KR910002019A - 포토레지스터 리프트업을 이용한 콘텍트 메탈층 형성방법 - Google Patents
포토레지스터 리프트업을 이용한 콘텍트 메탈층 형성방법 Download PDFInfo
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 콘텍트 메탈층 형성에 대한 제조공정도,
Claims (1)
- 필드산화막(1)위에 메탈마스크로 포토레지스터(3)를 도포하고, 전면에 메탈층(2)을 증착한후 상기 포토레지스터(3)위의 메탈을 제거하여 콘텍트 메탈의 패턴을 형성하는 것을 특징으로하는 포토레지스터 리프트 업을 이용한 콘텍트 메탈층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890008509A KR910002019A (ko) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 포토레지스터 리프트업을 이용한 콘텍트 메탈층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890008509A KR910002019A (ko) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 포토레지스터 리프트업을 이용한 콘텍트 메탈층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910002019A true KR910002019A (ko) | 1991-01-31 |
Family
ID=67840536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890008509A KR910002019A (ko) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 포토레지스터 리프트업을 이용한 콘텍트 메탈층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910002019A (ko) |
-
1989
- 1989-06-20 KR KR1019890008509A patent/KR910002019A/ko not_active Application Discontinuation
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