KR910020493A - 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법 - Google Patents
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Landscapes
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제조공정을 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 기판(1)위에 하층레지스트(2)와 상층레지스트(3)를 형성하는 방법에 있어서, 기판(1)위에 하층레지스트(2)를 형성하고, 이어 상기 하층레지스트(2)의 특정부위(2a)에만 빛을 받게한 후 하측 레지스트(2)와 동종의 상층 레지스트(3)를 형성하며, 블랭크 마스크를 사용하여 상층레지스트(3)에서의 전면노광을 실시함을 특징으로 하는 레지스트의 이중도포에 의한 이중 노광방법.
- 제1항에 있어서, 하층 레지스트(2)와 상층레지스트(3)를 숏 스핀 시간 도포공정으로 형성하여 토포리지 단차에 의한 레지스트의 두께를 감소시키게함을 특징으로하는 레지스트의 이중도포에 의한 이중 노광방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900006473A KR920003811B1 (ko) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900006473A KR920003811B1 (ko) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910020493A true KR910020493A (ko) | 1991-12-20 |
| KR920003811B1 KR920003811B1 (ko) | 1992-05-15 |
Family
ID=19298781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900006473A KR920003811B1 (ko) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920003811B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100575001B1 (ko) * | 2004-12-10 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 상호 결합 없는 이중 포토 리소그라피 방법 |
-
1990
- 1990-05-08 KR KR1019900006473A patent/KR920003811B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100575001B1 (ko) * | 2004-12-10 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 상호 결합 없는 이중 포토 리소그라피 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920003811B1 (ko) | 1992-05-15 |
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