 해결하기 위한 수단으로 PMMA(Poly Methyl Methacrylate)등의 물질을 사용하여 토포로지 단차에 의한 레지스트의 평탄화를 얻고 있으며 그위에 얇은 레지스트막을 도포하여 노광장비의 해상력 한계를 극복하고 있다. 여기서 형성된 패턴의 이미지는 RIE(Reactive Ion Etching) 기술이나 250nm 파장의 자외선 노광을 통하여 미세패턴 형성을 하고 있다.

상기와 같은 이중 레지스트를 사용하는 반도체의 제조공정을 제 2도와 같은 일실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.

먼저 (A)와 같이 기판(1) 표면에 하층레지스트(2)를 형성하여 토포로지 단차에 의한 반사율 및 레지스트 두께 변화를 줄이기 위한 평탄화 작업을 한다. 그리고 (B)와 같이 얇은 상층레지스트(3)를 하층레지스트(2)위에 형성한 후 (C)와 같이 상층레지스트(3)를 노광하여 부분적으로 제거하고 이어서 (D)와 같이 상층 레지스트(3)를 이용하여 하층레지스트(2)를 선택적으로 제거한다.

그리고 이와같이 형성된 패턴을 RIE 기술이나 자외선 전면노광(블랭크 마스킹)작업을 하여 이미지 전달을 한다. 즉, 종래에는 레지스트가 너무 두꺼우면 해상력이 나빠지고 레지스트가 너무 얇으면 에칭시 선택비가 불량해지므로 이중의 레지스트를 형성하였다.

그러나, 상기와 같은 방법에 있어서는 서로 다른 레지스트를 사용하므로 이를 형성하기 위한 별도의 장비가 필요하였으며, 상층레지스트(3)를 패터닝하는 과정에서 하층레지스트(2)로부터의 반사율이 높아 레지스트면에 스텐딩 웨이브(Standing Wave)가 발생하여 최상의 이미지 전달에 어려움이 있었다.

본발명은 이와같은 종래의 문제점을 감안하여 동일 종류의 레지스트를 사용한 이중 도포에 의해 이중 노광공정을 실시할 수 있게 함을 그 목적으로 한다.

이하에서 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 제 1도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저 (A)와 같이 기판(1)위에 고점도(High Viscosity)레지스트(2)를 토포로지 단차를 채우기 위한 최소의 두께로 숏스핀시간 도포공정(short spin time coating process)에 의해 형성하므로 토포로지 단차에 의한 레지스트 두께 차이를 감소시킨다.

다음에 (B)와 같이 특정부위(2a)에만 빛을 받게하여 레티클(Reticle)의 숨은 이미지(latent image)를 전달한 후 (C)와 같이 동종의 레지스트를 사용하여 상층레지스트(3)를 형성시키므로서 식삭공정의 선택비를 높인다. 이때에도 숏스핀 시간 도포공정으로 레지스트를 형성하여 토포로지 단차에 의한 레지스트 두께 차이를 감소시킨다.

그리고 (D)와 같이 블랭크 마스크를 사용하여 최적의 노광량으로 전면 노광하면 상기의 하층레지스트(2)의 특정부위(2a)에 이중적으로 빛을 받게되고 (E)와 같이현상하면 하층 레지스트(2)에서의 패턴형성을 위한 노광부분은 광중첩 효과에 의하여 패턴이 형성되고 노광되지 않은 부분은 약간만 현상된다.

따라서, 하층레지스트(2)의 두께를 낮추므로써 노광장비의 해상력 및 촛점심도를 크게할 수 있고 상층레지트(3)의 형성을 통하여 레지스트에 대한 선택비를 높일 수 있다.

이상과 같은 본 발명은 하층레지스트(2)의 두께가 얇아지므로 해상도를 증가시킬 수 있으며, 동정의 레지스트(3)를 사용하므로 하나의 장비로 기판(1)위에 이러한 레지스트를 형성시킬 수 있어 원가가 절감됨과 아울러 제조시간을 단축시킬 수 있다.

특히 종래의 이중층 공정에서 나타나는 스텐딩 웨이브 현상을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims (2)

1. 기판(1)위에 하층레지스트(2)와 상층레지스트(3)를 형성하는 방법에 있어서, 기판(1)위에 하층레지스트(2)를 형성하고, 이어 상기 하층레지스트(2)의 특정부위(2a)에만 빛을 받게한 후 하층레지스트(2)와 동종의 상층레지스트(3)를 형성하며, 블랭크 마스크를 사용하여 상층레지스트(3)에서의 전면노광을 실시함을 특징으로 하는 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법.
2. 제 1 항에 있어서, 하층레지스트(2)와 상층레지스트(3)를 숏스핀시간 도포공정으로 형성하여 토포로지 단차에 의한 레지스트의 두께를 감소시키게 함을 특징으로 하는 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법.

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