KR920008833A - 위상반전 마스크의 형성방법 - Google Patents

위상반전 마스크의 형성방법 Download PDF

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KR920008833A
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forming
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차재현
전영진
최상수
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경상현
재단법인 한국전자통신연구소
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

위상반전 마스크의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 위상반전 마스크의 제조과정을 나타낸 단면도.
제 2 도는 본 발명의 위상반전 마스크의 제조과정을 나타낸 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 마스크기판 2 : 위상반전층
3 : 크롬차광막 4, 5 : 감광막

Claims (2)

  1. 마스크기판(1)의 상면에 위상반전층(2)과 크롬차광막(3)및 감광막(4)을 차례로 증착 또는 도포하는 단계와, 상기 감광막(4)을 이용하여 크롬차광막패턴(3a)을 형성하는 단계와, 다시 감광막(5)을 입히고 이를 이용하여 위상반전층 패턴(2a)을 형성하는 단계에 의해 포토마스크를 완성하도록한 위상반전 마스크의 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크기판(1)의 상면에 위상반전층(2)을 먼저 증착하고 이의 결함여부를 검사하도록한 위상 반전 마스크의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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