KR930017113A - 위상쉬프트 마스크 제조방법 - Google Patents
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Abstract
본 발명은 위상 쉬프트 마스크 제조방법에 관한 것으로 종래에서 위상 쉬프터의 경계면에서 빛의 집중을 제로로 하는데 한계점을 극복하기 위한 것이다.
따라서 본 위상 쉬프트층을 틸트시켜 디포커스를 제로로 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 위상쉬피트 마스크 공정단면도 및 빛의 특성도, 제2도는 본 발명의 위상쉬프트 마스크 공정단면도 및 빛의 특성도.
Claims (1)
- 투명기판위에 투과성 물질과 위상 쉬프트층을 형성하기 위한 물질을 증착하여 마스킹과 식각공정으로 상기 위상 쉬프트층을 선택적으로 경사지게 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920000296A KR100244243B1 (ko) | 1992-01-11 | 1992-01-11 | 위상쉬프트 마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920000296A KR100244243B1 (ko) | 1992-01-11 | 1992-01-11 | 위상쉬프트 마스크 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930017113A true KR930017113A (ko) | 1993-08-30 |
KR100244243B1 KR100244243B1 (ko) | 2000-02-01 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920000296A KR100244243B1 (ko) | 1992-01-11 | 1992-01-11 | 위상쉬프트 마스크 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100244243B1 (ko) |
-
1992
- 1992-01-11 KR KR1019920000296A patent/KR100244243B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100244243B1 (ko) | 2000-02-01 |
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