KR910020833A - 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법 - Google Patents

옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910020833A
KR910020833A KR1019900006664A KR900006664A KR910020833A KR 910020833 A KR910020833 A KR 910020833A KR 1019900006664 A KR1019900006664 A KR 1019900006664A KR 900006664 A KR900006664 A KR 900006664A KR 910020833 A KR910020833 A KR 910020833A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dry etching
etching method
oxide mask
mask
photoresist
Prior art date
Application number
KR1019900006664A
Other languages
English (en)
Inventor
한국룡
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019900006664A priority Critical patent/KR910020833A/ko
Publication of KR910020833A publication Critical patent/KR910020833A/ko

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (A)∼(D)는 본 발명에 따른 드라이 에칭 공정 순서도.

Claims (1)

  1. 에치해야할 막(2)위에 옥사이드막(3)을 디포지션한후 포토레지스트(1)로 패턴 디파이닝 하는 공정과, 상기 공정후 포토레지스트(1)를 마스크로 사용하여 옥사이드막(3)을 에칭한후 포토레지스트(1)를 제거하는 공정과, 상기 공정후 옥사이드막(3)을 마스크로 사용하여 에칭해야할막(2)을 드라이 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900006664A 1990-05-10 1990-05-10 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법 KR910020833A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900006664A KR910020833A (ko) 1990-05-10 1990-05-10 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900006664A KR910020833A (ko) 1990-05-10 1990-05-10 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR910020833A true KR910020833A (ko) 1991-12-20

Family

ID=67482454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900006664A KR910020833A (ko) 1990-05-10 1990-05-10 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR910020833A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100433462B1 (ko) * 2001-03-02 2004-05-31 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 패턴형성방법 및 이 패턴형성방법을 이용한액정표시장치의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100433462B1 (ko) * 2001-03-02 2004-05-31 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 패턴형성방법 및 이 패턴형성방법을 이용한액정표시장치의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR840000387A (ko) 전사지(轉寫紙) 및 이것을 사용한 화장재(化粧材)의 제조법
KR910020833A (ko) 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법
JPS57148706A (en) Production of color filter
KR910008789A (ko) 금속층위의 감광제 제거방법
KR920022422A (ko) 패턴 형성 방법
KR920007108A (ko) O2플라즈마를 이용한 에치방법
KR910019148A (ko) 감광제 제거방법
KR920020590A (ko) 페이즈 시프트 마스크 제조방법
KR920022042A (ko) 위상반전 마스크 제조방법
KR910020840A (ko) 트라이 레벨 레지스트 에칭방법
KR910010623A (ko) 건식 식각 및 습식 식각의 특성을 이용한 접촉 식각 방법
KR910020493A (ko) 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법
KR920010823A (ko) 필드산화막 형성방법
KR950004404A (ko) 장벽금속의 풋 제거 방법
KR970067458A (ko) 칼라 브라운관용 패널에 블랙 매트릭스(Black Matrix) 도포막을 형성하는 방법
KR940008148A (ko) 포토다이오드의 제조방법
KR920003099A (ko) 습식 식각법을 이용한 식각방법
KR910013473A (ko) 리프트-오프법을 이용한 투명도전막 패턴의 형성방법
KR870007448A (ko) 대비증강충의 형성방법
KR940015695A (ko) 반도체 소자의 패턴형성방법
KR970052225A (ko) 메탈층 패턴 형성 방법
KR920017174A (ko) 자기정렬 위상시프트 마스크 제조방법
KR960002479A (ko) 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법
KR900017174A (ko) 반도체의 미세패턴 형성방법
KR920020591A (ko) 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application