KR920022422A - 패턴 형성 방법 - Google Patents

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KR920022422A
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pattern formation
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KR1019920007014A
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나오끼 사노
도시유끼 사메시마
마사끼 하라
세쓰오 우스이
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

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Abstract

내용 없음.

Description

패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도∼제3도는 제1실시예의 공정을 도시한 단면도.

Claims (1)

  1. 기체(基體)상에 레지스트패턴을 형성한 후, 전체면에 소정의 막을 형성하고, 상기 레지스트패턴을 가열처리에 의해 팽창시키고, 그 후 상기 레지스트패턴을 제거하여 상기 소정의 막을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920007014A 1991-05-02 1992-04-25 패턴 형성 방법 KR920022422A (ko)

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JP3100805A JPH04330727A (ja) 1991-05-02 1991-05-02 パターン形成方法
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KR100919636B1 (ko) * 2005-06-30 2009-09-30 엘지디스플레이 주식회사 리프트 오프를 이용한 패턴 형성 방법과 이를 이용한액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CA2763142A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-03 Tetrasun, Inc. Fine line metallization of photovoltaic devices by partial lift-off of optical coatings

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JPH04330727A (ja) 1992-11-18

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