KR930017113A - 위상쉬프트 마스크 제조방법 - Google Patents

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문정환
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    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

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Abstract

본 발명은 위상 쉬프트 마스크 제조방법에 관한 것으로 종래에서 위상 쉬프터의 경계면에서 빛의 집중을 제로로 하는데 한계점을 극복하기 위한 것이다.
따라서 본 위상 쉬프트층을 틸트시켜 디포커스를 제로로 한 것이다.

Description

위상쉬프트 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 위상쉬피트 마스크 공정단면도 및 빛의 특성도, 제2도는 본 발명의 위상쉬프트 마스크 공정단면도 및 빛의 특성도.

Claims (1)

  1. 투명기판위에 투과성 물질과 위상 쉬프트층을 형성하기 위한 물질을 증착하여 마스킹과 식각공정으로 상기 위상 쉬프트층을 선택적으로 경사지게 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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